JPH10219446A - 強磁性体タ−ゲット用バッキングプレ−トおよび強磁性体タ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体 - Google Patents
強磁性体タ−ゲット用バッキングプレ−トおよび強磁性体タ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体Info
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- JPH10219446A JPH10219446A JP4289197A JP4289197A JPH10219446A JP H10219446 A JPH10219446 A JP H10219446A JP 4289197 A JP4289197 A JP 4289197A JP 4289197 A JP4289197 A JP 4289197A JP H10219446 A JPH10219446 A JP H10219446A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】強磁性体タ−ゲットをマグネトロンスパッタす
る際の磁力線の広がりを抑制し、スパッタ面以外への磁
力線の漏洩をなくし、タ−ゲット周辺のパ−ツやバッキ
ングプレ−ト側面がエロ−ジョンされ膜中にタ−ゲット
以外の元素が混入することを防止する。 【解決手段】バッキングプレ−トの側面またはバッキン
グプレ−トのタ−ゲットとの接着面外周部下部に、リン
グ状に高透磁率材料を配置し、タ−ゲットのスパッタ面
以外から磁力線が漏洩しないようにする。
る際の磁力線の広がりを抑制し、スパッタ面以外への磁
力線の漏洩をなくし、タ−ゲット周辺のパ−ツやバッキ
ングプレ−ト側面がエロ−ジョンされ膜中にタ−ゲット
以外の元素が混入することを防止する。 【解決手段】バッキングプレ−トの側面またはバッキン
グプレ−トのタ−ゲットとの接着面外周部下部に、リン
グ状に高透磁率材料を配置し、タ−ゲットのスパッタ面
以外から磁力線が漏洩しないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネトロンスパ
ッタリングに用いるための強磁性体ターゲット用のバッ
キングプレートおよび強磁性体ターゲット／バッキング
プレート組立体に関する。
ッタリングに用いるための強磁性体ターゲット用のバッ
キングプレートおよび強磁性体ターゲット／バッキング
プレート組立体に関する。
【０００２】
【従来技術および問題点】半導体薄膜の形成方法とし
て、スパッタリング法が盛んに用いられている。スパッ
タリング法は、基板とターゲットとを対向させ、基板を
陽極、ターゲットを陰極とし、不活性ガス雰囲気下でこ
の両者間に高電圧を印加し電場を発生させ、電離した電
子が不活性ガスと衝突してプラズマが形成され、プラズ
マ中の陽イオンがターゲット表面に衝突することにより
ターゲット構成原子が飛び出し、基板表面に付着して膜
を形成する方法である。
て、スパッタリング法が盛んに用いられている。スパッ
タリング法は、基板とターゲットとを対向させ、基板を
陽極、ターゲットを陰極とし、不活性ガス雰囲気下でこ
の両者間に高電圧を印加し電場を発生させ、電離した電
子が不活性ガスと衝突してプラズマが形成され、プラズ
マ中の陽イオンがターゲット表面に衝突することにより
ターゲット構成原子が飛び出し、基板表面に付着して膜
を形成する方法である。
【０００３】現在、一般に行われているスパッタリング
のほとんどは、いわゆるマグネトロンスパッタリング法
と呼ばれる方法である。マグネトロンスパッタリング法
は、ターゲットの裏側に磁石をセットしてターゲット表
面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリング
を行う方法であり、このような直交電磁界空間内ではプ
ラズマの安定化および高密度化が可能であり、スパッタ
速度を大きくすることができる。
のほとんどは、いわゆるマグネトロンスパッタリング法
と呼ばれる方法である。マグネトロンスパッタリング法
は、ターゲットの裏側に磁石をセットしてターゲット表
面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリング
を行う方法であり、このような直交電磁界空間内ではプ
ラズマの安定化および高密度化が可能であり、スパッタ
速度を大きくすることができる。
【０００４】非磁性体ターゲットを用いる場合には、磁
石から発生した磁力線は装置の設計通りの形状（Ｎ極と
Ｓ極間でドーム状）になり、磁力線はターゲットの外側
に広がることはない。しかし、ＣｏやＮｉなどの強磁性
体ターゲットを陰極に装着した場合には、磁力線がター
ゲット自体の影響を受けて曲げられ広がったり、ターゲ
ット側面に漏洩し、磁力線の一部が周辺のパーツやバッ
キングプレート側面にまで及び、そのために周辺パーツ
やバッキングプレートがエロージョンされ、膜中にこれ
らの元素が混入するという問題があった。
石から発生した磁力線は装置の設計通りの形状（Ｎ極と
Ｓ極間でドーム状）になり、磁力線はターゲットの外側
に広がることはない。しかし、ＣｏやＮｉなどの強磁性
体ターゲットを陰極に装着した場合には、磁力線がター
ゲット自体の影響を受けて曲げられ広がったり、ターゲ
ット側面に漏洩し、磁力線の一部が周辺のパーツやバッ
