JPH10202507A - 化学機械的研磨（ｃｍｐ）装置及びこれを利用した化学機械的研磨方法 - Google Patents

化学機械的研磨（ｃｍｐ）装置及びこれを利用した化学機械的研磨方法

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JPH10202507A
JPH10202507A JP33463797A JP33463797A JPH10202507A JP H10202507 A JPH10202507 A JP H10202507A JP 33463797 A JP33463797 A JP 33463797A JP 33463797 A JP33463797 A JP 33463797A JP H10202507 A JPH10202507 A JP H10202507A
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polishing
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    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の表面を均一に研磨することがで
き、スクラッチが生じることを防ぐことができる化学機
械的研磨（ＣＭＰ）装置及びこれを利用したＣＭＰ方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１３０を研磨する研磨パッド
１２０ａと、研磨パッド１２０ａの表面を整えるコンデ
ィショナ１５０と、コンディショナ１５０を移送するコ
ンディショニングヘッドアーム１６１を具備する研磨部
Ｃと、研磨パッド１２０ａによって研磨された半導体基
板１３０の表面をクリーニングまたは補助研磨するため
の補助パッド１２０ｂと、補助パッド１２０ｂをクリー
ニングする複数の剛毛１８３が支持台１８５に設けられ
た補助パッドブラシ１８０と、支持台１８５に結合し補
助パッドブラシ１８０を移送する補助パッドブラシアー
ム１８１を具備するクリーニング部Ｄとを備える構成と
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学機械的研磨（ch
emical mechanical polishing、以下 "CMP"という。）
装置及びこれを利用したCMP方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の集積度が増加して微細パタ
ーンの臨界値数(critica1 dimension)が減少することに
よってフォトリソグラフィ(photo lithography)工程で
の解像度(resolution)及び焦点深度(depth of focus)を
向上させるための平坦化工程が必須的に要求されてい
る。このような平坦化工程中でCMP装置による平坦化方
法は工程が単純なだけでなく多数のウェーハ(Wafer)を
同時に効率的に平坦化させることが出来る等の長所があ
って特に脚光を浴びている。
【０００３】図1及び図2は従来技術によるCMP装置及び
これを利用したCMP方法を説明するための図面である。
具体的には、図1は従来のCMP装置の平面図、図2(A)は図
1の2a-2a線に沿った断面図、図2(B)は図1の2b-2b線に沿
った断面図を各々表す。そして、参照符号Aは半導体基
板の表面を研磨するための研磨部であり、参照番号Bは
半導体基板の表面をクリーニングするためのクリーニン
グ部を表す。
【０００４】前記研磨部Aは一端部が平らな第1プラテン
(10a:platen)と、前記第1プラテン10aを回転させるため
の第1プラテン回転軸11aと、前記第1プラテン10aの前記
一端部に密着固定された研磨パッド(20a:polishing pa
d)と、前記研磨パッド20aの新しい表面が露出されるよ
う前記研磨パッド20aの表面を削るためのコンディショ
ナ(conditioner、50)と、回転が可能で一端部に前記コ
ンディショナ50が密着固定されたコンディショニングヘ
ッド(conditioning head、60)と、前記コンディショニ
ングヘッド60を移送するためのコンディショニングヘッ
ドアーム(61:conditioning head arm)と、回転が可能で
一端部に半導体基板30が密着固定されたクランプ(40:cl
amp)と、前記クランプ40を移送するためのクランプアー
ム（41:clamp arm)を具備する。
【０００５】ここで、前記研磨パッド20aは前記半導体
基板30を前記研磨パッド20aの表面に密着させても前記
半導体基板30の中心部までスラリー(slurry)が供給でき
