JPH10215033A - 半導体発光装置とその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPH10215033A JPH10215033A JP1653697A JP1653697A JPH10215033A JP H10215033 A JPH10215033 A JP H10215033A JP 1653697 A JP1653697 A JP 1653697A JP 1653697 A JP1653697 A JP 1653697A JP H10215033 A JPH10215033 A JP H10215033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- emitting device
- light emitting
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作電流等の静特性に優れた、長寿命の半導
体発光装置とその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚の
ｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、１μｍ厚のｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭ
ＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。つぎに、活性層
４の上にＶ／ＩＩＩ比を下げた５０ｎｍ厚のキャリア拡
散抑制層９を成長させ、その上に１μｍ厚のｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５と、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層６と、０．３μｍ厚のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層
７を順次成長させる。その後、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流
キャップ層７を選択的にエッチングしてメサ構造を形成
し、その後、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８をメサ構造
の両側に成長させて積層し、半導体発光装置１００を形
成する。
体発光装置とその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚の
ｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、１μｍ厚のｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭ
ＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。つぎに、活性層
４の上にＶ／ＩＩＩ比を下げた５０ｎｍ厚のキャリア拡
散抑制層９を成長させ、その上に１μｍ厚のｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層５と、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層６と、０．３μｍ厚のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層
７を順次成長させる。その後、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流
キャップ層７を選択的にエッチングしてメサ構造を形成
し、その後、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８をメサ構造
の両側に成長させて積層し、半導体発光装置１００を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡｌＧａＩｎＰ材料
からなり、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層が
順次積層されてなる半導体発光装置とその製造方法に関
する。
からなり、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層が
順次積層されてなる半導体発光装置とその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰを材料とする半導体発光
装置としては、波長が６８０ｎｍ帯のレーザダイオード
（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）は勿論のこと、近
年では６５０ｎｍ帯や６３５ｎｍ帯の、より短い波長帯
のものが実用化レベルに達してきている。
装置としては、波長が６８０ｎｍ帯のレーザダイオード
（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）は勿論のこと、近
年では６５０ｎｍ帯や６３５ｎｍ帯の、より短い波長帯
のものが実用化レベルに達してきている。
【０００３】その一例としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
発光装置、特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザについ
て、図３を参照して説明する。
発光装置、特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザについ
て、図３を参照して説明する。
【０００４】図３は従来の半導体発光装置１２０である
半導体レーザの断面図であって、この構造は有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製される。この例では
第１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ
厚の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ
層２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによる
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／Ａｌ
ＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４と、１μｍ厚の第２導
電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、０．１μｍ
厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μｍ厚
の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層７とを順次
成長させる。
半導体レーザの断面図であって、この構造は有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製される。この例では
第１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ
厚の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ
層２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによる
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／Ａｌ
ＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４と、１μｍ厚の第２導
電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、０．１μｍ
厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μｍ厚
の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層７とを順次
成長させる。
【０００５】その後、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングし、メサ構造を形成する。更にその後、ｎ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて
積層し、半導体発光装置１２０を形成する。
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングし、メサ構造を形成する。更にその後、ｎ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて
積層し、半導体発光装置１２０を形成する。
【０００６】しかしながら、近年の光ディスク等の使用
環境の拡大に伴い、これらの光源として用いる前記半導
体発光装置１２０も、例えば８０℃、３０ｍＷ出力動作
下で長寿命であること等、温度特性の改善が要求されて
きている。
環境の拡大に伴い、これらの光源として用いる前記半導
体発光装置１２０も、例えば８０℃、３０ｍＷ出力動作
下で長寿命であること等、温度特性の改善が要求されて
きている。
【０００７】その対策としてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層５のＡｌ組成比を上げて活性層４におけるキャリア
と光の閉じ込めを強くしたり、活性層４に隣接した積層
部分にマルチ・クワンタム・バリア（ＭＱＢ）と呼ばれ
る多層薄膜構造を形成することが考案されている。
ド層５のＡｌ組成比を上げて活性層４におけるキャリア
と光の閉じ込めを強くしたり、活性層４に隣接した積層
部分にマルチ・クワンタム・バリア（ＭＱＢ）と呼ばれ
る多層薄膜構造を形成することが考案されている。
【０００８】また、歪みを有したＡｌＧａＩｎＰ層でＡ
ｌ組成の異なる多層膜を積層することによりｐ型キャリ
アの拡散を抑制する方法が特開平６−２３７０３８号公
報に提案されている。
ｌ組成の異なる多層膜を積層することによりｐ型キャリ
アの拡散を抑制する方法が特開平６−２３７０３８号公
報に提案されている。
【０００９】更に、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を上
げることにより、フェルミ準位を上げて実質的に活性層
４の閉じ込めを強くすることも考えられている。
げることにより、フェルミ準位を上げて実質的に活性層
４の閉じ込めを強くすることも考えられている。
【００１０】しかしながら、前記ＭＱＢや歪みを有した
ＡｌＧａＩｎＰ多層膜の成長は膜厚や組成比を厳密に設
定する必要があり、実際の成長においてこれらの設定値
がずれた場合は、逆に素子の特性を悪化させるものであ
る。また、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を上げること
は容易であるが、活性層４まで拡散すると非発光中心や
発光中心となる欠陥が生じ、半導体発光装置１２０の動
作電流等の静特性を悪化させ、更に、熱や通電の結果、
キャリアの拡散が進行することによって寿命を悪化させ
る。
ＡｌＧａＩｎＰ多層膜の成長は膜厚や組成比を厳密に設
定する必要があり、実際の成長においてこれらの設定値
がずれた場合は、逆に素子の特性を悪化させるものであ
る。また、ｐ型クラッド層のキャリア濃度を上げること
は容易であるが、活性層４まで拡散すると非発光中心や
発光中心となる欠陥が生じ、半導体発光装置１２０の動
作電流等の静特性を悪化させ、更に、熱や通電の結果、
キャリアの拡散が進行することによって寿命を悪化させ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、クラ
ッド層のキャリア濃度を高くすると同時に、活性層側へ
の拡散を抑制する製造方法と、この製造方法による動作
電流等の静特性に優れた、長寿命の半導体発光装置を提
供するものである。
ッド層のキャリア濃度を高くすると同時に、活性層側へ
の拡散を抑制する製造方法と、この製造方法による動作
電流等の静特性に優れた、長寿命の半導体発光装置を提
供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題に鑑
みなされたものであって、化合物半導体基板上に、少な
くとも第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電
型のクラッド層とを有する積層半導体層が形成され、該
積層半導体層の少なくとも一部に導電をなすキャリアの
拡散を抑制するキャリア拡散抑制層が形成された半導体
発光装置とその製造方法を提供する。
みなされたものであって、化合物半導体基板上に、少な
くとも第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電
型のクラッド層とを有する積層半導体層が形成され、該
積層半導体層の少なくとも一部に導電をなすキャリアの
拡散を抑制するキャリア拡散抑制層が形成された半導体
発光装置とその製造方法を提供する。
【００１３】前記キャリア拡散抑制層は、結晶成長条件
の１つである原料供給比を点欠陥を少なくする条件のも
とで形成された半導体発光装置とその製造方法を提供す
る。
の１つである原料供給比を点欠陥を少なくする条件のも
とで形成された半導体発光装置とその製造方法を提供す
る。
【００１４】化合物半導体基板上に、少なくとも第１導
電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド
層とを有する積層半導体層が形成され、該積層半導体層
の少なくとも一部に、導電をなすキャリアの拡散を抑制
する多層構造が形成された半導体発光装置を構成する。
電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド
層とを有する積層半導体層が形成され、該積層半導体層
の少なくとも一部に、導電をなすキャリアの拡散を抑制
する多層構造が形成された半導体発光装置を構成する。
【００１５】前記多層構造は、結晶成長条件の１つであ
る原料供給比を点欠陥を少なくする条件のもとで形成し
たキャリア拡散抑制層と、通常の条件のもとで成長する
層とを交互に積層した超格子構造の半導体発光装置とそ
の製造方法を提供する。
る原料供給比を点欠陥を少なくする条件のもとで形成し
たキャリア拡散抑制層と、通常の条件のもとで成長する
層とを交互に積層した超格子構造の半導体発光装置とそ
の製造方法を提供する。
【００１６】前記キャリア拡散抑制層を、結晶成長条件
の１つである原料供給比と、成長温度と、成長速度とを
クラッド層を形成する際に自然超格子構造が作りやすい
条件のもとで形成する半導体発光装置の製造方法を提供
する。
の１つである原料供給比と、成長温度と、成長速度とを
クラッド層を形成する際に自然超格子構造が作りやすい
条件のもとで形成する半導体発光装置の製造方法を提供
する。
【００１７】即ち、キャリアの拡散は格子間原子として
存在してそのままの形態で生じる場合があるが、一般的
には格子に入った原子が空格子に入って生じることが多
く、つまり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体においてはドー
