JPH10203863A - 低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶縁用ペースト - Google Patents
低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶縁用ペーストInfo
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- JPH10203863A JPH10203863A JP9007299A JP729997A JPH10203863A JP H10203863 A JPH10203863 A JP H10203863A JP 9007299 A JP9007299 A JP 9007299A JP 729997 A JP729997 A JP 729997A JP H10203863 A JPH10203863 A JP H10203863A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温焼成セラミックの熱膨張係数を小さくす
る。 【解決手段】 低温焼成セラミック基板１１の表層のグ
リーンシート１２には、低温焼成セラミックと半導体チ
ップ１５の中間的な熱膨張係数のセラミック層１６を印
刷する。各層のグリーンシート１２はＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６５重量％
とアルミナ粉末５０〜３５重量％との混合物よりなる低
温焼成セラミック材料により形成され、セラミック層１
６は、この低温焼成セラミック材料にＢｉ2 Ｏ3 を外掛
けで０．５〜１５重量％含む低温焼成セラミック材料に
より形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 を含まない低温焼成セラミッ
クよりも熱膨張係数が小さくなっている。低温焼成セラ
ミック基板１１とセラミック層１６とを同時焼成した
後、低温焼成セラミック基板１１の上面に表層抵抗体１
８を印刷・焼成し、セラミック層１６上に半導体チップ
１５を実装する。
る。 【解決手段】 低温焼成セラミック基板１１の表層のグ
リーンシート１２には、低温焼成セラミックと半導体チ
ップ１５の中間的な熱膨張係数のセラミック層１６を印
刷する。各層のグリーンシート１２はＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６５重量％
とアルミナ粉末５０〜３５重量％との混合物よりなる低
温焼成セラミック材料により形成され、セラミック層１
６は、この低温焼成セラミック材料にＢｉ2 Ｏ3 を外掛
けで０．５〜１５重量％含む低温焼成セラミック材料に
より形成され、Ｂｉ2 Ｏ3 を含まない低温焼成セラミッ
クよりも熱膨張係数が小さくなっている。低温焼成セラ
ミック基板１１とセラミック層１６とを同時焼成した
後、低温焼成セラミック基板１１の上面に表層抵抗体１
８を印刷・焼成し、セラミック層１６上に半導体チップ
１５を実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱膨張係数を小さ
くした低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶
縁用ペーストに関するものである。
くした低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶
縁用ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セラミック基板は、プラスチッ
ク基板と比較して耐熱性に優れると共に、熱膨張係数が
小さく、ファインパターン化が容易である等の利点があ
るため、半導体パッケージやハイブリッドＩＣの基板と
して幅広く用いられている。近年の高密度化・小型化に
伴い、セラミック基板に半導体のベアチップを直接実装
するフリップチップ実装が増加する傾向がある。このフ
リップチップ実装では、チップ（Ｓｉ）とセラミック基
板との熱膨張係数の差が大きいと、チップ接合部に実装
時の熱膨張差による残留応力が発生したり、通常使用時
の発熱により比較的大きな熱応力が発生し、その繰り返
しによりチップ接合部が熱疲労破壊しやすく、接合信頼
性が低下してしまう。
ク基板と比較して耐熱性に優れると共に、熱膨張係数が
小さく、ファインパターン化が容易である等の利点があ
るため、半導体パッケージやハイブリッドＩＣの基板と
して幅広く用いられている。近年の高密度化・小型化に
伴い、セラミック基板に半導体のベアチップを直接実装
するフリップチップ実装が増加する傾向がある。このフ
リップチップ実装では、チップ（Ｓｉ）とセラミック基
板との熱膨張係数の差が大きいと、チップ接合部に実装
時の熱膨張差による残留応力が発生したり、通常使用時
の発熱により比較的大きな熱応力が発生し、その繰り返
しによりチップ接合部が熱疲労破壊しやすく、接合信頼
性が低下してしまう。
【０００３】現在のセラミック基板の中で、最も多く使
用されているアルミナ基板は、熱膨張係数が７．０×１
０-6／ｄｅｇであり、プラスチック基板と比較して熱膨
張係数がかなり小さいが、それでも、アルミナ基板の熱
膨張係数は、Ｓｉの熱膨張係数（３．５×１０-6／ｄｅ
ｇ）と比較すればかなり大きく、両者の熱膨張係数の差
が３．５×１０-6／ｄｅｇにもなってしまう。このた
め、アルミナ基板では、フリップチップ実装の信頼性が
低くなってしまう。
用されているアルミナ基板は、熱膨張係数が７．０×１
０-6／ｄｅｇであり、プラスチック基板と比較して熱膨
張係数がかなり小さいが、それでも、アルミナ基板の熱
膨張係数は、Ｓｉの熱膨張係数（３．５×１０-6／ｄｅ
ｇ）と比較すればかなり大きく、両者の熱膨張係数の差
が３．５×１０-6／ｄｅｇにもなってしまう。このた
め、アルミナ基板では、フリップチップ実装の信頼性が
低くなってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、近年、特公平
