JPH11333695A

JPH11333695A - 研磨装置及び研磨方法

Info

Publication number: JPH11333695A
Application number: JP14028898A
Authority: JP
Inventors: Akira Ishikawa; 彰石川; Akira Miyaji; 章宮地
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-05-21
Filing date: 1998-05-21
Publication date: 1999-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の研磨装置は研磨パッド表面の凹部に
研磨剤中の固形成分や、ＳｉＯ₂絶縁膜や金属電極膜か
ら研磨によって除去されたＳｉＯ₂や金属、及び研磨パ
ットの破片、等、の研磨クズが堆積する問題があった。
堆積した研磨剤や研磨クズが多数集まると、これらが凝
集を起こし、大きな塊を生じ、これらの塊が研磨中にウ
ェハと研磨パットの間に巻き込まれた場合に、キズ発生
の原因となる。本発明の目的は、これら研磨剤や研磨ク
ズの堆積物の問題を解決した、キズ発生のない研磨装置
を提供することである。【解決手段】研磨パッド表面の凹部に堆積した研磨剤
や、研磨クズを排出するための、ナイロンブラシあるい
は噴射水を吹き付ける機構を研磨装置に具備させること
により、研磨剤や研磨クズの堆積物による研磨面の傷の
発生を防止することが出来、且つ、研磨パッドの研磨性
能をウェハを多数枚研磨した後に於いても良好に維持出
来た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＵＬＳＩ、
等の半導体デバイスを製造するプロセスにおいて実施さ
れる半導体デバイスの平坦化研磨に用いるのに好適なＣ
ＭＰ研磨装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、微細化に伴
って半導体デバイス製造プロセスの工程が増加し複雑に
なってきている。これに伴い、半導体デバイスの表面は
必ずしも平坦ではなくなってきている。表面に於ける段
差の存在は配線の段切れ、局所的な抵抗の増大などを招
き、断線や電気容量の低下をもたらす。また、絶縁膜で
は耐電圧劣化やリークの発生にもつながる。一方、半導
体集積回路の高集積化、微細化に伴って光リソグラフィ
の光源波長は短くなり、開口数いわゆるＮＡが大きくな
ってきていることに伴い、半導体露光装置の焦点深度が
実質的に浅くなってきている。焦点深度が浅くなること
に対応するためには、今まで以上にデバイス表面の平坦
化が要求されている。さらに、金属電極層の埋め込みで
あるいわゆる象嵌（プラグ、ダマシン）の要求も高く、
この場合、金属層の積層後の余分な金属層の除去及び平
坦化が不可欠な工程となる。

【０００３】このような半導体表面を平坦化する方法と
しては、化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Poli
shing 又はChemical Mechanical Planarization 、これ
よりＣＭＰと呼ぶ）技術が有望な方法と考えられてい
る。ＣＭＰはシリコンウェハの鏡面研磨法を基に発展し
ており、図９に示すような装置を用いて行われている。
図９（ａ）はＣＭＰ研磨装置を横から見た図であり、図
９（ｂ）は上から見た図である。１０１は研磨パッド、
１００は研磨パッドを保持する研磨定盤（プラテン）、
１０２は被研磨部材（ウェハ）、１０３はウェハを保持
する研磨ヘッド、１０４は研磨剤（スラリー）供給部、
１０５は研磨剤（スラリー）である。研磨パッド１０１
は、研磨定盤（プラテン）１００の上に貼り付けられて
いる。研磨パッド１０１としては、発泡タイプのものの
他、無発泡タイプのものがある。

【０００４】研磨は以下のように行われる。ウェハ１０
２を研磨ヘッド１０３に保持し、研磨パッド１０１に所
定の圧力で押し付け、研磨ヘッド１０３は回転させなが
ら揺動させ、研磨パッド１０２は回転させ、ウェハ１０
２と研磨パッドとの間で相対運動を行わせる。この状態
で、研磨剤１０５を研磨剤供給部１０４から研磨パッド
１０１上に供給する、研磨剤１０５は研磨パッド１０１
上で拡散し、研磨パッド１０１とウェハ１０２との相対
運動に伴って研磨パッド１０１とウェハ１０２の間に入
り込み、ウェハ１０２の表面を研磨する。研磨パッド１
０１とウェハ１０２との相対運動による機械的作用と、
研磨剤１０５の化学的作用とが相乗的に作用して良好な
研磨が行われる。