キングプレート側面にまで及び、そのために周辺パーツ
やバッキングプレートがエロージョンされ、膜中にこれ
らの元素が混入するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、強磁
性体ターゲットをマグネトロンスパッタする際の磁力線
の広がりを抑制し、スパッタ面以外への磁力線の漏洩を
なくし、ターゲット周囲のパーツやバッキングプレート
側面がエロージョンされ膜中にターゲット以外の元素が
混入することを防止することである。
性体ターゲットをマグネトロンスパッタする際の磁力線
の広がりを抑制し、スパッタ面以外への磁力線の漏洩を
なくし、ターゲット周囲のパーツやバッキングプレート
側面がエロージョンされ膜中にターゲット以外の元素が
混入することを防止することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、バッキング
プレート側面に高透磁率材料を配置することにより、ス
パッタ面以外への磁力線の漏洩を防止することが可能で
あるとの知見を得た。本発明は、この知見に基づき、 １．強磁性体ターゲット用バッキングプレートにおい
て、バッキングプレートの側面またはバッキングプレー
トのターゲットとの接着面外周部下部に、リング状に高
透磁率材料を配置し、ターゲットのスパッタ面以外から
磁力線が漏洩しないようにしたことを特徴とする強磁性
体ターゲット用バッキングプレート ２．高透磁率材料として、軟磁性材料を用いたことを特
徴とする上記１記載の強磁性体ターゲット用バッキング
プレート ３．強磁性体ターゲット／バッキングプレート組立体に
おいて、バッキングプレートの側面またはバッキングプ
レートのターゲットとの接着面外周部下部に、リング状
に高透磁率材料を配置し、ターゲットのスパッタ面以外
から磁力線が漏洩しないようにしたバッキングプレート
と強磁性体ターゲットとを接着または接合してなること
を特徴とする強磁性体ターゲット／バッキングプレート
組立体 ４．高透磁率材料として、軟磁性材料を用いたことを特
徴とする上記３記載の強磁性体ターゲット／バッキング
プレート組立体 ５．強磁性体ターゲットが高純度コバルトまたは高純度
コバルト合金、高純度ニッケルまたは高純度ニッケル合
金であることを特徴とする上記３〜４に記載の強磁性体
ターゲット／バッキングプレート組立体 を提供する。
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、バッキング
プレート側面に高透磁率材料を配置することにより、ス
パッタ面以外への磁力線の漏洩を防止することが可能で
あるとの知見を得た。本発明は、この知見に基づき、 １．強磁性体ターゲット用バッキングプレートにおい
て、バッキングプレートの側面またはバッキングプレー
トのターゲットとの接着面外周部下部に、リング状に高
透磁率材料を配置し、ターゲットのスパッタ面以外から
磁力線が漏洩しないようにしたことを特徴とする強磁性
体ターゲット用バッキングプレート ２．高透磁率材料として、軟磁性材料を用いたことを特
徴とする上記１記載の強磁性体ターゲット用バッキング
プレート ３．強磁性体ターゲット／バッキングプレート組立体に
おいて、バッキングプレートの側面またはバッキングプ
レートのターゲットとの接着面外周部下部に、リング状
に高透磁率材料を配置し、ターゲットのスパッタ面以外
から磁力線が漏洩しないようにしたバッキングプレート
と強磁性体ターゲットとを接着または接合してなること
を特徴とする強磁性体ターゲット／バッキングプレート
組立体 ４．高透磁率材料として、軟磁性材料を用いたことを特
徴とする上記３記載の強磁性体ターゲット／バッキング
プレート組立体 ５．強磁性体ターゲットが高純度コバルトまたは高純度
コバルト合金、高純度ニッケルまたは高純度ニッケル合
金であることを特徴とする上記３〜４に記載の強磁性体
ターゲット／バッキングプレート組立体 を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体や磁気ヘッド、
ハードディスクなどの強磁性体薄膜を作製するための強
磁性体ターゲット用のバッキングプレートに適用するこ
とが可能である。強磁性体材料としては、Fe,Co,Niの単
体金属あるいはその合金、希土類金属のGd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm等がある。また、これらの化合物、合金も強磁性を
示す。さらに、単体では非強磁性金属であるが合金にな
った場合には強磁性を示すものもあり、その代表的な例
はCu2MnAl（ホイスラー合金）やMnAl,MnBi等である。こ
れらの強磁性体材料からなるスパッタリングターゲット
用のバッキングプレートのいずれに対しても本発明を適
用することができる。
ハードディスクなどの強磁性体薄膜を作製するための強
磁性体ターゲット用のバッキングプレートに適用するこ
とが可能である。強磁性体材料としては、Fe,Co,Niの単
体金属あるいはその合金、希土類金属のGd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm等がある。また、これらの化合物、合金も強磁性を
示す。さらに、単体では非強磁性金属であるが合金にな
った場合には強磁性を示すものもあり、その代表的な例
はCu2MnAl（ホイスラー合金）やMnAl,MnBi等である。こ
れらの強磁性体材料からなるスパッタリングターゲット