３−５３２６９号公報に示すようにアルミナ基板よりも
熱膨張係数が小さい、１０００℃以下で焼成可能な低温
焼成セラミック基板が開発されている。この低温焼成セ
ラミック基板は、熱膨張係数が約５．５×１０-6／ｄｅ
ｇであり、Ｓｉとの熱膨張係数の差がアルミナ基板より
も小さくなっているが、それでも、Ｓｉとの熱膨張係数
の差がまだ約２．０×１０-6／ｄｅｇもあり、大型のフ
リップチップでは、チップ接合部の残留応力や熱応力を
十分に緩和するまでには至らない。従って、最近のフリ
ップチップの大型化の傾向に伴い、低温焼成セラミック
基板でも、更なる低熱膨張係数化が望まれるようになっ
てきている。
３−５３２６９号公報に示すようにアルミナ基板よりも
熱膨張係数が小さい、１０００℃以下で焼成可能な低温
焼成セラミック基板が開発されている。この低温焼成セ
ラミック基板は、熱膨張係数が約５．５×１０-6／ｄｅ
ｇであり、Ｓｉとの熱膨張係数の差がアルミナ基板より
も小さくなっているが、それでも、Ｓｉとの熱膨張係数
の差がまだ約２．０×１０-6／ｄｅｇもあり、大型のフ
リップチップでは、チップ接合部の残留応力や熱応力を
十分に緩和するまでには至らない。従って、最近のフリ
ップチップの大型化の傾向に伴い、低温焼成セラミック
基板でも、更なる低熱膨張係数化が望まれるようになっ
てきている。
【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、低熱膨張係数化の要
求を満たすことができる低温焼成セラミック材料とグリ
ーンシート及び絶縁用ペーストを提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、低熱膨張係数化の要
求を満たすことができる低温焼成セラミック材料とグリ
ーンシート及び絶縁用ペーストを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明の低温焼成セラミック材料は、ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６
５重量％と、不純物が０〜１０重量％のアルミナ粉末５
０〜３５重量％との混合物にＢｉ2 Ｏ3 を外掛けで０．
５〜１５重量％配合して作製したものである（請求項
１）。後述する表１及び表２に示すように、Ｂｉ2 Ｏ3
を含まない低温焼成セラミックの熱膨張係数は、５．２
〜５．７×１０-6／ｄｅｇであるのに対し、Ｂｉ2 Ｏ3
を外掛けで０．５〜１５重量％を含む低温焼成セラミッ
クの熱膨張係数は、４．６〜５．０×１０-6／ｄｅｇで
あり、Ｓｉの熱膨張係数（３．５×１０-6／ｄｅｇ）に
近くなる。
ために、本発明の低温焼成セラミック材料は、ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５０〜６
５重量％と、不純物が０〜１０重量％のアルミナ粉末５
０〜３５重量％との混合物にＢｉ2 Ｏ3 を外掛けで０．
５〜１５重量％配合して作製したものである（請求項
１）。後述する表１及び表２に示すように、Ｂｉ2 Ｏ3
を含まない低温焼成セラミックの熱膨張係数は、５．２
〜５．７×１０-6／ｄｅｇであるのに対し、Ｂｉ2 Ｏ3
を外掛けで０．５〜１５重量％を含む低温焼成セラミッ
クの熱膨張係数は、４．６〜５．０×１０-6／ｄｅｇで
あり、Ｓｉの熱膨張係数（３．５×１０-6／ｄｅｇ）に
近くなる。
【０００７】この低温焼成セラミック材料の利用形態と
しては、グリーンシート（請求項２，３）又は絶縁用ペ
ースト（請求項４，５）の２通りがある。グリーンシー
トは、上記低温焼成セラミック材料に、バインダー樹
脂、溶剤及び可塑剤を加えて作製したスラリーをテープ
成形したものであり、必要なサイズに切断して使用され
る。このグリーンシートのバインダー樹脂として、アク
リル樹脂又はポリビニルブチラールを用いれば、良好な
テープ成形性を確保できる。
しては、グリーンシート（請求項２，３）又は絶縁用ペ
ースト（請求項４，５）の２通りがある。グリーンシー
トは、上記低温焼成セラミック材料に、バインダー樹
脂、溶剤及び可塑剤を加えて作製したスラリーをテープ
成形したものであり、必要なサイズに切断して使用され
る。このグリーンシートのバインダー樹脂として、アク
リル樹脂又はポリビニルブチラールを用いれば、良好な
テープ成形性を確保できる。
【０００８】一方、絶縁用ペーストは、前記低温焼成セ
ラミック材料に、バインダー樹脂と溶剤を配合して混練
したものであり、この絶縁用ペーストを印刷すること
で、必要な形状のセラミック層を形成できる。この絶縁
用ペーストのバインダー樹脂として、エチルセルローズ
又はポリビニルブチラールを用いれば、良好な印刷性を
確保できる。
ラミック材料に、バインダー樹脂と溶剤を配合して混練
したものであり、この絶縁用ペーストを印刷すること
で、必要な形状のセラミック層を形成できる。この絶縁
用ペーストのバインダー樹脂として、エチルセルローズ
又はポリビニルブチラールを用いれば、良好な印刷性を
確保できる。
【０００９】
［第１の実施形態］まず、図１に基づいて本発明の第１
の実施形態を説明する。低温焼成セラミック基板１１
は、複数枚の低温焼成セラミックのグリーンシート１２
を積層・熱圧着して８００〜１０００℃で焼成したもの
である。
の実施形態を説明する。低温焼成セラミック基板１１
は、複数枚の低温焼成セラミックのグリーンシート１２
を積層・熱圧着して８００〜１０００℃で焼成したもの
である。
【００１０】低温焼成セラミックのグリーンシート１２
は、次のような手順で製造される。まず、ＣａＯ：１０
〜５５重量％、ＳｉＯ2 ：４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ
3 ：０〜３０重量％、不純物：０〜１０重量％及び外掛
けでＢ2 Ｏ3 ：５〜２０重量％を含む混合物を１４５０
℃で溶融してガラス化した後、水中で急冷し、これを粉
砕してＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス粉末を作製する。このガラス粉末５０〜６５重量％
（好ましくは６０重量％）と、不純物が０〜１０重量％
のＡｌ2 Ｏ3 粉末５０〜３５重量％（好ましくは４０重
量％）とを混合して低温焼成セラミック粉末を作製し、
この低温焼成セラミック粉末に溶剤（例えばトルエン、
キシレン）、バインダー樹脂（例えばアクリル樹脂）及
び可塑剤を加え、十分に混練してスラリーを作製し、通
常のドクターブレード法を用いてグリーンシートを作製
する。
は、次のような手順で製造される。まず、ＣａＯ：１０
〜５５重量％、ＳｉＯ2 ：４５〜７０重量％、Ａｌ2 Ｏ
3 ：０〜３０重量％、不純物：０〜１０重量％及び外掛
けでＢ2 Ｏ3 ：５〜２０重量％を含む混合物を１４５０
℃で溶融してガラス化した後、水中で急冷し、これを粉
砕してＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス粉末を作製する。このガラス粉末５０〜６５重量％
（好ましくは６０重量％）と、不純物が０〜１０重量％
のＡｌ2 Ｏ3 粉末５０〜３５重量％（好ましくは４０重
量％）とを混合して低温焼成セラミック粉末を作製し、
この低温焼成セラミック粉末に溶剤（例えばトルエン、
キシレン）、バインダー樹脂（例えばアクリル樹脂）及
び可塑剤を加え、十分に混練してスラリーを作製し、通
常のドクターブレード法を用いてグリーンシートを作製
する。
【００１１】このグリーンシートを所定寸法に切断し、
その所定位置にビアホール（図示せず）を打ち抜いて、
各層のグリーンシート１２を形成する。そして、各層の
グリーンシート１２のビアホールにＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ、
Ａｇ／Ｐｔ等のＡｇ系導体ペーストを充填し、これと同
じ組成のＡｇ系導体ペーストを使用して内層のグリーン
シート１２に内層導体パターン１３をスクリーン印刷
し、最上層（表層）のグリーンシート１２に表層導体パ
ターン１４をスクリーン印刷する。この際、使用する導
体ペーストとして、Ａｇ系導体ペーストに代えて、Ｃ
ｕ、Ａｕ等、他の低融点金属を用いても良い。
その所定位置にビアホール（図示せず）を打ち抜いて、
各層のグリーンシート１２を形成する。そして、各層の
グリーンシート１２のビアホールにＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ、
Ａｇ／Ｐｔ等のＡｇ系導体ペーストを充填し、これと同
じ組成のＡｇ系導体ペーストを使用して内層のグリーン
シート１２に内層導体パターン１３をスクリーン印刷
し、最上層（表層）のグリーンシート１２に表層導体パ
ターン１４をスクリーン印刷する。この際、使用する導
体ペーストとして、Ａｇ系導体ペーストに代えて、Ｃ
ｕ、Ａｕ等、他の低融点金属を用いても良い。
【００１２】更に、最上層のグリーンシート１２には、
半導体チップ１５を搭載する部位に低温焼成セラミック
の熱膨張係数と半導体チップ１５の熱膨張係数の中間的
な熱膨張係数のセラミック層１６をスクリーン印刷して
形成する。このセラミック層１６の組成は、上述したグ
リーンシート１２と同じ組成の低温焼成セラミック材料
に対してＢｉ2 Ｏ3 を外掛けで０．５〜１５重量％配合
したものであり、この低温焼成セラミック材料にバイン
ダー樹脂（エチルセルローズ又はポリビニルブチラー
ル）と溶剤を加え、十分に混練して作製した絶縁用ペー
ストを最上層のグリーンシート１２の所定位置に部分的
にスクリーン印刷してセラミック層１６を形成する。こ
のセラミック層１６の表面には、半導体チップ１５（フ
リップチップ）を接続するためのパッド１７をＡｇ系導
体ペーストでスクリーン印刷する。尚、このセラミック
層１６には、各パッド１７を導体パターン１３，１４に
接続するためのビア導体（図示せず）が予めＡｇ系導体
ペーストでスクリーン印刷されている。
半導体チップ１５を搭載する部位に低温焼成セラミック
の熱膨張係数と半導体チップ１５の熱膨張係数の中間的
な熱膨張係数のセラミック層１６をスクリーン印刷して
形成する。このセラミック層１６の組成は、上述したグ
リーンシート１２と同じ組成の低温焼成セラミック材料
に対してＢｉ2 Ｏ3 を外掛けで０．５〜１５重量％配合
したものであり、この低温焼成セラミック材料にバイン
ダー樹脂（エチルセルローズ又はポリビニルブチラー
ル）と溶剤を加え、十分に混練して作製した絶縁用ペー
ストを最上層のグリーンシート１２の所定位置に部分的
にスクリーン印刷してセラミック層１６を形成する。こ
のセラミック層１６の表面には、半導体チップ１５（フ
リップチップ）を接続するためのパッド１７をＡｇ系導
体ペーストでスクリーン印刷する。尚、このセラミック
層１６には、各パッド１７を導体パターン１３，１４に
接続するためのビア導体（図示せず）が予めＡｇ系導体
ペーストでスクリーン印刷されている。
【００１３】以上のような印刷工程の終了後、各層のグ
リーンシート１２を積層し、これを例えば８０〜１５０
℃（好ましくは１１０℃）、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2
の条件で熱圧着して一体化する。そして、この積層体を
基板焼成温度である８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で、２０分ホールドの条件で焼成し、低温焼成
セラミック基板１１とセラミック層１６とを同時焼成す
る。この焼成過程で、セラミック層１６に含まれるＢｉ
2 Ｏ3 の一部が表層のグリーンシート１２に拡散し、セ
ラミック層１６の周辺に中間的な熱膨張係数のセラミッ
クを形成する。これにより、低温焼成セラミック基板１
１とセラミック層１６との間の熱膨張係数が連続的に変
化し、焼成時の応力を緩和して、低温焼成セラミック基
板１１の反りを防ぐ。
リーンシート１２を積層し、これを例えば８０〜１５０
℃（好ましくは１１０℃）、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2
の条件で熱圧着して一体化する。そして、この積層体を
