JPH10214724A - インダクタおよびトランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁束の漏れが少なく、低損失で、薄型で、基
板の利用効率の高いインダクタを提供する。 【解決手段】 絶縁体基板２の一方主面２ａ上に略放射
状に複数の下部電極３を形成し、下部電極３の上にリン
グ状の磁性体膜４を形成し、磁性体膜４の上に複数の上
部電極５を、下部電極３の一端が、その下部電極３の片
側に隣接する別の下部電極３の他端と接続するように形
成し、結果的に下部電極３と上部電極５が磁性体膜４を
周回してらせん状に交互に連続的につながってトロイダ
ルコイルを形成する。 【効果】 磁束の漏れが少なく、損失の少ないインダク
タを形成することができる。また、膜構造であるため薄
型化、小形化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はインダクタおよびト
ランス、特に平面に形成されたトロイダル状のインダク
タおよびトランスに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２に、従来のインダクタの例を示
す。また図１３に、図１２に示したインダクタのＥ−Ｅ
断面を示す。図１２および図１３は平面状のインダクタ
の例である。図１２および図１３において、インダクタ
１００は絶縁体基板１０１の一方主面１０１ａにスパイ
ラル状の電極１０２と入出力用の電極１０３を形成し、
他方主面１０１ｂには電極１０４を形成し、電極１０２
の他端と電極１０４の一端をスルーホール１０５で接続
し、電極１０４の他端と電極１０３の一端をスルーホー
ル１０６で接続して構成している。なお、電極１０２の
一端には入力端子１０７が、電極１０３の他端には出力
端子１０８が接続されている。

【０００３】このように構成することによって、電極１
０２の微細加工によって、比較的簡単に、小形で高精度
のインダクタが得られる。

【０００４】図１４に、従来のインダクタの別の例を示
す。また図１５に、図１４に示したインダクタのＦ−Ｆ
断面を示す。図１４および図１５は基板の厚みを立体的
に利用したインダクタの例である。図１４および図１５
において、インダクタ１１０は絶縁体基板１１１、絶縁
体基板１１１の一方主面１１１ａに略放射状に形成され
た複数のストリップ状の電極１１２、絶縁体基板１１１
の他方主面１１１ｂに略放射状に形成された複数のスト
リップ状の電極１１３、絶縁体基板１１１を介して電極
１１２と電極１１３を交互に接続するためのスルーホー
ル１１４で構成されている。電極１１２の一端は、一部
を除いてそれぞれスルーホール１１４と電極１１３を介
して片側に隣接する他の電極１１２の他端に接続されて
いるため、電極１１２と電極１１３がスルーホール１１
４を介してらせん状に交互に連続的につながり、結果的
にトロイダルコイルを形成している。なお、連続的に接
続された電極１１２および１１３の一端には入力端子１
１５が、他端には出力端子１１６が接続されている。

【０００５】このようにトロイダルコイル形状に構成す
ることによって、磁束の漏れが少なく、安定で低損失の
インダクタが得られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例において、まず図１２に示した平面状のインダク
タにおいては、磁束の漏れが多く、損失が増えたり外部
の回路に対して悪影響を与える可能性がある。また、浮
遊容量が大きく、インダクタンスの周波数特性が悪くて
高周波領域では使いにくいという問題がある。

【０００７】また、図１４に示した従来例においては、
磁束の漏れが少なく安定なインダクタンスが得られる
が、絶縁体基板にスルーホールを形成するため、加工コ
ストが高くなり、またスルーホールへの電極の形成が難
しいという問題がある。さらに、基板の両面を利用する
ために、基板上に他の回路を搭載する場合などに基板面
積の利用効率が悪くなるという問題もある。

【０００８】本発明は上記問題点を解決することを目的
とするもので、磁束の漏れが少なく、薄型で、基板の利
用効率の高いインダクタを提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のインダクタは、略放射状に形成した複数個
のストリップ状の下部電極と、前記下部電極の上に形成
した絶縁体膜と、前記絶縁体膜の上に略放射状に形成し
た上部電極からなり、前記上部電極は、一部を除いて前
記下部電極の一端と、その片側に隣接する他の前記下部
電極の他端をそれぞれ接続して形成し、前記上部電極と
前記下部電極によりトロイダルコイルを構成したことを
特徴とする。