用のバッキングプレートのいずれに対しても本発明を適
用することができる。
【０００８】バッキングプレートとしては、通常は無酸
素銅が使用されるが、他に軽量化のためにＡｌ合金を用
いたり、特殊な場合ではあるがチタン合金を用いる場合
もある。
素銅が使用されるが、他に軽量化のためにＡｌ合金を用
いたり、特殊な場合ではあるがチタン合金を用いる場合
もある。
【０００９】本発明における高透磁率材料は、少なくと
もターゲットよりは透磁率が高いことが必要であり、透
磁率５０以上のものが好ましい。一般的に透磁率が大き
く磁化しやすい材料であるいわゆる軟磁性材料が適して
いる。軟磁性材料としてはFe合金、例えばパーマロイ
（Fe-Ni合金）や純鉄、珪素鋼板等が代表的に挙げられ
る。
もターゲットよりは透磁率が高いことが必要であり、透
磁率５０以上のものが好ましい。一般的に透磁率が大き
く磁化しやすい材料であるいわゆる軟磁性材料が適して
いる。軟磁性材料としてはFe合金、例えばパーマロイ
（Fe-Ni合金）や純鉄、珪素鋼板等が代表的に挙げられ
る。
【００１０】強磁性体ターゲットの場合の磁力線の広が
りを抑えるためには、高透磁率材料を磁力線の軌跡内に
配置すれば良い。しかし、その配置の仕方によっては、
磁力線のターゲット表面への漏洩が小さくなりプラズマ
の発生・維持に悪影響を与えることになる。高透磁率材
料の配置方法としては、バッキングプレートの側面また
はバッキングプレートのターゲットとの接着面外周部下
部に、リング状に高透磁率材料を配置して、ターゲット
のスパッタ面以外から磁力線が漏洩しないようにするこ
とが重要である。
りを抑えるためには、高透磁率材料を磁力線の軌跡内に
配置すれば良い。しかし、その配置の仕方によっては、
磁力線のターゲット表面への漏洩が小さくなりプラズマ
の発生・維持に悪影響を与えることになる。高透磁率材
料の配置方法としては、バッキングプレートの側面また
はバッキングプレートのターゲットとの接着面外周部下
部に、リング状に高透磁率材料を配置して、ターゲット
のスパッタ面以外から磁力線が漏洩しないようにするこ
とが重要である。
【００１１】図１は、高透磁率材料をバッキングプレー
トの側面にリング状に配置した場合の例を模式的に示し
た断面図である。また、図２は高透磁率材料をバッキン
グプレートのターゲットとの接着面外周部下部にリング
状に配置した場合の例を模式的に示した断面図である。
強磁性体ターゲットの影響で曲げられ広がった磁力線は
Ｓ極近傍に配置した高透磁率材料に集中するため磁力線
が広がるのを効果的に防止することが可能である。さら
に、一端、高透磁率材料を通過した磁力線は外に漏洩す
ることはないのでスパッタ面以外への漏洩を防止するこ
とができる。
トの側面にリング状に配置した場合の例を模式的に示し
た断面図である。また、図２は高透磁率材料をバッキン
グプレートのターゲットとの接着面外周部下部にリング
状に配置した場合の例を模式的に示した断面図である。
強磁性体ターゲットの影響で曲げられ広がった磁力線は
Ｓ極近傍に配置した高透磁率材料に集中するため磁力線
が広がるのを効果的に防止することが可能である。さら
に、一端、高透磁率材料を通過した磁力線は外に漏洩す
ることはないのでスパッタ面以外への漏洩を防止するこ
とができる。
【００１２】高透磁率材料からなるリング状部材は、溶
接、ロウ付け、拡散接合などの方法によってバッキング
プレートに接合したり、あるいはネジ止めなどの方法で
バッキングプレートに固定しても良い。このようにし
て、リング状の高透磁率材料を側面または外周部下部に
配置したバッキングプレートは、強磁性体ターゲットと
ボンディングを行い、ターゲット／バッキングプレート
組立体とする。
接、ロウ付け、拡散接合などの方法によってバッキング
プレートに接合したり、あるいはネジ止めなどの方法で
バッキングプレートに固定しても良い。このようにし
て、リング状の高透磁率材料を側面または外周部下部に
配置したバッキングプレートは、強磁性体ターゲットと
ボンディングを行い、ターゲット／バッキングプレート
組立体とする。
【００１３】
（実施例１）強磁性体ターゲットとして直径33cm、厚さ
3mmの高純度コバルトターゲットを作製した。直径36cm
の無酸素銅製バッキングプレートの側面に、高透磁率材
料であるNi-Fe製（透磁率：100）のリング状部材（厚さ
5mm）を溶接によって接合した。この、高透磁率材料を
側面に配置したバッキングプレートと高純度コバルトタ
ーゲットとをロウ付けによってボンディングし一体化さ
せ、ターゲット／バッキングプレート組立体とした。こ
のターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロ
ンスパッタ装置に装着し、マグネトロンスパッタ成膜試
験を行った。ターゲットのスパッタ面以外から漏洩する
磁力線は実質上ほとんどなかった。スパッタリング条件
は下記の通りである。 Arガス圧 ：10mTorr 入力パワー：1kW 基板距離 ：50mm ターゲットシールド：ステンレス スパッタによって成膜した高純度コバルト薄膜中の不純
物量を測定した。表１にその結果を示す。
3mmの高純度コバルトターゲットを作製した。直径36cm
の無酸素銅製バッキングプレートの側面に、高透磁率材
料であるNi-Fe製（透磁率：100）のリング状部材（厚さ
5mm）を溶接によって接合した。この、高透磁率材料を
側面に配置したバッキングプレートと高純度コバルトタ