【０００５】ところで、研磨パッドは、その表面に研磨
剤の流動性と保持性を高めるために凹凸の構造（例えば
溝）が形成されることが多い。これの形成のため、成型
金型、等に凹凸の構造を持たせたり、成型後の機械加工
により研磨パット表面に凹凸の構造を形成するのが一般
的である。研磨パッドの材料としては、アクリル樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、塩ビ樹脂、
ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フッ
素樹脂が用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨装置は研磨パッド表面の凹部に研磨剤中の固形成分
（一般にはＳｉＯ₂コロイド粒子）が堆積する問題があ
った。また、ＣＭＰによりウェハ表面のＳｉＯ₂絶縁膜
や金属電極膜から研磨によって除去されたＳｉＯ ₂や金
属、及び研磨パットの破片（研磨により研磨パット自身
もすり減る）、等、いわゆる研磨クズの堆積が生じる問
題もあった。堆積した研磨剤や研磨クズが多数集まる
と、これらが凝集を起こし、大きな塊を生じ、これらの
塊が研磨中にウェハと研磨パットの間に巻き込まれた場
合に、キズ発生の原因となる。

【０００７】本発明の目的は、これら研磨剤や研磨クズ
の堆積物の問題を解決し、キズ発生のない研磨装置を提
供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、研磨パッド表面の凹部に堆積した研磨剤
や、研磨クズの堆積物を排出する機構を研磨装置に持た
せた。このため本発明は第一に、「表面に凹凸構造を有
する研磨パッドと被研磨部材との間に研磨剤を介在さ
せ、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に相対運動
を与えることにより前記被研磨部材を研磨する第一の段
階を有する研磨方法であって、前記研磨パッドの表面に
堆積した堆積物の除去を行う第二の段階を更に有するこ
とを特徴とする研磨方法（請求項１）」を提供する。

【０００９】第二に、「前記第二の段階を前記第一の段
階の間に行うことを特徴とする請求項１記載の研磨方法
（請求項２）」を提供する。第三に、「前記第二の段階
を前記第一の段階の前または前記第一の段階の後に行う
ことを特徴とする請求項１記載の研磨方法（請求項
３）」を提供する。第四に、「表面に凹凸構造を有する
研磨パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具
え、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に研磨剤を
介在させ、前記研磨パッドと前記被研磨部材との間に相
対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研
磨装置において、前記研磨パッドの表面に堆積した堆積
物の除去を行うための堆積物除去部を更に具えることを
特徴とする研磨装置（請求項４）」を提供する。

【００１０】第五に、「前記堆積物除去部が、ブラシを
回転させることにより堆積物を除去する回転ブラシを有
することを特徴とする請求項４記載の研磨装置（請求項
５）」を提供する。第六に、「前記堆積物除去部が、噴
射流体を吹き付けることにより堆積物を除去する機構を
有することを特徴とする請求項４記載の研磨装置（請求
項６）」を提供する。

【００１１】第七に、「前記堆積物除去部が、ブラシを
回転させると共に噴射流体を吹き付けることにより研磨
剤を除去する機構を有することを特徴とする請求項４記
載の研磨装置（請求項７）」を提供する。第八に、「噴
射流体を吹き付けるノズルを研磨パッドに対する垂線方
向よりも、研磨パッドの中心から外周方向に偏向させた
方向に向けて配置することを特徴とする請求項６、７何
れか１項記載の研磨装置（請求項８）」を提供する。

【００１２】第九に、「前記堆積物除去部が、前記研磨
パッドの回転と同期して中心から円周方向に向かって移
動することを特徴とする請求項４記載の研磨装置（請求
項９）」を提供する。第十に、「前記回転ブラシの軸方
向が、研磨パッドの動径方向に対して０〜９０度の角度
で取り付けられたことを特徴とする請求項５記載の研磨
装置（請求項１０）」を提供する。