【００１０】また、本発明のインダクタは、前記トロイ
ダルコイルを、その表面が絶縁性を有する基板の一方主
面上もしくは一方主面と他方主面の両面上に、１層で形
成、もしくは、間に絶縁体層を介して複数層積み重ねて
形成したことを特徴とする。

【００１１】また、本発明のインダクタは、前記絶縁体
膜は、前記下部電極の上に、前記下部電極の一端および
他端を除いてリング状に形成したことを特徴とする。

【００１２】また、本発明のインダクタは、前記絶縁体
膜の、前記下部電極の一端および他端に対応する部分に
スルーホールを設け、前記下部電極と前記上部電極を、
前記スルーホールを介してそれぞれ接続したことを特徴
とする。

【００１３】また、本発明のインダクタは、複数層積み
重ねて形成した前記トロイダルコイルの一部もしくは全
部を互いに直列に接続したことを特徴とする。

【００１４】また、本発明のトランスは、略放射状に形
成した複数個のストリップ状の下部電極と、前記下部電
極の上に形成した絶縁体膜と、前記絶縁体膜の上に略放
射状に形成した上部電極からなり、前記上部電極を、一
部を除いて前記下部電極の一端と、その片側に１つ以上
おいて隣接する他の前記下部電極の他端をそれぞれ接続
して形成し、前記上部電極と前記下部電極によりトロイ
ダルトランスを構成したことを特徴とする。

【００１５】また、本発明のトランスは、前記トロイダ
ルトランスを、その表面が絶縁性を有する基板の一方主
面上もしくは一方主面と他方主面の両面上に、１層で形
成、もしくは、間に絶縁体層を介して複数層積み重ねて
形成したことを特徴とする。

【００１６】また、本発明のトランスは、前記絶縁体膜
は、前記下部電極の上に、前記下部電極の一端および他
端を除いてリング状に形成したことを特徴とする。

【００１７】また、本発明のトランスは、前記絶縁体膜
の、前記下部電極の一端および他端に対応する部分にス
ルーホールを設け、前記下部電極と前記上部電極を、前
記スルーホールを介してそれぞれ接続したことを特徴と
する。

【００１８】また、本発明のトランスは、複数層積み重
ねて形成した前記トロイダルトランスの一部もしくは全
部を、それぞれ互いに直列に接続したことを特徴とす
る。

【００１９】このように構成することによって、本発明
のインダクタおよびトランスは、インダクタンス値が高
く、薄型で、基板の利用効率が高いものとなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１に、本発明のインダクタの一
実施例を示す。また、図２および図３に、図１の実施例
のＡ−Ａ断面およびＢ−Ｂ断面を示す。

【００２１】図１ないし図３において、インダクタ１は
その表面が絶縁性を有する基板である絶縁体基板２、絶
縁体基板２の一方主面２ａ上に形成された複数の下部電
極３、下部電極３の上に形成された絶縁体膜である磁性
体膜４、磁性体膜４の上に形成された複数の上部電極５
で構成される。

【００２２】ここで、下部電極３は絶縁体基板２の中心
部分から外縁部分に向かって略放射状に形成される。ま
た、磁性体膜４は下部電極３の両端を除いて、絶縁体基
板２上および下部電極３上にリング状に形成される。そ
して、上部電極５は、一部を除いて下部電極３の一端
が、その下部電極３の片側に隣接する他の下部電極３の
他端と接続するように重ね合わせて、下部電極３と同様
に略放射状に形成される。なお、ここでは下部電極３の
一端とは、略放射状に形成された下部電極３の外側の端
を、同じく他端とは内側の端を意味する。この結果、下
部電極３と上部電極５が磁性体膜４を周回してらせん状
に交互に連続的につながり、最終的に磁性体膜４をコア
とするトロイダルコイルを形成することになる。そして
連続的に接続された電極の両端は、入力端子６および出
力端子７に接続されている。