パントとなる原子がＩＩ族の場合はＩＩＩ族サイトに入
りアクセプタとなるが、ＩＩＩ族ベーカンシー（空位）
に入ると拡散が生じる。また、同様にＶＩ族やＩＶ族原
子がそれぞれサイトに入り、空位を通じて拡散が生じ
る。
存在してそのままの形態で生じる場合があるが、一般的
には格子に入った原子が空格子に入って生じることが多
く、つまり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体においてはドー
パントとなる原子がＩＩ族の場合はＩＩＩ族サイトに入
りアクセプタとなるが、ＩＩＩ族ベーカンシー（空位）
に入ると拡散が生じる。また、同様にＶＩ族やＩＶ族原
子がそれぞれサイトに入り、空位を通じて拡散が生じ
る。
【００１８】従って本発明による半導体発光装置は、基
板上に少なくとも第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型のクラッド層とを有する構造であって、
活性層に隣接する少なくとも片側の領域に、キャリアが
入る空位の少ない層を原材料の供給比を設定することに
より成長させる。また、キャリアの拡散抑制のための多
層構造を、原料供給比を点欠陥を少なくする条件のもと
で形成したキャリア拡散抑制層と、通常の条件のもとで
成長する層とを交互に積層した超格子構造を構成し、上
記課題を解決する。
板上に少なくとも第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型のクラッド層とを有する構造であって、
活性層に隣接する少なくとも片側の領域に、キャリアが
入る空位の少ない層を原材料の供給比を設定することに
より成長させる。また、キャリアの拡散抑制のための多
層構造を、原料供給比を点欠陥を少なくする条件のもと
で形成したキャリア拡散抑制層と、通常の条件のもとで
成長する層とを交互に積層した超格子構造を構成し、上
記課題を解決する。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例について図
１および図２を参照して説明する。図１は本発明による
半導体発光装置の第１の実施形態例を示す概略断面図で
あり、図２は第２の実施形態例を示す概略断面図であ
る。
１および図２を参照して説明する。図１は本発明による
半導体発光装置の第１の実施形態例を示す概略断面図で
あり、図２は第２の実施形態例を示す概略断面図であ
る。
【００２０】まず、ドーパントとなる原子の拡散につい
て説明すると、例えばＩＩＩ−Ｖ族であるＡｌＧａＩｎ
Ｐにおいて、ｐ型ドーパントとしては亜鉛、マグネシウ
ム、カドミウム、ベリリウム等のＩＩ族原子が挙げられ
る。これらのドーパントを非常に多く、例えば約５×１
０19ｃｍ-3程度の原子濃度で成長時に供給されたとき、
その一部の原子は不活性のままでキャリアにならなかっ
たり、母体原子であるＡｌＧａＩｎＰの格子間に入るこ
とがある。
て説明すると、例えばＩＩＩ−Ｖ族であるＡｌＧａＩｎ
Ｐにおいて、ｐ型ドーパントとしては亜鉛、マグネシウ
ム、カドミウム、ベリリウム等のＩＩ族原子が挙げられ
る。これらのドーパントを非常に多く、例えば約５×１
０19ｃｍ-3程度の原子濃度で成長時に供給されたとき、
その一部の原子は不活性のままでキャリアにならなかっ
たり、母体原子であるＡｌＧａＩｎＰの格子間に入るこ
とがある。
【００２１】一方、発光素子を成長させる場合、コンタ
クト層等の高キャリア濃度を持つ層以外のクラッド層等
は１０17〜５×１０18ｃｍ-3程度のキャリア濃度分の材
料を供給してこれを行う。従って、一部の組み合わせで
は不活性キャリアが存在することになるが、ドーパント
となる原子は格子に入っているといえる。例えば前述の
ＩＩ族原子はＩＩＩ族サイトに入ってアクセプタとな
る。
クト層等の高キャリア濃度を持つ層以外のクラッド層等
は１０17〜５×１０18ｃｍ-3程度のキャリア濃度分の材
料を供給してこれを行う。従って、一部の組み合わせで
は不活性キャリアが存在することになるが、ドーパント
となる原子は格子に入っているといえる。例えば前述の
ＩＩ族原子はＩＩＩ族サイトに入ってアクセプタとな
る。
【００２２】同様にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体において
はセレン、硫黄、テルル等のＶＩ族原子はＶ族サイトに
入ってドナーとなる。また、ＩＶ族のシリコン、ゲルマ
ニウム、炭素等は原則的にはＩＩＩ族サイトに入ってド
ナーとなるが、Ｖ族サイトに入った場合アクセプタにな
る両性不純物である。
はセレン、硫黄、テルル等のＶＩ族原子はＶ族サイトに
入ってドナーとなる。また、ＩＶ族のシリコン、ゲルマ
ニウム、炭素等は原則的にはＩＩＩ族サイトに入ってド
ナーとなるが、Ｖ族サイトに入った場合アクセプタにな
る両性不純物である。
【００２３】これらの原子は熱や通電、歪み等を原動力
として欠陥を通じて拡散係数にしたがって濃度の濃い箇
所から薄い箇所へ移動する。この欠陥とは転移であるこ
ともあるが、成長技術が発達した材料においては主に原
子空位等の点欠陥である。従ってこの点欠陥を少なくす
るには、例えばノンストイキオメトリー（非化学量論組
成）に起因した点欠陥の少ない成長条件で完全結晶を成
長すればよい。
として欠陥を通じて拡散係数にしたがって濃度の濃い箇
所から薄い箇所へ移動する。この欠陥とは転移であるこ
ともあるが、成長技術が発達した材料においては主に原
子空位等の点欠陥である。従ってこの点欠陥を少なくす
るには、例えばノンストイキオメトリー（非化学量論組
成）に起因した点欠陥の少ない成長条件で完全結晶を成
長すればよい。
【００２４】一般に、ＩＩＩ−Ｖ族の成長においてはそ
の成長方法により例外はあるものの、Ｖ族の蒸気圧が高
いために成長した結晶から脱離が生じる。これを補うた
めにＶ族をＩＩＩ族より多めに供給するので、この結晶
はＶ族がややリッチになっている。
の成長方法により例外はあるものの、Ｖ族の蒸気圧が高
いために成長した結晶から脱離が生じる。これを補うた
めにＶ族をＩＩＩ族より多めに供給するので、この結晶
はＶ族がややリッチになっている。
【００２５】ところがＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体におい
て、ｐ型キャリアとなるＩＩ族原子にとって、この成長
条件ではＩＩＩ族原子空位が多いことになり、拡散が起
こりやすい。そこでキャリアの拡散だけを考慮するなら
ば、原材料のＶ族材料とＩＩＩ族材料の供給比率である
Ｖ／ＩＩＩ比を通常の成長条件よりも小さく設定して成
長させることにより、その拡散を小さくすることができ
る。
て、ｐ型キャリアとなるＩＩ族原子にとって、この成長
条件ではＩＩＩ族原子空位が多いことになり、拡散が起
こりやすい。そこでキャリアの拡散だけを考慮するなら
ば、原材料のＶ族材料とＩＩＩ族材料の供給比率である
Ｖ／ＩＩＩ比を通常の成長条件よりも小さく設定して成
長させることにより、その拡散を小さくすることができ
る。
【００２６】また、キャリア拡散抑制層を厚く成長する
ことはＶ族の原子空位を多くすることであり、完全結晶
の観点からは不都合である。従ってその対策として、こ
のキャリア拡散抑制層と通常の成長条件の層とを薄く繰
り返し成長させた多層構造を用いる。この繰り返した層
は物質は同一であるが、結晶構造が異なるので超格子構
造を形成する。
ことはＶ族の原子空位を多くすることであり、完全結晶
の観点からは不都合である。従ってその対策として、こ
のキャリア拡散抑制層と通常の成長条件の層とを薄く繰
り返し成長させた多層構造を用いる。この繰り返した層
は物質は同一であるが、結晶構造が異なるので超格子構
造を形成する。
【００２７】つぎに、上述したことに基づいて、本発明
