JPH05247637A - 強磁性体用スパッタリングターゲット - Google Patents
強磁性体用スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH05247637A JPH05247637A JP9338291A JP9338291A JPH05247637A JP H05247637 A JPH05247637 A JP H05247637A JP 9338291 A JP9338291 A JP 9338291A JP 9338291 A JP9338291 A JP 9338291A JP H05247637 A JPH05247637 A JP H05247637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- yoke ring
- sputtering target
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光磁気記録用ディスクの磁性膜の形成
に関するものである。 【構成】本発明はタ−ゲットの周辺部にヨ−クリングを
設ける事によって上記の課題を解決するものである。特
にシ−ルドマスクの内縁より大きく、且つ同軸型磁石の
外径より小さい円盤状の強磁性体タ−ゲット材料の外周
に透磁率の高い材料で作られたヨ−クリングを接合して
なる漏洩磁界型マグネトロンスパッタリングタ−ゲッ
ト。及びヨ−クリングの材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性
体、またはパ−マロイ、センダストとするスパッタリン
グタ−ゲットの製法を提供することにある。
に関するものである。 【構成】本発明はタ−ゲットの周辺部にヨ−クリングを
設ける事によって上記の課題を解決するものである。特
にシ−ルドマスクの内縁より大きく、且つ同軸型磁石の
外径より小さい円盤状の強磁性体タ−ゲット材料の外周
に透磁率の高い材料で作られたヨ−クリングを接合して
なる漏洩磁界型マグネトロンスパッタリングタ−ゲッ
ト。及びヨ−クリングの材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性
体、またはパ−マロイ、センダストとするスパッタリン
グタ−ゲットの製法を提供することにある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録用ディスクの
磁性膜の形成に関するものである。
磁性膜の形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録ディスクの磁性膜は例えばＴ
ｂＦｅＣｏの様な磁性材料をスパッタリングによって基
板上に約２００〜１、０００オングストロ−ム程度の厚
さに形成して作られている。一般には高速かつ低温で膜
を得る為にプレナ−型のマグネトロンスパッタリング法
が広く用いられており、この方法に於ては、図１に示す
断面図の如く、円盤状の陰極（タ−ゲット）の裏面に中
心がＮ，周辺がＳの同軸型磁石が取り付けられた装置が
使用される。この陰極と対応する位置に陽極、即ち金属
被膜をその上に堆積させるためのディスク基板が置か
れ、これらの全体は例えば希薄なアルゴンガス雰囲気の
中に置かれる。タ−ゲットの表面には図中矢印で示す如
く中央のＮから外側のＳへ漏洩磁界が形成される。
ｂＦｅＣｏの様な磁性材料をスパッタリングによって基
板上に約２００〜１、０００オングストロ−ム程度の厚
さに形成して作られている。一般には高速かつ低温で膜
を得る為にプレナ−型のマグネトロンスパッタリング法
が広く用いられており、この方法に於ては、図１に示す
断面図の如く、円盤状の陰極（タ−ゲット）の裏面に中
心がＮ，周辺がＳの同軸型磁石が取り付けられた装置が
使用される。この陰極と対応する位置に陽極、即ち金属
被膜をその上に堆積させるためのディスク基板が置か
れ、これらの全体は例えば希薄なアルゴンガス雰囲気の
中に置かれる。タ−ゲットの表面には図中矢印で示す如
く中央のＮから外側のＳへ漏洩磁界が形成される。
【０００３】このタイプの漏洩磁界型マグネトロンスパ
ッタ法ではタ−ゲットの表面に漏洩してきた磁界のうち
タ−ゲットに平行な成分が使用される。即ち、磁力線が
ＮからＳに行く途中に必ずタ−ゲットに平行な磁界成分
があり、陰極表面から叩きだされた電子は、タ−ゲット
表面付近にトラップされて前記のタ−ゲットに平行な磁
界成分の部分で最も頻繁にガス分子と衝突を繰り返し、
これをイオン化する。従ってタ−ゲットはこの部分で最
も頻繁にイオンの衝突を受け、表面原子を失い、特にタ
−ゲット材料が強磁性体の場合にはＶ字形状の侵食を受
ける事が知られている。この侵食は時間と共に深くなる
が、その幅の広がりはあまり拡大しない。その結果、タ
−ゲットは半径上の特定の位置でのみ使用し尽くされる
事となる。例えば、半径約１００ｍｍ厚さ約３ｍｍの円
盤状のタ−ゲットは、その体積の僅か約５〜１０％を利
用出来るに過ぎない。ＴｂＦｅＣｏの如く高価で且つ溶