【００２３】このように構成されたインダクタ１は、基
本的にトロイダルコイルであるため磁束の漏れが少な
く、その結果損失が少なく、周辺の部品への悪影響も少
ないインダクタとなる。また巻線を形成する下部電極３
と上部電極５、およびコアを形成する磁性体膜４のすべ
てを膜構造としているため、容易に形成でき、さらに薄
型化を図ることができる。

【００２４】なお、図１の実施例においては下部電極３
および上部電極５の隣接する電極間は比較的間隔が開い
ているが、電極の幅を広げてこの電極間の間隔をできる
だけ狭くすることによって、磁束の漏れをさらに少なく
して、損失や周辺の部品への悪影響をさらに小さくする
ことができる。

【００２５】図４に、本発明のインダクタの別の実施例
を示す。図４は図１のＢ−Ｂ断面に対応する断面図で、
上面図は図１の実施例とほぼ同等であるため省略する。
図４において、インダクタ１０は、その表面が絶縁性を
有する基板である絶縁体基板１１、絶縁体基板１１の一
方主面１１ａに形成された複数の下部電極１２、下部電
極１２の上に形成された絶縁体膜である磁性体膜１３、
磁性体膜１３の上に形成された複数の上部電極１４、上
部電極１４の上に形成された絶縁体層１５、絶縁体層１
５の上に形成された複数の下部電極１６、下部電極１６
の上に形成された磁性体膜１７、磁性体膜１７の上に形
成された複数の上部電極１８で構成される。

【００２６】ここで、下部電極１２、磁性体膜１３およ
び上部電極１４の構成は、図１の実施例における下部電
極３、磁性体膜４および上部電極５の構成と同様で、下
部電極１２と上部電極１４をらせん状に交互に連続的に
接続して磁性体膜１３をコアとして周回してトロイダル
コイルを形成している。また、下部電極１６、磁性体膜
１７および上部電極１８の構成も、同様にトロイダルコ
イルを形成している。

【００２７】このように構成されたインダクタ１０は、
絶縁体層１５を間に挟んで層状に２つのトロイダルコイ
ルが形成されているため、２個のインダクタを個別に形
成する場合に比べて占有面積が小さく、しかも各トロイ
ダルコイルは磁束の漏れが少ないため相互の結合は少な
く、２つの小形で高性能のインダクタを構成することが
できる。

【００２８】なお、図４の実施例においては、２つのト
ロイダルコイルを絶縁体層１５を介して形成したが、こ
れは２つに限るものではなく、３つ以上のトロイダルコ
イルを、それぞれ絶縁体層を介して形成しても、同様の
効果を得ることができる。また、個々のトロイダルコイ
ルを独立させず、その一部あるいは全てを直列に接続す
ることにより、さらにインダクタンス値の高いインダク
タを作成することもできる。

【００２９】図５に、本発明のインダクタのさらに別の
実施例を示す。図５は図１のＢ−Ｂ断面に対応する断面
図で、上面図は図１の実施例とほぼ同等であるため省略
する。図５において、インダクタ２０は、その表面が絶
縁性を有する基板である絶縁体基板２１、絶縁体基板２
１の一方主面２１ａに形成された複数の下部電極２２、
下部電極２２の上に形成された絶縁体膜である磁性体膜
２３、磁性体膜２３の上に形成された複数の上部電極２
４、絶縁体基板２１の他方主面２１ｂに形成された複数
の下部電極２５、下部電極２５の上に形成された磁性体
膜２６、磁性体膜２６の上に形成された複数の上部電極
２７で構成される。

【００３０】ここで、下部電極２２、磁性体膜２３およ
び上部電極２４の構成は、図１の実施例における下部電
極３、磁性体膜４および上部電極５の構成と同様で、下
部電極２２と上部電極２４をらせん状に交互に連続的に
接続して磁性体膜２３をコアとして周回してトロイダル
コイルを形成している。また、下部電極２５、磁性体膜
２６および上部電極２７の構成も、同様にトロイダルコ
イルを形成している。

【００３１】このように構成されたインダクタ２０は、
絶縁体基板２１の一方主面２１ａと他方主面２１ｂの両
面にトロイダルコイルが形成されているため、２個のイ
ンダクタを個別に形成する場合に比べて占有面積が小さ
く、しかも各トロイダルコイルは磁束の漏れが少ないた
め相互の結合は少なく、２つの小形で高性能のインダク
タを構成することができる。

【００３２】なお、図５の実施例においては、絶縁体基
板２１の一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂに形成し
たトロイダルコイルをそれぞれ１つとしたが、これは１
つに限られるものではなく、図４の実施例に示したよう
に、絶縁体層を介して複数のトロイダルコイルを形成し
ても、同様の効果を得ることができる。また、絶縁体基
板２１の一方主面２１ａと他方主面２１ｂにそれぞれ形
成したトロイダルコイルを独立させず、絶縁体基板２１
に形成したスルーホールなどを介して、その一部あるい
は全てを直列に接続することにより、さらにインダクタ
ンス値の高いインダクタを作成することもできる。

【００３３】図６に、本発明のインダクタのさらに別の
実施例を示す。また、図７および図８に、図６の実施例
のＣ−Ｃ断面およびＤ−Ｄ断面を示す。

【００３４】図６ないし図８において、インダクタ３０
はその表面が絶縁性を有する基板である絶縁体基板３
１、絶縁体基板３１の一方主面３１ａ上に形成された複
数の下部電極３２、下部電極３２の上に一方主面３１ａ
のほぼ全面に渡って形成された絶縁体膜である磁性体膜
３３、磁性体膜３３に形成されたスルーホール３４、磁
性体膜３３の上に形成された複数の上部電極３５で構成
される。

【００３５】ここで、下部電極３２は絶縁体基板３１の
中心部分から外縁部分に向かって略放射状に形成され
る。また、スルーホール３４は絶縁体層３３の、下部電
極３２の一端および他端に当たる部分に対応して形成さ
れる。そして、上部電極３５は下部電極３２の一端が、
その下部電極３２の片側に隣接する他の下部電極３２の
他端と接続するように、スルーホール３４を介して略放
射状に形成される。なお、ここでは、下部電極３２の一
端とは、略放射状に形成された下部電極３２の外側の端
を、同じく他端とは内側の端を意味する。この結果、下
部電極３２と上部電極３５がスルーホール３４を介して
らせん状に交互に連続的につながって、磁性体膜３３の
一部を周回し、最終的に磁性体膜３３の一部をコアとす
るトロイダルコイルを形成することになる。そして連続
的に接続された電極の両端は、入力端子３６および出力
端子３７に接続されている。

【００３６】このように構成されたインダクタ３０は、
基本的にトロイダルコイルであるため磁束の漏れは少な
く、その結果損失が少なく、周辺の部品への悪影響も少
ないインダクタとなる。スルーホール３４は印刷やエッ
チングなどによって形成することができ、また巻線を形
成する下部電極３２と上部電極３５、およびコアを形成
する磁性体膜３３のすべてを膜構造としているため、容
易に形成でき、さらに薄型化を図ることができる。

【００３７】図９に、本発明のインダクタの別の実施例
を示す。図９は図６のＣ−Ｃ断面に対応する断面図で、
上面図は図６の実施例とほぼ同等であるため省略する。
図９において、インダクタ４０は、その表面が絶縁性を
有する基板である絶縁体基板４１、絶縁体基板４１の一
方主面４１ａに形成された複数の下部電極４２、下部電
極４２の上に一方主面４１ａのほぼ全面に渡って形成さ
れた絶縁体膜である磁性体膜４３、磁性体膜４３に形成
されたスルーホール４４、磁性体膜４３の上に形成され
た複数の上部電極４５、上部電極４５の上に一方主面４
１ａのほぼ全面に渡って形成された絶縁体層４６、絶縁
体層４６の上に形成された複数の下部電極４７、下部電
極４７の上に一方主面４１ａのほぼ全面に渡って形成さ
れた磁性体膜４８、磁性体膜４８に形成されたスルーホ
ール４９、磁性体膜４８の上に形成された複数の上部電
極５０で構成される。

【００３８】ここで、下部電極４２、磁性体膜４３、ス
ルーホール４４および上部電極４５の構成は、図６の実
施例における下部電極３２、磁性体膜３３、スルーホー
ル３４および上部電極３５の構成と同様で、下部電極４
２と上部電極４５をスルーホール４４を介してらせん状
に交互に連続的に接続して磁性体膜４３の一部をコアと
して周回してトロイダルコイルを形成している。また、
下部電極４７、磁性体膜４８、スルーホール４９および
上部電極５０の構成も、同様にトロイダルコイルを形成
している。

【００３９】このように構成されたインダクタ４０は、
絶縁体層４６を間に挟んで層状に２つのトロイダルコイ
ルが形成されているため、２個のインダクタを個別に形
成する場合に比べて占有面積が小さく、しかも各トロイ
ダルコイルは磁束の漏れが少ないため相互の結合は少な
く、２つの小形で高性能のインダクタを構成することが
できる。

【００４０】なお、図９の実施例においては、２つのト
ロイダルコイルを絶縁体層４６を介して形成したが、こ
れは２つに限るものではなく、３つ以上のトロイダルコ
イルを、それぞれ絶縁体層を介して形成しても、同様の
効果を得ることができる。また、個々のトロイダルコイ
ルを独立させず、その一部あるいは全てを直列に接続す
ることにより、さらにインダクタンス値の高いインダク
タを作成することもできる。

【００４１】図１０に、本発明のインダクタのさらに別
の実施例を示す。図１０は図６のＤ−Ｄ断面に対応する
断面図で、上面図は図６の実施例とほぼ同等であるため
省略する。図１０において、インダクタ６０は、その表
面が絶縁性を有する基板である絶縁体基板６１、絶縁体
基板６１の一方主面６１ａに形成された複数の下部電極
６２、下部電極６２の上に形成された絶縁体膜である磁
性体膜６３、磁性体膜６３に形成されたスルーホール６
４、磁性体膜６３の上に形成された複数の上部電極６
５、絶縁体基板６１の他方主面６１ｂに形成された複数
の下部電極６６、下部電極６６の上に形成された磁性体
膜６７、磁性体膜６７に形成されたスルーホール６８、
磁性体膜６７の上に形成された複数の上部電極６９で構
成される。

【００４２】ここで、下部電極６２、磁性体膜６３、ス
ルーホール６４および上部電極６５の構成は、図６の実
施例における下部電極３２、磁性体膜３３、スルーホー
ル３４および上部電極３５の構成と同様で、下部電極６
２と上部電極６５をスルーホール６４を介してらせん状
に交互に連続的に接続して磁性体膜６３の一部をコアと
して周回してトロイダルコイルを形成している。また、
下部電極６６、磁性体膜６７、スルーホール６８および
上部電極６９の構成も、同様にトロイダルコイルを形成
している。

【００４３】このように構成されたインダクタ６０は、
絶縁体基板６１の一方主面６１ａと他方主面６１ｂの両
面にトロイダルコイルが形成されているため、２個のイ
ンダクタを個別に形成する場合に比べて占有面積が小さ
く、しかも各トロイダルコイルは磁束の漏れが少ないた
め相互の結合は少なく、２つの小形で高性能のインダク
タを構成することができる。

【００４４】なお、図１０の実施例においては、絶縁体
基板６１の一方主面６１ａおよび他方主面６１ｂに形成
したトロイダルコイルをそれぞれ１つとしたが、これは
１つに限られるものではなく、図９の実施例に示したよ
うに、絶縁体層を介して複数のトロイダルコイルを形成
しても、同様の効果を得ることができる。また、絶縁体
基板６１の一方主面６１ａと他方主面６１ｂにそれぞれ
形成したトロイダルコイルを独立させず、絶縁体基板６
１に形成したスルーホールなどを介して、その一部ある
いは全てを直列に接続することにより、さらにインダク
タンス値の高いインダクタを作成することもできる。

【００４５】図１１に、本発明のトランスの一実施例を
示す。図１１において、トランス７０はその表面が絶縁
性を有する基板である絶縁体基板７１、絶縁体基板７１
の一方主面７１ａ上に形成された複数の下部電極７２、
下部電極７２の上に形成された絶縁体膜である磁性体膜
７３、磁性体膜７３の上に形成された複数の上部電極７
４で構成される。

