JPH10206357A - Ｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析装置Info
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- JPH10206357A JPH10206357A JP1004597A JP1004597A JPH10206357A JP H10206357 A JPH10206357 A JP H10206357A JP 1004597 A JP1004597 A JP 1004597A JP 1004597 A JP1004597 A JP 1004597A JP H10206357 A JPH10206357 A JP H10206357A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料１の分析面１０に付着する炭素系物質を
確実に除去して、分析の正確さおよび分析精度を高めこ
とができるＸ線分析装置を提供する。 【構成】 試料１を収納する真空室２０内をＸ線分析時
の圧力に減圧し、この減圧状態下で、ガス噴射手段７か
ら酸素を含むガスを試料１の分析表面１０に噴射し、こ
のガス噴射中に紫外線照射装置３から紫外線を照射す
る。
確実に除去して、分析の正確さおよび分析精度を高めこ
とができるＸ線分析装置を提供する。 【構成】 試料１を収納する真空室２０内をＸ線分析時
の圧力に減圧し、この減圧状態下で、ガス噴射手段７か
ら酸素を含むガスを試料１の分析表面１０に噴射し、こ
のガス噴射中に紫外線照射装置３から紫外線を照射す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面をクリー
ニングすることにより分析精度を高めるＸ線分析装置に
関するものである。
ニングすることにより分析精度を高めるＸ線分析装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線分析装置による試料の分析時
に、分析精度を高めることを目的として、試料表面のク
リーニングが行われていた。このクリーニングには、２
つの方法がある（特開平５ー２８８６９５号公報参
照）。第１の方法は、試料を収納した分析室内を大気に
開放し、その内部の酸素に紫外線を照射してオゾンを発
生させる。そして、このオゾンと紫外線により試料の分
析表面に付着した炭素系物質を炭酸ガスや水などに分解
・揮発させて、分析表面をクリーニングする。この後、
分析室内を密閉して、内部を真空ポンプによりＸ線分析
時の所定圧力に真空引きし、クリーンな分析表面にＸ線
を照射して分析を行う。
に、分析精度を高めることを目的として、試料表面のク
リーニングが行われていた。このクリーニングには、２
つの方法がある（特開平５ー２８８６９５号公報参
照）。第１の方法は、試料を収納した分析室内を大気に
開放し、その内部の酸素に紫外線を照射してオゾンを発
生させる。そして、このオゾンと紫外線により試料の分
析表面に付着した炭素系物質を炭酸ガスや水などに分解
・揮発させて、分析表面をクリーニングする。この後、
分析室内を密閉して、内部を真空ポンプによりＸ線分析
時の所定圧力に真空引きし、クリーンな分析表面にＸ線
を照射して分析を行う。
【０００３】第２の方法は、分析室の内部を真空ポンプ
などにより１Ｔｏｒｒ程度に減圧し、この減圧状態下で
紫外線を照射してオゾンを発生させ、試料をクリーニン
グする。この後、試料にＸ線を照射して分析を行う。
などにより１Ｔｏｒｒ程度に減圧し、この減圧状態下で
紫外線を照射してオゾンを発生させ、試料をクリーニン
グする。この後、試料にＸ線を照射して分析を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第１の方法に
よれば、紫外線照射により試料をクリーニングした後、
分析室を密閉してポンプで所定圧力に真空引きすると
き、ポンプの潤滑油のベーパや、ゴム製のシールリング
からの有機系物質のガスが分析室内に拡散し、試料の分
析表面に付着する。このような有機系物質（炭素系物
質）が試料表面に付着すると、炭素のＸ線強度が増大し
て分析誤差となる。また、第２の方法による場合、分析
室内に紫外線を照射するとき、その内部が減圧状態とさ
れて酸素量が少ないために、紫外線照射によるオゾンの
発生量も少ないので、充分なクリーニング効果が得られ
ない。
よれば、紫外線照射により試料をクリーニングした後、
分析室を密閉してポンプで所定圧力に真空引きすると
き、ポンプの潤滑油のベーパや、ゴム製のシールリング
からの有機系物質のガスが分析室内に拡散し、試料の分
析表面に付着する。このような有機系物質（炭素系物
質）が試料表面に付着すると、炭素のＸ線強度が増大し
て分析誤差となる。また、第２の方法による場合、分析
室内に紫外線を照射するとき、その内部が減圧状態とさ
れて酸素量が少ないために、紫外線照射によるオゾンの
発生量も少ないので、充分なクリーニング効果が得られ
ない。
【０００５】本発明は、試料の分析表面に付着する炭素
系物質を確実に除去して、分析の正確さおよび分析精度
をさらに向上させることを目的とする。
系物質を確実に除去して、分析の正確さおよび分析精度
をさらに向上させることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１のＸ線分析装置は、試料を収納する真空室
と、分析時の圧力に減圧された真空室内で紫外線を照射
する紫外線照射装置と、紫外線照射中に酸素を含むガス
を試料の分析表面に噴射するガス噴射手段とを備えてい
る。
め、請求項１のＸ線分析装置は、試料を収納する真空室
と、分析時の圧力に減圧された真空室内で紫外線を照射
する紫外線照射装置と、紫外線照射中に酸素を含むガス
を試料の分析表面に噴射するガス噴射手段とを備えてい
る。
【０００７】試料のＸ線分析時には、試料を収納した真
空室内が分析時の所定圧力に減圧され、この減圧状態下
でガス噴射手段により酸素を含むガスが試料の分析表面
に噴射されて、分析表面周りの酸素密度が高められる。
この状態で紫外線照射装置から紫外線が照射されること
により、多量のオゾンが発生し、この多量のオゾンと紫
外線により試料の分析表面に付着した炭素系物質が除去
される。したがって、真空室内をポンプにより所定圧力
に真空引きするとき、オイルベーパや有機系ガスによる
炭素系物質が試料に付着することがあっても、この炭素
系物質は、真空引き後に行うガス噴射と紫外線照射によ
り確実に除去して分析表面をクリーンにできるので、そ
の後のＸ線による試料の分析の正確さおよび分析精度が
高められる。
空室内が分析時の所定圧力に減圧され、この減圧状態下
でガス噴射手段により酸素を含むガスが試料の分析表面
に噴射されて、分析表面周りの酸素密度が高められる。
この状態で紫外線照射装置から紫外線が照射されること
により、多量のオゾンが発生し、この多量のオゾンと紫
外線により試料の分析表面に付着した炭素系物質が除去
される。したがって、真空室内をポンプにより所定圧力
に真空引きするとき、オイルベーパや有機系ガスによる
炭素系物質が試料に付着することがあっても、この炭素
系物質は、真空引き後に行うガス噴射と紫外線照射によ
り確実に除去して分析表面をクリーンにできるので、そ
の後のＸ線による試料の分析の正確さおよび分析精度が
高められる。
【０００８】本発明の好ましい実施形態では、真空室を
形成する真空ケースに、試料に１次Ｘ線を照射するＸ線
源と、試料からの２次Ｘ線を検出する検出装置と、試料
を紫外線照射位置から１次Ｘ線照射位置に移送する移送
機構とを装着している。この実施形態によれば、Ｘ線源
と紫外線照射位置とを、スペース的に無理なく真空ケー
スに装着できる。
形成する真空ケースに、試料に１次Ｘ線を照射するＸ線
源と、試料からの２次Ｘ線を検出する検出装置と、試料
を紫外線照射位置から１次Ｘ線照射位置に移送する移送
機構とを装着している。この実施形態によれば、Ｘ線源
と紫外線照射位置とを、スペース的に無理なく真空ケー
スに装着できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１は、Ｘ線分析装置の一例とし
て、蛍光Ｘ線分析装置を示している。同図においては、
シリコンウエハなどの試料１を収納する真空ケース２の
上壁部に、紫外線照射装置３、Ｘ線源としてＸ線管４、
およびＸ線検出装置５を、それぞれ真空ケース２内の真
空室２０に臨ませて装着している。なお、真空ケース２
の上壁部には、真空室２０内に試料１を出し入れするた
めの開口窓（図示せず）を設けている。
に基づいて説明する。図１は、Ｘ線分析装置の一例とし
て、蛍光Ｘ線分析装置を示している。同図においては、
シリコンウエハなどの試料１を収納する真空ケース２の
上壁部に、紫外線照射装置３、Ｘ線源としてＸ線管４、
およびＸ線検出装置５を、それぞれ真空ケース２内の真
空室２０に臨ませて装着している。なお、真空ケース２
の上壁部には、真空室２０内に試料１を出し入れするた
めの開口窓（図示せず）を設けている。
【００１０】真空室２０の内部は、切換弁２１をもつ排
気管２２を介して、モータで駆動されるロータリポンプ
からなる真空ポンプ２３に接続されている。上記排気管
２２の途中には、圧力ゲージ２４を取付けている。
気管２２を介して、モータで駆動されるロータリポンプ
からなる真空ポンプ２３に接続されている。上記排気管
２２の途中には、圧力ゲージ２４を取付けている。
【００１１】紫外線照射装置３は、ケーシング３１の内
部に、たとえば低圧水銀灯や重水素ランプのような紫外
光源３２を配置し、ケーシング３１の下部開口３０に、
紫外線の透過率の高い石英ガラス３３を設けている。上
記ケーシング３１は、その外周のゴム製のシールリング
３４を介して、真空ケース２の挿入孔２６に気密に挿入
されている。この紫外線照射装置３は、真空室２０の内
部がＸ線分析時の圧力に減圧された状態下で、紫外光源
３２から紫外線を照射する。
部に、たとえば低圧水銀灯や重水素ランプのような紫外
光源３２を配置し、ケーシング３１の下部開口３０に、
紫外線の透過率の高い石英ガラス３３を設けている。上
記ケーシング３１は、その外周のゴム製のシールリング
３４を介して、真空ケース２の挿入孔２６に気密に挿入
されている。この紫外線照射装置３は、真空室２０の内
部がＸ線分析時の圧力に減圧された状態下で、紫外光源
３２から紫外線を照射する。
【００１２】Ｘ線分析装置５は、Ｘ線管４から試料１の
分析表面１０に１次Ｘ線ａを照射したとき、この分析表
面１０から発生する２次Ｘ線（この場合蛍光Ｘ線）ｂを
検出する。このＸ線分析装置５は、内部に分光器５０を
収容する収納ケース５１と、収納ケース５１から真空室
２０内に延び、試料１からの２次Ｘ線ｂを分光器５０に
案内する導出管５２と、この分光器５０で回折された２
次Ｘ線ｂを検出するＸ線検出器５３とを備えている。前
記導出管５２は、ゴム製のシールリング５４を介して真
空ケース２の周壁部に気密に接続されている。
分析表面１０に１次Ｘ線ａを照射したとき、この分析表
面１０から発生する２次Ｘ線（この場合蛍光Ｘ線）ｂを
検出する。このＸ線分析装置５は、内部に分光器５０を
収容する収納ケース５１と、収納ケース５１から真空室
２０内に延び、試料１からの２次Ｘ線ｂを分光器５０に
案内する導出管５２と、この分光器５０で回折された２
次Ｘ線ｂを検出するＸ線検出器５３とを備えている。前
記導出管５２は、ゴム製のシールリング５４を介して真
空ケース２の周壁部に気密に接続されている。
【００１３】また、上記真空室２０の内底部には、試料
１を紫外線照射装置３からＸ線管４の位置へと移送する
移送機構６を配置する。この移送機構６としては、図の
ように、たとえば、図示しないモータにより駆動される
回転軸６０を備えた円盤状のターレット６１を用いる。
このターレット６１上の所定位置に、試料１を保持した
試料ホルダ６２を載置する。
１を紫外線照射装置３からＸ線管４の位置へと移送する
移送機構６を配置する。この移送機構６としては、図の
ように、たとえば、図示しないモータにより駆動される
回転軸６０を備えた円盤状のターレット６１を用いる。
このターレット６１上の所定位置に、試料１を保持した
試料ホルダ６２を載置する。
【００１４】さらに、上記真空ケース２には、紫外線照
射装置３から試料１への紫外線照射中に、酸素を含むガ
スを試料１の分析表面１０に噴射するガス噴射手段７を
設ける。このガス噴射手段７として、図示の実施形態で
は、一端がガスボンベ（図示せず）に連結され、途中に
絞り弁７０が介装されたガス噴出管７１を用いている。
そして、ガス噴出管７１を真空室２０の外部から内部へ
と挿入し、その先端ノズル部７２を、上記ホルダ６２に
セットされた試料１の分析表面１０と紫外線照射装置３
の下部開口３０との間に臨ませる。
射装置３から試料１への紫外線照射中に、酸素を含むガ
スを試料１の分析表面１０に噴射するガス噴射手段７を
設ける。このガス噴射手段７として、図示の実施形態で
は、一端がガスボンベ（図示せず）に連結され、途中に
絞り弁７０が介装されたガス噴出管７１を用いている。