基板焼成温度である８００〜１０００℃（好ましくは９
００℃）で、２０分ホールドの条件で焼成し、低温焼成
セラミック基板１１とセラミック層１６とを同時焼成す
る。この焼成過程で、セラミック層１６に含まれるＢｉ
2 Ｏ3 の一部が表層のグリーンシート１２に拡散し、セ
ラミック層１６の周辺に中間的な熱膨張係数のセラミッ
クを形成する。これにより、低温焼成セラミック基板１
１とセラミック層１６との間の熱膨張係数が連続的に変
化し、焼成時の応力を緩和して、低温焼成セラミック基
板１１の反りを防ぐ。
【００１４】この後、低温焼成セラミック基板１１の上
面に、ＲｕＯ2 系抵抗体ペーストを用いて表層抵抗体１
８をスクリーン印刷し、この表層抵抗体１８上に、オー
バーコートペーストを用いてオーバーコート（図示せ
ず）をスクリーン印刷する。この後、この低温焼成セラ
ミック基板１１を上記基板焼成温度よりも僅かに低い温
度（例えば８９０℃）で、１０分ホールドの条件で表層
抵抗体１８とオーバーコートを焼成する。これにて、低
温焼成セラミック基板１１の製造が完了する。
面に、ＲｕＯ2 系抵抗体ペーストを用いて表層抵抗体１
８をスクリーン印刷し、この表層抵抗体１８上に、オー
バーコートペーストを用いてオーバーコート（図示せ
ず）をスクリーン印刷する。この後、この低温焼成セラ
ミック基板１１を上記基板焼成温度よりも僅かに低い温
度（例えば８９０℃）で、１０分ホールドの条件で表層
抵抗体１８とオーバーコートを焼成する。これにて、低
温焼成セラミック基板１１の製造が完了する。
【００１５】この後、この低温焼成セラミック基板１１
に半導体チップ１５をフリップチップ実装する場合に
は、低温焼成セラミック基板１１のセラミック層１６の
パッド１７に、半導体チップ１５の下面の電極をＡｇエ
ポキシ１９又は半田バンプによって接続する。
に半導体チップ１５をフリップチップ実装する場合に
は、低温焼成セラミック基板１１のセラミック層１６の
パッド１７に、半導体チップ１５の下面の電極をＡｇエ
ポキシ１９又は半田バンプによって接続する。
【００１６】本発明者は、次の表１に示す３種類の組成
Ａ，Ｂ，Ｃの低温焼成セラミックの熱膨張係数を測定し
た。
Ａ，Ｂ，Ｃの低温焼成セラミックの熱膨張係数を測定し
た。
【００１７】
【表１】
【００１８】この表１においてガラス粉末の各成分（Ｃ
ａＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2Ｏ3 ）の重量比は、
低温焼成セラミックに対する重量比で表されている。組
成Ａは、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガ
ラス粉末６０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末４０重量％との混
合物であり、熱膨張係数は５．５×１０-6／ｄｅｇであ
る。
ａＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｂ2Ｏ3 ）の重量比は、
低温焼成セラミックに対する重量比で表されている。組
成Ａは、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガ
ラス粉末６０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末４０重量％との混
合物であり、熱膨張係数は５．５×１０-6／ｄｅｇであ
る。
【００１９】組成Ｂは、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５５重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末４
５重量％との混合物であり、熱膨張係数は５．７×１０
-6／ｄｅｇである。
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末５５重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末４
５重量％との混合物であり、熱膨張係数は５．７×１０
-6／ｄｅｇである。
【００２０】組成Ｃは、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末６５重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末３
５重量％との混合物であり、熱膨張係数は５．２×１０
-6／ｄｅｇである。これらの組成Ａ，Ｂ，Ｃの低温焼成
セラミックの熱膨張係数は、アルミナ基板の熱膨張係数
（７．０×１０-6／ｄｅｇ）と比較すれば、いずれも小
さい。
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末６５重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末３
５重量％との混合物であり、熱膨張係数は５．２×１０
-6／ｄｅｇである。これらの組成Ａ，Ｂ，Ｃの低温焼成
セラミックの熱膨張係数は、アルミナ基板の熱膨張係数
（７．０×１０-6／ｄｅｇ）と比較すれば、いずれも小
さい。
【００２１】更に、本発明者は、セラミック層１６を形
成する低温焼成セラミック材料の組成と熱膨張係数との
関係を評価する試験を行ったので、その試験結果を次の
表２に示す。
成する低温焼成セラミック材料の組成と熱膨張係数との
関係を評価する試験を行ったので、その試験結果を次の
表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】この表２は、前記表１の各組成Ａ，Ｂ，Ｃ
の低温焼成セラミックにＢｉ2 Ｏ3を添加した場合、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 の添加量によって熱膨張係数がどの程度変化す
るかを測定したものである。この測定結果から、Ｂｉ2
Ｏ3 の添加量が外掛けで０．５〜１５重量％であれば、