の実施形態であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光装置、
特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザについて説明する。
の実施形態であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光装置、
特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザについて説明する。
【００２８】第１の実施形態例 図１は本発明の第１の実施形態例である半導体レーザの
断面図であって、この構造は有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）により作製される。この第１の実施形態例では
第１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ
厚の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ
層２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによる
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／Ａｌ
ＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。
断面図であって、この構造は有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）により作製される。この第１の実施形態例では
第１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ
厚の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ
層２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによる
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／Ａｌ
ＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。
【００２９】つぎに、活性層４の上にＶ／ＩＩＩ比を下
げた５０ｎｍ厚のキャリア拡散抑制層９を成長させる。
通常のクラッド層のＶ／ＩＩＩ比が例えば２００である
のに対して、このキャリア拡散抑制層９は例えば１００
の成長条件に設定する。
げた５０ｎｍ厚のキャリア拡散抑制層９を成長させる。
通常のクラッド層のＶ／ＩＩＩ比が例えば２００である
のに対して、このキャリア拡散抑制層９は例えば１００
の成長条件に設定する。
【００３０】つぎに、前記キャリア拡散抑制層９の上に
１μｍ厚の第２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５と、０．１μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６
と、０．３μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャ
ップ層７を順次成長させる。
１μｍ厚の第２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５と、０．１μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６
と、０．３μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャ
ップ層７を順次成長させる。
【００３１】その後、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層
し、半導体発光装置１００を形成する。
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層
し、半導体発光装置１００を形成する。
【００３２】第２の実施形態例 図２は本発明の第２の実施形態例である半導体レーザの
断面図であって、この構造も第１の実施形態例と同様に
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製され、第
１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚
の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ層
２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによるｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧ
ａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。
断面図であって、この構造も第１の実施形態例と同様に
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製され、第
１導電型、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚
の第１導電型のＧａＡｓによるｎ型ＧａＡｓバッファ層
２と、１μｍ厚の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰによるｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧ
ａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４を順次成長させる。
【００３３】つぎに、活性層４の上にＶ／ＩＩＩ比を下
げたキャリア拡散抑制層１０と通常のＶ／ＩＩＩ比のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１を、例えば５ｎｍの厚
さで交互に積層し、キャリアの拡散を抑制する多層構造
を形成する。
げたキャリア拡散抑制層１０と通常のＶ／ＩＩＩ比のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１を、例えば５ｎｍの厚
さで交互に積層し、キャリアの拡散を抑制する多層構造
を形成する。
【００３４】つぎに、この多層構造の上に１μｍ厚の第
２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、０．１
μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μ
ｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層７を順
次成長させる。
２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、０．１
μｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μ
ｍ厚の第２導電型のｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層７を順
次成長させる。
【００３５】その後、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層
し、半導体発光装置１１０を形成する。
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓ電流キャップ
層７を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエ
ッチングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層
し、半導体発光装置１１０を形成する。
【００３６】尚、上述した第１の実施形態例のキャリア
拡散抑制層９と第２の実施形態例のキャリア拡散抑制層
１０は成長時はとくにドーパントを供給しないでアンド
ープとしたが、クラッド層よりキャリア濃度が低い条件
でドーピングしてもよい。
拡散抑制層９と第２の実施形態例のキャリア拡散抑制層
１０は成長時はとくにドーパントを供給しないでアンド
ープとしたが、クラッド層よりキャリア濃度が低い条件
でドーピングしてもよい。
【００３７】また、キャリア拡散抑制層９、１０はこれ
らの例では第２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５側に作製したが、活性層４をはさんで第１導電型のｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３側にも作製してよい。
らの例では第２導電型のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５側に作製したが、活性層４をはさんで第１導電型のｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３側にも作製してよい。
【００３８】また、上述した例ではキャリア拡散抑制層
９、１０は活性層４に隣接した箇所に設けたが、例えば
３０ｎｍ位活性層４から離した箇所に設けてもよい。
９、１０は活性層４に隣接した箇所に設けたが、例えば
３０ｎｍ位活性層４から離した箇所に設けてもよい。
【００３９】また、上述した例では、第１導電型がｎ
型、第２導電型がｐ型であるとしたが、第１導電型がｐ
型、第２導電型がｎ型である構成にしてもよい。
型、第２導電型がｐ型であるとしたが、第１導電型がｐ
型、第２導電型がｎ型である構成にしてもよい。
【００４０】更に、本発明は上述した第１の実施形態例
および第２の実施形態例の構成に限ることなく、本発明
の技術的思想を具現化する各種の構成が可能である。
および第２の実施形態例の構成に限ることなく、本発明
の技術的思想を具現化する各種の構成が可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればＡｌＧａＩｎＰ材料からなる半導体発光装置に
おいて、クラッド層のキャリア濃度を高くすることによ
り温度特性等が改善されると共に、活性層への拡散によ
って生じる動作電流の静特性や寿命の悪化を防止するこ
とができる。
によればＡｌＧａＩｎＰ材料からなる半導体発光装置に
おいて、クラッド層のキャリア濃度を高くすることによ
り温度特性等が改善されると共に、活性層への拡散によ
って生じる動作電流の静特性や寿命の悪化を防止するこ
とができる。
【図１】 本発明による半導体発光装置の第１の実施形
態例を示す概略断面図である。
態例を示す概略断面図である。
【図２】 本発明による半導体発光装置の第２の実施形
態例を示す概略断面図である。
態例を示す概略断面図である。
【図３】 従来の半導体発光装置の例を示す概略断面図
である。
である。
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４…活性層、５，
１１…ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、６…ｐ型ＧａＩ
ｎＰ層、７…ｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層、８…ｐ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層、９，１０…キャリア拡散抑制層
３…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４…活性層、５，
１１…ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、６…ｐ型ＧａＩ
ｎＰ層、７…ｐ型ＧａＡｓ電流キャップ層、８…ｐ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層、９，１０…キャリア拡散抑制層
Claims (8)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッ
ド層とを有する積層半導体層が形成され、該積層半導体
層の少なくとも一部に導電をなすキャリアの拡散を抑制
するキャリア拡散抑制層が形成されていることを特徴と
する半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記キャリア拡散抑制層は、結晶成長条
件の１つである原料供給比を点欠陥を少なくする条件の
もとで形成されていることを特徴とする、請求項１に記
載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッ
ド層とを有する積層半導体層を形成し、更に該積層半導
体層の少なくとも一部に導電をなすキャリアの拡散を抑
制するキャリア拡散抑制層を形成することを特徴とする
半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記キャリア拡散抑制層を、結晶成長条
件の１つである原料供給比を点欠陥を少なくする条件に
設定して形成することを特徴とする、請求項３に記載の
半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項５】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッ
ド層とを有する積層半導体層が形成され、該積層半導体
層の少なくとも一部に、導電をなすキャリアの拡散を抑
制する多層構造が形成されていることを特徴とする半導
体発光装置。 - 【請求項６】 前記多層構造は、結晶成長条件の１つで
ある原料供給比を点欠陥を少なくする条件のもとで形成
したキャリア拡散抑制層と、通常の条件のもとで成長す
る層とを交互に積層した超格子構造であることを特徴と
する、請求項５に記載の半導体発光装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の超格子構造を、前記キ
ャリア拡散抑制層を結晶成長条件の１つである原料供給
比を点欠陥を少なくする条件のもとで形成する層と、通
常の条件のもとで成長する層とを交互に積層して形成す
ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記キャリア拡散抑制層を、結晶成長条
件の１つである原料供給比と、成長温度と、成長速度と
をクラッド層を形成する際に自然超格子構造が作りやす
い条件のもとで形成することを特徴とする、請求項７に
記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1653697A JP3817806B2 (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| US09/014,683 US6084251A (en) | 1997-01-30 | 1998-01-28 | Semiconductor light emitting device with carrier diffusion suppressing layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1653697A JP3817806B2 (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10215033A true JPH10215033A (ja) | 1998-08-11 |