【００１３】第十一に、「前記被研磨部材が半導体ウェ
ハであることを特徴とする請求項１〜３何れか１項記載
の研磨方法（請求項１１）」を提供する。第十二に、
「前記被研磨部材が半導体ウェハであることを特徴とす
る請求項４〜１０何れか１項記載の研磨装置（請求項１
２）」を提供する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の、研磨剤や研磨クズの排
出機構は、発泡パッドの表面部分が潰れたり研磨剤で目
詰まりした部分をダイアモンド砥粒、等で除去し、研磨
パッドの状態を維持するためのいわゆるドレッシング
（目立て）機構とは異なる。本発明の、研磨剤や研磨ク
ズの堆積物の排出機構は、あくまでも研磨パッドの凹部
に堆積した研磨剤や研磨クズの堆積物（以下単に堆積物
と呼ぶ）を排出することを目的とするため、ドレッシン
グ機構のように荷重を加えることも、研磨パッドの表面
を荒らすこともしない。

【００１５】以下本実施形態を図１、図２、図３、図４
を用いて説明するが、本実施形態はこれらの図に限定さ
れるものでなく、また、本発明を以下二つの実施形態で
説明するが本発明はこれら実施形態に限定されるもので
なく、当業者が容易に修正できる全ての範囲を含む。［第一の実施の形態］本実施の形態では、研磨剤や研磨
クズの排出機構にブラシによる掻き出しを行う排出機構
を設けた。この例を図１と図２を用いて説明する。

【００１６】図１（ａ）は本研磨装置の研磨パッド部分
の側面図であり、図１（ｂ）は上面図である。１は研磨
パッドであり、２は堆積物である。堆積物除去部とし
て、堆積物２を研磨パッド１の凹部から掻き出すための
回転ブラシ３（回転方向を１０で示す）と回転ブラシ３
を動径方向（４）に移動する移動機構（移動方向４のみ
を示す）を具える。図１（ｂ）で示すように、回転ブラ
シ３の回転軸の方向を研磨パッド１の回転の動径方向か
ら偏向させた方向で回転させ、且つ回転ブラシ３全体が
動径方向への移動することを繰り返す。回転ブラシ３は
外側から内側に戻るときには上昇し、毛先が研磨パッド
に触れない。従って、堆積物２は回転ブラシ３と移動機
構とにより研磨パッド１の凹部から掻き出されつつ研磨
パッド１の外方向に移動して行き、遂には研磨パッド１
の外側に排出される。

【００１７】ここで、回転ブラシの毛の材料としては合
成樹脂、植物繊維、動物繊維、が好ましく、ナイロン、
等の合成樹脂が特に好ましい。また、回転ブラシ３の回
転軸の方向と、研磨パッド１の回転の動径方向のとのな
す角度θは堆積物の効果的な排除のために、好ましくは
０〜９０度である。また、回転ブラシの軸方向を研磨パ
ッド１の回転の動径方向から偏向させ、回転ブラシの軸
方向の長さの、研磨パッドの動径方向への射影長を研磨
パッドの半径とほぼ等しくすれば、移動機構を省くこと
ができる。回転ブラシを一個でなく、複数具え、各回転
ブラシの、研磨パッドの動径方向への各射影が研磨パッ
ドの半径をほぼカバーするようにしても良い。

【００１８】回転ブラシの回転軸の方向は、図１のよう
に、研磨パッド１の表面に平行に設けても良いし、図３
のように垂直に設けても良い。［第二の実施の形態］本実施の形態では、高速流体を研
磨パッド１の凹凸部にある堆積物２に吹きつけ、堆積物
２を研磨パッド１の外側に向けて吹き飛ばす機構を設け
た。この例を図２に説明する。図２は本研磨装置の研磨
パッド部分の側面図である。１は研磨パッドであり、２
は堆積物である。堆積物除去部には、研磨パッド１の凹
部にある堆積物２を研磨パッド１の内側から外側に向け
て吹き飛ばす噴射流体のノズル７と噴射流体のノズル７
を動径方向（１１）に移動する移動機構（移動方向１１
のみを示す）を具える。