【００４６】ここで、下部電極７２は略放射状に形成さ
れる。また、磁性体膜７３は下部電極７２の両端を除い
て、絶縁体基板７１上および下部電極７２上にリング状
に形成される。そして、上部電極７４は下部電極７２の
一端が、その下部電極７２の片側に１つおいて隣接する
他の下部電極７２の他端と接続するように重ね合わせ
て、下部電極７２と同様に略放射状に形成される。な
お、ここでは下部電極７２の一端とは、略放射状に形成
された下部電極７２の外側の端を、同じく他端とは内側
の端を意味する。この結果、下部電極７２と上部電極７
４が磁性体膜７３を２重らせん状に周回して交互に連続
的につながり、最終的に磁性体膜７３をコアとする２つ
のトロイダルコイルによるトランス（以後トロイダルト
ランスと称する）を形成することになる。そして連続的
に接続された電極の両端は、入力端子７５、７６、およ
び出力端子７７、７８に接続されている。

【００４７】このように構成されたトランス７０は、２
つのトロイダルコイルによって形成されているため磁束
の漏れは少なく、その結果損失の少ない、高効率のトラ
ンスとなる。また巻線を形成する下部電極７２と上部電
極７４、およびコアを形成する磁性体膜７３のすべてを
膜構造としているため、容易に形成でき、さらに薄型化
を図ることができる。

【００４８】なお、図１１の実施例においては、下部電
極７２を片側に１つおいて隣接する他の下部電極７２と
接続することによって、トランス７０を２つのトロイダ
ルコイルによるものとしたが、必要に応じて２つ以上お
いて隣接する下部電極と接続するなどにより、３つ以上
のトロイダルコイルによるものとすることもできる。ま
た、図１１の実施例のような２重らせん構造とせず、１
重らせんのコイルを途中で切って２つのコイルとした形
でトランスを形成することもできる。また、絶縁体基板
７１の一方主面７１ａの上に１つのトロイダルトランス
を形成したが、これは１つのトロイダルトランスに限る
ものではなく、また一方主面７１ａのみに限るものでも
なく、図４の実施例に示したような方法で絶縁体層を介
してトロイダルトランスを多層にしたり、図５の実施例
に示した方法で、絶縁体基板の両面にトロイダルトラン
スを形成したりすることによって、１つの絶縁体基板に
複数のトロイダルトランスを形成し、必要に応じてそれ
らの一部あるいは全部を直列に接続することもできる。
また、図６ないし図１０の実施例に示したように、絶縁
体基板の全面に磁性体膜を形成して下部電極と上部電極
をスルーホールで接続する方法においても、図１１と同
様のトランスを形成することができる。

【００４９】なお、以上の実施例においては、いずれの
インダクタおよびトランスにおいても、トロイダルコイ
ルの途中に必要に応じてタップを設けることも容易にで
きる。さらには、１つの絶縁体基板に絶縁体層を介して
インダクタとトランスの両方を同時に形成することもで
きる。加えて、以上の実施例においてはトロイダルコイ
ルのコア材となる絶縁体膜として磁性体膜を使用した
が、これは誘電体膜としても同様の効果を得ることがで
きる。

【００５０】

【発明の効果】本発明のインダクタにおいては、絶縁体
基板の上に略放射状の下部電極と絶縁体膜と略放射状の
上部電極を形成し、下部電極と上部電極を連続的に接続
してトロイダルコイルを形成することによって、磁束の
漏れが少ないため損失を少なくでき、周囲の回路に悪影
響を与えることもない。また、インダクタを形成する電
極とトロイダルコイルのコアを形成する絶縁体膜のいず
れもが膜構造であるため薄型化、小形化を図ることがで
きる。さらに、トロイダルコイルを絶縁体層を介して複
数個形成したり、絶縁体基板の両面に形成したりしたも
のを直列に接続することによって、容易にインダクタン
ス値を大きくすることもできる。

【００５１】また、本発明のトランスにおいても、上記
のインダクタと同様に低損失、小形化を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のインダクタの一実施例を示す透視図で
ある。

【図２】図１の実施例の断面図である。

【図３】図１の実施例の断面図である。

【図４】本発明のインダクタの別の実施例を示す断面図
である。

【図５】本発明のインダクタのさらに別の実施例を示す
断面図である。

【図６】本発明のインダクタのさらに別の実施例を示す
透視図である。

【図７】図６の実施例の断面図である。

【図８】図６の実施例の断面図である。

【図９】本発明のインダクタのさらに別の実施例を示す
断面図である。

【図１０】本発明のインダクタのさらに別の実施例を示
す断面図である。

【図１１】本発明のトランスの一実施例を示す透視図で
ある。

【図１２】従来のインダクタの例を示す透視図である。

【図１３】図１２の従来例の断面図である。

【図１４】従来のインダクタの別の例を示す透視図であ
る。

【図１５】図１４の従来例の断面図である。

【符号の説明】

１…インダクタ ２…絶縁体基板 ２ａ…一方主面 ３…下部電極 ４…磁性体層 ５…上部電極 ６…入力端子 ７…出力端子

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略放射状に形成した複数個のストリップ
   状の下部電極と、 前記下部電極の上に形成した絶縁体膜と、 前記絶縁体膜の上に略放射状に形成した上部電極からな
   り、 前記上部電極を、一部を除いて前記下部電極の一端と、
   その片側に隣接する他の前記下部電極の他端をそれぞれ
   接続して形成し、前記上部電極と前記下部電極によりト
   ロイダルコイルを構成したことを特徴とするインダク
   タ。
2. 【請求項２】 前記トロイダルコイルを、その表面が絶
   縁性を有する基板の一方主面上もしくは一方主面と他方
   主面の両面上に、１層で形成、もしくは、間に絶縁体層
   を介して複数層積み重ねて形成したことを特徴とする、
   請求項１に記載のインダクタ。
3. 【請求項３】 前記絶縁体膜は、前記下部電極の上に、
   前記下部電極の一端および他端を除いてリング状に形成
   したことを特徴とする、請求項１または２に記載のイン
   ダクタ。
4. 【請求項４】 前記絶縁体膜の、前記下部電極の一端お
   よび他端に対応する部分にスルーホールを設け、 前記下部電極と前記上部電極を、前記スルーホールを介
   してそれぞれ接続したことを特徴とする、請求項１また
   は２に記載のインダクタ。
5. 【請求項５】 複数層積み重ねて形成した前記トロイダ
   ルコイルの一部もしくは全部を互いに直列に接続したこ
   とを特徴とする、請求項２ないし４のいずれかに記載の
   インダクタ。
6. 【請求項６】 略放射状に形成した複数個のストリップ
   状の下部電極と、 前記下部電極の上に形成した絶縁体膜と、 前記絶縁体膜の上に略放射状に形成した上部電極からな
   り、 前記上部電極を、一部を除いて前記下部電極の一端と、
   その片側に１つ以上おいて隣接する他の前記下部電極の
   他端をそれぞれ接続して形成し、前記上部電極と前記下
   部電極によりトロイダルトランスを構成したことを特徴
   とするトランス。
7. 【請求項７】 前記トロイダルトランスを、その表面が
   絶縁性を有する基板の一方主面上もしくは一方主面と他
   方主面の両面上に、１層で形成、もしくは、間に絶縁体
   層を介して複数層積み重ねて形成したことを特徴とす
   る、請求項６に記載のトランス。
8. 【請求項８】 前記絶縁体膜は、前記下部電極の上に、
   前記下部電極の一端および他端を除いてリング状に形成
   したことを特徴とする、請求項６または７に記載のトラ
   ンス。
9. 【請求項９】 前記絶縁体膜の、前記下部電極の一端お
   よび他端に対応する部分にスルーホールを設け、 前記下部電極と前記上部電極を、前記スルーホールを介
   してそれぞれ接続したことを特徴とする、請求項６また
   は７に記載のトランス。
10. 【請求項１０】 複数層積み重ねて形成した前記トロイ
    ダルトランスの一部もしくは全部を、それぞれ互いに直
    列に接続したことを特徴とする、請求項７ないし９のい
    ずれかに記載のトランス。