解、再鋳造が容易ではない材料ではこの利用効率の低さ
が製品のコストを押し上げると言う問題があった。
ッタ法ではタ−ゲットの表面に漏洩してきた磁界のうち
タ−ゲットに平行な成分が使用される。即ち、磁力線が
ＮからＳに行く途中に必ずタ−ゲットに平行な磁界成分
があり、陰極表面から叩きだされた電子は、タ−ゲット
表面付近にトラップされて前記のタ−ゲットに平行な磁
界成分の部分で最も頻繁にガス分子と衝突を繰り返し、
これをイオン化する。従ってタ−ゲットはこの部分で最
も頻繁にイオンの衝突を受け、表面原子を失い、特にタ
−ゲット材料が強磁性体の場合にはＶ字形状の侵食を受
ける事が知られている。この侵食は時間と共に深くなる
が、その幅の広がりはあまり拡大しない。その結果、タ
−ゲットは半径上の特定の位置でのみ使用し尽くされる
事となる。例えば、半径約１００ｍｍ厚さ約３ｍｍの円
盤状のタ−ゲットは、その体積の僅か約５〜１０％を利
用出来るに過ぎない。ＴｂＦｅＣｏの如く高価で且つ溶
解、再鋳造が容易ではない材料ではこの利用効率の低さ
が製品のコストを押し上げると言う問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の様な問
題に鑑み、タ−ゲット材料の利用効率を改善するスパッ
タリング陰極を提供することである。
題に鑑み、タ−ゲット材料の利用効率を改善するスパッ
タリング陰極を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、タ−
ゲットの周辺部にヨ−クリングを設ける事によって上記
の課題を解決するものである。特にシ−ルドマスクの内
縁より大きく、且つ同軸型磁石の外径より小さい円盤状
の強磁性体タ−ゲット材料の外周に透磁率の高い材料で
作られたヨ−クリングを接合してなる漏洩磁界型マグネ
トロンスパッタリングタ−ゲット。及びヨ−クリングの
材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性体、またはパ−マロイ、
センダストとするスパッタリングタ−ゲットの製法を特
長とするものである。
ゲットの周辺部にヨ−クリングを設ける事によって上記
の課題を解決するものである。特にシ−ルドマスクの内
縁より大きく、且つ同軸型磁石の外径より小さい円盤状
の強磁性体タ−ゲット材料の外周に透磁率の高い材料で
作られたヨ−クリングを接合してなる漏洩磁界型マグネ
トロンスパッタリングタ−ゲット。及びヨ−クリングの
材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性体、またはパ−マロイ、
センダストとするスパッタリングタ−ゲットの製法を特
長とするものである。
【０００６】
【作用】本発明はタ−ゲットの周辺部にヨ−クリングを
設ける事によって上記の課題を解決するものである。特
にシ−ルドマスクの内縁より大きく、且つ同軸型磁石の
外径より小さい円盤状の強磁性体タ−ゲット材料の外周
に透磁率の高い材料で作られたヨ−クリングを接合して
なる漏洩磁界型マグネトロンスパッタリングタ−ゲッ
ト。及びヨ−クリングの材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性
体、またはパ−マロイ、センダストとするスパッタリン
グタ−ゲットの製法を提供することにある。
設ける事によって上記の課題を解決するものである。特
にシ−ルドマスクの内縁より大きく、且つ同軸型磁石の
外径より小さい円盤状の強磁性体タ−ゲット材料の外周
に透磁率の高い材料で作られたヨ−クリングを接合して
なる漏洩磁界型マグネトロンスパッタリングタ−ゲッ
ト。及びヨ−クリングの材質をＦｅ、Ｃｏ、等の強磁性
体、またはパ−マロイ、センダストとするスパッタリン
グタ−ゲットの製法を提供することにある。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して以下に説明
する。図２は本発明の漏洩磁界型マグネトロンスパッタ
リングの陰極部の断面図である。図２に於て１はリング
状磁石であり、Ｓを上にして配置されている。２は中心
磁石である。この磁石はＮを上にむけてリング状磁石１
の中央に配置されている。３はバッキングプレ−トであ
る。このプレ−トは銅等の非磁性材料で作られており、
円盤状をして磁石１と２の上に配置されている。４はヨ
−クであり磁石１、２と共に同軸型磁石を構成してい
る。５はシ−ルドマスクで、ステンレス等の非磁性材料
で作られて、不要な磁界成分を遮蔽する。６はタ−ゲッ
ト、７はリング状に形成されたヨ−クである。このヨ−
クはＦｅ，Ｃｏ，パ−マロイ、センダスト等の透磁率の
高い材料によって作られている。
する。図２は本発明の漏洩磁界型マグネトロンスパッタ
リングの陰極部の断面図である。図２に於て１はリング
状磁石であり、Ｓを上にして配置されている。２は中心
磁石である。この磁石はＮを上にむけてリング状磁石１
の中央に配置されている。３はバッキングプレ−トであ
る。このプレ−トは銅等の非磁性材料で作られており、