| JP3817806B2 JP3817806B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=11918998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1653697A Expired - Lifetime JP3817806B2 (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6084251A (ja) |
| JP (1) | JP3817806B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042751A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2010225981A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子、集積素子、光半導体素子の製造方法 |
| CN102484175A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-30 | 应用材料公司 | 具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3225942B2 (ja) * | 1999-01-21 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置 |
| EP2234183A3 (en) * | 2002-11-16 | 2011-08-17 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and fabrication method thereof |
| JP4500516B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-07-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2005294753A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2011253881A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1653697A patent/JP3817806B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-28 US US09/014,683 patent/US6084251A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042751A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2010225981A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子、集積素子、光半導体素子の製造方法 |
| CN102484175A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-30 | 应用材料公司 | 具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6084251A (en) | 2000-07-04 |
| JP3817806B2 (ja) | 2006-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8692228B2 (en) | Semiconductor light emitting device and wafer | |
| US7402838B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| US7348602B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| US20080054277A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2008218746A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系半導体発光素子 | |
| JP2006108585A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| WO2011027417A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2007096267A (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに半導体発光素子 | |
| JP2010157735A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08139361A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JP3817806B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| US20090152529A1 (en) | Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions | |
| US7215691B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| JP5309971B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP2006245341A (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2010225657A (ja) | 半導体レーザ構造 | |
| JP2000101133A (ja) | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
| US20070069226A1 (en) | Fabrication method of nitride semiconductor light emitting device and nitride semiconductor light emitting device thereby | |
| JP2007173316A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2008244360A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2893990B2 (ja) | 半導体レーザおよびその作製方法 | |
| JP2001320083A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ | |
| JP2007157802A (ja) | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2004134786A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP3315378B2 (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060605 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |