JPH10212564A - 酸化不動態膜を有するステンレス鋼およびその形成方法 - Google Patents
酸化不動態膜を有するステンレス鋼およびその形成方法Info
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- JPH10212564A JPH10212564A JP32665297A JP32665297A JPH10212564A JP H10212564 A JPH10212564 A JP H10212564A JP 32665297 A JP32665297 A JP 32665297A JP 32665297 A JP32665297 A JP 32665297A JP H10212564 A JPH10212564 A JP H10212564A
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Abstract
解複合等の研磨表面上に形成したCr2O3不態体表面以
外の表面が経時変化を引き起こさない酸化不動態膜の形
成を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の酸化不動態の形成方法は、表面
研磨を行う工程、炉内の空気成分を不活性ガスで置換す
る工程、不活性ガス雰囲気中においてプレベーキングを
行う工程、酸化性ガス雰囲気において酸化処理を行う工
程、回分パージを行う工程、不活性ガス雰囲気中におい
てベーキングを行う工程、冷却を行う工程、を少なくと
も有する事を特徴とする。
Description
成方法に係り、より詳細には、ステンレス鋼の酸化不動
態膜の形成方法に関する。
イト系ステンレス鋼の表面(たとえば配管の内面)に酸
化不動態膜を形成する技術としては次のような技術が知
られている。
に図5に示すような工程で酸化処理を行う。
の空気成分を不活性なArガスに置換し昇温を行う
()。
たまま2時間程度のプレベーキングを行う()。この
プレベーキングは主に母材表面に付着している水分の除
去を目的とする。
性のガスに切り替える。酸化性のガス雰囲気中において
加熱を行うことによりクロム酸化膜を形成する。その
後、酸化性ガスから不活性なArガスに切り替え同時に
冷却工程に入る。冷却は電気炉のヒータ電源をOFFに
することにより自然冷却とする。
は、JISにおける結晶粒度8以下の結晶粒径を有する
ものを使用し、かつ電解複合研磨による研磨を用いる。
これは、電解複合研磨を行うことにより表面に加工変質
層を形成するとともに粒径を小さくして初めて10nm
の厚さに最表面が酸化クロムが100%の(鉄酸化物を
含まない)酸化不動態膜が形成されるからである。すな
わち、電解複合研磨ではなく電解研磨ではかかる厚さの
不動態膜の形成はできない。
おいては、Crの拡散速度がオーステナイト系に比べ数
桁高い(400℃〜1000℃)ため、電界研磨表面に1
0nmの厚さの100%酸化クロム不動態膜を形成する
事ができる。
法では、次のような問題点がある。
(たとえば、管の外表面)が変色するという問題点であ
る。
金色であった表面が茶褐色に変化する。また、水中に放
置することにより数時間で青紫色に変化する。
問題を解決し、電解複合研磨あるいは流動砥粒研磨表面
上に形成されたCr2O3不動態表面以外の表面が経時変
化を起こさない酸化不動態膜の形成方法を提供すること
を目的とする。さらに従来の方法で形成したCr 2O3不
動態膜よりさらに耐腐食性の優れた酸化不動態膜の形成
が可能な酸化不動態膜の形成方法を提供することを目的
とする。
膜を有するステンレス鋼を提供することを目的とする。
の本発明の酸化不動態膜の形成方法は、ステンレス鋼の
表面研磨を行う工程、炉内の空気成分を不活性ガスで置
換する工程、不活性ガス雰囲気中においてプレベーキン
グを行う工程、酸化性ガス雰囲気中において酸化処理を
行う工程、回分パージを行う工程、不活性ガス雰囲気中
において、ベーキングを行う工程、冷却を行う工程、を
少なくとも有することを特徴とする。
テンレス鋼の表面研磨を行う工程、炉内の空気成分を不
活性ガスで置換する工程、不活性ガス雰囲気中において
プレベーキングを行う工程、酸化性ガス雰囲気中におい
て酸化処理を行う工程、回分パージを行う工程、減圧雰
囲気中において、ベーキングを行う工程、冷却を行う工
程、を少なくとも有することを特徴とする。
溶液での分極曲線における腐食電流密度(icorr)が
0.3μA/cm2以下で不動態膜を有することを特徴
とする。
解複合研磨や流動砥粒研磨の表面で以下に述べる不動態
形成処理を行うことにより、100%の酸化クロム不動
態膜(最表面に酸化鉄を含まない不動態膜)を形成する
ことが可能な材料であれば何でもよい。オーステナイト
系ステンレス、フェライト系ステンレス、二相混合系ス
テンレスのいずれでもよい。
ス雰囲気中においてプレベーキングを行う。この点は従
来技術と同じである。
素ガスなどが用いられる。ガス中の水分は10ppb以
下が好ましく、1ppb以下がより好ましい。
好ましい。プレベーキング時間は30分〜4時間が好ま
しい。
雰囲気中において酸化処理を行う。
H2Oガスが用いられる。これらのガスをArなどの不
活性ガスで希釈して用いてもよい。
ことにより、かかるステンレス鋼表面に100%酸化ク
ロム不動態膜をより効果的に形成することが可能とな
る。すなわち、H2ガスのような還元性ガスによりステ
ンレス鋼中に含有されるFe、Ni等の酸化物は還元さ
れCrのみを選択的に酸化させることが可能なためであ
る。H2の含有量としては経済性・安全性を考慮して3
%以下が好ましい。しかし、3%以上においても可能で
ある。前記酸化性ガスのH2Oと水素とのモル比は(H2
Oガス)/(水素ガス)=1/1010〜 1が好まし
い。
てはCrの拡散を促進させるため表面に電解複合研磨の
ような加工変質層が必要であるが、フェライト系ステン
レスはCrの拡散ガオーステナイト系に比べ速いため、
電解研磨表面でも係る処理ガスを用いることにより10
0%酸化クロム不動態膜を形成することが可能となる。
スを発生させるためにはH2ガスとO 2ガスとをPtやN
iなどの触媒下で反応せしめればよい。
性ガスを除去するために炉内の回分パージを行う。酸化
処理後バルブV4(図2)を閉、V5を開とし真空ポン
プ4で炉1内を真空排気する。次にバルブV5を閉、V
4を開としてArを炉1内に導入する。次いで再びバル
ブV4を閉、V5を開として真空ポンプ4で炉1内を真
空排気する。このように真空排気と不活性ガス例えばA
rパージとを複数回繰り返すことにより炉1内から酸化
性ガスを除去する。
性ガス雰囲気中において、ベーキングを行う。
の不活性ガスを用いる。O2ガス、H2Oガスの含有量は
10ppb以下の純度の不活性ガスを用いることが好ま
しく、1ppb以下の純度の不活性ガスを用いることが
より好ましい。酸化処理によりステンレス表面に形成さ
れた膜には、H2、O2、H2Oといった処理ガスが混入
している可能性が十分にある。変色は膜自身が不完全で
あり緻密性に欠けるため発生すると考えられる。従っ
て、これらのガス成分を膜中から追い出すためには、不
活性ガス中にこれらガス成分が極力少ない方が望まし
い。
好ましく、450℃〜550℃がより好ましい。この温
度範囲において本発明の効果はより一層高まる。前述の
膜中からガス成分を追い出すためには、ある程度の熱エ
ネルギが必要である。膜自身の性能を劣化させることな
く本目的を達成するためには、係るベーキング温度が極
めて効果的である。
1時間〜4時間がより好ましい。この時間内で膜中のガ
ス成分は脱離し、生産性向上の観点からも妥当な所要時
間である。
もよいが真空雰囲気中で行うことがより好ましい。真空
度としては30Torr以下が好ましく、3Torr以
下がより好ましい。
真空雰囲気中におけるベーキングの方がより短時間で所
期の効果を達成することができる。減圧にすることによ
り、膜中のガス成分は大気圧時と比べ拡散効果的がより
顕著となり膜外へ放出されるためである。
チ径チューブを用意した。このチューブの結晶粒度はJ
IS規格で8番のものを用いた。
し、表面粗度Rmaxが0.08μmの鏡面とした。な
お、外面は機械研削仕上げであり表面粗度はRmaxが1
0μmである。
Arガスに置換後、Arガスを流しながら1時間で50
0℃に昇温した。
ーキングを行い、表面から付着水分の除去を行った。
℃に加熱し、バルブV1,V2を開としてH2,O2ガス
をH2:O2=1000:1(流量比)の割合で水分発生
器2内に導入した。水分発生器2内には白金触媒が配置
されており、そこでH2Oが低温においてパーティクル
の発生を伴うことなく生成する。
び過剰のH2を希釈器3に導入し、そこにおいてArガ
スによりH2Oを100ppm程度に希釈した。
酸化処理を行った。
開として炉1内を真空排気し、バルブV4開(バルブV
1閉、バルブV2閉、バルブV3開)として炉1にAr
ガスを充填し、さらにバルブV4を閉、バルブV5を開
として炉1内を真空排気した。これを3回繰り返すこと
により回分パージを行い、炉1内の酸化性ガスおよび内
壁に付着している酸化性ガス(本例ではH2O)を完全
に除去した。
4を開としてArガスを炉1内に導入し550℃でベー
キングを行った。Arガスとして不純物(H2O)の濃
度が1ppb以下のものを使用した。
ながら冷却を行った。なお、550℃〜室温までの冷却
は8時間で行った。
ューブを作製し、次なる試験を行った。
形成された不動態膜につきESCAによる分析を行っ
た。その結果を図3に示す。
電解複合研磨表面上の酸化不動態膜は100%酸化クロ
ムの層が15nmの厚さで形成されていた。
実施例のチューブはその内面、外面ともに不動態膜形成
直後における金色が維持された。
止して120時間保持し、その後、不活性ガスで十分パ
ージを行い1時間後における内面の腐食を走査型電子顕
微鏡(SEM)により調べたところ腐食ピット、全面腐
食、局部腐食等の発生は認められなかった。
キングを行った。すなわち、回分パージ後炉1内を3T
orrの真空状態に保持してベーキングを行った。
後炉内から取り出し実施例1と同様に耐食性を調べた。
実施例1と同様、腐食の発生は認められなかった。
後のベーキング温度の影響を調べた。
において変化させ市水に浸漬した後のチューブ外面の変
色性を調べた。その結果を表1に示す。
ベーキングが好ましい。
響を調べた。
いて変化させ市水に浸漬した後のチューブ外面の変色を
調べた。
他の条件は実施例1と同様である。その結果を表2に示
す。
い。
性が向上していることもわかる。
ける不活性ガスの純度の影響を調べた。
mの範囲で変化させ市水に浸漬した後のチューブ外面の
変色性について調べた。その結果を表3に示す。
真空度の影響を調べた。
で変化させ変色性を調べた。
酸化処理後のベーキングを行わない試料について実施例
1と同じ項目について試験を行った。
る分析を行った。その結果を図4に示す。
酸化不動態膜は100%酸化クロムの層が10nmの厚
さで形成されていた。
には不動態膜形成直後における金色が失われ青紫色への
変色が始まった。
0時間保持し、1時間後における内面の腐食を調べたと
ころ腐食の発生は認められなかった。
の平板(Φ20mm×t4mm)3個を用意した。ひとつ
は表面に電界複合研磨(ECB)のみを施した(サンプル
1)。二つめは同じECB研磨の後従来の方法で酸化不
動態処理を行い表面にCr2O3膜をつけた(サンプル
2)。三つ目は同じくECB研磨の後、実施例1と同様
の方法で酸化不動態処理を行い、表面にCr2O3膜をつ
けた。
テンレス鋼のアノード分極曲線測定方法)に基づき試験
を行った。ただ、用いた試験溶液はJIS規格の20%
及び5%の硫酸溶液ではなく、1%の塩酸を用いた。但
し、試験方法につきましては、JIS規格に準じた。
(サンプル2)、図8(サンプル3)に示す。
あり、金属の腐食しにくさ及び腐食しやすさの指標であ
り、貴の電位ほど腐食しにくい。Epitは孔食発生電位
である。ipassは不動態保持電流密度であり、不動態膜
の腐食に対する強さを示す。電流密度が小さければ被膜
は堅固であり腐食は進行しにくい。icorrは腐食電流密
度であり、腐食速度を表し、icorrの値が小さいほど腐
食が進行しにくいことを意味する。材料の減肉の速度で
表した腐食損耗の程度にicorrが直接比例するため。一
般的には、icorrのA/m2の単位がmm/yearの
単位に置き換えられる。
すれば、実施例に係るサンプル3の値がもっとも低い事
が分かる。すなわち、従来の方法で作製したサンプル2
の約半分の値になっている。従って、従来処理方法に比
べ、本実施例によった場合の方が耐腐食性が向上してい
る事が分かる。
度を変化させることにより変化させることができる。そ
の際Ecorr も貴側へシフトする。
キング時における温度とその保持時間を変化させicorr
を変化させた。
食性試験を行った。その結果を表5に示す。
下になると耐食性が著しく向上することがわかる。
も上記実施例と同様の不動態膜形成処理を行ったが、よ
り優れた結果が得られた。
表面上に形成したCr2O3不動態膜表面以外の表面に経
時変化を起こさない酸化不動態処理を行う事が可能とな
る。また、Cr2O3膜の耐腐食性をさらに向上させるこ
とが可能となる。
チャート図である。
分析結果を示すグラフである。
分析結果を示すグラフである。
チャート図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 ステンレス鋼の表面研磨を行う工程、
炉内の空気成分を不活性ガスで置換する工程、不活性ガ
ス雰囲気中においてプレベーキングを行う工程、酸化性
ガス雰囲気中において酸化処理を行う工程、回分パージ
を行う工程、不活性ガス雰囲気中において、ベーキング
を行う工程、冷却を行う工程、を少なくとも有すること
を特徴とする酸化不動態膜の形成方法。 - 【請求項2】 ステンレス鋼の表面研磨を行う工程、炉
内の空気成分を不活性ガスで置換する工程、不活性ガス
雰囲気中においてプレベーキングを行う工程、酸化性ガ
ス雰囲気中において酸化処理を行う工程、回分パージを
行う工程、減圧雰囲気中において、ベーキングを行う工
程、冷却を行う工程、を少なくとも有することを特徴と
する酸化不動態膜の形成方法。 - 【請求項3】 前記表面研磨は電解複合研磨あるいは流
動砥粒研磨であることを特徴とする請求項1または2記
載の酸化不動態の形成方法。 - 【請求項4】 酸化処理後におけるベーキングは10p
pb以下の純度の不活性ガス中で行うことを 特徴とす
る請求項1ないし3のいずれか1項記載の酸化不動態膜
の形成方法。 - 【請求項5】 酸化処理後におけるベーキングは300
〜600℃で行うことを特徴とする請求項1ないし4の
いずれか1項記載の酸化不動態膜の形成方法。 - 【請求項6】 前記減圧雰囲気におけるガス圧力は10
-5Torr〜100Torrであることを特徴とする請
求項2記載の酸化不動態膜の形成方法。 - 【請求項7】 前記酸化性ガスはO2ガスまたはH2Oガ
スであることを特徴とする請求項1記載の酸化不動態膜
の形成方法。 - 【請求項8】 前記酸化性ガス中に水素ガスを添加した
ことを特徴とする請求項1または7記載の不動態膜の形
成方法。 - 【請求項9】 前記酸化性ガスのH2Oと水素とのモル
比は(H2Oガス)/(水素ガス)=1/1010〜 1で
あることを特徴とする請求項8記載の酸化不動態膜の形
成方法。 - 【請求項10】 1wt%HCl溶液を用いた分極曲線
における腐食電流密度(icorr)が0.3μA/cm2
以下である不動態膜を有することを特徴とする酸化不動
態膜を有するステンレス鋼。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32665297A JP3499418B2 (ja) | 1996-11-27 | 1997-11-27 | 酸化不動態膜を有するステンレス鋼およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31676696 | 1996-11-27 | ||
JP8-316766 | 1996-11-27 | ||
JP32665297A JP3499418B2 (ja) | 1996-11-27 | 1997-11-27 | 酸化不動態膜を有するステンレス鋼およびその形成方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10212564A true JPH10212564A (ja) | 1998-08-11 |
JP3499418B2 JP3499418B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=26568798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32665297A Expired - Lifetime JP3499418B2 (ja) | 1996-11-27 | 1997-11-27 | 酸化不動態膜を有するステンレス鋼およびその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3499418B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208431A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Tadahiro Omi | 酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム |
JP2001032100A (ja) * | 1999-04-06 | 2001-02-06 | Crucible Materials Corp | 不動態処理表面層を有するオーステナイト系ステンレス鋼製物品 |
US6352041B1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-03-05 | United Microelectronics Corp. | Method for preventing corrosion of a furnace |
JP2004508466A (ja) * | 2000-09-12 | 2004-03-18 | ノバ ケミカルズ(インターナショナル)ソシエテ アノニム | ステンレス鋼マトリックスを処理する方法 |
JP2009164327A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP32665297A patent/JP3499418B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000208431A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Tadahiro Omi | 酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム |
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