円盤状をして磁石１と２の上に配置されている。４はヨ
−クであり磁石１、２と共に同軸型磁石を構成してい
る。５はシ−ルドマスクで、ステンレス等の非磁性材料
で作られて、不要な磁界成分を遮蔽する。６はタ−ゲッ
ト、７はリング状に形成されたヨ−クである。このヨ−
クはＦｅ，Ｃｏ，パ−マロイ、センダスト等の透磁率の
高い材料によって作られている。
【０００８】本発明においてはタ−ゲット６はその外周
に密接して透磁率の高い材料で作られたヨ−クリング７
を備えている点に特徴を有する。この場合タ−ゲットは
シ−ルドマスク５の内縁より大きく、同軸型磁石の外径
より小さい半径を持ち、その外周に設けたヨ−クリング
の大きさは、その幅及び厚みについて任意に選択が可能
である。この様なヨ−クリングを持ったタ−ゲットでス
パッタリングを行なうとタ−ゲットの上面には漏洩磁界
が形成され、そのうちタ−ゲットに平行な磁界成分の直
下部分においてタ−ゲットの侵食が進む。然しながらこ
のヨ−クリングを大きさの異なる物に取り替える事によ
って、或いはその材質を変更する事によって、磁界分布
を種々に変え、これによって磁界のタ−ゲットに平行な
成分の位置を僅かに移動させ、いまだ侵食されていない
部分を新たに使用する事を可能にするのである。磁界分
布の変更はタ−ゲットの裏側にある同軸型磁石を変更し
ても可能ではあるが本発明は安価に準備が可能であるヨ
−クリングを取り替える事によって同じ効果を得るだけ
ではなく、ヨ−クリングがある分タ−ゲットの外径を小
さくする事が可能であると言う事実によってタ−ゲット
の初期コストをも低減すると言う二重の効果を得る事が
出来る。
に密接して透磁率の高い材料で作られたヨ−クリング７
を備えている点に特徴を有する。この場合タ−ゲットは
シ−ルドマスク５の内縁より大きく、同軸型磁石の外径
より小さい半径を持ち、その外周に設けたヨ−クリング
の大きさは、その幅及び厚みについて任意に選択が可能
である。この様なヨ−クリングを持ったタ−ゲットでス
パッタリングを行なうとタ−ゲットの上面には漏洩磁界
が形成され、そのうちタ−ゲットに平行な磁界成分の直
下部分においてタ−ゲットの侵食が進む。然しながらこ
のヨ−クリングを大きさの異なる物に取り替える事によ
って、或いはその材質を変更する事によって、磁界分布
を種々に変え、これによって磁界のタ−ゲットに平行な
成分の位置を僅かに移動させ、いまだ侵食されていない
部分を新たに使用する事を可能にするのである。磁界分
布の変更はタ−ゲットの裏側にある同軸型磁石を変更し
ても可能ではあるが本発明は安価に準備が可能であるヨ
−クリングを取り替える事によって同じ効果を得るだけ
ではなく、ヨ−クリングがある分タ−ゲットの外径を小
さくする事が可能であると言う事実によってタ−ゲット
の初期コストをも低減すると言う二重の効果を得る事が
出来る。
【０００９】 【発明の効果］以上説明したごとく、本発明はタ−ゲッ
ト材料の周囲に透磁率の高いヨ−クリングを配置する事
によって、タ−ゲット材料を節約すると共に、このヨ−
クリングの大きさを調節することによってタ−ゲット材
料の侵食を受ける位置をずらせる事によってタ−ゲット
の利用効率を高める効果を有する。
ト材料の周囲に透磁率の高いヨ−クリングを配置する事
によって、タ−ゲット材料を節約すると共に、このヨ−
クリングの大きさを調節することによってタ−ゲット材
料の侵食を受ける位置をずらせる事によってタ−ゲット
の利用効率を高める効果を有する。
【図１】従来のマグネットスパッタリング法を示す断面
図
図
【図２】本発明の漏洩磁界型マグネトロンスパッタリン
グの陰極部の段面図
グの陰極部の段面図
１ リング状磁石 ２ 中心磁石 ３ バッキングプレ−ト ４ ヨ−ク ５ シ−ルドマスク ６ タ−ゲット ７ リング状に形成されたヨ−ク
Claims (2)
- 【請求項１】 シ−ルドマスクの内縁より大きく、且つ
同軸型磁石の外径より小さい円盤状の強磁性体タ−ゲッ
ト材料の外周に透磁率の高い材料で作られたヨ−クリン
グを接合してなる漏洩磁界型マグネトロンスパッタリン
グタ−ゲット。 - 【請求項２】 ヨ−クリングの材質をＦｅ、Ｃｏ、等の
強磁性体、またはパ−マロイ、センダストとする第１項
記載のスパッタリングタ−ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338291A JPH05247637A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 強磁性体用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338291A JPH05247637A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 強磁性体用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247637A true