JPH10212292A - 高純度の枝分かれフェニルシロキサン液体 - Google Patents
高純度の枝分かれフェニルシロキサン液体Info
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- JPH10212292A JPH10212292A JP9208469A JP20846997A JPH10212292A JP H10212292 A JPH10212292 A JP H10212292A JP 9208469 A JP9208469 A JP 9208469A JP 20846997 A JP20846997 A JP 20846997A JP H10212292 A JPH10212292 A JP H10212292A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
- C07F7/0838—Compounds with one or more Si-O-Si sequences
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高純度の枝分かれしたフェニルシルセスキオキ
サンおよびその調製方法を提供する。 【解決手段】一般式：Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈ
ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3（式中Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェ
ニル、そしてｘは１乃至約６である。）で示される高純
度、中性、無色および無臭の枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体であって、アルコキシシラン、クロロシ
ラン、シラノール官能価、ヘキサメチルジシロキサンな
らびに遊離の有機および／または無機化合物を実質的に
含まないことを特徴とする高純度の枝分かれフェニルシ
ルセスキオキサン液体が提供される。
サンおよびその調製方法を提供する。 【解決手段】一般式：Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈ
ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3（式中Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェ
ニル、そしてｘは１乃至約６である。）で示される高純
度、中性、無色および無臭の枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体であって、アルコキシシラン、クロロシ
ラン、シラノール官能価、ヘキサメチルジシロキサンな
らびに遊離の有機および／または無機化合物を実質的に
含まないことを特徴とする高純度の枝分かれフェニルシ
ルセスキオキサン液体が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液体を含有する高純度の
枝分かれしたフェニルシルセスキオキサンおよびそれら
の調製方法に関する。より詳細に本発明は実質的に不純
物を含まない中性の枝分かれフェニルシルセスキオキサ
ン液体に関する。
枝分かれしたフェニルシルセスキオキサンおよびそれら
の調製方法に関する。より詳細に本発明は実質的に不純
物を含まない中性の枝分かれフェニルシルセスキオキサ
ン液体に関する。
【０００２】本発明の明細書を通じて使用されるよう
に、略語Ｍｅは「メチル」を、そしてＰｈは「フェニ
ル」をそれぞれ示す。
に、略語Ｍｅは「メチル」を、そしてＰｈは「フェニ
ル」をそれぞれ示す。
【０００３】
【発明の背景】高い屈折率を有するフェニル含有シリコ
ーンポリマーは或る種のジメチルシロキサン様の性質、
有機適合性および強力な媒質に対する化学的安定性を有
することが知られて来た。フェニルシルセスキオキサン
液体は、化学反応を全く起こさず、化粧品配合物に配合
して乳化することなくシリコーンの利点を提供する。こ
の種の使用の例はBrone他の米国特許第5,039,518号中に
記載されている。
ーンポリマーは或る種のジメチルシロキサン様の性質、
有機適合性および強力な媒質に対する化学的安定性を有
することが知られて来た。フェニルシルセスキオキサン
液体は、化学反応を全く起こさず、化粧品配合物に配合
して乳化することなくシリコーンの利点を提供する。こ
の種の使用の例はBrone他の米国特許第5,039,518号中に
記載されている。
【０００４】同様に、ドイツ国特許第1,046,049号は、
激しく攪拌しながらトリメチルクロロシランとフェニル
トリクロロシランとの混合物に計算量の水を添加するこ
とによって枝分かれフェニルシロキサンを製造する方法
を開示した。この反応の後半部の間中、塩化水素ガスが
発生し、そして反応混合物は室温以下となった（吸
熱）。炭酸ナトリウムによる中和、塩類の濾過および減
圧蒸留の後、合計収量８０．５％で４種類の生成物が同
定された。これらの生成物はトリス（トリメチルシロキ
シ）フェニルシラン３３．８％、テトラキス（トリメチ
ルシロキシ）−１，３−ジフェニルジシロキサン２７．
５％、ペンタキス（トリメチルシロキシ）−１，３，５
−トリフェニルトリシロキサン６．７％およびヘキサキ
ス（トリメチルシロキシ）−１，３，５，７−テトラフ
ェニルテトラシロキサン１２．５％であった。上記のデ
ータを用いて行った計算は、この全生成物混合物がＭｅ
3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比２．２２を有することを示してお
り、これは収量（１９．５％）の計数されていない主要
部分が加水分解反応の間に環境に対して失われるＭｅ3
Ｓｉ種であるこことを示唆している。
激しく攪拌しながらトリメチルクロロシランとフェニル
トリクロロシランとの混合物に計算量の水を添加するこ
とによって枝分かれフェニルシロキサンを製造する方法
を開示した。この反応の後半部の間中、塩化水素ガスが
発生し、そして反応混合物は室温以下となった（吸
熱）。炭酸ナトリウムによる中和、塩類の濾過および減
圧蒸留の後、合計収量８０．５％で４種類の生成物が同
定された。これらの生成物はトリス（トリメチルシロキ
シ）フェニルシラン３３．８％、テトラキス（トリメチ
ルシロキシ）−１，３−ジフェニルジシロキサン２７．
５％、ペンタキス（トリメチルシロキシ）−１，３，５
−トリフェニルトリシロキサン６．７％およびヘキサキ
ス（トリメチルシロキシ）−１，３，５，７−テトラフ
ェニルテトラシロキサン１２．５％であった。上記のデ
ータを用いて行った計算は、この全生成物混合物がＭｅ
3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比２．２２を有することを示してお
り、これは収量（１９．５％）の計数されていない主要
部分が加水分解反応の間に環境に対して失われるＭｅ3
Ｓｉ種であるこことを示唆している。
【０００５】Cosmetics, Toiletries and Fragrances A
ssociation (CTFA)によって、彼らのInternational Cos
metic Dictionaryの第６版、Volume １、第７５７頁（1
995年）には化学組成物フェニルトリメチコーン（pheny
ltrimethicone）が化学式Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯ
ＰｈＳｉＯ）n−ＳｉＭｅ3を説明するために用いられて
いる。この化学物質の供給業者には、それらに限定され
る訳ではないが、Dow Corning CorporationおよびGener
al Electric Companyがある。Dow Corning 556化粧品グ
レードのシリコーン液体についての製品データシート
（Form 22-24-242D-85）において、製品の化学式はＭｅ
3 ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）n−ＳｉＭｅ3と
して示されている。
ssociation (CTFA)によって、彼らのInternational Cos
metic Dictionaryの第６版、Volume １、第７５７頁（1
995年）には化学組成物フェニルトリメチコーン（pheny
ltrimethicone）が化学式Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯ
ＰｈＳｉＯ）n−ＳｉＭｅ3を説明するために用いられて
いる。この化学物質の供給業者には、それらに限定され
る訳ではないが、Dow Corning CorporationおよびGener
al Electric Companyがある。Dow Corning 556化粧品グ
レードのシリコーン液体についての製品データシート
（Form 22-24-242D-85）において、製品の化学式はＭｅ
3 ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）n−ＳｉＭｅ3と
して示されている。
【０００６】これら２種類の市販材料の試料についての
分析はケイ素上のメトキシ基の存在を示した。これらメ
トキシ基の存在は、これら生成物の合成に際してメトキ
シシランあるいはメタノールまたはこれら両者が包含さ
れていたことを示唆している。更に、ケイ素上のメトキ
シ基の存在は、Ｓｉ−ＯＭｅ基の加水分解に起因する水
との接触によって通常メタノールの生成をもたらすもの
である。これらのメトキシまたはアルコキシ基の存在
は、潜在的な化学的不安定性の見地ならびにパーソナル
ケア製品産業における最終用途の両見地から望ましくな
い。
分析はケイ素上のメトキシ基の存在を示した。これらメ
トキシ基の存在は、これら生成物の合成に際してメトキ
シシランあるいはメタノールまたはこれら両者が包含さ
れていたことを示唆している。更に、ケイ素上のメトキ
シ基の存在は、Ｓｉ−ＯＭｅ基の加水分解に起因する水
との接触によって通常メタノールの生成をもたらすもの
である。これらのメトキシまたはアルコキシ基の存在
は、潜在的な化学的不安定性の見地ならびにパーソナル
ケア製品産業における最終用途の両見地から望ましくな
い。
【０００７】枝分かれフェニルシルセスキオキサン液体
中において回避することを要するその他の不純物はシラ
ノール官能価およびクロロシランを伴う化合物である。
シラノール官能価を備える化合物の存在は安定性の観点
から有害である、すなわち、それらは粘度のドリフトお
よび外観的に曇りを感じさせ、貯蔵寿命に劣ることであ
る。クロロシランは望ましくない、それはそれらが中性
ではないからである。
中において回避することを要するその他の不純物はシラ
ノール官能価およびクロロシランを伴う化合物である。
シラノール官能価を備える化合物の存在は安定性の観点
から有害である、すなわち、それらは粘度のドリフトお
よび外観的に曇りを感じさせ、貯蔵寿命に劣ることであ
る。クロロシランは望ましくない、それはそれらが中性
ではないからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、もし中性のフ
ェニルシルセスキオキサン液体であって、高い屈折率を
有するものが、実質的に検出可能なシラノール（ＳｉＯ
Ｈ）、実質的に検出可能なアルコキシシラン（ＳｉＯ
Ｒ、式中Ｒは一価の炭化水素置換基である。）、実質的
に検出可能なクロロシランを含まずに、また更に遊離の
有機および無機化合物が実質的に存在することなく調製
出来れば、それは当該技術の現状における顕著な進歩を
構成することになる。
ェニルシルセスキオキサン液体であって、高い屈折率を
有するものが、実質的に検出可能なシラノール（ＳｉＯ
Ｈ）、実質的に検出可能なアルコキシシラン（ＳｉＯ
Ｒ、式中Ｒは一価の炭化水素置換基である。）、実質的
に検出可能なクロロシランを含まずに、また更に遊離の
有機および無機化合物が実質的に存在することなく調製
出来れば、それは当該技術の現状における顕著な進歩を
構成することになる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式Ｍｅ3Ｓ
ｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3 （式中
Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、そしてｘは１乃至約６
である。）で示される高純度の枝分かれフェニルシルセ
スキオキサン液体であって、実質的にアルコキシシラン
類、クロロシラン類、シラノール官能価および遊離の有
機および無機化合物を実質的に含まないものを提供す
る。本発明はまた、高純度の枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体を製造する方法を提供し、該方法は
（ｉ）純トリメチルクロロシランおよび純フェニルトリ
クロロシランの混合物を、２５重量％を超えない塩化水
素酸の水性層内で温度９０℃までにおいて、十分な水で
加水分解してシリコーン反応中間体の反応混合物を生成
する工程と、（ｉｉ）該水性層から残留酸を洗浄する工
程と、（ｉｉｉ）シリコーン反応中間体から水を共沸的
に除去する工程と、（ｉｖ）該シリコーン反応中間体内
のシラノール基を、少なくとも計算量のヘキサメチルジ
シロキサンおよび酸触媒の存在下でトリメチルシリル化
する工程とを含んで成ることを特徴とする。
ｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3 （式中
Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、そしてｘは１乃至約６
である。）で示される高純度の枝分かれフェニルシルセ
スキオキサン液体であって、実質的にアルコキシシラン
類、クロロシラン類、シラノール官能価および遊離の有
機および無機化合物を実質的に含まないものを提供す
る。本発明はまた、高純度の枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体を製造する方法を提供し、該方法は
（ｉ）純トリメチルクロロシランおよび純フェニルトリ
クロロシランの混合物を、２５重量％を超えない塩化水
素酸の水性層内で温度９０℃までにおいて、十分な水で
加水分解してシリコーン反応中間体の反応混合物を生成
する工程と、（ｉｉ）該水性層から残留酸を洗浄する工
程と、（ｉｉｉ）シリコーン反応中間体から水を共沸的
に除去する工程と、（ｉｖ）該シリコーン反応中間体内
のシラノール基を、少なくとも計算量のヘキサメチルジ
シロキサンおよび酸触媒の存在下でトリメチルシリル化
する工程とを含んで成ることを特徴とする。
【００１０】本発明は一般式： Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3 （式中Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、そしてｘは１乃
至約６である。）で示される新規な枝分かれフェニルシ
ルセスキオキサン液体を提供し、この液体はそれが実質
的に、そして好ましくは完全に、検出可能量のシラノー
ル、アルコキシシラン、クロロシランならびにその他の
有機および無機不純物を含まないことによって特徴づけ
られている。本発明の高純度枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体は新規な２工程法によって調製可能であ
る。第一工程において、約５：１乃至約１：１に及ぶ範
囲のモル比におけるトリメチルクロロシランおよびフェ
ニルトリクロロシランの混合物を計算過剰量の蒸留水で
あって、２５重量％を超えない、好ましくは１８重量％
未満の塩化水素酸の水性層を生成する蒸留水によって加
水分解する。トリメチルクロロシランおよびフェニルト
リクロロシラン反応体は市販されており、あるいは当業
者に知られた方法によって製造することが可能である。
好ましい実施態様において、本発明の方法では実質的に
純粋乃至完全に純粋な反応体が用いられる。
至約６である。）で示される新規な枝分かれフェニルシ
ルセスキオキサン液体を提供し、この液体はそれが実質
的に、そして好ましくは完全に、検出可能量のシラノー
ル、アルコキシシラン、クロロシランならびにその他の
有機および無機不純物を含まないことによって特徴づけ
られている。本発明の高純度枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体は新規な２工程法によって調製可能であ
る。第一工程において、約５：１乃至約１：１に及ぶ範
囲のモル比におけるトリメチルクロロシランおよびフェ
ニルトリクロロシランの混合物を計算過剰量の蒸留水で
あって、２５重量％を超えない、好ましくは１８重量％
未満の塩化水素酸の水性層を生成する蒸留水によって加
水分解する。トリメチルクロロシランおよびフェニルト
リクロロシラン反応体は市販されており、あるいは当業
者に知られた方法によって製造することが可能である。
好ましい実施態様において、本発明の方法では実質的に
純粋乃至完全に純粋な反応体が用いられる。
【００１１】本発明方法の第一工程の共加水分解（co-h
ydrolysis）は約周囲温度乃至約９０℃、好ましくは約
周囲温度乃至約８０℃、そしてより好ましくは約周囲温
度乃至約６０℃の温度範囲で行えばよい。反応器はま
た、好ましくは冷水凝縮器であって、トリメチルクロロ
シランを含むが、これに限定されるものではない、あら
ゆる揮発性シラン種の損失を阻止し得るものを備えるこ
とにする。共加水分解反応が完了した後、酸層はシリコ
ーン層から分離される。このシリコーン層は、当業者に
知られたいずれかの方法によって洗浄されて残留酸を解
放する。次いで、シリコーン層は１００℃に加熱され、
この時点で水およびヘキサメチルジシロキサンが共揮発
する。次いで、遊離水をシリコーン層から共沸的に除去
する。実質的に全ての遊離水が除去された後、揮発した
ヘキサメチルジシロキサンをシリコーン層に復帰させ
る。
ydrolysis）は約周囲温度乃至約９０℃、好ましくは約
周囲温度乃至約８０℃、そしてより好ましくは約周囲温
度乃至約６０℃の温度範囲で行えばよい。反応器はま
た、好ましくは冷水凝縮器であって、トリメチルクロロ
シランを含むが、これに限定されるものではない、あら
ゆる揮発性シラン種の損失を阻止し得るものを備えるこ
とにする。共加水分解反応が完了した後、酸層はシリコ
ーン層から分離される。このシリコーン層は、当業者に
知られたいずれかの方法によって洗浄されて残留酸を解
放する。次いで、シリコーン層は１００℃に加熱され、
この時点で水およびヘキサメチルジシロキサンが共揮発
する。次いで、遊離水をシリコーン層から共沸的に除去
する。実質的に全ての遊離水が除去された後、揮発した
ヘキサメチルジシロキサンをシリコーン層に復帰させ
る。
【００１２】本方法のこの段階において、シリコーン層
の化学組成物は下記の一般式：Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3Ｓ
ｉＯＰｈＳｉＯ）x（ＨＯＰｈＳｉＯ)yＳｉＭｅ3 (式中
Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、ｘは１乃至約６であ
り、そしてｙは０乃至６である。）で示すことが出来
る。これは、ｘおよびｙの両者が０である種、すなわち
式Ｍｅ3ＳｉＯＳｉＭｅ3またはヘキサメチルジシロキサ
ンであって、トリメチルクロロシランおよびフェニルト
リクロロシランの共加水分解に対してトリメチルクロロ
シランの単独加水分解の結果、存在するものの種であ
る。ヘキサメチルジシロキサンは本発明方法の第二工程
のために必要な反応体である。
の化学組成物は下記の一般式：Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3Ｓ
ｉＯＰｈＳｉＯ）x（ＨＯＰｈＳｉＯ)yＳｉＭｅ3 (式中
Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、ｘは１乃至約６であ
り、そしてｙは０乃至６である。）で示すことが出来
る。これは、ｘおよびｙの両者が０である種、すなわち
式Ｍｅ3ＳｉＯＳｉＭｅ3またはヘキサメチルジシロキサ
ンであって、トリメチルクロロシランおよびフェニルト
リクロロシランの共加水分解に対してトリメチルクロロ
シランの単独加水分解の結果、存在するものの種であ
る。ヘキサメチルジシロキサンは本発明方法の第二工程
のために必要な反応体である。
【００１３】本発明方法の第二工程中、周囲温度におい
てシリコーン層は酸性触媒、たとえば０．１重量％のト
リフルオロメタンスルホン酸によって触媒される。本発
明において使用が意図される他の触媒はあらゆる塩素非
含有酸、たとえば硫酸および硝酸である。
てシリコーン層は酸性触媒、たとえば０．１重量％のト
リフルオロメタンスルホン酸によって触媒される。本発
明において使用が意図される他の触媒はあらゆる塩素非
含有酸、たとえば硫酸および硝酸である。
【００１４】次に、シリコーン層は攪拌され、そして約
５０℃までの温度で十分な時間加熱されて、全ての残留
ＳｉＯＨ（シラノール）基をＳｉＯＳｉＭｅ3 基で置換
する。この反応の完了は、当業者に周知のように、ガス
層クロマトグラフィーによって容易に確認出来る。反応
の完了後、酸触媒を塩で中和し、そしてその塩を反応混
合物から濾過する。各種の塩類を用いて酸触媒を中和
し、かつ濾過することが出来る。本発明の実施に際して
有用な塩類の代表例は硫酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸水素カルシウム等である。次に、残りのシリコ
ーン物質をストリップして全ての残留ヘキサメチルジシ
ロキサンを除去し、液体を含有する高純度の枝分かれフ
ェニルシルセスキオキサンを提供する。
５０℃までの温度で十分な時間加熱されて、全ての残留
ＳｉＯＨ（シラノール）基をＳｉＯＳｉＭｅ3 基で置換
する。この反応の完了は、当業者に周知のように、ガス
層クロマトグラフィーによって容易に確認出来る。反応
の完了後、酸触媒を塩で中和し、そしてその塩を反応混
合物から濾過する。各種の塩類を用いて酸触媒を中和
し、かつ濾過することが出来る。本発明の実施に際して
有用な塩類の代表例は硫酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸水素カルシウム等である。次に、残りのシリコ
ーン物質をストリップして全ての残留ヘキサメチルジシ
ロキサンを除去し、液体を含有する高純度の枝分かれフ
ェニルシルセスキオキサンを提供する。
【００１５】トリメチルクロロシラン対フェニルトリク
ロロシランのモル比を変化させることによって約１．４
４００（２５℃）未満から約１．４９００（２５℃）の
範囲に及ぶ屈折率、これに対応する約５．０ｃｓ（２５
℃）乃至約５００ｃｓ（２５℃）以上の範囲に及ぶ粘度
を有する広範囲の枝分かれトリメチルシリル化フェニル
シルセスキオキサン液体を本発明に従って製造すること
が可能である。
ロロシランのモル比を変化させることによって約１．４
４００（２５℃）未満から約１．４９００（２５℃）の
範囲に及ぶ屈折率、これに対応する約５．０ｃｓ（２５
℃）乃至約５００ｃｓ（２５℃）以上の範囲に及ぶ粘度
を有する広範囲の枝分かれトリメチルシリル化フェニル
シルセスキオキサン液体を本発明に従って製造すること
が可能である。
【００１６】特に好ましい実施態様において、本発明の
第二工程のストリッピング工程において除去された残留
ヘキサメチルジシロキサンを最初の反応混合物にリサイ
クルしてもよい。この種の実施態様では、リサイクルさ
れたヘキサメチルジシロキサンの量によって最初の反応
混合物中のトリメチルクロロシランの量が減少され、そ
れに応じて加水分解と酸層中の塩化水素酸を一定に保持
するために必要とされる蒸留水の量も減少する。この手
法において、本発明は更に、オルガノシリコン化学物質
に関して本質的に無廃棄物法（zero waste process）
である方法を提供する。
第二工程のストリッピング工程において除去された残留
ヘキサメチルジシロキサンを最初の反応混合物にリサイ
クルしてもよい。この種の実施態様では、リサイクルさ
れたヘキサメチルジシロキサンの量によって最初の反応
混合物中のトリメチルクロロシランの量が減少され、そ
れに応じて加水分解と酸層中の塩化水素酸を一定に保持
するために必要とされる蒸留水の量も減少する。この手
法において、本発明は更に、オルガノシリコン化学物質
に関して本質的に無廃棄物法（zero waste process）
である方法を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下の実施例は本発明を例示す
る。それらは、如何なる意味でも特許請求の範囲を限定
するものと解釈されるべきではない。
る。それらは、如何なる意味でも特許請求の範囲を限定
するものと解釈されるべきではない。
【００１８】
＜実施例 １＞純粋トリメチルクロロシラン３２５．５
ｇ（３．０モル）および純粋フェニルトリクロロシラン
２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用漏斗か
ら、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計および冷水
凝縮器を備え、かつ蒸留水１０５１ｇ（５８．４モル）
を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌しな
がら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温度が
６０℃を超えないように制御した。添加が完了した後、
フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水性層
をフラスコから除去し、１０００ｇの蒸留水を導入し、
そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と混合
してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、そし
て２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去した。
この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以上反
復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサメチ
ルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法におい
て、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体か
ら共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサンは
フラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスルホ
ン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２４
時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マグ
ネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の攪
拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は３７０
ｇ（理論９９．５％）の重量を示した。この混合物のＮ
ＭＲ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が３．０であること
を示した。シリコーン層は室温における真空下でストリ
ップされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン５６
ｇ（１５重量％）が除去された。残りの生成物は３１４
ｇ（収率８４％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分析
によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン
５３％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−
ジフェニルジシロキサン２７％および高級オリゴマー２
０％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４５
５０（２５℃）および粘度１２．６ｃｓ（２５℃）を有
しており、そして中性、無色および無臭であった。
ｇ（３．０モル）および純粋フェニルトリクロロシラン
２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用漏斗か
ら、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計および冷水
凝縮器を備え、かつ蒸留水１０５１ｇ（５８．４モル）
を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌しな
がら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温度が
６０℃を超えないように制御した。添加が完了した後、
フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水性層
をフラスコから除去し、１０００ｇの蒸留水を導入し、
そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と混合
してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、そし
て２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去した。
この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以上反
復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサメチ
ルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法におい
て、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体か
ら共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサンは
フラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスルホ
ン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２４
時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マグ
ネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の攪
拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は３７０
ｇ（理論９９．５％）の重量を示した。この混合物のＮ
ＭＲ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が３．０であること
を示した。シリコーン層は室温における真空下でストリ
ップされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン５６
ｇ（１５重量％）が除去された。残りの生成物は３１４
ｇ（収率８４％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分析
によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン
５３％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−
ジフェニルジシロキサン２７％および高級オリゴマー２
０％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４５
５０（２５℃）および粘度１２．６ｃｓ（２５℃）を有
しており、そして中性、無色および無臭であった。
【００１９】＜実施例 ２＞純粋トリメチルクロロシラ
ン４３４．０ｇ（４．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水１２２７ｇ（６８．２
モル）を収容する３リットルの三ッ口丸底フラスコに攪
拌しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の
温度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了し
た後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部
水性酸層をフラスコから除去し、１２００ｇの蒸留水を
導入し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン
層と混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止
し、そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除
去した。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３
回以上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘ
キサメチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法
において、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン
液体から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキ
サンはフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタン
スルホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物
を１８時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫
酸マグネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時
間の攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は
４４５ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物の
ＮＭＲ分析はＭｅ3 Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が４．０であるこ
とを示した。シリコーン層は室温における真空下でスト
リップされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン９
５ｇ（２１．０重量％）が除去された。残りの生成物は
３５０ｇ（収率７７％）の重量を示し、かつ未較正のＧ
Ｃ分析によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニル
シラン６０％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−
１，３−ジフェニルジシロキサン１８％および高級オリ
ゴマー２２％から構成されていた。この生成物は屈折率
１．４５３０（２５℃）および粘度９．６ｃｓ（２５
℃）を有し、そして中性、無色および無臭であった。
ン４３４．０ｇ（４．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水１２２７ｇ（６８．２
モル）を収容する３リットルの三ッ口丸底フラスコに攪
拌しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の
温度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了し
た後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部
水性酸層をフラスコから除去し、１２００ｇの蒸留水を
導入し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン
層と混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止
し、そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除
去した。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３
回以上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘ
キサメチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法
において、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン
液体から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキ
サンはフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタン
スルホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物
を１８時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫
酸マグネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時
間の攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は
４４５ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物の
ＮＭＲ分析はＭｅ3 Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が４．０であるこ
とを示した。シリコーン層は室温における真空下でスト
リップされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン９
５ｇ（２１．０重量％）が除去された。残りの生成物は
３５０ｇ（収率７７％）の重量を示し、かつ未較正のＧ
Ｃ分析によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニル
シラン６０％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−
１，３−ジフェニルジシロキサン１８％および高級オリ
ゴマー２２％から構成されていた。この生成物は屈折率
１．４５３０（２５℃）および粘度９．６ｃｓ（２５
℃）を有し、そして中性、無色および無臭であった。
【００２０】＜実施例 ３＞純粋トリメチルクロロシラ
ン１０８．５ｇ（１．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水７０１ｇ（３９．０モ
ル）を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌
しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温
度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了した
後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水
性酸層をフラスコから除去し、７００ｇの蒸留水を導入
し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と
混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、
そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去し
た。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以
上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサ
メチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法にお
いて、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体
から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサン
はフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスル
ホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２
４時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マ
グネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の
攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は２０
６ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物のＮＭ
Ｒ分析はＭｅ3 Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が１．０であることを
示した。シリコーン層は室温における真空下でストリッ
プされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン１０ｇ
（５．０重量％）が除去された。残りの生成物は１９５
ｇ（収率９３％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分析
によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン
３２％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−
ジフェニルジシロキサン２２％および高級オリゴマー４
６％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４９
２９（２５℃）および粘度５３０ｃｓ（２５℃）を有
し、そして中性、無色および無臭であった。
ン１０８．５ｇ（１．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水７０１ｇ（３９．０モ
ル）を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌
しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温
度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了した
後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水
性酸層をフラスコから除去し、７００ｇの蒸留水を導入
し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と
混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、
そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去し
た。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以
上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサ
メチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法にお
いて、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体
から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサン
はフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスル
ホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２
４時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マ
グネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の
攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は２０
６ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物のＮＭ
Ｒ分析はＭｅ3 Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が１．０であることを
示した。シリコーン層は室温における真空下でストリッ
プされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン１０ｇ
（５．０重量％）が除去された。残りの生成物は１９５
ｇ（収率９３％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分析
によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン
３２％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−
ジフェニルジシロキサン２２％および高級オリゴマー４
６％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４９
２９（２５℃）および粘度５３０ｃｓ（２５℃）を有
し、そして中性、無色および無臭であった。
【００２１】＜実施例 ４＞純粋トリメチルクロロシラ
ン２１７．０ｇ（２．０モル）、ヘキサメチルジシロキ
サン８１．０ｇ（０．５モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水８７７ｇ（４８．７モ
ル）を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌
しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温
度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了した
後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水
性酸層をフラスコから除去し、９００ｇの蒸留水を導入
し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と
混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、
そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去し
た。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以
上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサ
メチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法にお
いて、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体
から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサン
はフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスル
ホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２
４時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マ
グネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の
攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は３６
５ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物のＮＭ
Ｒ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が３．０であることを
示した。シリコーン層は室温における真空下でストリッ
プされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン５９ｇ
（１６．０重量％）が除去された。残りの生成物は３０
６ｇ（収率８２％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分
析によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラ
ン５２％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３
−ジフェニルジシロキサン２８％および高級オリゴマー
２０％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４
５５５（２５℃）および粘度１２．７ｃｓ（２５℃）を
有し、そして中性、無色および無臭であった。
ン２１７．０ｇ（２．０モル）、ヘキサメチルジシロキ
サン８１．０ｇ（０．５モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水８７７ｇ（４８．７モ
ル）を収容する２リットルの三ッ口丸底フラスコに攪拌
しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の温
度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了した
後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部水
性酸層をフラスコから除去し、９００ｇの蒸留水を導入
し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン層と
混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止し、
そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除去し
た。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３回以
上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘキサ
メチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法にお
いて、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン液体
から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキサン
はフラスコに復帰させた。純粋トリフルオロメタンスル
ホン酸６滴をシリコーン層に添加した。この混合物を２
４時間室温で攪拌した。攪拌を続けながら、無水硫酸マ
グネシウム１０ｇをフラスコに添加した。更に１時間の
攪拌後、シリコーン層を濾過した。生成物混合物は３６
５ｇ（理論９８％）の重量を示した。この混合物のＮＭ
Ｒ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比が３．０であることを
示した。シリコーン層は室温における真空下でストリッ
プされた。この工程でヘキサメチルジシロキサン５９ｇ
（１６．０重量％）が除去された。残りの生成物は３０
６ｇ（収率８２％）の重量を示し、かつ未較正のＧＣ分
析によればトリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラ
ン５２％、テトラキス（トリメチルシロキシ）−１，３
−ジフェニルジシロキサン２８％および高級オリゴマー
２０％から構成されていた。この生成物は屈折率１．４
５５５（２５℃）および粘度１２．７ｃｓ（２５℃）を
有し、そして中性、無色および無臭であった。
【００２２】＜実施例 ５＞実施例２の生成物の試料３
００ｇを真空下で蒸留して、９９．８％以上の純粋トリ
ス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン（毛管ＧＣ分
析による）であって、沸点１００℃（１ｍｍ）、屈折率
１．４３７１（２５℃）および粘度５．０ｃｓ（２５
℃）のもの１７５ｇを得た。
００ｇを真空下で蒸留して、９９．８％以上の純粋トリ
ス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン（毛管ＧＣ分
析による）であって、沸点１００℃（１ｍｍ）、屈折率
１．４３７１（２５℃）および粘度５．０ｃｓ（２５
℃）のもの１７５ｇを得た。
【００２３】＜比較例 １＞純粋トリメチルクロロシラ
ン３２５．５ｇ（３．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を激しく
攪拌しながら蒸留水１０８ｇ（６．０モル−１００％過
剰）に添加した。最初、この反応は発熱反応であるが、
塩化水素中で水性層が飽和状態になった時点で、この反
応は塩化水素ガスの生成を伴う吸熱反応となる。発生す
る塩化水素ガスはトリメチルクロロシランを連行する
が、これはガス流を氷水浴中に急冷すれば容易に観察さ
れる。それは２層を形成するからである。この反応のシ
リコーン生成物のＮＭＲ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比
が２．２５であることを示し、これは反応器に供給され
た当初トリメチルクロロシランの２５％が塩化水素ガス
による連行に起因して喪失したことを示している。
ン３２５．５ｇ（３．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を激しく
攪拌しながら蒸留水１０８ｇ（６．０モル−１００％過
剰）に添加した。最初、この反応は発熱反応であるが、
塩化水素中で水性層が飽和状態になった時点で、この反
応は塩化水素ガスの生成を伴う吸熱反応となる。発生す
る塩化水素ガスはトリメチルクロロシランを連行する
が、これはガス流を氷水浴中に急冷すれば容易に観察さ
れる。それは２層を形成するからである。この反応のシ
リコーン生成物のＮＭＲ分析はＭｅ3Ｓｉ／ＰｈＳｉ比
が２．２５であることを示し、これは反応器に供給され
た当初トリメチルクロロシランの２５％が塩化水素ガス
による連行に起因して喪失したことを示している。
【００２４】＜比較例 ２＞純粋トリメチルクロロシラ
ン３２５．５ｇ（３．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水１２７０ｇ（７０．６
モル）を収容する３リットルの三ッ口丸底フラスコに攪
拌しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の
温度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了し
た後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部
水性酸層をフラスコから除去し、１２００ｇの蒸留水を
導入し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン
層と混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止
し、そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除
去した。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３
回以上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘ
キサメチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法
において、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン
液体から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキ
サンはフラスコに復帰させた。この時点でのＧＣ分析は
予想された生成物、すなわちヘキサメチルジシロキサ
ン、トリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン、テ
トラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−ジフェニル
ジシロキサン、ペンタキス（トリメチルシロキシ）−
１，３，５−トリフェニルトリシロキサンおよび高級オ
リゴマーの存在を示した。しかしながら、更にそこには
各フェニル含有シロキサンピークの直前に存在するより
小さなピーク（主要ピークの２５％まで）があった。Ｇ
Ｃ／ＭＳ分析によれば、これらのピークはシラノール官
能物質として同定され、この場合トリメチルシロキシ置
換基が消失し、シラノール基によって置換されており、
たとえばそれらはビス（トリメチルシロキシ）フェニル
シラノール、１，３，３−トリス（トリメチルシロキ
シ）−１，３−ジフェニルジシロキサン−１−オルおよ
び１，１，５，５−テトラキス（トリメチルシロキシ）
−１，３，５−トリフェニルトリシロキサン−３−オル
（またはその異性体）である。
ン３２５．５ｇ（３．０モル）およびフェニルトリクロ
ロシラン２１１．５ｇ（１．０モル）の混合物を添加用
漏斗から、機械的撹拌機および羽根ならびに温度計およ
び冷水凝縮器を備え、かつ蒸留水１２７０ｇ（７０．６
モル）を収容する３リットルの三ッ口丸底フラスコに攪
拌しながら緩慢に添加した。添加の速度は反応混合物の
温度が６０℃を超えないように制御した。添加が完了し
た後、フラスコの内容物を４０℃に冷却せしめた。下部
水性酸層をフラスコから除去し、１２００ｇの蒸留水を
導入し、そして急速に攪拌し、次いで上部のシリコーン
層と混合してその酸含有量を減少させた。撹拌機を停止
し、そして２層を分離させ、それから下部酸層を再び除
去した。この水洗操作は上層のｐＨが６を超えるまで３
回以上反復した。シリコーン層を１００℃に加熱してヘ
キサメチルジシロキサンと水を共蒸留させた。この方法
において、水がもはや生成されなくなるまでシリコーン
液体から共沸的に水を除去した。ヘキサメチルジシロキ
サンはフラスコに復帰させた。この時点でのＧＣ分析は
予想された生成物、すなわちヘキサメチルジシロキサ
ン、トリス（トリメチルシロキシ）フェニルシラン、テ
トラキス（トリメチルシロキシ）−１，３−ジフェニル
ジシロキサン、ペンタキス（トリメチルシロキシ）−
１，３，５−トリフェニルトリシロキサンおよび高級オ
リゴマーの存在を示した。しかしながら、更にそこには
各フェニル含有シロキサンピークの直前に存在するより
小さなピーク（主要ピークの２５％まで）があった。Ｇ
Ｃ／ＭＳ分析によれば、これらのピークはシラノール官
能物質として同定され、この場合トリメチルシロキシ置
換基が消失し、シラノール基によって置換されており、
たとえばそれらはビス（トリメチルシロキシ）フェニル
シラノール、１，３，３−トリス（トリメチルシロキ
シ）−１，３−ジフェニルジシロキサン−１−オルおよ
び１，１，５，５−テトラキス（トリメチルシロキシ）
−１，３，５−トリフェニルトリシロキサン−３−オル
（またはその異性体）である。
【００２５】上記詳細な記載に鑑みて、本発明の数多く
の変形それら自体が当業者に対して示唆されるであろ
う。たとえば、トリメチルクロロシランとフェニルトリ
クロロシランとのモル比は１乃至６の範囲で変動しても
よい。更に、トリフルオロメタンスルホン酸以外の酸触
媒も使用可能である。この種のあらゆる明白な変形は本
特許請求の範囲内にあることが十分に意図されている。
上で参照された全ての特許、特許出願および刊行物は引
用によって本明細書に含まれるものとする。
の変形それら自体が当業者に対して示唆されるであろ
う。たとえば、トリメチルクロロシランとフェニルトリ
クロロシランとのモル比は１乃至６の範囲で変動しても
よい。更に、トリフルオロメタンスルホン酸以外の酸触
媒も使用可能である。この種のあらゆる明白な変形は本
特許請求の範囲内にあることが十分に意図されている。
上で参照された全ての特許、特許出願および刊行物は引
用によって本明細書に含まれるものとする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム アイ ラサム ３世 アメリカ合衆国 フロリダ州 32608 ゲ インズビル サウスウエスト サーティー ンス ストリート 2901番
Claims (17)
- 【請求項１】 一般式： Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3 （式中Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、そしてｘは１乃
至約６である。）で示される高純度、中性、無色および
無臭の枝分かれフェニルシルセスキオキサン液体であっ
て、アルコキシシラン、クロロシラン、シラノール官能
価、ヘキサメチルジシロキサンならびに遊離の有機およ
び／または無機化合物を実質的に含まないことを特徴と
する高純度の枝分かれフェニルシルセスキオキサン液
体。 - 【請求項２】 ｘが１乃至３の範囲に及んでいる請求項
１記載の高純度の枝分かれフェニルシルセスキオキサン
液体。 - 【請求項３】 ｘが１である請求項２記載の高純度の枝
分かれフェニルシルセスキオキサン液体。 - 【請求項４】 純度９９．９％である請求項１記載の高
純度の枝分かれフェニルシルセスキオキサン液体。 - 【請求項５】 検出可能なアルコキシシラン、クロロシ
ラン、シラノール官能価、ヘキサメチルジシロキサン、
遊離の有機物および遊離の無機物を含まない請求項１記
載の高純度の枝分かれフェニルシルセスキオキサン液
体。 - 【請求項６】 フェニルトリス（トリメチルシロキシ）
シランから成るシリコーン液体。 - 【請求項７】 （ａ）（ｉ）純粋トリメチルクロロシラ
ンおよび純粋フェニルトリクロロシランの混合物を、約
２５重量％未満の塩化水素酸の水性層を生成するに足る
量において、蒸留水で加水分解し、加水分解反応混合物
の温度を約９０℃未満に維持して、シリコーン反応中間
体を生成する工程と、（ｉｉ）シリコーン反応中間体か
らの残留酸を洗浄する工程と、（ｉｉｉ）洗浄したシリ
コーン反応中間体からの水を共沸的に除去して、乾燥シ
リコーン反応中間体を生成する工程と、 （ｂ）乾燥シリコーン反応中間体内のシラノール基を少
なくとも計算量のヘキサメチルジシロキサンで酸触媒の
存在下にトリメチルシリル化する工程とを含んで成るこ
とを特徴とする一般式： Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3 （式中Ｍｅはメチル、Ｐｈはフェニル、そしてｘは１乃
至約６である。）で示され、９９．９％を超える純度を
有し、更にアルコキシシラン、クロロシラン、シラノー
ル官能価、ヘキサメチルジシロキサンならびに遊離の有
機化合物および遊離の無機化合物を実質的に含まない高
純度の枝分かれフェニルシルセスキオキサン液体を製造
する方法。 - 【請求項８】 前記トリメチルシリル化工程が計算量の
２倍過剰のヘキサメチルジシロキサンをもって行われる
請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記加水分解工程が約６０℃未満の温度
で行われる請求項７記載の方法。 - 【請求項１０】 前記加水分解工程が、約１５乃至約１
８重量％の塩化水素酸の水性層を生成するに足る量にお
ける蒸留水をもって行われる請求項７記載の方法。 - 【請求項１１】 ヘキサメチルジシロキサンがトリメチ
ルシリル化工程の始まりと終わりの両時点において存在
する請求項７記載の方法。 - 【請求項１２】 前記酸触媒がトリフルオロメタンスル
ホン酸を含んで成る請求項７記載の方法。 - 【請求項１３】 トリメチルシリル化反応完了後に前記
酸触媒を中和し、かつその塩を濾過する請求項７記載の
方法。 - 【請求項１４】 トリメチルシリル化工程の終わりにお
いて存在する過剰のヘキサメチルジシロキサンがストリ
ッピングによって生成物から除去される請求項記１１載
の方法。 - 【請求項１５】 前記除去されたヘキサメチルジシロキ
サンが加水分解反応混合物にリサイクルされる請求項１
４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記洗浄工程が遂行されて、ｐＨ少な
くとも６を有するシリコーン反応中間体を提供する請求
項１１記載の方法。 - 【請求項１７】 請求項７記載の方法によって生成され
たことを特徴とする高純度の枝分かれフェニルシルセス
キオキサン液体。
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|---|---|---|---|
| US08/789,277 | 1997-01-28 | ||
| US08/789,277 US5679822A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | High purity branched phenylsiloxane fluids |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5679822A (ja) |
| EP (1) | EP0855418B1 (ja) |
| JP (1) | JP4188436B2 (ja) |
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| JP3679972B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2005-08-03 | 三菱電機株式会社 | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
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| CN104502509B (zh) * | 2014-12-29 | 2016-04-27 | 通标标准技术服务(上海)有限公司 | 一种测定食品接触硅橡胶材料中苯基三(三甲基硅氧烷基)硅烷的方法 |
| CN116396479A (zh) * | 2023-04-13 | 2023-07-07 | 广东雷邦高新材料有限公司 | 一种化妆品用甲基mt硅油的制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| BE570364A (ja) * | 1957-08-17 | 1900-01-01 | ||
| GB1050915A (ja) * | 1962-11-01 | 1900-01-01 | ||
| US3978104A (en) * | 1974-04-24 | 1976-08-31 | General Electric Company | Process for producing diorganopolysiloxane oils |
| US4206289A (en) * | 1975-01-23 | 1980-06-03 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for the production of cold-curing foam resins which contain urethane groups |
| EP0015366B2 (de) * | 1979-03-05 | 1990-12-05 | Th. Goldschmidt AG | Verfahren zur Herstellung wässriger Lösungen von Alkaliorganosiliconaten |
| JP2718231B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1998-02-25 | 三菱電機株式会社 | 高純度末端ヒドロキシフェニルラダーシロキサンプレポリマーの製造方法および高純度末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロキサンの製造方法 |
| US5039518A (en) * | 1990-07-30 | 1991-08-13 | Revlon, Inc. | Cosmetic sticks |
| JP2923408B2 (ja) * | 1992-12-21 | 1999-07-26 | 三菱電機株式会社 | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
| JP2826939B2 (ja) * | 1993-05-28 | 1998-11-18 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | ジオルガノポリシロキサンの製造方法 |
| JPH0770321A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Showa Denko Kk | 反応性ポリメチルシルセスキオキサン |
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- 1997-01-28 US US08/789,277 patent/US5679822A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-09 DE DE69727288T patent/DE69727288T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-09 AT AT97111601T patent/ATE258202T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-07-09 EP EP97111601A patent/EP0855418B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-17 JP JP20846997A patent/JP4188436B2/ja not_active Expired - Fee Related
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