JPH1020498A - 多層配線構造の製造法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布工程で膜厚むらの生じない感光性樹脂組
成物を用いて配線段差の平坦化が容易な多層配線構造の
製造法及びこのような多層配線構造を有する半導体装置
を提供する。 【解決手段】 パターンの形成された配線層を有する基
板上に、（ａ）一般式（１） 【化１】 で表わされる繰り返し単位を主成分とするポリマ１００
重量部、（ｂ）一般式（２） 【化２】 で表わされるビスアジド化合物０．１〜１００重量部、
（ｃ）不飽和結合を有するアミン化合物１〜４００重量
部および（ｄ）Ｎ−メチル−２−ピロリドンと沸点が１
６０℃以上でかつ表面張力が３７dyn/cm以下の溶媒との
混合溶媒を含有してなる感光性樹脂組成物を塗布し、乾
燥後露光現像してビアホールを形成し、さらに硬化して
層間絶縁膜としその上に上層配線層を形成することを特
徴とする多層配線構造の製造法並びにこの多層配線構造
を有する半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
高密度実装基板等の電子回路部品における多層配線構造
の製造法および半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路等における多層配線構造
の製造には、パターンの形成された配線層を有する基板
上に真空蒸着、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジッショ
ン）等の気相成長法によりＳｉＯ₂、ＳｉＮ等からなる
層間絶縁膜を形成し、スルーホールを開孔した後、上層
配線層を形成する方法が用いられている。しかし、気相
成長法によって層間絶縁膜を形成する方法では、図７の
ように下層配線層４の段差が層間絶縁層５の形成後もそ
のまま残り、上層配線層７を形成した際、上記段差部分
で配線層が極めて薄くなり配線切れが起こりやすいとい
う問題があった。図７において１は基板、２は二酸化シ
リコン膜である。そこでこれを改良するために、図５の
ように層間絶縁膜５′の形成を芳香族ジアミンと芳香族
四塩基酸二無水物とから得られたポリアミック酸の溶液
を塗布し、硬化して得られるポリイミドを用いる方法が
提案され、現在では広く使われている（特公昭５１−４
４８７１号公報）。

【０００３】一方、ポリイミドを用いる場合、膜加工
は、フォトレジストを用いたエッチングプロセスによっ
て行われているため、最近では膜加工プロセスを合理化
する目的でフォトレジストの機能を兼ね合わせた感光性
重合体組成物の開発検討が、進められている。例えば、
ポリアミド酸（ポリイミドのプレポリマ）にフォトレジ
ストの如きパターン形成能を付与せしめ、感光性のポリ
イミド前駆体とし、パターン形成工程を合理化すること
が種々の方法で試みられている。

【０００４】上記感光性のポリイミド前駆体には、フォ
トレジストとしての感光特性と永久使用膜としての絶縁
特性が要求され、種々の材料が提案されているが、特に
感度の高い材料を得るのが困難であった。これはポリア
ミド酸の保存安定性、高いガラス転移温度、近紫外部に
おける光吸収、感光基（あるいは感光剤）導入率の制約
など、高い光反応性を抑える要因が多いためである。感
光剤としてビスアジド化合物を使う方法が非常に優れた
感度を有することが見出され、この方法により感度の問
題点は解決されたが、ワニスの経時変化に伴い、塗布工
程において膜厚の均一な塗膜を得られず、結果として配
線段差の平坦か率が低下するという問題が生じた。しか
し、半導体集積回路等の電子部品における集積度の向上
は目覚ましく、配線構造も益々多層化され、配線段差の
平坦化に対する必要性は一層増大してきている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】請求項１又は２におけ
る発明は、塗布工程で膜厚むらの生じない感光性樹脂組
成物を用いて配線段差の平坦化が容易な多層配線構造の
製造法を提供するものである。請求項３における発明
は、このような多層配線構造を有する半導体装置を提供
するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、パターンの形
成された配線層を有する基板上に、（ａ）一般式（１）