ーゲットとをロウ付けによってボンディングし一体化さ
せ、ターゲット／バッキングプレート組立体とした。こ
のターゲット／バッキングプレート組立体をマグネトロ
ンスパッタ装置に装着し、マグネトロンスパッタ成膜試
験を行った。ターゲットのスパッタ面以外から漏洩する
磁力線は実質上ほとんどなかった。スパッタリング条件
は下記の通りである。 Arガス圧 ：10mTorr 入力パワー：1kW 基板距離 ：50mm ターゲットシールド：ステンレス スパッタによって成膜した高純度コバルト薄膜中の不純
物量を測定した。表１にその結果を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】薄膜中にはバッキングプレート材料である
銅や周辺パーツ材料であるTi,Al,Fe,Ni,Crなどの不純物
の混入はほとんど見られなかった。
銅や周辺パーツ材料であるTi,Al,Fe,Ni,Crなどの不純物
の混入はほとんど見られなかった。
【００１６】（比較例１）バッキングプレートに高透磁
率材料を装着しないこと以外は実施例１と全く同じ方法
で高純度コバルトスパッタリングターゲット／バッキン
グプレート組立体を作製し、このターゲット／バッキン
グプレート組立体をマグネトロンスパッタ装置に装着
し、マグネトロンスパッタ成膜試験を行った。ターゲッ
トのスパッタ面以外からも磁力線の漏洩が見られた。タ
ーゲットのシールドとしてTi,Al,ステンレスを用いた場
合に、スパッタによって成膜した高純度コバルト薄膜中
の不純物量の測定結果を表１に示す。
率材料を装着しないこと以外は実施例１と全く同じ方法
で高純度コバルトスパッタリングターゲット／バッキン
グプレート組立体を作製し、このターゲット／バッキン
グプレート組立体をマグネトロンスパッタ装置に装着
し、マグネトロンスパッタ成膜試験を行った。ターゲッ
トのスパッタ面以外からも磁力線の漏洩が見られた。タ
ーゲットのシールドとしてTi,Al,ステンレスを用いた場
合に、スパッタによって成膜した高純度コバルト薄膜中
の不純物量の測定結果を表１に示す。
【００１７】実施例１の場合と比較してもわかるよう
に、薄膜中にはバッキングプレート材料である銅や周辺
パーツ材料であるTi,Alやステンレスに起因すると思わ
れるFe,Ni,Crなどの不純物が混入していた。
に、薄膜中にはバッキングプレート材料である銅や周辺
パーツ材料であるTi,Alやステンレスに起因すると思わ
れるFe,Ni,Crなどの不純物が混入していた。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、強磁性体ターゲットをマ
グネトロンスパッタする際に、磁力線の広がりを抑制
し、スパッタ面以外への磁力線の漏洩をなくすることが
できる。これにより、従来、問題となっていた漏洩磁力
線によって生じるターゲット近傍のパーツやバッキング
プレートのエロージョンを効果的に防止することでき、
スパッタ膜中にターゲット以外の不純物元素が混入する
のを防止することが可能である。
グネトロンスパッタする際に、磁力線の広がりを抑制
し、スパッタ面以外への磁力線の漏洩をなくすることが
できる。これにより、従来、問題となっていた漏洩磁力
線によって生じるターゲット近傍のパーツやバッキング
プレートのエロージョンを効果的に防止することでき、
スパッタ膜中にターゲット以外の不純物元素が混入する
のを防止することが可能である。
【図１】本発明における、高透磁率材料をバッキングプ
レートの側面にリング状に配置した場合の例を模式的に
示した断面図。
レートの側面にリング状に配置した場合の例を模式的に
示した断面図。
【図２】本発明における、高透磁率材料をバッキングプ
レートのターゲットとの接着面外周部下部にリング状に
配置した場合の例を模式的に示した断面図。
レートのターゲットとの接着面外周部下部にリング状に
配置した場合の例を模式的に示した断面図。
１ 強磁性体ターゲット ２ リング状高透磁率材料
Claims (5)
- 【請求項１】 強磁性体ターゲット用バッキングプレー
トにおいて、バッキングプレートの側面またはバッキン
グプレートのターゲットとの接着面外周部下部に、リン
グ状に高透磁率材料を配置し、ターゲットのスパッタ面
以外から磁力線が漏洩しないようにしたことを特徴とす
る強磁性体ターゲット用バッキングプレート。 - 【請求項２】 高透磁率材料として、軟磁性材料を用い
たことを特徴とする請求項１記載の強磁性体ターゲット
用バッキングプレート。 - 【請求項３】 強磁性体ターゲット／バッキングプレー
ト組立体において、バッキングプレートの側面またはバ
ッキングプレートのターゲットとの接着面外周部下部
に、リング状に高透磁率材料を配置し、ターゲットのス
パッタ面以外から磁力線が漏洩しないようにしたバッキ
ングプレートと強磁性体ターゲットとを接着または接合
してなることを特徴とする強磁性体ターゲット／バッキ
ングプレート組立体。 - 【請求項４】 高透磁率材料として、軟磁性材料を用い
たことを特徴とする請求項３記載の強磁性体ターゲット
／バッキングプレート組立体。 - 【請求項５】 強磁性体ターゲットが高純度コバルトま
たは高純度コバルト合金、高純度ニッケルまたは高純度
ニッケル合金であることを特徴とする請求項３〜４に記