【００１９】噴射流体のノズル７は、高速流体を吹き付
けながら、移動機構は内側から外側への移動を繰り返
す。外側から内側へ戻るときは噴射流体のノズル７の流
体吹き出しをOFF する。更に噴射流体のノズル７の吹き
付けの向きを研磨パッド１の面法線方向よりも若干外側
（動径方向）に偏向させているため、堆積物２が研磨パ
ッドの外に向けて移動するので、これら噴射流体のノズ
ル７から吹き出す高速流体８と移動機構とにより、堆積
物２は研磨パッド１の内側から外側に向けて吹き飛ばさ
れて運搬され、終には研磨パッドの外に排出される。

【００２０】ここで噴射流体としては水、空気が好まし
いが、水が特に好ましい。また、噴射流体のノズルをそ
の噴出向きを研磨パッド１の面法線方向よりも若干外側
に偏向させ、研磨パッド上の半径方向に複数設ける場合
は、移動機構を省くことができる。［第三の実施の形態］第一の実施の形態または第二の実
施の形態の堆積物除去装置を用いる堆積物の除去はウェ
ハの研磨と研磨との間、即ちウェハの研磨が完了後、次
のウェハの研磨が開始するまでの間に行っても、またウ
ェハの研磨を行いながら研磨パッドの他の面で行っても
好ましい結果が得られた。

【００２１】

【実施例】以下実施例を用い、本発明を具体的に説明す
る。［実施例１］本実施例の研磨装置を図５に示す。基本的
には図９に示される従来例の研磨装置に、図３に示す回
転ブラシ３を有する堆積物除去部を具備させた構造を有
する。

【００２２】螺旋状溝（凹部）とピッチ０．５ｍｍ、高
さ０．２ｍｍの格子状溝（凹部）を有するエポキシ樹脂
をφ６００ｍｍ、厚さ２０ｍｍのアルミニウム製ベース
プレートに成型し、研磨パッド１を作製した。この研磨
パッド１を図５の研磨装置のプラテン１００に固定し
た。研磨ヘッドに熱酸化ＳｉＯ₂膜が１μｍ形成された
６インチシリコンウェハを固定し、以下に示す加工条件
で研磨を行った。堆積物の除去は、２５枚のウェハの研
磨完了毎に、次のウェハに交換して研磨を始めるまでの
間に研磨パッド１の中央部から外周部に向けて水を流し
ながら、且つ研磨パッドを回転させながら、研磨パッド
１をその動径方向に２往復、回転ブラシ３でブラッシン
グすることによって行った。荷重は50g/cm²だった。ウ
ェハは２００枚連続で処理した。

【００２３】加工条件・研磨パッド回転数：５０ｒｐｍ・研磨ヘッド回転数：５０ｒｐｍ・揺動距離（振幅の２倍）：６０ｍｍ・揺動速度：６００ｍｍ／ｍｉｎ・荷重：４００ｇ／cm² ・研磨剤：ＳｉＯ₂アルカリ水溶液（Cabot 社製の商品
名ＳＳ１２を使用）・研磨時間：３分研磨量（膜厚）はいずれのウェハにおいても５００ｎｍ
で、研磨速度は１８０ｎｍ／分、ウェハ面内の研磨量の
均一性は２００枚とも±３％以内だった。研磨後のウェ
ハをフッ酸水溶液で１分間エッチングし、ゴミ検査機を
用いて、ウェハ表面のキズの有無を検査したところ、キ
ズは発見されなかった。これより、回転するナイロンブ
ラシで、研磨パッド面を処理することにより、凹部に堆
積する堆積物を除去でき、連続研磨を行っても研磨レー
トを落とすことなく、研磨キズの少ない研磨ができるこ
とが分かった。［実施例２］本実施例の研磨装置を図６に示す。実施例
１との違いは、図３に示す回転ブラシ３の替わりに図１
に示す回転ブラシ３を有する堆積物除去部を具備させた
点である。

【００２４】実施例１と同様な研磨パッド１を作製し、
この研磨パッド１を図６に示すＣＭＰ研磨装置のプラテ
ン１００に固定し、研磨ヘッドに熱酸化ＳｉＯ₂膜が１
μｍ形成された６インチシリコンウェハを固定し、実施
例１と同様な加工条件で研磨を行った。堆積物の除去
は、２５枚のウェハの研磨完了毎に、次のウェハに交換
して研磨を始めるまでの間に、研磨パッド１の中央部か
ら外周部に向けて水を流しながら、且つ研磨パッドを回
転させながら、研磨パッド１をその動径方向に２往復、
回転ブラシ３でブラッシングすることによって行った。
ウェハは２００枚連続で処理した。

【００２５】研磨量（膜厚）は５００ｎｍで、研磨速度
は１８０ｎｍ／分、ウェハ面内の研磨量の均一性は２０
０枚とも±３％以内だった。研磨後のウェハをフッ酸水
溶液で１分間エッチングし、ゴミ検査機を用いて、ウェ
ハ表面のキズの有無を検査したところ、キズは発見され
なかった。これより、回転するナイロンブラシで、研磨
パッド面を処理することにより、凹部に堆積する堆積物
を除去でき、連続研磨を行っても研磨レートを落とすこ
となく、研磨キズの少ない研磨ができることが分かっ
た。［実施例３］本実施例の研磨装置を図７に示す。実施例
１との違いは、図３に示す回転ブラシ３の替わりに図２
に示す噴射流体のノズル７を有する堆積物除去部を具備
させた点である。

【００２６】実施例１と同様な研磨パッド１を作製し、
この研磨パッド１を図５に示すＣＭＰ研磨装置のプラテ
ン１００に固定し、研磨ヘッドに熱酸化ＳｉＯ₂膜が１
μｍ形成された６インチシリコンウェハを固定し、実施
例１と同様な加工条件で研磨を行った。堆積物の除去
は、ウェハ研磨完了後、次のウェハに交換して研磨を始
めるまでの間に、ウェハを２５枚研磨完了毎にφ０．５
ｍｍのノズル７より１００ｍｌ／ｍｉｎのイオン交換水
８を研磨パッド１の表面に吹き付けることによって行っ
た。

【００２７】研磨量（膜厚）は５００ｎｍで、研磨速度
は１８０ｎｍ／分、ウェハ面内の研磨量の均一性は１０
０枚とも±３％以内だった。研磨後のウェハをフッ酸水
溶液で１分間エッチングし、ゴミ検査機を用いて、ウェ
ハ表面のキズの有無を検査したところ、キズは発見され
なかった。これより、回転するナイロンブラシで、研磨
パッド面を処理することにより、凹部に堆積する堆積物
を除去でき、連続研磨を行っても研磨レートを落とすこ
となく、研磨キズの少ない研磨ができることが分かっ
た。［実施例４］本実施例の研磨装置を図８に示す。実施例
１との違いは、図３に示す回転ブラシ３の替わりに図４
に示す毛がナイロン製の回転ブラシ３と噴射水のノズル
５とを両方有する堆積物除去部を具備させた点である。

【００２８】実施例１と同様な研磨パッド１を作製し、
この研磨パッド１を図８に示すＣＭＰ研磨装置のプラテ
ン１００に固定し、研磨ヘッドに熱酸化ＳｉＯ₂膜が１
μｍ形成された６インチシリコンウェハを固定し、実施
例１と同様な加工条件で研磨を行った。堆積物の除去
は、ウェハ研磨完了後、次のウェハに交換して研磨を始
めるまでの間に、ウェハを２５枚研磨完了毎に、研磨パ
ッド１を回転させながら、研磨パッド１を回転ブラシ１
２でブラッシングし、且つφ０．５ｍｍのノズル１３に
より１００ｍｌ／ｍｉｎのイオン交換水を研磨パッド１
の表面に吹き付けることによって行った。

【００２９】研磨量（膜厚）は５００ｎｍで、研磨速度
は１８０ｎｍ／分、ウェハ面内の研磨量の均一性は１０
０枚とも±３％以内だった。研磨後のウェハをフッ酸水
溶液で１分間エッチングし、ゴミ検査機を用いて、ウェ
ハ表面のキズの有無を検査したところ、キズは発見され
なかった。これより、回転するナイロンブラシと噴射水
のノズルとを有する堆積物除去部により、凹部に堆積す
る堆積物を除去でき、連続研磨を行っても研磨レートを
落とすことなく、研磨キズの少ない研磨ができることが
分かった。［比較例］実施例１、実施例２、及び実施例３の操作を
行わずに複数のウェハの連続研磨を行ったところ、処理
数を増すと共に研磨パッドの凹部に堆積、凝集した研磨
剤、研磨クズによると思われるキズがウェハ面に少数観
察された。