るように表面に微細な溝(groove）が形成されている。
【０００６】前記クリーニング部Bは一端部が平らな第2
プラテン10bと、前記第2プラテン10bを回転させるため
の第2プラテン回転軸11bと、前記第2プラテン10bの前記
一端部に密着固定された補助パッド20bと、回転が可能
で一端部に半導体基板30が密着固定されたクランプ40
と、前記クランプ40を移送するためのクランプアーム41
を具備する。ここで、前記半導体基板30及び前記クラン
プ40は前記クランプアーム41により前記研磨部Aから移
送されてきたものである。
【０００７】以下、前記CMP装置を利用した従来のCMP方
法を説明する。まず、前記研磨パッド20aの上にスラリ
ー(slurry)を供給しながら前記研磨パッド20aに前記半
導体基板30を密着回転させることによって前記半導体基
板30の表面を研磨する。この時、前記研磨パッド20aは
研磨する間に回転する。続いて、前記半導体基板30を前
記研磨パッド20aから隔離させた後に前記コンディショ
ナ50を前記研磨パッド20aに密着回転させることによっ
て前記研磨パッド20aの表面を削って新しい表面を露出
させるパッドコンディショニング段階を進行する。この
時、前記研磨パッド20aはパッドコンディショニングの
間に回転する。前記コンディショニング段階を進行する
理由は前記研磨過程で前記研磨パッド20aの表面が摩耗
されることによって前記半導体基板30の表面が研磨され
る速度が落ちることを防ぐためである。
【０００８】前記コンディショニング段階を行なう主な
目的が摩耗された前記研磨パッド20aの表面を削って新
しい研磨パッド表面を露出させることであるから前記研
磨過程で発生した粒子及び前記スラリー内の研磨粒子が
凝集して局部的に形成された研磨粒子塊りは前記コンデ
ィショニング段階で前記研磨パッド20aから完全に除去
されない。特に、前記研磨パッド20aの表面に形成され
た溝に嵌め込まれている研磨粒子塊り及び粒子を除去す
ることはほとんど不可能である。
【０００９】このように前記研磨パッド20a上に残留す
る粒子及び研磨粒子塊りにより研磨過程で半導体基板の
表面にスクラッチ(scratch)が発生する。特に、前記研
磨粒子塊りが残留することによって前記半導体基板30の
表面が不均一に研磨されてCMP工程の信頼性が低下され
る。これは前記研磨粒子塊りが無い部分より前記研磨粒
子塊りがある部分で前記半導体基板30の表面が研磨され
る速度がより速いためである。
【００１０】引き続き、前記研磨部Aで研磨された前記
半導体基板30を前記クリーニング部Bに移送する。続い
て、前記補助パッド20bの表面に洗浄液を供給しながら
前記半導体基板30を前記補助パッド20bに密着回転させ
ることによって前記半導体基板30の表面をクリーニング
する。この時、前記補助パッド20bはクリーニングの間
に回転する。そうすれば、前記研磨部Aでの研磨過程で
前記半導体基板30の表面に付着していた粒子及び研磨粒
子が前記補助パッド20b上に移されるようになる。この
ように補助パッド20b上に移された粒子及び研磨粒子に
よって前記半導体基板30の表面にスクラッチが発生す
る。
【００１１】前記クリーニング部Bでは前記半導体基板3
0の表面をクリーニングする作業以外に前記研磨部Aでの
研磨過程で前記半導体基板30の表面に形成されたスクラ
ッチを除去したり研磨過程を経た前記半導体基板30の表
面粗度を減少させるためにスラリーバフミガキ(slurry
buffing)またはタッチ-アップ(touch-up)工程と呼ば
れる補助研磨作業を行なうこともある。このような補助
研磨作業は前記洗浄液の代りに研磨粒子を含有したスラ
リーを前記補助パッド20b上に供給することによってな
される。このような補助研磨作業を行なう場合にも前記
研磨部Aでの研磨過程と同じく前記半導体基板30の表面
にスクラッチが発生するだけでなく前記半導体基板30の
表面が不均一に研磨される問題が発生する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
果そうとする技術的課題は半導体基板の表面が不均一に
研磨されることを防ぐだけでなく半導体基板の表面にス
クラッチが発生することを防止出来るCMP装置を提供す
る所にある。本発明の他の技術的課題は前記CMP装置を
利用して最も望ましい半導体基板を研磨できるCMP方法
を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明のCMP装置は半導体基板を研磨するため
の研磨パッドと、前記研磨パッドの表面をコンディショ
ニングするためのコンディショナと、前記コンディショ
ナを移送させるために前記コンディショナに連結された