載の強磁性体ターゲット／バッキングプレート組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04289197A JP4353323B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 強磁性体タ−ゲット用バッキングプレ−トおよび強磁性体タ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04289197A JP4353323B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 強磁性体タ−ゲット用バッキングプレ−トおよび強磁性体タ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219446A true JPH10219446A (ja) | 1998-08-18 |
| JP4353323B2 JP4353323B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=12648665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04289197A Expired - Fee Related JP4353323B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 強磁性体タ−ゲット用バッキングプレ−トおよび強磁性体タ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4353323B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011078148A1 (ja) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP04289197A patent/JP4353323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011078148A1 (ja) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| EP2518179A1 (en) * | 2009-12-24 | 2012-10-31 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and method for manufacturing the target |
| JP5175978B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-04-03 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
| EP2518179A4 (en) * | 2009-12-24 | 2014-05-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | GADOLINIUM SPUTTER TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET |
| KR101445945B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2014-09-29 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 가돌리늄제 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법 |
| TWI488985B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | And a method for manufacturing the target |
| KR20160008655A (ko) | 2009-12-24 | 2016-01-22 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 가돌리늄제 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법 |
| US10167547B2 (en) | 2009-12-24 | 2019-01-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and production method of said target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4353323B2 (ja) | 2009-10-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20090618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20090625 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20090721 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130807 Year of fee payment: 4 |
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