【００３０】

【発明の効果】研磨パッド表面の凹部に堆積した研磨剤
や研磨クズの堆積物（堆積物）を除去するための、ナイ
ロンブラシあるいは噴射水を吹き付ける機構を研磨装置
に具備させることにより、研磨剤や研磨クズの堆積物
（堆積物）による研磨面の傷の発生を防止することが出
来、且つ、研磨パッドの研磨性能をウェハを多数枚研磨
した後に於いても良好に維持出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２の研磨装置の回転ブラシの作用の説明
図である。

【図２】実施例３の研磨装置の噴射水のノズルの作用の
説明図である。

【図３】実施例１の研磨装置の堆積物の除去部に具わる
回転ブラシの概要図である。

【図４】実施例４の研磨装置の回転ブラシと噴射水のノ
ズルとを両方具える堆積物の除去装置の概要図である。

【図５】実施例１の研磨装置の概要図ある。

【図６】実施例２の研磨装置の概要図ある。

【図７】実施例３の研磨装置の概要図ある。

【図８】実施例４の研磨装置の概要図ある。

【図９】従来の研磨装置の概要図ある。

【符号の説明】

１研磨パッド２研磨剤や研磨クズの凝集した堆積物（堆積物）３回転ブラシ４回転ブラシの移動方向５噴射水のノズル６研磨パッドの回転方向７噴射流体（水）のノズル８水９堆積物除去部１０回転ブラシの回転方向１１堆積物除去部の移動方向１００研磨定盤（プラテン）１０１研磨パッド１０２被研磨部材（ウェハ）１０３研磨ヘッド１０４研磨剤供給部１０５研磨剤（スラリー）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に凹凸構造を有する研磨パッドと被研
磨部材との間に研磨剤を介在させ、前記研磨パッドと前
記被研磨部材との間に相対運動を与えることにより前記
被研磨部材を研磨する第一の段階を有する研磨方法であ
って、前記研磨パッドの表面に堆積した堆積物の除去を
行う第二の段階を更に有することを特徴とする研磨方
法。
【請求項２】前記第二の段階を前記第一の段階の間に行
うことを特徴とする請求項１記載の研磨方法。
【請求項３】前記第二の段階を前記第一の段階の前また
は前記第一の段階の後に行うことを特徴とする請求項１
記載の研磨方法。
【請求項４】表面に凹凸構造を有する研磨パッドと被研
磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え、前記研磨パッド
と前記被研磨部材との間に研磨剤を介在させ、前記研磨
パッドと前記被研磨部材との間に相対運動を与えること
により前記被研磨部材を研磨する研磨装置において、前
記研磨パッドの表面に堆積した堆積物の除去を行うため
の堆積物除去部を更に具えることを特徴とする研磨装
置。
【請求項５】前記堆積物除去部が、ブラシを回転させる
ことにより堆積物を除去する回転ブラシを有することを
特徴とする請求項４記載の研磨装置。
【請求項６】前記堆積物除去部が、噴射流体を吹き付け
ることにより堆積物を除去する機構を有することを特徴
とする請求項４記載の研磨装置。
【請求項７】前記堆積物除去部が、ブラシを回転させる
と共に噴射流体を吹き付けることにより研磨剤を除去す
る機構を有することを特徴とする請求項４記載の研磨装
置。
【請求項８】噴射流体を吹き付けるノズルを研磨パッド
に対する垂線方向よりも、研磨パッドの中心から外周方
向に偏向させた方向に向けて配置することを特徴とする
請求項６、７何れか１項記載の研磨装置。
【請求項９】前記堆積物除去部が、前記研磨パッドの回
転と同期して中心から円周方向に向かって移動すること
を特徴とする請求項４記載の研磨装置。
【請求項１０】前記回転ブラシの軸方向が、研磨パッド
の動径方向に対して０〜９０度の角度で取り付けられた
ことを特徴とする請求項５記載の研磨装置。
【請求項１１】前記被研磨部材が半導体ウェハであるこ
とを特徴とする請求項１〜３何れか１項記載の研磨方
法。
【請求項１２】前記被研磨部材が半導体ウェハであるこ
とを特徴とする請求項４〜１０何れか１項記載の研磨装
置。