いずれの組成でも、熱膨張係数が５．０×１０-6／ｄｅ
ｇ以下となり、Ｂｉ2 Ｏ3 を含まない低温焼成セラミッ
クよりも熱膨張係数が小さくなる。
の低温焼成セラミックにＢｉ2 Ｏ3を添加した場合、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 の添加量によって熱膨張係数がどの程度変化す
るかを測定したものである。この測定結果から、Ｂｉ2
Ｏ3 の添加量が外掛けで０．５〜１５重量％であれば、
いずれの組成でも、熱膨張係数が５．０×１０-6／ｄｅ
ｇ以下となり、Ｂｉ2 Ｏ3 を含まない低温焼成セラミッ
クよりも熱膨張係数が小さくなる。
【００２４】本発明者は、低温焼成セラミック基板１１
のセラミック層１６に実装する半導体チップ１５の接合
信頼性を評価するために、前記組成Ａの低温焼成セラミ
ックにＢｉ2 Ｏ3 を添加して作った絶縁用ペーストで低
温焼成セラミック基板１１の表層にセラミック層１６を
印刷し、これを焼成した後、このセラミック層１６上に
半導体チップ１５をＡｇエポキシ１９で実装して、温度
サイクル試験（−５５℃３０分／＋１５０℃３０分：１
００サイクル）を行い、チップ接合部の故障率を測定し
たので、その測定結果を次の表３に示す。
のセラミック層１６に実装する半導体チップ１５の接合
信頼性を評価するために、前記組成Ａの低温焼成セラミ
ックにＢｉ2 Ｏ3 を添加して作った絶縁用ペーストで低
温焼成セラミック基板１１の表層にセラミック層１６を
印刷し、これを焼成した後、このセラミック層１６上に
半導体チップ１５をＡｇエポキシ１９で実装して、温度
サイクル試験（−５５℃３０分／＋１５０℃３０分：１
００サイクル）を行い、チップ接合部の故障率を測定し
たので、その測定結果を次の表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】この表３の試験結果から明らかなように、
Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量が０重量％（セラミック層１６が無
い場合と実質的に同じ）の場合には、故障率が０．５％
であるが、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量が外掛けで０．５〜１５
重量％であれば、熱膨張係数が４．９×１０-6／ｄｅｇ
以下となり、半導体チップ１５（Ｓｉ）の熱膨張係数
（３．５×１０-6／ｄｅｇ）に近くなるため、故障率が
０％であり、極めて高い接合信頼性が得られる。Ｂｉ2
Ｏ3 の添加量が外掛けで２０重量％以上になるとＳｉと
の熱膨張係数の差が大きくなるため、故障率が０．２％
以上となり、接合信頼性が低下する。従って、十分な接
合信頼性を確保するには、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を外掛け
で０．５〜１５重量％の範囲内に設定することが好まし
い。この場合、セラミック層１６とＳｉとの熱膨張係数
の差が１．２〜１．４×１０-6／ｄｅｇであるが、この
程度の差であれば、チップ接合部（Ａｇエポキシ１９）
の弾性によって残留応力や熱応力を十分に緩和でき、故
障率を０％に維持できる。
Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量が０重量％（セラミック層１６が無
い場合と実質的に同じ）の場合には、故障率が０．５％
であるが、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量が外掛けで０．５〜１５
重量％であれば、熱膨張係数が４．９×１０-6／ｄｅｇ
以下となり、半導体チップ１５（Ｓｉ）の熱膨張係数
（３．５×１０-6／ｄｅｇ）に近くなるため、故障率が
０％であり、極めて高い接合信頼性が得られる。Ｂｉ2
Ｏ3 の添加量が外掛けで２０重量％以上になるとＳｉと
の熱膨張係数の差が大きくなるため、故障率が０．２％
以上となり、接合信頼性が低下する。従って、十分な接
合信頼性を確保するには、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を外掛け
で０．５〜１５重量％の範囲内に設定することが好まし
い。この場合、セラミック層１６とＳｉとの熱膨張係数
の差が１．２〜１．４×１０-6／ｄｅｇであるが、この
程度の差であれば、チップ接合部（Ａｇエポキシ１９）
の弾性によって残留応力や熱応力を十分に緩和でき、故
障率を０％に維持できる。
【００２７】ところで、低温焼成セラミック基板１１と
セラミック層１６との熱膨張係数の差が大きいと、焼成
時の応力によって低温焼成セラミック基板１１が反った
り、セラミック層１６が剥がれてしまうおそれがある。
セラミック層１６との熱膨張係数の差が大きいと、焼成
時の応力によって低温焼成セラミック基板１１が反った
り、セラミック層１６が剥がれてしまうおそれがある。
【００２８】上述したように、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を外
掛けで０．５〜１５重量％の範囲内に設定すると、セラ
ミック層１６の熱膨張係数が４．６〜５．０×１０-6／
ｄｅｇ（表２参照）となり、セラミック層１６と低温焼
成セラミック基板１１との熱膨張係数の差が０．９×１
０-6／ｄｅｇ以下となる。この程度の熱膨張係数の差で
あれば、焼成時のＢｉ2 Ｏ3 の拡散によってセラミック
層１６の周辺に中間的な熱膨張係数のセラミックを形成
することで、焼成時の応力を十分に緩和でき、低温焼成
セラミック基板１１の反りやセラミック層１６の剥がれ
を十分に抑えることができる。一般には、セラミック層
１６と低温焼成セラミック基板１１との熱膨張係数の差
が１．５×１０-6／ｄｅｇ以下であれば、低温焼成セラ
ミック基板１１の反りやセラミック層１６の剥がれを十
分に抑えることができる。
掛けで０．５〜１５重量％の範囲内に設定すると、セラ
ミック層１６の熱膨張係数が４．６〜５．０×１０-6／
ｄｅｇ（表２参照）となり、セラミック層１６と低温焼
成セラミック基板１１との熱膨張係数の差が０．９×１
０-6／ｄｅｇ以下となる。この程度の熱膨張係数の差で
あれば、焼成時のＢｉ2 Ｏ3 の拡散によってセラミック
層１６の周辺に中間的な熱膨張係数のセラミックを形成
することで、焼成時の応力を十分に緩和でき、低温焼成
セラミック基板１１の反りやセラミック層１６の剥がれ
を十分に抑えることができる。一般には、セラミック層
１６と低温焼成セラミック基板１１との熱膨張係数の差
が１．５×１０-6／ｄｅｇ以下であれば、低温焼成セラ
ミック基板１１の反りやセラミック層１６の剥がれを十
分に抑えることができる。
【００２９】次に、表層抵抗体１８の信頼性について考
察する。一般に、焼成後の表層抵抗体１８は、抵抗値が
ばらついているので、焼成後に表層抵抗体１８をレーザ
トリミング法等でトリミングして抵抗値を調整するよう
にしているが、トリミング時の熱歪により表層抵抗体１
８にマイクロクラックが入ることがあり、このマイクロ
クラックが実使用環境下で徐々に進行して抵抗値が経時
変化し、回路の信頼性を低下させるおそれがある。この
マイクロクラックの進行は、表層抵抗体１８に引張応力
が作用している状態で発生しやすい。従って、マイクロ
クラックの進行を防ぐには、表層抵抗体１８に圧縮力が
加わるように、低温焼成セラミック基板１１の熱膨張係
数＞表層抵抗体１８の熱膨張係数の関係に設定すること
が望ましい。
察する。一般に、焼成後の表層抵抗体１８は、抵抗値が
ばらついているので、焼成後に表層抵抗体１８をレーザ
トリミング法等でトリミングして抵抗値を調整するよう
にしているが、トリミング時の熱歪により表層抵抗体１
８にマイクロクラックが入ることがあり、このマイクロ
クラックが実使用環境下で徐々に進行して抵抗値が経時
変化し、回路の信頼性を低下させるおそれがある。この
マイクロクラックの進行は、表層抵抗体１８に引張応力
が作用している状態で発生しやすい。従って、マイクロ
クラックの進行を防ぐには、表層抵抗体１８に圧縮力が
加わるように、低温焼成セラミック基板１１の熱膨張係
数＞表層抵抗体１８の熱膨張係数の関係に設定すること
が望ましい。
【００３０】一般に、表層抵抗体１８を形成するＲｕＯ
2 系抵抗体ペーストは、ＲｕＯ2 粉末（熱膨張係数：
６．０×１０-6／ｄｅｇ）とガラス粉末との混合物であ
るため、熱膨張係数の小さいガラス粉末を使用しても、
表層抵抗体１８の熱膨張係数を５．０×１０-6／ｄｅｇ
より小さくするのは困難である。従って、表層抵抗体１
８を形成する部分のセラミックは、５．０×１０-6／ｄ
ｅｇ以上の熱膨張係数が望ましい。この観点から、上記
実施形態では、低温焼成セラミック基板１１の表面に表
層抵抗体１８を形成している。
2 系抵抗体ペーストは、ＲｕＯ2 粉末（熱膨張係数：
６．０×１０-6／ｄｅｇ）とガラス粉末との混合物であ
るため、熱膨張係数の小さいガラス粉末を使用しても、
表層抵抗体１８の熱膨張係数を５．０×１０-6／ｄｅｇ
より小さくするのは困難である。従って、表層抵抗体１
８を形成する部分のセラミックは、５．０×１０-6／ｄ
ｅｇ以上の熱膨張係数が望ましい。この観点から、上記
実施形態では、低温焼成セラミック基板１１の表面に表
層抵抗体１８を形成している。
【００３１】尚、Ｂｉ2 Ｏ3 を含むセラミック層１６の
熱膨張係数の影響を受けないように、表層抵抗体１８は
セラミック層１６より０．５ｍｍ以上（好ましくは１ｍ
ｍ以上）の距離をおくのが良い。
熱膨張係数の影響を受けないように、表層抵抗体１８は
セラミック層１６より０．５ｍｍ以上（好ましくは１ｍ
ｍ以上）の距離をおくのが良い。
【００３２】本発明者は、この表層抵抗体１８の信頼性
を評価するために、次のような試験を行った。図２に示
すように、低温焼成セラミック基板２１（熱膨張係数：
５．５×１０-6／ｄｅｇ）の表面に、抵抗体電極用のＡ
ｇ導体２２を２ｍｍ間隔で印刷・焼成し、更に、その上
から、熱膨張係数が５．３×１０-6／ｄｅｇの表層抵抗
体２３（幅１ｍｍ）を印刷・焼成した。この後、表層抵
抗体２３をレーザトリミングして、その抵抗値を初期値
の２倍の値に調整した後、温度サイクル試験（−５５℃
３０分／＋１５０℃３０分：１００サイクル）を行い、
表層抵抗体２３の抵抗値の変化率を測定した。この測定
をサンプル数１００個について行ったところ、次の表４
の結果が得られた。
を評価するために、次のような試験を行った。図２に示
すように、低温焼成セラミック基板２１（熱膨張係数：
５．５×１０-6／ｄｅｇ）の表面に、抵抗体電極用のＡ
ｇ導体２２を２ｍｍ間隔で印刷・焼成し、更に、その上
から、熱膨張係数が５．３×１０-6／ｄｅｇの表層抵抗
体２３（幅１ｍｍ）を印刷・焼成した。この後、表層抵
抗体２３をレーザトリミングして、その抵抗値を初期値
の２倍の値に調整した後、温度サイクル試験（−５５℃
３０分／＋１５０℃３０分：１００サイクル）を行い、
表層抵抗体２３の抵抗値の変化率を測定した。この測定
をサンプル数１００個について行ったところ、次の表４
の結果が得られた。
【００３３】
【表４】
【００３４】この試験で測定された表層抵抗体２３の抵
抗値の変化率は、最大値でも０．２３％と小さく、要求
値（１％以内）を十分に満たす。従って、低温焼成セラ
ミック基板２１の表面に部分的に異なる熱膨張係数のセ
ラミック層が存在していても、表層抵抗体２３の信頼性
に全く影響を及ぼさない。
抗値の変化率は、最大値でも０．２３％と小さく、要求
値（１％以内）を十分に満たす。従って、低温焼成セラ
ミック基板２１の表面に部分的に異なる熱膨張係数のセ
ラミック層が存在していても、表層抵抗体２３の信頼性
に全く影響を及ぼさない。
【００３５】尚、本実施形態（図１）では、低温焼成セ
ラミック基板１１の表面にセラミック層１６を印刷した
が、セラミック層１６と同じ組成の材料で形成したグリ
ーンシートを積層しても良い。
ラミック基板１１の表面にセラミック層１６を印刷した
が、セラミック層１６と同じ組成の材料で形成したグリ
ーンシートを積層しても良い。
【００３６】［第２の実施形態］上記第１の実施形態で
は、低温焼成セラミック基板１１の表面にセラミック層
１６を印刷したが、図３に示す第２の実施形態では、表
層のグリーンシート１２のうちの半導体チップ１５を搭
載する部位に開口部２５を形成し、この開口部２５に、
低温焼成セラミック基板１１と半導体チップ１５との中
間的な熱膨張係数のセラミック層２６を充填して焼成
し、このセラミック層２６上に半導体チップ１５を実装
する。セラミック層２６は、前記第１の実施形態と同じ
組成であり、絶縁性ペーストを印刷して形成しても良い
し、後述する第３の実施形態で用いるグリーンシートを
所定寸法に切断して開口部２５に嵌め込んでも良い。こ
れ以外の構成は、前述した第１の実施形態と同じである
ので、同一符号を付して説明を省略する。
は、低温焼成セラミック基板１１の表面にセラミック層
１６を印刷したが、図３に示す第２の実施形態では、表
層のグリーンシート１２のうちの半導体チップ１５を搭
載する部位に開口部２５を形成し、この開口部２５に、
低温焼成セラミック基板１１と半導体チップ１５との中
間的な熱膨張係数のセラミック層２６を充填して焼成
し、このセラミック層２６上に半導体チップ１５を実装
する。セラミック層２６は、前記第１の実施形態と同じ
組成であり、絶縁性ペーストを印刷して形成しても良い
し、後述する第３の実施形態で用いるグリーンシートを
所定寸法に切断して開口部２５に嵌め込んでも良い。こ
れ以外の構成は、前述した第１の実施形態と同じである
ので、同一符号を付して説明を省略する。
【００３７】尚、上記第１及び第２の実施形態では、表
層抵抗体１８を形成しているが、これを省いた構成とし
ても良いことは言うまでもない。また、１枚の低温焼成
セラミック基板１１について複数箇所にセラミック層１
６，２６を形成しても良く、また、１箇所のセラミック
層１６，２６に複数個のフリップチップを実装するよう
にしても良い。
層抵抗体１８を形成しているが、これを省いた構成とし
ても良いことは言うまでもない。また、１枚の低温焼成
セラミック基板１１について複数箇所にセラミック層１
６，２６を形成しても良く、また、１箇所のセラミック
層１６，２６に複数個のフリップチップを実装するよう
にしても良い。
【００３８】［第３の実施形態］上記第１及び第２の実
施形態では、低温焼成セラミック基板１１の表面の一部
のみにセラミック層１６，２６を形成したが、図４に示
す第３の実施形態では、低温焼成セラミック基板１１の
最上層（表層）に、低温焼成セラミック基板１１と半導
体チップ１５との中間的な熱膨張係数のグリーンシート
２７を“セラミック層”として積層することで、低温焼
成セラミック基板１１の表面全面に熱膨張係数の異なる
セラミック層２７を形成している。このセラミック層２
７の組成は前記第１の実施形態と同じである。セラミッ
ク層２７を形成するグリーンシートは、Ｂｉ2 Ｏ3 を外
掛けで０．５〜１５重量％含む低温焼成セラミック材料
に、バインダー樹脂、溶剤及び可塑剤を加えて作製した
スラリーをテープ成形したものであり、バインダー樹脂
としては、アクリル樹脂又はポリビニルブチラールを用
いれば良い。
施形態では、低温焼成セラミック基板１１の表面の一部
のみにセラミック層１６，２６を形成したが、図４に示
す第３の実施形態では、低温焼成セラミック基板１１の
最上層（表層）に、低温焼成セラミック基板１１と半導
体チップ１５との中間的な熱膨張係数のグリーンシート
２７を“セラミック層”として積層することで、低温焼
成セラミック基板１１の表面全面に熱膨張係数の異なる
セラミック層２７を形成している。このセラミック層２
７の組成は前記第１の実施形態と同じである。セラミッ
ク層２７を形成するグリーンシートは、Ｂｉ2 Ｏ3 を外
掛けで０．５〜１５重量％含む低温焼成セラミック材料
に、バインダー樹脂、溶剤及び可塑剤を加えて作製した
スラリーをテープ成形したものであり、バインダー樹脂
としては、アクリル樹脂又はポリビニルブチラールを用
いれば良い。
【００３９】この第３の実施形態では、熱膨張係数の異
なる２種類のグリーンシート１２，２７を積層して焼成
するため、通常の焼成方法では、低温焼成セラミック基
板１１が反ったり、セラミック層２７が剥がれてしまう
おそれがある。この対策として、グリーンシート１２，
２７の積層体を加圧しながら焼成すれば良い。この加圧
焼成により、低温焼成セラミック基板１１の反りやセラ
ミック層２７の剥がれを防止できる。
なる２種類のグリーンシート１２，２７を積層して焼成
するため、通常の焼成方法では、低温焼成セラミック基
板１１が反ったり、セラミック層２７が剥がれてしまう
おそれがある。この対策として、グリーンシート１２，
２７の積層体を加圧しながら焼成すれば良い。この加圧
焼成により、低温焼成セラミック基板１１の反りやセラ
ミック層２７の剥がれを防止できる。
【００４０】尚、この第３の実施形態は、基板表面に表
層抵抗体を設けない回路基板に適用することが好まし
い。表層抵抗体を設けると、基板表面の熱膨張係数＜表
層抵抗体の熱膨張係数の関係となり、表層抵抗体に引張
応力が作用して表層抵抗体にマイクロクラックが発生し
やすくなり、表層抵抗体の抵抗値の変化率が大きくなる
ためである。
層抵抗体を設けない回路基板に適用することが好まし
い。表層抵抗体を設けると、基板表面の熱膨張係数＜表
層抵抗体の熱膨張係数の関係となり、表層抵抗体に引張
応力が作用して表層抵抗体にマイクロクラックが発生し
やすくなり、表層抵抗体の抵抗値の変化率が大きくなる
ためである。
【００４１】また、この第３の実施形態では、Ｂｉ2 Ｏ
3 を含まないグリーンシート１２にＢｉ2 Ｏ3 を含むグ
リーンシート２７を積層したが、Ｂｉ2 Ｏ3 を含むグリ
ーンシート２７のみを複数枚積層して多層基板を製造し
ても良い。
3 を含まないグリーンシート１２にＢｉ2 Ｏ3 を含むグ
リーンシート２７を積層したが、Ｂｉ2 Ｏ3 を含むグリ
ーンシート２７のみを複数枚積層して多層基板を製造し
ても良い。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の低温焼成セラミック材料によれば、Ｂｉ2 Ｏ3 を外掛
けで０．５〜１５重量％配合することで、従来の低温焼