そして、ガス噴出管７１を真空室２０の外部から内部へ
と挿入し、その先端ノズル部７２を、上記ホルダ６２に
セットされた試料１の分析表面１０と紫外線照射装置３
の下部開口３０との間に臨ませる。
【００１５】このとき、ガス噴出管７１からの噴射ガス
としては、たとえばＣＯ2、Ｏ2、その他酸素化合物から
なるガスを用いるのが好ましいが、空気を用いることも
できる。
としては、たとえばＣＯ2、Ｏ2、その他酸素化合物から
なるガスを用いるのが好ましいが、空気を用いることも
できる。
【００１６】次に、以上のＸ線分析装置を用いて、試料
１をＸ線分析する場合の手順について説明する。先ず、
試料１をセットした試料ホルダ６２を真空ケース１の開
口窓から内部に挿入し、ターレット６１上の所定位置に
載置する。この後、回転軸６０の駆動によりターレット
６１を回転させて、試料１を紫外線照射装置３のケーシ
ング３１に設けた下部開口３０と対向する位置、つまり
紫外線照射装置に設定する。
１をＸ線分析する場合の手順について説明する。先ず、
試料１をセットした試料ホルダ６２を真空ケース１の開
口窓から内部に挿入し、ターレット６１上の所定位置に
載置する。この後、回転軸６０の駆動によりターレット
６１を回転させて、試料１を紫外線照射装置３のケーシ
ング３１に設けた下部開口３０と対向する位置、つまり
紫外線照射装置に設定する。
【００１７】他方、開口窓を閉じた状態で真空ポンプ２
３を駆動させ、真空室２０の内部をＸ線分析時の所定圧
力（たとえば０．０１〜０．１Ｔｏｒｒ）になるまで真
空引きする。この真空室２０内が所定圧力となったと
き、ガス噴出管７１のノズル部７２から酸素を含むガス
を、上記ケーシング３１の開口３０と試料１の分析表面
１０との間に噴射し、その周りの酸素密度を高めなが
ら、紫外光源３２から紫外線を照射する。これにより、
分析表面１０の周りに多量のオゾンが発生し、つまり、
分析表面１０の周囲がオゾン環境下となり、このオゾン
と紫外線によって分析表面１０に付着した炭素系物質が
分解・揮発して除去され、クリーンな分析表面１０とな
る。
３を駆動させ、真空室２０の内部をＸ線分析時の所定圧
力（たとえば０．０１〜０．１Ｔｏｒｒ）になるまで真
空引きする。この真空室２０内が所定圧力となったと
き、ガス噴出管７１のノズル部７２から酸素を含むガス
を、上記ケーシング３１の開口３０と試料１の分析表面
１０との間に噴射し、その周りの酸素密度を高めなが
ら、紫外光源３２から紫外線を照射する。これにより、
分析表面１０の周りに多量のオゾンが発生し、つまり、
分析表面１０の周囲がオゾン環境下となり、このオゾン
と紫外線によって分析表面１０に付着した炭素系物質が
分解・揮発して除去され、クリーンな分析表面１０とな
る。
【００１８】以上のように、真空ポンプ２３により真空
室２０の内部を予めＸ線分析時の所定圧力となるまで真
空引きし、この後、ガス噴出管７１からのガス噴射と紫
外光源３２からの紫外線照射を行うので、たとえポンプ
２３の駆動に伴い真空室２０内にオイルベーパが発生
し、また、真空引き時にシールリング３４，５４や他の
高分子材料などから有機系ガスが発生して、これらによ
る炭素系物質が試料１の分析表面１０に付着することが
あっても、これらの炭素系物質は、真空引き後に行うガ
ス噴射と紫外線照射により確実に除去される。
室２０の内部を予めＸ線分析時の所定圧力となるまで真
空引きし、この後、ガス噴出管７１からのガス噴射と紫
外光源３２からの紫外線照射を行うので、たとえポンプ
２３の駆動に伴い真空室２０内にオイルベーパが発生
し、また、真空引き時にシールリング３４，５４や他の
高分子材料などから有機系ガスが発生して、これらによ
る炭素系物質が試料１の分析表面１０に付着することが
あっても、これらの炭素系物質は、真空引き後に行うガ
ス噴射と紫外線照射により確実に除去される。
【００１９】また、上記試料１の分析表面１０と開口３
０の間は、できるだけ狭い隙間とすることが好ましい。
このようにすると、ノズル部７２からのガスが狭い空間
で高い濃度に保たれて分析表面１０を覆うから、この分
析表面１０に沿って多量のオゾンが発生し易くなるの
で、さらに確実な炭素系物質の除去が行える。また、ノ
ズル部７２からのガスが分析表面１０に沿って流れ易く
するために、開口３０と分析表面１０の隙間の周囲を覆
うガス案内用のフードを設けてもよい。
０の間は、できるだけ狭い隙間とすることが好ましい。
このようにすると、ノズル部７２からのガスが狭い空間
で高い濃度に保たれて分析表面１０を覆うから、この分
析表面１０に沿って多量のオゾンが発生し易くなるの
で、さらに確実な炭素系物質の除去が行える。また、ノ
ズル部７２からのガスが分析表面１０に沿って流れ易く
するために、開口３０と分析表面１０の隙間の周囲を覆
うガス案内用のフードを設けてもよい。
【００２０】次に、図の仮想線で示すように、ターレッ
ト６１を回転させて試料１の分析表面１０をＸ線管４と
対向する１次Ｘ線照射位置に設定する。そして、Ｘ線管
４から分析表面１０に１次Ｘ線ａを照射し、この分析表
面１０からの２次Ｘ線ｂをＸ線分析装置５の導出管５２
を介して分光器５０に導き、単色化された２次Ｘ線ｂを
Ｘ線検出器５３で検出する。
ト６１を回転させて試料１の分析表面１０をＸ線管４と
対向する１次Ｘ線照射位置に設定する。そして、Ｘ線管
４から分析表面１０に１次Ｘ線ａを照射し、この分析表
面１０からの２次Ｘ線ｂをＸ線分析装置５の導出管５２
を介して分光器５０に導き、単色化された２次Ｘ線ｂを
Ｘ線検出器５３で検出する。
【００２１】なお、前記実施形態では、試料１の上面に
１次Ｘ線を照射する上面照射タイプであったが、試料の
下面に１次Ｘ線を照射する下面照射タイプにも本発明を
適用できる。その場合、紫外線照射装置３とＸ線源４は
真空ケース２の下部壁に取り付けられ、試料１は試料ホ
ルダ６２の下部に保持されて、ターレット６１に設けた
開口から下方に露出する。また、Ｘ線検出装置５として
は、分光器５０を用いない、半導体検出器（ＳＳＤ）の
ようなエネルギー分散型の検出装置を使用することもで
きる。
１次Ｘ線を照射する上面照射タイプであったが、試料の
下面に１次Ｘ線を照射する下面照射タイプにも本発明を
適用できる。その場合、紫外線照射装置３とＸ線源４は
真空ケース２の下部壁に取り付けられ、試料１は試料ホ
ルダ６２の下部に保持されて、ターレット６１に設けた
開口から下方に露出する。また、Ｘ線検出装置５として
は、分光器５０を用いない、半導体検出器（ＳＳＤ）の
ようなエネルギー分散型の検出装置を使用することもで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、試料を
収納する真空室の内部を分析時の圧力に減圧し、この減
圧状態下で酸素を含むガスを試料の分析表面に噴射し、
このガスの噴射中に紫外線照射を行うので、試料の分析
面に付着する炭素系物質を確実に除去できて、Ｘ線によ
る試料の分析の正確さおよび分析精度を向上させること
ができる。
収納する真空室の内部を分析時の圧力に減圧し、この減
圧状態下で酸素を含むガスを試料の分析表面に噴射し、
このガスの噴射中に紫外線照射を行うので、試料の分析
面に付着する炭素系物質を確実に除去できて、Ｘ線によ
る試料の分析の正確さおよび分析精度を向上させること
ができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す蛍光Ｘ線分析装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
１…試料、１０…分析表面、２…真空ケース、２０…真
空室、３…紫外線照射装置、４…Ｘ線源、５…Ｘ線検出
装置、６…移送機構、７…ガス噴射手段。
空室、３…紫外線照射装置、４…Ｘ線源、５…Ｘ線検出
装置、６…移送機構、７…ガス噴射手段。
Claims (2)
- 【請求項１】 試料を収納する真空室と、分析時の圧力
に減圧された真空室内で紫外線を照射する紫外線照射装
置と、紫外線照射中に酸素を含むガスを試料の分析表面
に噴射するガス噴射手段とを備えたＸ線分析装置。 - 【請求項２】 請求項１において、真空室を形成する真
空ケースに、試料に１次Ｘ線を照射するＸ線源と、試料
からの２次Ｘ線を検出する検出装置と、試料を紫外線照
射位置から１次Ｘ線照射位置に移送する移送機構とが装
着されているＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01004597A JP3711410B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | Ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01004597A JP3711410B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | Ｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206357A true JPH10206357A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3711410B2 JP3711410B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=11739433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01004597A Expired - Fee Related JP3711410B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | Ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3711410B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2413630A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Seiko Epson Corp | Method of observing ultraviolet decomposition process of monolayer |
| JP2014163908A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Tohoku Univ | 分析装置および分析方法 |
| CN109036608A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 佛山市纳西弗科技有限公司 | 一种用于射线管测试的屏蔽装置 |
-
1997
- 1997-01-23 JP JP01004597A patent/JP3711410B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2413630A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Seiko Epson Corp | Method of observing ultraviolet decomposition process of monolayer |
| GB2413630B (en) * | 2004-04-30 | 2007-10-17 | Seiko Epson Corp | A method of observing monolayer ultraviolet decomposition process method of controlling degree of surface decomposition and patterning method |
| US7326580B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-02-05 | Seiko Epson Corporation | Method of observing monolayer ultraviolet decomposition process, method of controlling degree of surface decomposition, and patterning method |
| JP2014163908A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Tohoku Univ | 分析装置および分析方法 |
| CN109036608A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 佛山市纳西弗科技有限公司 | 一种用于射线管测试的屏蔽装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3711410B2 (ja) | 2005-11-02 |
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