【化３】 （但し、式中Ｒ¹は３価または４価の有機基、Ｒ²は２価
の有機基、Ｍは水素、アルカリ金属イオンまたはアンモ
ニウムイオンを表わす。ｎは１または２である）で表わ
される繰り返し単位を主成分とするポリマ１００重量
部、（ｂ）一般式（２）

【化４】 （但し、式中Ｒ³は２価の有機基を表わす）で表わされ
るビスアジド化合物０．１〜１００重量部、（ｃ）不飽
和結合を有するアミン化合物１〜４００重量部および
（ｄ）Ｎ−メチル−２−ピロリドンと沸点が１６０℃以
上でかつ表面張力が３７dyn/cm以下の溶媒との混合溶媒
を含有してなる感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥後露光
現像してビアホールを形成し、さらに硬化して層間絶縁
膜としその上に上層配線層を形成することを特徴とする
多層配線構造の製造法に関する。

【０００７】また、本発明は、前記製造法で得られた多
層配線構造の上層配線層をパターニングし、前記製造法
を一回または２回以上繰り返す多層配線構造の製造法に
関する。また、本発明は、前記多層配線構造を有する半
導体装置に関する。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明におけるパターンの形成さ
れた配線層を有する基板とは、例えば、アルミニウム配
線層を形成したシリコン半導体基板、銅配線層を形成し
たセラミック高密度実装基板、銅配線層を形成したセラ
ミックハイブリッド基板等を指す。

【０００９】本発明の感光性樹脂組成物は、ワニスの形
で塗布される。塗布方法としては、一般に回転塗布が用
いられるが、浸漬塗布、スプレー塗布、印刷などでもよ
い。塗布されたワニスは溶媒を蒸発する目的で加熱乾燥
する。加熱温度は室温以上、１２０℃以下の温度範囲か
ら選ばれる。室温未満であると、溶媒の蒸発速度が遅く
実用的でない。１２０℃を超えると感光性樹脂組成物が
暗反応を起し、感光性を失なうかあるいは極端に感度が
悪くなり実用に供せない。なお４０℃以下で加熱乾燥す
る場合は真空あるいは送風乾燥を行うと効果的である。
次に所定のフォトマスクを通して紫外線照射し、パター
ンを焼き付ける。紫外線は通常高圧水銀燈から放出され
るスペクトル分布を持つものが使用され、その３６５nm
の波長における紫外線強度が試料照射面で０．１〜５０
mW/cm²のものが好ましく用いられる。

【００１０】焼き付けられたパターンの現像処理によっ
てレリーフ・パターンを得る。現像液としては、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルトリアミド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−ベ
ンジル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−ε−カプロラ
クタムなどの非プロトン性極性溶媒を単独であるいはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水など
のポリアミド酸の非溶媒との混合液として用いることが
できる。

【００１１】現像によって形成したレリーフ・パターン
は次いでリンス液によって洗浄し、現像溶媒を除去す
る。リンス液としては、現像液と混合性が良く、かつポ
リアミド酸の貧溶媒となる溶媒が用いられる。具体的に
は、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、水、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、酢酸エチル、酢酸ブチルなどを単独であるいは２種
以上混合して用いる。現像およびリンスは浸漬、パド
ル、またはスプレー法で室温で０．５〜５分間行うこと
ができる。リンス後は回転乾燥や送風乾燥によりリンス
液を大部分除去する。

【００１２】次に、残存しているリンス液を加熱乾燥し
て蒸発させるとともに、ポリアミド酸からポリイミドへ
の転化反応を生ぜしめる。このとき感光性付与のために
用いられたビスアジド化合物、アミン化合物および溶媒
は膜から飛散する。加熱処理温度は１５０℃以上５００
℃以下の範囲とされる。１５０℃より低いとイミド化の
反応が実効的に起らないかあるいはビスアジド化合物、
アミン化合物および溶媒の飛散が十分に起らない。５０
０℃より高いとポリマの分解が起る。加熱処理温度が３
００℃以上のときはＮ₂などの不活性ガス雰囲気にする
か真空加熱を行うと良い結果を与える。