成セラミックよりも熱膨張係数を小さくでき、フリップ
チップの接合信頼性向上に寄与できる。しかも、この低
温焼成セラミック材料を用途に応じてグリーンシート又
は絶縁性ペーストの形態で利用でき、極めて便利であ
る。
の低温焼成セラミック材料によれば、Ｂｉ2 Ｏ3 を外掛
けで０．５〜１５重量％配合することで、従来の低温焼
成セラミックよりも熱膨張係数を小さくでき、フリップ
チップの接合信頼性向上に寄与できる。しかも、この低
温焼成セラミック材料を用途に応じてグリーンシート又
は絶縁性ペーストの形態で利用でき、極めて便利であ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態におけるセラミック回
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
【図２】表層抵抗体の信頼性評価試験に用いた表層抵抗
体と導体のパターンを示す拡大平面図
体と導体のパターンを示す拡大平面図
【図３】本発明の第２の実施形態におけるセラミック回
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
【図４】本発明の第３の実施形態におけるセラミック回
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
路基板の構造を模式的に示す拡大縦断面図
１１…低温焼成セラミック基板、１２…グリーンシー
ト、１３…内層導体パターン、１４…表層導体パター
ン、１５…半導体チップ、１６…セラミック層、１７…
パッド、１８…表層抵抗体、１９…Ａｇエポキシ、２１
…低温焼成セラミック基板、２２…Ａｇ導体、２３…表
層抵抗体、２６…セラミック層、２７…グリーンシート
（セラミック層）。
ト、１３…内層導体パターン、１４…表層導体パター
ン、１５…半導体チップ、１６…セラミック層、１７…
パッド、１８…表層抵抗体、１９…Ａｇエポキシ、２１
…低温焼成セラミック基板、２２…Ａｇ導体、２３…表
層抵抗体、２６…セラミック層、２７…グリーンシート
（セラミック層）。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラス粉末５０〜６５重量％と、不純物が０〜１０
重量％のアルミナ粉末５０〜３５重量％との混合物に、
Ｂｉ2 Ｏ3 を外掛けで０．５〜１５重量％配合してなる
低温焼成セラミック材料。 - 【請求項２】 請求項１に記載の低温焼成セラミック材
料に、バインダー樹脂、溶剤及び可塑剤を加えて作製し
たスラリーをテープ成形してなるグリーンシート。 - 【請求項３】 請求項２に記載のグリーンシートにおい
て、前記バインダー樹脂は、アクリル樹脂又はポリビニ
ルブチラールであることを特徴とするグリーンシート。 - 【請求項４】 請求項１に記載の低温焼成セラミック材
料に、バインダー樹脂と溶剤を配合して混練してなる絶
縁用ペースト。 - 【請求項５】 請求項４に記載の絶縁用ペーストにおい
て、前記バインダー樹脂は、エチルセルローズ又はポリ
ビニルブチラールであることを特徴とする絶縁用ペース
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007299A JPH10203863A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶縁用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007299A JPH10203863A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶縁用ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10203863A true JPH10203863A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11662158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9007299A Pending JPH10203863A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 低温焼成セラミック材料とグリーンシート及び絶縁用ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10203863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011016442A1 (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | 積水化学工業株式会社 | 無機微粒子分散ペースト |
| KR101106632B1 (ko) | 2009-03-20 | 2012-01-25 | 주식회사 엑사이엔씨 | 금속판상 발열체의 절연층용 페이스트 조성물 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP9007299A patent/JPH10203863A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101106632B1 (ko) | 2009-03-20 | 2012-01-25 | 주식회사 엑사이엔씨 | 금속판상 발열체의 절연층용 페이스트 조성물 및 그 제조방법 |
| WO2011016442A1 (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | 積水化学工業株式会社 | 無機微粒子分散ペースト |
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Legal Events
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