コンディショナアームを含む。また、本発明のCMP装置
は前記研磨パッドをクリーニングするための複数個の剛
毛(bristle)が支持台に挿入された研磨パッドブラシ
と、前記研磨パッドブラシを送るために前記支持台に連
結された研磨パッドブラシアームを含む。
【００１４】前記他の技術的課題を達成するための本発
明のCMP方法は研磨パッド上に研磨粒子を含んでいるス
ラリーを供給しながら前記研磨パッドの表面に半導体基
板の表面を密着回転させることによって前記半導体基板
の表面を研磨する。続いて、本発明のCMP方法は前記研
磨パッドの表面に存在する粒子及び前記研磨粒子の塊り
を除去するために研磨パッドブラシで前記研磨パッドの
表面をブラッシングする。
【００１５】本発明に伴うCMP装置及びこれを利用したC
MP方法によれば、前記研磨パッド及び前記補助パッド上
に残留する粒子及び研磨粒子塊りをブラシを使用して効
果的に除去することによって半導体基板の表面にスクラ
ッチが生じることを防止するだけでなく半導体基板の表
面が不均一に研磨されることを防止できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図3及び図4は本発明によるCMP装
置を説明するための図面である。具体的には、図3は本
発明のCMP装置の平面図、図4(A)は図3の4a-4a線による
断面図、図4(B)は図3の4b-4b線による断面図を各々表
す。そして、参照符号Cは半導体基板の表面を研磨する
ための研磨部であり、参照符号Dは半導体基板の表面を
クリーニングするためのクリーニング部を各々表す。
【００１７】前記研磨部Cは一端部が平らな第1プラテン
110aと、前記第1プラテン110aを回転させるための第1プ
ラテン回転軸111aと、前記第1プラテン110aの前記一端
部に密着固定された研磨パッド120aと、前記研磨パッド
120aの新しい表面が露出されるように前記研磨パッド12
0aの表面を削るためのコンディショナ150と、回転可能
で一端部に前記コンディショナ150が密着固定されたコ
ンディショニングヘッド160と、前記コンディショニン
グヘッド160を移送するためのコンディショニングヘッ
ドアーム（コンディショナアーム）161と、回転可能で
一端部に半導体基板130が密着固定されたクランプ140
と、前記クランプ140を移送するためのクランプアーム1
41と、回転可能で前記研磨パッド120aをクリーニングす
るための研磨パッドブラシ170と、前記研磨パッドブラ
シ170を移送させるための研磨パッドブラシアーム171を
具備する。
【００１８】ここで、前記研磨パッド120aに密着する面
にダイアモンド粒子がついている金属板を前記コンディ
ショナ150として使用する。しかし、前記研磨パッド120
aの材質により前記研磨パッド120aの表面が損傷するこ
とを防止するためにブラシを前記コンディショナ150と
して使用することも出来る。この時のブラシは前記研磨
パッド120aをコンディショニングするためのものである
から非常に厚くて硬い剛毛(bristle)を持つものを使用
すべきである。
【００１９】そして、前記研磨パッド120aは前記半導体
基板130を前記研磨パッド120aの表面に密着させても前
記半導体基板130の中心部までスラリーが供給できるよ
うに表面に微細な溝(groove）が形成されている。
【００２０】前記研磨パッドブラシ170は前記コンディ
ショナ150として使われるブラシとは異なり10から2000
μｍの細い直径を持つナイロンのような弾力性のある合
成樹脂よりなる剛毛173と、一方の面は前記剛毛173が挿
入され、他の一方は前記研磨パッドブラシアーム171に
連結される支持台175を含んでなる。この時、前記剛毛1
73は前記支持台175に挿入される端部から前記研磨パッ
ド120aに接触される他端部の方へ行くほど直径が減少す
る形態、例えば円錐形を持つことが望ましい。なぜな
ら、前記研磨パッド120aに形成されている溝内に存在す
る粒子迄も除去するためである。
【００２１】前記クリーニング部Dは一端部が平らな第2
プラテン110bと、前記第2プラテン110bを回転させるた
めの第2プラテン迴転軸111bと、前記第2プラテン110bの
前記一端部に密着固定された補助パッド120bと、回転可
能で一端部に半導体基板130が密着固定されるクランプ1
40と、前記クランプ140を移送するためのクランプアー
ム141と、回転可能で前記補助パッド120bをクリーニン
グするための補助パッドブラシ180と、前記補助パッド
ブラシ180を移送させるための補助パッドブラシアーム1
81を具備する。
【００２２】ここで、前記補助パッドブラシ180と補助
パッドブラシアーム181を別途に具備しなくて前記研磨
パッドブラシ170及び前記研磨パッドブラシアーム171を
前記クリーニング部Dに移送することによって前記補助
パッドブラシ180と補助パッドブラシアーム181を代用す
ることも出来る。
【００２３】前記補助パッドブラシ180は前記研磨パッ
ドブラシ170と同じく10から2000μｍの細い直径を持
ち、ナイロンのような弾力性のある合成樹脂でなされた
剛毛183と、一方の面は前記剛毛183が挿入され他の一方
面は前記研磨パッドブラシアーム181に連結される支持
台185を具備する。もちろん、前記剛毛183は前記支持台
185に挿入された端部から前記補助パッド120bに接触さ
れる他端部の方へ行くほど直径が減少する形態を持つ。
【００２４】図5は前記図3、図4(A)及び図4(B)に図示し
たCMP装置を利用したCMP方法を説明するための流れ図で
ある。まず、前記研磨パッド120a上にスラリーを供給し
ながら前記研磨パッド120aの表面に前記半導体基板130
の表面を密着回転させることによって前記半導体基板13
0の表面を研磨する。この時、研磨効率を上げるために
前記研磨パッド120aも共に回転させる(段階200)。
【００２５】ここで、前記スラリーは機械的な研磨に寄
与する研磨粒子、例えば、アルミナ(alumina)粒子或い
はシリカ(silica)粒子と、化学的な研磨に寄与する化学
薬剤や純水が混合されたものを使用する。そして、前記
スラリーの酸性度(ph)を調節するために水酸化カリウム
(KOH)または水酸化ナトリウム(NaOH)等をさらに添加す
ることも出来る。
【００２６】続いて、前記半導体基板130を前記研磨パ
ッド120aから隔離した後に前記コンディショナ150を前
記研磨パッド120aに密着回転させることによって前記研
磨パッド120aの表面を削って新しい表面を露出させるコ
ンディショニング段階を行なう。この時、研磨パッド12
0aはコンディショニング効率を増加させるために回転す
る。もちろん、前記半導体基板130の表面を研磨しなが
ら前記コンディショニング段階を進行することも出来る
(段階220)。
【００２７】従来技術で説明したように前記コンディシ
ョニング段階を行なう主目的が前記研磨パッド120aの表
面を削ることであるから前記研磨過程で発生した粒子及
び前記スラリー内の研磨粒子が凝集して局部的に形成さ
れた研磨粒子塊りは前記コンディショニング段階で完全
に除去されない。
【００２８】特に、前記研磨パッド120aの表面に形成さ
れた溝に嵌め込まれている研磨粒子塊り及び粒子を除去
することはほとんど不可能である。上述したようにブラ
シを前記コンディショナ150として使用する場合にも同
じである。なぜなら、前記コンディショナ150に使われ
る剛毛は非常に厚くて硬いためである。
【００２９】したがって、前記コンディショニング段階
以後に前記研磨パッド120a上に存在する粒子及び前記研
磨粒子塊りを除去するために前記研磨パッドブラシ170
で前記研磨パッド120aの表面をブラッシングする。もち
ろん、前記コンディショニング段階と共に前記ブラッシ
ング段階を行なっても差し支えない(段階240)。
【００３０】この時、前記研磨パッド120aの中心部から
縁部へ前記研磨パッドブラシ170を移送する時には前記
研磨パッドブラシ170を前記研磨パッド120aに密着させ
て、前記研磨パッド120aの縁部から中心部へ前記研磨パ
ッドブラシ170を移送する時には前記研磨パッドブラシ1
70を前記研磨パッド120aから隔離させながら前記ブラッ
シング段階を進行することによって前記ブラッシングの
効率を増加させることが出来る。また、前記研磨パッド
120aの表面に洗浄液を供給しながら前記ブラッシング段
階を進行したり、前記研磨パッドブラシ170を回転させ
ながら前記ブラッシング段階を進行することによって前
記ブラッシングの効率を増加させることが出来る。
【００３１】このようにブラッシング段階を更に行うこ
とによって前記半導体基板130の表面にスクラッチが発
生することを防止できるだけでなく前記半導体基板130
の表面が不均一に研磨されることも防止できる。
【００３２】引き続き、前記研磨部Cで研磨された前記
半導体基板130を前記クリーニング部Dに移送する。続い
て、前記補助パッド120bの表面に前記洗浄液を供給しな
がら前記半導体基板130を前記補助パッド120bに密着回
転させることによって前記半導体基板130の表面をクリ
ーニングする。この時、前記クリーニング効率を上げる
ために前記補助パッド120bも共に回転させる(段階26
0)。
【００３３】この時、前記研磨部Cで行なわれた研磨過
程で前記半導体基板130の表面に付着していた粒子及び
研磨粒子が前記補助パッド120b上に移されるようにな
る。これによって前記半導体基板130または後続して前
記クリーニング部Dでクリーニングされる半導体基板130
の表面にスクラッチが発生する。
【００３４】また、前記クリーニング部Dでは前記半導
体基板130の表面をクリーニングする作業以外に前記研
磨部Cでの研磨過程で前記半導体基板130の表面に形成さ
れたスクラッチを除去したり研磨過程を経た前記半導体
基板130の表面粗度を減少させるためにスラリーバフミ
ガキまたはタッチ-アップ工程と呼ばれる補助研磨作業
を遂行する。このような補助研磨作業は前記洗浄液の代
りに研磨粒子を含有したスラリーを前記補助パッド120b
上に供給することによって行われる(段階260)。
【００３５】このような補助研磨作業を行なう場合にも
前記研磨部Cでの研磨過程と同じく前記半導体基板130の
表面にスクラッチが発生されるだけでなく前記半導体基
板130の表面が不均一に研磨される問題が発生する。従
って、前記補助パッド120b上に残留する粒子及び研磨粒
子塊りを除去するために前記クリーニング段階以後また
は補助研磨作業以後に前記補助パッドブラシ180で前記
補助パッド120bをブラッシングする(段階280)。
【００３６】この時、前記クリーニング効率を上げるた
めに前記補助パッドブラシ180を回転運動させたり、前
記補助パッドブラシ180を回転運動させながら前記補助
パッド120bを同時に回転させる。もちろん、クリーニン
グの効率を増大させるために前記補助パッド120bの表面
に洗浄液を供給しながら前記ブラッシングを行うことが
望ましい。本発明は前記実施の形態だけに限定されな
く、本発明の技術的思想内で当分野で通常の知識を持つ
者により多くの変形が可能なのは明白である。
【００３７】
【発明の効果】上述したように本発明に従うCMP装置及
びこれを利用したCMP方法によれば、前記研磨パッド120
a及び前記補助パッド120b上に残留する粒子及び研磨粒
子塊りをブラシを使用して効果的に除去することによっ
て前記半導体基板130の表面にスクラッチが発生するこ
とを防止するだけでなく半導体基板の表面が不均一に研
磨されることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術によるCMP装置の平面図である。
【図２】 （Ａ）は図１における２ａ−２ａ線視断面図
であり、（Ｂ）は図１における２ｂ−２ｂ線視断面図で
ある。
【図３】 本発明によるCMP装置の平面図である。
【図４】 （Ａ）は図３における４ａ−４ａ線視断面図
であり、（Ｂ）は図３における４ｂ−４ｂ線視断面図で
ある。
【図５】 本発明によるCMP装置の化学機械的研磨方法
を説明するための流れ図である。
【符号の説明】
１２０ａ 研磨パッド １２０ｂ 補助パッド １３０ 半導体基板 １５０ コンディショナ １６１ コンディショニングヘッドアーム（コンディシ
ョナアーム） １７０ 研磨パッドブラシ １７１ 研磨パッドブラシアーム １７３、１８３ 剛毛 １７５、１８５ 支持台 １８０ 補助パッドブラシ １８１ 補助パッドブラシアーム Ｃ 研磨部 Ｄ クリーニング部

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を研磨するための研磨パッド
    と、前記研磨パッドの表面をコンディショニングするた
    めのコンディショナと、前記コンディショナを移送させ
    るために前記コンディショナに連結されたコンディショ
    ナアームと、前記研磨パッドをクリーニングするための
    複数個の剛毛が支持台に挿入された研磨パッドブラシ
    と、前記研磨パッドブラシを移送させるために前記支持
    台に連結された研磨パッドブラシアームを具備したこと
    を特徴とするCMP装置。
  2. 【請求項２】 前記剛毛が合成樹脂でなされたことを特
    徴とする請求項１に記載のCMP装置。
  3. 【請求項３】 前記剛毛が10から2000μｍの直径を持つ
    ことを特徴とする請求項１に記載のCMP装置。
  4. 【請求項４】 前記剛毛が前記支持台に挿入された端部
    から他端部へ行くほど直径が減少する形態を持つことを
    特徴とする請求項１に記載のCMP装置。
  5. 【請求項５】 前記研磨パッドがその表面に溝を持つこ
    とを特徴とする請求項１に記載のCMP装置。
  6. 【請求項６】 半導体基板を研磨するための研磨パッド
    と、前記研磨パッドの表面をコンディショニングするた
    めのコンディショナと、前記コンディショナを移送させ
    るために前記コンディショナに連結されたコンディショ
    ナアームを具備する研磨部と、前記研磨パッドによって