【００１３】本発明で用いる感光性樹脂組成物について
説明する。一般式（１）で表わされる繰り返し単位を主
成分とするポリマは、一般式（１）で示される繰り返し
単位のみからなるものでも、これと他の繰り返し単位を
含むものであってもよい。他の繰り返し単位の種類、量
は最終加熱処理によって得られるポリイミドの耐熱性を
著しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。一般式
（１）中のＲ¹およびＲ²はポリイミドとしたときの耐熱
性の面から含芳香族環有機基および含複素環有機基が望
ましい。

【００１４】Ｒ¹は具体的には、

【化５】 （式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合の
みを表わし、さらにＲ₁に結合するカルボキシル基等は
結合手に対してオルト位に位置する）などが挙げられ
る。

【００１５】Ｒ²は具体的には、

【化６】 などが挙げられる。

【００１６】また、Ｒ¹およびＲ²はポリイミドの耐熱性
に悪影響を与えない範囲でハロゲン原子、アミノ基、ア
ミド基、カルボキシル基、スルホン酸基などの置換基を
有してもさしつかえない。

【００１７】一般式（１）で表わされるポリマとしては
ピロメリット酸二無水物と４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、ピロメリット酸二無水物および３，３′，
４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット
酸二無水物および３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸と４，４′−ジアミノジフェニルエー
テルおよび４，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３
−カルボンアミド、ピロメリット酸二無水物および３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンと
から導れるポリアミド酸などが挙げられる。

【００１８】一般式（１）で表わされるポリマは、通常
ジアミン化合物に酸二無水物をほぼ当モル量反応させる
ことによって得られるが、この場合に用いる反応溶媒と
しては、反応材料、生成するポリアミド酸の溶解性およ
び塗布工程での膜厚の均一性等の点から後述の混合溶媒
を用いることが好ましい。

【００１９】一般式（２）で示されるビスアジド化合物
の例としては

【化７】 ｛ここでＸは−Ｎ₃又は−ＳＯ₂Ｎ₃、Ｒ⁴は−Ｈ、低級ア
ルキル基、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ
₃Ｈ、−ＮＯ₂およびハロゲンから選ばれる基、Ｒ⁵、Ｒ⁶
およびＲ⁷はアルキレン、−ＳＯ₂−、−Ｓ−、−Ｏ−、
−ＮＨ−、

【化８】

【化９】 （Ｒ¹⁰はアルキレンを表わす）、

【化１０】 （ｋは１〜１０である）から選ばれる基、Ｒ⁸は−Ｏ
Ｈ、−ＯＲ⁹、

【化１１】 −ＣＯＯＨおよび−ＣＯＯＲ⁹（Ｒ⁹は低級アルキル基、
Ｒ¹¹は低級アルキレン基である）から選ばれる基、Ｙは
−Ｏ−、−Ｓ−および−ＮＨ−から選ばれる基、ｍは０
または１である｝などが挙げられるが分子の両端に芳香
族アジド基を持つ化合物であれば良い。

【００２０】一般式（２）で示されるビスアジド化合物
で好ましいものは、

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】 などが挙げられる。ビスアジド化合物が前記のポリアミ
ド酸と良好な相溶性を有するものが好ましい。

【００２１】一般式（２）で表わされるビスアジド化合
物の配合割合は、一般式（１）で表わされる繰り返し単
位を主成分とするポリマ１００重量部に対して０．１重
量部以上１００重量部以下とされ、０．５重量部以上５
０重量部以下で用いるのが好ましい。この範囲を逸脱す
ると、現像性、ワニスの保存安定性等に悪影響を及ぼ
す。

【００２２】不飽和結合を有するアミン化合物の例とし
ては、

【化１６】 などが好適な例として挙げられる。これら化合物は、上
記のビスアジド化合物と効率良く反応する。このアミン
化合物の配合割合は、一般式（１）で表わされる繰り返
し単位を主成分とするポリマ１００重量部に対して、１
重量部以上４００重量部以下とされるが、１０重量部以
上４００重量部以下で用いるのが好ましい。

【００２３】本発明においては、膜厚の均一な塗膜とす
るために、上記の混合溶媒が用いられ、また、沸点が１
６０℃以上でかつ表面張力が３７dyn/cm以下の溶媒が併
用される。混合溶媒としては、全溶媒を１００重量部と
して、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを５０重量部以上９
９重量部以下で用い、残りの１重量部以上５０重量部以
下は、沸点が１６０℃以上でかつ表面張力が３７dyn/cm
以下の溶媒を用いることが好ましい。この溶媒として
は、例えば、ジイソアミルエーテル、エチルフェニルエ
ーテル、ジイソブチルケトン、イソホロン、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、プロピオン酸イ
ソアミル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、シュウ
酸ジブチル、マロン酸ジエチル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール
モノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール
ジエチルエーテル等が用いられる。これらは２種以上を
組み合わせて用いてもよい。

【００２４】本発明になる感光性樹脂組成物は上記構成
成分を上記の極性溶媒に溶解した溶液状態で用いるが、
溶媒の量は成膜性から一般式（１）で表わされる繰り返
し単位を主成分とするポリマ、一般式（２）で表わされ
るビスアジド化合物および不飽和結合を有するアミン化
合物の総和を１００重量部として１００重量部以上１０
０００重量部以下で用いるのが好ましく、２００重量部
以上５０００重量部以下で用いるのがさらに好ましい。

【００２５】本発明になる感光性樹脂組成物は通常の微
細加工技術でパターンの製造が可能である。基板への本
組成物の塗布にはスピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴
霧印刷などの手段が可能であり、適宜選択することがで
きる。塗布膜厚は塗布手段、本組成物のワニスの固形分
濃度、粘度等によって調節可能である。基材としては、
金属、ガラス、半導体、金属酸化物絶縁体（例えば、Ｔ
ｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂など）、窒化ケイ素などが挙
げられる。本発明のパターンの製造法において感光性樹
脂組成物の塗膜または加熱硬化後のポリイミド被膜と支
持基板の接着性を向上させるために基材を接着助剤で処
理してもさしつかえない。通常、５０〜１５０℃のホッ
トプレート上で乾燥され基板上で塗膜となった本発明に
なる感光性樹脂組成物に紫外線を照射して露光し、次に
未露光部を現像液で溶解除去して現像することによりパ
ターンを得る。露光および現像の条件等には特に制限は
ない。

【００２６】現像液としてはＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジ
メチルイミダゾリジノン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリド
ン、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタムなどの非プロト
ン性極性溶媒を単独あるいはメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メチルセロソルブ、水などのポリアミド酸の非溶媒
との混合液として用いることができる。現像によって形
成されたパターンは次いでリンス液によって洗浄し、現
像溶媒を除去する。リンス液には現像液との混合性のよ
いポリアミド酸の非溶媒を用いるが、メタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メチレンセロソルブ、水などが好適な例
として挙げられる。

【００２７】上記の処理によって得られたパターンのポ
リマはポリイミドの前駆体であり、１５０℃〜４５０℃
までの範囲から選ばれた加熱温度で処理することにより
イミド環や他の環状基を持つ耐熱性ポリマのパターンと
なる。

【００２８】こうしてビアホールを形成した層間絶縁膜
上に上層配線層を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）等の既に知られた方
法を用いて形成することにより本発明の多層配線構造が
得られ、また、さらに上層配線層をパターニングし、上
記の製造法を一回または２回以上繰り返すことにより、
配線層と絶縁層の多層化された配線構造が得られ、本発
明によってこのような多層配線構造を有する半導体装置
が得られる。

【００２９】

【実施例】以下、実施例、比較例を用いて本発明を説明
する。

【００３０】実施例１ ａ．感光性重合体組成物の製造 撹拌機、温度計、窒素導入管、ジムロート冷却管を備え
た０．２リットルのフラスコ中にＮ−メチル−２−ピロ
リドン１２０．０ｇとジエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート２５．０ｇを仕込み、次いで、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル１０．０ｇと４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボアミド
３．１ｇを仕込み、２５℃で１時間撹拌し、溶解後、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物１０．１ｇとピロメリット酸二無水物６．８ｇ
を仕込み、２５℃で５時間、４０℃で３時間反応させ
た。得られたポリイミド樹脂前駆体組成物の樹脂分濃度
は１７重量％で、２５℃で５０ps（ポイズ）の粘度を示
した。

【００３１】この溶液１７５ｇに３−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）プロピルメタクリレート２０．０ｇと２，６
−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロ
ヘキサノン５．０ｇを加え撹拌溶解させた。得られた感
光性重合体組成物の樹脂分濃度は１５重量％で、２５℃
で４５psの粘度を示した。

【００３２】ｂ．多層配線構造を有する半導体装置の製
造 図１に示すように、まずコレクタ領域Ｃ、ベース領域Ｂ
およびエミッタ領域Ｅからなる半導体素子が形成されて
いる半導体基板１の表面に、ＣＶＤ法（化学気相成長
法）により、二酸化シリコン膜２を形成させた。次いで
電極引出し部分となる所定部分を、通常のホトリソグラ
フィープロセスによりエッチング除去し、二酸化シリコ
ン膜にビアホール（窓）３を設け、前記エミッタ領域お
よびベース領域の一部を露出させた。さらに前記ビアホ
ール上にアルミニウム配線層をスパッタリング法により
形成させ、ホトリソグラフィープロセスを行い、下層配
線層４を形成させた。この配線層は１μｍの厚さと０．
５〜２μｍの幅を有するものであった。

【００３３】次に下層配線上に、前記ａの感光性重合体
組成物をスピンナ塗布機を用いて塗布した（図２）。そ
の後、ホットプレートを用いて８０℃で１５０秒乾燥
し、ホトマスク６を介してＧ線ステッパーを用いて露光
（露光量１００mJ/cm²）した（図３）。次いで、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン９０ｇとイオン交換水１０ｇから
なる混合溶媒で現像し、次いでエタノールでリンスして
良好なパターンを得た。このとき、膜厚は約５．５μｍ
であった。次に、コンベクションオーブンで２００℃で
１時間、ついで３５０℃で１時間硬化して厚さ約３．５
μｍのポリイミド層間絶縁膜５′を得た（図４）。その
後、上層アルミニウム配線層７をスパッタリング法によ
って形成し、図５のような二層配線構造を有する半導体
装置を得た。図において５′がポリイミドの層間絶縁膜
である。

【００３４】ｃ．平坦化率と埋込性の評価 こうして得られたポリイミド膜による初期段差の平坦化
率を図６のａ、ｂの値から次式

【数１】 により求めたところ、およそ９０％であった。また、溝
パターンの部分でシリコン基板をカットし、走査型電子
顕微鏡で断面形状を観察したところ、何れの溝にもポリ
イミド樹脂が十分充填されていることがわかった。

【００３５】ｄ．現像加工性の評価 シリコン基板上に本発明の感光性重合体組成物を上記同
様の膜厚でスピンナ塗布し、ホットプレートを用いて８
０℃で１５０秒乾燥した。このとき、膜厚は約７μｍで
あった。この塗膜にホトマスクを介して、Ｇ線ステッパ
を用いて露光（露光量１００mJ/cm²）した。その後、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン９０ｇとイオン交換水１０ｇ
からなる混合溶媒で現像し、次いでエタノールでリンス
した。このとき、塗膜の厚さは約５．５μｍであり、膜
厚むらは生じておらず、良好なパターンが得られた。

【００３６】比較例１ 実施例１と同様の撹拌機、温度計、窒素導入管、ジムロ
ート冷却管を備えた０．２リットルのフラスコ中にＮ−
メチル−２−ピロリドン１４５．０ｇを仕込み、次い
で、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル１０．０ｇ
と４，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボ
アミド３．１ｇを仕込み、２５℃で１時間撹拌し、溶解
後、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１０．１ｇとピロメリット酸二無水物６．
８ｇを仕込み、２５℃で５時間、４０℃で３時間反応さ
せた。得られたポリイミド樹脂前駆体組成物の樹脂分濃
度は１７重量％で、２５℃で５０ps（ポイズ）の粘度を
示した。

【００３７】この溶液１７５ｇに３−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）プロピルメタクリレート２０．０ｇ及び２，
６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン５．０ｇを撹拌溶解させた。得られた感光
性重合体組成物の樹脂分濃度は１５重量％で、２５℃で
４５ｐｓの粘度を示した。以下、実施例１と同様にし
て、段差平坦化率、溝パターンの埋込性、現像加工性、
現像後の膜状態を評価した。その結果、平坦化率は９０
％で埋込性も良好であったが、実施例１と同様の現像加
工性の評価を行ったところ、露光部と未露光部の溶解時
間の差がなくパターン形成されなかった。

【００３８】

【発明の効果】請求項１又は２における発明によれば、
レジスト塗布プロセスの不要な、感光性重合体組成物の
プロセスを用いて、下層配線層の段差を層間絶縁により
ほぼ完全に平坦化できるため、多層配線化による段差の
発生が殆どない配線の信頼性が飛躍的に優れた多層配線
構造を有する半導体装置を安価に製造可能である。請求
項３における半導体装置では、多層配線化されていても
段差が殆どなく配線の信頼性が優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】下層配線層を有する半導体装置の断面図。

【図２】下層配線層を有する半導体装置上に感光性重合
体組成物を塗布した状態を示す図。

【図３】ポリイミド膜上にレジスト層を形成し、ホトマ
スクを介して露光した状態を示す図。

【図４】レジストを剥離し、ポリイミド絶縁層の形成工
程を終了した状態を示す図。

【図５】ポリイミドを用いて平坦化された二層配線構造
を有する半導体装置の断面図。

【図６】平坦化率の評価方法を示す図。

【図７】気相成長法によるＳｉＯ₂膜を層間絶縁膜とし
た従来法による多層配線構造の一例の断面図。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 二酸化シリコン膜 ３ ビアホール（窓） ４ 下層配線層 ５、５′ 層間絶縁膜 ６ ホトマスク ７ 上層配線層 Ｂ ベース領域 Ｃ コレクタ領域 Ｅ エミッタ領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パターンの形成された配線層を有する基
   板上に、（ａ）一般式（１） 【化１】 （但し、式中Ｒ¹は３価または４価の有機基、Ｒ²は２価
   の有機基、Ｍは水素、アルカリ金属イオンまたはアンモ
   ニウムイオンを表わす。ｎは１または２である）で表わ
   される繰り返し単位を主成分とするポリマ１００重量
   部、（ｂ）一般式（２） 【化２】 （但し、式中Ｒ³は２価の有機基を表わす）で表わされ
   るビスアジド化合物０．１〜１００重量部、（ｃ）不飽
   和結合を有するアミン化合物１〜４００重量部および
   （ｄ）Ｎ−メチル−２−ピロリドンと沸点が１６０℃以
   上でかつ表面張力が３７dyn/cm以下の溶媒との混合溶媒
   を含有してなる感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥後露光
   現像してビアホールを形成し、さらに硬化して層間絶縁
   膜としその上に上層配線層を形成することを特徴とする
   多層配線構造の製造法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の製造法で得られた多層配
   線構造の上層配線層をパターニングし、請求項１記載の
   製造法を一回または２回以上繰り返す多層配線構造の製
   造法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の多層配線
   構造を有する半導体装置。