JPH05247637A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=14080764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9338291A Pending JPH05247637A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 強磁性体用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013023744A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Kobe Steel Ltd | 真空成膜装置 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9338291A patent/JPH05247637A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013023744A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Kobe Steel Ltd | 真空成膜装置 |
| US9017534B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-04-28 | Kobe Steel, Ltd. | Vacuum deposition apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0093412B1 (en) | Magnetron sputtering apparatusand a method for forming a magnetic thinfilm on the surface of a substrate | |
| US6692619B1 (en) | Sputtering target and method for making composite soft magnetic films | |
| JPH05209266A (ja) | 分布磁界を有するマグネトロン・スパッタ・ガン・ターゲット・アセンブリ | |
| CN112011771B (zh) | 偏置磁场控制方法、磁性薄膜沉积方法、腔室及设备 | |
| JPS6151410B2 (ja) | ||
| JPH02277772A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH05247637A (ja) | 強磁性体用スパッタリングターゲット | |
| JPS62218562A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS63143260A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS58199862A (ja) | マグネトロン形スパツタ装置 | |
| JPS63277758A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2769572B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用カソード | |
| JPH04116162A (ja) | プレーナマグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置 | |
| JPH07157874A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| GB2241710A (en) | Magnetron sputtering of magnetic materials in which magnets are unbalanced | |
| JPH07107188B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS5917896Y2 (ja) | 高速スパツタ用タ−ゲツト電極 | |
| JPH03183123A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH02273323A (ja) | 強磁性体のスパツタリング装置 | |
| JPH07157875A (ja) | マグネトロンスパッタ用磁気回路 | |
| JPH01283372A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH04358064A (ja) | マグネトロンスパッタカソード | |
| JPH0241585B2 (ja) | ||
| JPH0445267A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2604442B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |