JPH10209639A - セラミック積層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック積層基板の製造方法Info
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- JPH10209639A JPH10209639A JP9012638A JP1263897A JPH10209639A JP H10209639 A JPH10209639 A JP H10209639A JP 9012638 A JP9012638 A JP 9012638A JP 1263897 A JP1263897 A JP 1263897A JP H10209639 A JPH10209639 A JP H10209639A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック積層基板において、フリップチッ
プＩＣと電気接続される導体ランド部の導体を、焼成後
においても高く形成できるようにする。 【解決手段】 グリーンシート１にスルーホールを形成
し、このスルーホールに導体２を充填し、グリーンシー
ト上に導体３（最表層の導体ランド部の導体３ａを含
む）を印刷形成する。そして、全てのグリーンシートを
積層し、プレスにて加圧した後、導体ランド部の導体３
ａ上に、導体３ｂを印刷形成し、プレスによる加圧を行
わずに、焼成を行って、セラミック積層基板を得る。こ
のような製造方法によれば、グリーンシートの積層加圧
後に、導体ランド部に導体３ｂを印刷形成し、この後は
加圧を行わずに焼成を行っているので、導体ランド部の
導体を焼成後において高くすることができる。
プＩＣと電気接続される導体ランド部の導体を、焼成後
においても高く形成できるようにする。 【解決手段】 グリーンシート１にスルーホールを形成
し、このスルーホールに導体２を充填し、グリーンシー
ト上に導体３（最表層の導体ランド部の導体３ａを含
む）を印刷形成する。そして、全てのグリーンシートを
積層し、プレスにて加圧した後、導体ランド部の導体３
ａ上に、導体３ｂを印刷形成し、プレスによる加圧を行
わずに、焼成を行って、セラミック積層基板を得る。こ
のような製造方法によれば、グリーンシートの積層加圧
後に、導体ランド部に導体３ｂを印刷形成し、この後は
加圧を行わずに焼成を行っているので、導体ランド部の
導体を焼成後において高くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のグリーンシ
ートを各層間が電気的に導通するように導体を形成した
状態で積層し、加圧した後、焼成してセラミック積層基
板を製造する方法に関する。
ートを各層間が電気的に導通するように導体を形成した
状態で積層し、加圧した後、焼成してセラミック積層基
板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック積層基板の製造方法を
図５に示す。まず、セラミックのグリーンシート１を複
数用意し（図５（ａ）参照）、次に、各グリーンシート
にスルーホールを形成し、スルーホールに導体２を充填
し（図５（ｂ）参照）、それぞれのグリーンシート上に
配線形成のために導体３（導体ランド部の導体３ａを含
む）を印刷形成する（図５（ｃ）参照）。そして、全て
のグリーンシートを積層し、プレスにて加圧する（図５
（ｄ）参照）。この後、焼成してセラミック積層基板を
得る。
図５に示す。まず、セラミックのグリーンシート１を複
数用意し（図５（ａ）参照）、次に、各グリーンシート
にスルーホールを形成し、スルーホールに導体２を充填
し（図５（ｂ）参照）、それぞれのグリーンシート上に
配線形成のために導体３（導体ランド部の導体３ａを含
む）を印刷形成する（図５（ｃ）参照）。そして、全て
のグリーンシートを積層し、プレスにて加圧する（図５
（ｄ）参照）。この後、焼成してセラミック積層基板を
得る。
【０００３】このようにして製造されたセラミック積層
基板に対し、最表層の導体ランド部に形成された導体３
ａの表面に金属めっきを施して導体ランドを構成し、こ
の後、導体ランド上にはんだペーストをスクリーン印刷
する。この後、フリップチップＩＣの電極端子に形成し
たはんだバンプを、はんだペーストが印刷された導体ラ
ンド上に位置合わせし、リフローを行ってフリップチッ
プＩＣをセラミック積層基板上にはんだ接続する。
基板に対し、最表層の導体ランド部に形成された導体３
ａの表面に金属めっきを施して導体ランドを構成し、こ
の後、導体ランド上にはんだペーストをスクリーン印刷
する。この後、フリップチップＩＣの電極端子に形成し
たはんだバンプを、はんだペーストが印刷された導体ラ
ンド上に位置合わせし、リフローを行ってフリップチッ
プＩＣをセラミック積層基板上にはんだ接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したセラミック積
層基板の製造において、最表層に形成される導体３（３
ａ）は、積層後に行われる加圧によりグリーンシート内
に埋め込まれる。このため、焼成後において基板表面か
らの導体３（３ａ）の高さが低くなり、例えば１０μｍ
程度になってしまう。
層基板の製造において、最表層に形成される導体３（３
ａ）は、積層後に行われる加圧によりグリーンシート内
に埋め込まれる。このため、焼成後において基板表面か
らの導体３（３ａ）の高さが低くなり、例えば１０μｍ
程度になってしまう。
【０００５】従って、導体ランド部に形成された導体３
ａを用いて、フリップチップＩＣをはんだ接続すると、
フリップチップＩＣとセラミック積層基板間の隙間が狭
くなる。この場合、フリップチップＩＣとして大型のも
のを用い、その電極端子間のピッチが狭いと、フリップ
チップＩＣとセラミック積層基板の熱膨張係数の相違に
より、それぞれに熱応力がかかり、フリップチップＩＣ
の電極端子と導体ランド間のはんだ接合部の接合強度が
低下するという問題が発生する。
ａを用いて、フリップチップＩＣをはんだ接続すると、
フリップチップＩＣとセラミック積層基板間の隙間が狭
くなる。この場合、フリップチップＩＣとして大型のも
のを用い、その電極端子間のピッチが狭いと、フリップ
チップＩＣとセラミック積層基板の熱膨張係数の相違に
より、それぞれに熱応力がかかり、フリップチップＩＣ
の電極端子と導体ランド間のはんだ接合部の接合強度が
低下するという問題が発生する。
【０００６】このような接合強度の低下に対しては、フ
リップチップＩＣとセラミック積層基板間の隙間に補強
用の樹脂を注入し充填することが考えられるが、上述し
たように、その隙間が狭くなっているため、樹脂の注入
は困難である。また、セラミック積層基板においては、
フリップチップＩＣが搭載される領域において焼成収縮
により反りが発生している場合があり、このときには樹
脂の注入が一層困難になる。
リップチップＩＣとセラミック積層基板間の隙間に補強
用の樹脂を注入し充填することが考えられるが、上述し
たように、その隙間が狭くなっているため、樹脂の注入
は困難である。また、セラミック積層基板においては、
フリップチップＩＣが搭載される領域において焼成収縮
により反りが発生している場合があり、このときには樹
脂の注入が一層困難になる。
【０００７】導体ランド部の導体３ａを高くするために
は、印刷時の導体を厚くする、あるいは複数回の印刷を
行って導体を厚くする方法が考えられるが、積層後のプ
レスにより導体の突出部はグリーンシート内に埋め込ま
れるため、それによる効果をあまり期待することはでき
ない。また、導体ランド部の導体３ａ上に形成する金属
めっきを厚くすることも考えられるが、この場合にはコ
スト上の問題が生じる。
は、印刷時の導体を厚くする、あるいは複数回の印刷を
行って導体を厚くする方法が考えられるが、積層後のプ
レスにより導体の突出部はグリーンシート内に埋め込ま
れるため、それによる効果をあまり期待することはでき
ない。また、導体ランド部の導体３ａ上に形成する金属
めっきを厚くすることも考えられるが、この場合にはコ
スト上の問題が生じる。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みたもので、導体ラ
ンド部の導体を焼成後においても高く形成できるように
することを目的とする。
ンド部の導体を焼成後においても高く形成できるように
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体ランド部
の導体が高くならないのが積層後の加圧にある点に着目
し、導体ランド部の導体印刷を積層プレス後に行うこと
により、上記目的を達成するようにしている。具体的に
は、請求項１に記載の発明では、複数のグリーンシート
（１）を各層間が電気的に導通するように導体（２、
３）を形成した状態で積層し、加圧した後、最表層の導
体ランド部に導体（３ｂ、３ｃ）を印刷形成し、この
後、加圧を行わずに焼成を行うことを特徴としている。
の導体が高くならないのが積層後の加圧にある点に着目
し、導体ランド部の導体印刷を積層プレス後に行うこと
により、上記目的を達成するようにしている。具体的に
は、請求項１に記載の発明では、複数のグリーンシート
（１）を各層間が電気的に導通するように導体（２、
３）を形成した状態で積層し、加圧した後、最表層の導
体ランド部に導体（３ｂ、３ｃ）を印刷形成し、この
後、加圧を行わずに焼成を行うことを特徴としている。
【００１０】従って、導体ランド部の導体印刷を積層プ
レス後に行っているから、焼成後において基板表面から
の導体ランド部の導体を高くすることができる。この場
合、請求項２に記載の発明のように、積層、加圧を行う
前に形成した導体（３ａ）と、加圧後に形成した導体
（３ｂ）により導体ランド部の導体を形成すれば、一
層、導体ランド部の導体を高くすることができる。
レス後に行っているから、焼成後において基板表面から
の導体ランド部の導体を高くすることができる。この場
合、請求項２に記載の発明のように、積層、加圧を行う
前に形成した導体（３ａ）と、加圧後に形成した導体
（３ｂ）により導体ランド部の導体を形成すれば、一
層、導体ランド部の導体を高くすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施形態に係る
セラミック積層基板の製造方法を示す。まず、アルミナ
を主成分とするセラミックのグリーンシート１を複数用
意し（図１（ａ）参照）、次に、各グリーンシートに金
型によるパンチング等の方法にてスルーホールを形成
し、スルーホールにモリブデンを主な材料とする導体２
を充填する（図１（ｂ）参照）。そして、それぞれのグ
リーンシート上に、配線形成のために、タングステンを
主な材料とする導体３を印刷形成する（図１（ｃ）参
照）。このとき、最表層の導体ランド部の導体３ａも印
刷形成する。そして、全てのグリーンシートを積層し、
プレスにて加圧する（図１（ｄ）参照）。この後、導体
ランド部の導体３ａ上に、再度、導体３ｂを印刷形成し
（図１（ｅ）参照）、プレスによる加圧を行わずに、１
６００℃程度の温度の還元雰囲気中で焼成を行い、セラ
ミック積層基板を得る。
セラミック積層基板の製造方法を示す。まず、アルミナ
を主成分とするセラミックのグリーンシート１を複数用
意し（図１（ａ）参照）、次に、各グリーンシートに金
型によるパンチング等の方法にてスルーホールを形成
し、スルーホールにモリブデンを主な材料とする導体２
を充填する（図１（ｂ）参照）。そして、それぞれのグ
リーンシート上に、配線形成のために、タングステンを
主な材料とする導体３を印刷形成する（図１（ｃ）参
照）。このとき、最表層の導体ランド部の導体３ａも印
刷形成する。そして、全てのグリーンシートを積層し、
プレスにて加圧する（図１（ｄ）参照）。この後、導体
ランド部の導体３ａ上に、再度、導体３ｂを印刷形成し
（図１（ｅ）参照）、プレスによる加圧を行わずに、１
６００℃程度の温度の還元雰囲気中で焼成を行い、セラ
ミック積層基板を得る。
【００１２】このような製造方法によれば、グリーンシ
ートの積層加圧後に、導体ランド部に導体３ｂを印刷形
成し、この後は加圧を行わずに焼成を行っているので、
導体ランド部の導体を焼成後において高くすることがで
きる。この後、最表層の導体ランド部の導体３ｂの表面
に金属めっきを施し、はんだ濡れ性を確保する。めっき
材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等のはんだ濡れ性の良好な金
属が好ましい。また、めっき方法は、無電解めっき、電
解めっき等いずれでもよい。
ートの積層加圧後に、導体ランド部に導体３ｂを印刷形
成し、この後は加圧を行わずに焼成を行っているので、
導体ランド部の導体を焼成後において高くすることがで
きる。この後、最表層の導体ランド部の導体３ｂの表面
に金属めっきを施し、はんだ濡れ性を確保する。めっき
材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等のはんだ濡れ性の良好な金
属が好ましい。また、めっき方法は、無電解めっき、電
解めっき等いずれでもよい。
【００１３】このようにして構成された導体ランドの構
成を図２に示す。グリーンシートを積層、加圧する前に
印刷形成した１層目の導体３ａは、焼成後において表面
から１０μｍより低い高さになるが、積層、加圧後に印
刷形成した２層目の導体３ｂは、焼成後において１５μ
ｍの高さになり、また金属めっき４の厚さを１０μｍと
すると、導体ランドの高さは合計で３５μｍ程度となる
ため、十分な高さを得ることができる。
成を図２に示す。グリーンシートを積層、加圧する前に
印刷形成した１層目の導体３ａは、焼成後において表面
から１０μｍより低い高さになるが、積層、加圧後に印
刷形成した２層目の導体３ｂは、焼成後において１５μ
ｍの高さになり、また金属めっき４の厚さを１０μｍと
すると、導体ランドの高さは合計で３５μｍ程度となる
ため、十分な高さを得ることができる。
【００１４】このようにして導体ランドを形成した後、
導体ランド上にはんだペーストをスクリーン印刷する。
そして、フリップチップＩＣの電極端子に形成したはん
だバンプを、はんだペーストが印刷された導体ランド上
に位置合わせし、リフローを行ってフリップチップＩＣ
をセラミック積層基板上にはんだ接続する。 （第２実施形態）図３に本発明の第２実施形態に係るセ
ラミック積層基板の製造方法を示す。
導体ランド上にはんだペーストをスクリーン印刷する。
そして、フリップチップＩＣの電極端子に形成したはん
だバンプを、はんだペーストが印刷された導体ランド上
に位置合わせし、リフローを行ってフリップチップＩＣ
をセラミック積層基板上にはんだ接続する。 （第２実施形態）図３に本発明の第２実施形態に係るセ
ラミック積層基板の製造方法を示す。
【００１５】この実施形態においては、各グリーンシー
ト１のスルーホールに導体２を充填するとともに、それ
ぞれのグリーンシート上に配線形成のために導体３を印
刷形成する（図３（ａ）参照）。但し、最表層の導体ラ
ンド部の導体は印刷形成しない。そして、全てのグリー
ンシートを積層し、プレスにて加圧する（図３（ｂ）参
照）。この後、最表層の導体ランド部の導体３ｃを印刷
形成し（図３（ｃ）参照）、この後、第１実施形態と同
様、プレス加圧を行わずに焼成を行う。
ト１のスルーホールに導体２を充填するとともに、それ
ぞれのグリーンシート上に配線形成のために導体３を印
刷形成する（図３（ａ）参照）。但し、最表層の導体ラ
ンド部の導体は印刷形成しない。そして、全てのグリー
ンシートを積層し、プレスにて加圧する（図３（ｂ）参
照）。この後、最表層の導体ランド部の導体３ｃを印刷
形成し（図３（ｃ）参照）、この後、第１実施形態と同
様、プレス加圧を行わずに焼成を行う。
【００１６】従って、この実施形態によれば、第１実施
形態に比べ、１層目の導体３ａがない分だけ導体ランド
の高さが低くなるが、導体ランド部の導体印刷を積層プ
レス後に行っているため、従来のものよりも導体ランド
を高くすることができる。 （第３実施形態）図４に本発明の第３実施形態に係るセ
ラミック積層基板の製造方法を示す。
形態に比べ、１層目の導体３ａがない分だけ導体ランド
の高さが低くなるが、導体ランド部の導体印刷を積層プ
レス後に行っているため、従来のものよりも導体ランド
を高くすることができる。 （第３実施形態）図４に本発明の第３実施形態に係るセ
ラミック積層基板の製造方法を示す。
【００１７】この実施形態においては、各グリーンシー
ト１のスルーホールに導体２を充填するとともに、それ
ぞれのグリーンシート上に配線形成のために導体３を印
刷形成する（図４（ａ）参照）。但し、最表層の導体は
印刷形成しない。そして、全てのグリーンシートを積層
し、プレスにて加圧する（図４（ｂ）参照）。この後、
最表層の導体３ｄおよび３ｃを印刷形成し（図４（ｃ）
参照）、この後、第１実施形態と同様、プレス加圧を行
わずに焼成を行う。
ト１のスルーホールに導体２を充填するとともに、それ
ぞれのグリーンシート上に配線形成のために導体３を印
刷形成する（図４（ａ）参照）。但し、最表層の導体は
印刷形成しない。そして、全てのグリーンシートを積層
し、プレスにて加圧する（図４（ｂ）参照）。この後、
最表層の導体３ｄおよび３ｃを印刷形成し（図４（ｃ）
参照）、この後、第１実施形態と同様、プレス加圧を行
わずに焼成を行う。
【００１８】従って、この実施形態においても、第２実
施形態と同様、従来のものよりも導体ランドを高くする
ことができる。なお、他の導体部の導体３ｄも導体ラン
ド部の導体３ｃと同様に高くなるが、それを通常の配線
及びランドとして用いるのであれば何ら問題は生じな
い。上記した第１乃至第３実施形態においては、グリー
ンシートの積層及び加圧を全層同時に行うものを示した
が、一層ずつ、導体印刷と、積層・加圧を交互に行うよ
うにしてもよい。
施形態と同様、従来のものよりも導体ランドを高くする
ことができる。なお、他の導体部の導体３ｄも導体ラン
ド部の導体３ｃと同様に高くなるが、それを通常の配線
及びランドとして用いるのであれば何ら問題は生じな
い。上記した第１乃至第３実施形態においては、グリー
ンシートの積層及び加圧を全層同時に行うものを示した
が、一層ずつ、導体印刷と、積層・加圧を交互に行うよ
うにしてもよい。
【００１９】また、グリーンシートとしてはアルミナを
主成分にするものに限らず、ガラスを主成分とするもの
であってもよい。
主成分にするものに限らず、ガラスを主成分とするもの
であってもよい。
【図１】本発明の第１実施形態に係るセラミック積層基
板の製造方法を示す工程図である。
板の製造方法を示す工程図である。
【図２】図１に示す方法によって製造されたセラミック
積層基板における導体ランドの構成を示す断面図であ
る。
積層基板における導体ランドの構成を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の第２実施形態に係るセラミック積層基
板の製造方法を示す工程図である。
板の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るセラミック積層基
板の製造方法を示す工程図である。
板の製造方法を示す工程図である。
【図５】従来のセラミック積層基板の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
１…グリーンシート、２、３…導体、４…金属めっき。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のグリーンシート（１）を各層間が
電気的に導通するように導体（２、３）を形成した状態
で積層し、加圧した後、焼成してセラミック積層基板を
製造する方法において、 前記積層および加圧を行った後、最表層の導体ランド部
に導体（３ｂ、３ｃ）を印刷形成し、この後、前記加圧
を行わずに前記焼成を行うことを特徴とするセラミック
積層基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記最表層の導体ランド部に導体（３
ａ）を印刷形成した状態で前記加圧を行い、この後、前
記導体ランド部の導体上に再度導体（３ｂ）を印刷形成
し、前記加圧を行わずに前記焼成を行うことを特徴とす
る請求項１に記載のセラミック積層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01263897A JP3995294B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | セラミック積層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01263897A JP3995294B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | セラミック積層基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209639A true JPH10209639A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3995294B2 JP3995294B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=11810924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01263897A Expired - Fee Related JP3995294B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | セラミック積層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3995294B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100692061B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-12 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 적층 세라믹 기판 제조방법 |
| JP2008235641A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP01263897A patent/JP3995294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100692061B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-12 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 적층 세라믹 기판 제조방법 |
| JP2008235641A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3995294B2 (ja) | 2007-10-24 |
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