    研磨された半導体基板の表面をクリーニングまたは補助
    研磨するための補助パッドと、前記補助パッドをクリー
    ニングするための複数個の剛毛が支持台に挿入された補
    助パッドブラシと、前記補助パッドブラシを移送させる
    ために前記支持台に連結された補助パッドブラシアーム
    を具備するクリーニング部を含んで成ることを特徴とす
    るCMP装置。
  7. 【請求項７】 前記研磨部が前記研磨パッドをクリーニ
    ングするための複数個の剛毛が支持台に挿入された研磨
    パッドブラシと、前記研磨パッドブラシを移送させるた
    めに前記研磨パッドブラシの支持台に連結された研磨パ
    ッドブラシアームを具備したことを特徴とする請求項６
    に記載のCMP装置。
  8. 【請求項８】 前記剛毛がナイロンのような合成樹脂で
    なされたことを特徴とする請求項6に記載のCMP装置。
  9. 【請求項９】 前記剛毛が10から2000μｍの直径を持つ
    ことを特徴とする請求項6に記載のCMP装置。
  10. 【請求項１０】 前記剛毛が前記支持台に挿入された端
    部から他端部に行くほど直径が減少する形態を持つこと
    を特徴とする請求項６に記載のCMP装置。
  11. 【請求項１１】 研磨パッド上に研磨粒子を含有したス
    ラリーを供給しながら前記研磨パッドの表面に半導体基
    板の表面を密着回転させることによって前記半導体基板
    の表面を研磨する段階と、前記研磨パッドの表面に存在
    する粒子及び前記研磨粒子の塊りを除去するために研磨
    パッドブラシで前記研磨パッドの表面をブラッシングす
    る段階を含むことを特徴とするCMP方法。
  12. 【請求項１２】 前記ブラッシングする段階が前記研磨
    パッドの中心部から縁部へ前記研磨パッドブラシを移送
    する時には前記研磨パッドブラシを前記研磨パッドに接
    触させて、前記研磨パッドの縁部から中心部へ前記研磨
    パッドブラシを移送する時には前記研磨パッドブラシを
    前記研磨パッドから隔離しながら行うことを特徴とする
    請求項11に記載のCMP方法。
  13. 【請求項１３】 前記ブラッシングする段階が前記研磨
    パッドブラシを回転運動させながら行うことを特徴とす
    る請求項11に記載のCMP方法。
  14. 【請求項１４】 前記ブラッシングする段階が前記研磨
    パッドブラシと前記研磨パッドを同時に回転運動させな
    がら行うことを特徴とする請求項13に記載のCMP方法。
  15. 【請求項１５】 前記ブラッシングする段階が前記研磨
    パッドの表面に洗浄液を噴射しながら行うことを特徴と
    する請求項11に記載のCMP方法。
  16. 【請求項１６】 前記半導体基板の表面を研磨する段階
    以後に前記研磨パッドの表面をコンディショニングする
    段階を含むことを特徴とする請求項11に記載のCMP方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記ブラッシングする段階が前記研磨
    パッドの表面をコンディショニングしながら行うことを
    特徴とする請求項11に記載のCMP方法。
  18. 【請求項１８】 研磨パッド上に研磨粒子を含有したス
    ラリーを供給しながら前記研磨パッドの表面に半導体基
    板の表面を密着回転させることによって前記半導体基板
    の表面を研磨する段階と、前記研磨パッドと所定の間隔
    を隔離された補助パッド上に洗浄液を噴射しながら前記
    半導体基板を補助パッドに密着させて回転させることに
    よって前記半導体基板の表面をクリーニングする段階
    と、前記補助パッド上に存在する粒子を除去するために
    前記補助パッドの表面をブラッシングする段階を含むこ
    とを特徴とするCMP方法。
  19. 【請求項１９】 研磨パッド上に研磨粒子を含有したス
    ラリーを供給しながら前記研磨パッドの表面に半導体基
    板の表面を密着回転させることによって前記半導体基板
    の表面を研磨する段階と、前記研磨パッドと所定の間隔
    が隔離された補助パッドに研磨粒子を含有したスラリー
    を供給しながら前記半導体基板を前記補助パッドに密着
    回転させることによって前記半導体基板の表面を補助研
    磨する段階と、前記補助パッド上に存在する粒子を除去
    するために前記補助パッドの表面をブラッシングする段
    階を含むことを特徴とするCMP方法。
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