JP2023532659A - プラテンシールド洗浄システム - Google Patents
プラテンシールド洗浄システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023532659A JP2023532659A JP2022580033A JP2022580033A JP2023532659A JP 2023532659 A JP2023532659 A JP 2023532659A JP 2022580033 A JP2022580033 A JP 2022580033A JP 2022580033 A JP2022580033 A JP 2022580033A JP 2023532659 A JP2023532659 A JP 2023532659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sponge
- platen
- shield
- holder
- adapter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000012766 Cannabis sativa ssp. sativa var. sativa Nutrition 0.000 description 1
- 235000012765 Cannabis sativa ssp. sativa var. spontanea Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002522 Wood fibre Polymers 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000005607 chanvre indien Nutrition 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011487 hemp Substances 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000002025 wood fiber Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
- B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/003—Cleaning involving contact with foam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/04—Protective covers for the grinding wheel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
化学機械研磨システムにおいて、プラテンシールド洗浄アセンブリは、回転可能なプラテンとプラテンシールドとの間の間隙において回転可能なプラテン上に据え付けられる。アセンブリは、プラテンに取り付けられたスポンジホルダと、スポンジとを含む。スポンジは、スポンジの外面がプラテンシールドの内面に押し付けられるように、スポンジホルダによって保持される。【選択図】図１Ｂ
Description
本開示は、化学機械研磨に関し、より詳細には、プラテンを取り囲むシールドの洗浄に関する。
集積回路は、典型的には、シリコンウエハ上に導電層、半導体層、または絶縁層を順次堆積させることによって基板上に形成される。１つの製造ステップは、非平面上に充填層を堆積させることと、充填層を平坦化することとを含む。特定の用途では、充填層は、パターニングされた層の頂面が露出するまで平坦化される。例えば、パターニングされた絶縁層上に導電性充填層を堆積させ、絶縁層のトレンチまたは孔を充填することができる。平坦化後、絶縁層の隆起パターン間に残っている導電層の部分が、基板上の薄膜回路間の導電性経路を提供するビア、プラグ、および線を形成する。酸化物研磨などの他の用途では、充填層は、非平面上に所定の厚さが残るまで平坦化される。加えて、基板表面の平坦化は、通常、フォトリソグラフィのために必要である。
化学機械研磨（ＣＭＰ）は、１つの受け入れられている平坦化方法である。この平坦化方法は、典型的には、基板をキャリアまたは研磨ヘッドに装着することが必要である。基板の露出面は、典型的には、回転する研磨パッドに対して配置されている。キャリアヘッドは、基板に制御可能な荷重を加えて、基板を研磨パッドに押し付ける。研磨パッドの表面には、典型的には、研磨液が供給される。
研磨パッドは、典型的には、回転可能なプラテン上に支持されている。プラテンと研磨パッドが回転すると、遠心力が研磨液を研磨パッドから押し出そうとする傾向がある。プラテンシールドをプラテンの周りに配置して、研磨パッドから振り飛ばされる研磨液が作業領域を汚染するのを防止することができる。
一態様では、プラテンシールド洗浄システムは、化学機械研磨システムのプラテンシールドを洗浄するためのプラテンシールド洗浄アセンブリを含む。プラテンシールド洗浄アセンブリは、回転可能なプラテンとプラテンシールドとの間の間隙において回転可能なプラテンに据え付けられる。アセンブリは、回転可能なプラテンに取り付けられたスポンジホルダと、スポンジとを含む。スポンジは、スポンジの外面がプラテンシールドの内面に押し付けられるように、スポンジホルダによって保持される。
実施態様は、以下の特徴のうちの１つまたは複数を含むことができる。
スポンジホルダは、回転可能なプラテンに取り外し可能に固定されるように構成されたアダプタを含むことができる。アダプタは、スポンジをプラテンシールドの内面に押し付けるように構成されている。アダプタは、プラテンから延出するプラグに取り外し可能に固定されるように構成されたラッチを含むことができる。スポンジは、複数のばねによってプラテンシールドの内面に押し付けられてもよい。
スポンジホルダは、ラッチおよび裏当て片を含むことができる。ラッチは、プラテンから延出するプラグに取り外し可能に固定されるように構成されてもよい。裏当て片は、ラッチに接続され、スポンジを受けるように構成された外面を有する。外面は、スポンジをプラテンシールドの内面プロファイルに適合させるように湾曲している。スポンジは、マジックテープ式固定具によって、スポンジホルダの外面に取り付けられてもよい。スポンジホルダは、複数のばねによって裏当て片に結合されてもよい。ばねは、複数の締め具によって裏当て片およびスポンジホルダに結合されてもよい。
プラテンシールド洗浄システムは、アダプタおよびスポンジホルダを含むことができる。アダプタは、化学機械研磨システムのプラテンに取り外し可能に固定されるように構成されてもよい。スポンジホルダは、アダプタに接続されてもよく、スポンジを受け、プラテンを取り囲むプラテンシールドの内面に対してスポンジを保持するように構成された外面を有することができる。アダプタは、プラテンから延出するプラグに取り外し可能に固定されるように構成されたラッチを含むことができる。アダプタは、アダプタが回転するのを防止するために、プラテンの頂面に当接するように構成された支持フランジを含むことができる。
プラテンシールド洗浄システムは、アダプタとスポンジホルダとの間に介在する、スポンジをプラテンシールドの内面に接触させる複数のばねを含むことができる。複数のコッタピンが、ばねをアダプタおよびスポンジホルダに保持することができる。
プラテンシールド洗浄システムは、スポンジホルダに結合されたスポンジを含むことができる。スポンジは、マジックテープ式固定具によってスポンジホルダに結合されてもよい。スポンジは、乾燥スポンジであってもよい。スポンジは、湿潤スポンジであってもよい。
別の態様では、プラテンシールドを洗浄する方法は、プラテンとプラテンシールドとの間の間隙にスポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップと、スポンジをプラテンシールドに接触させるステップと、スポンジがプラテンシールドに接触している間に、プラテンおよびプラテン、スポンジホルダ、ならびにスポンジを回転させるステップと、を含む。
実施態様は、以下の特徴のうちの１つまたは複数を含むことができる。
スポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップは、スポンジとスポンジホルダとの間に介在する複数のばねを圧縮してスポンジとスポンジホルダを互いにより近づけるステップと、スポンジとスポンジホルダとの間に介在するばねを解放してスポンジとスポンジホルダを互いに遠ざけるステップと、を含むことができる。スポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップは、プラテン上のプラグの上にスポンジホルダ上のラッチを配置するステップを含むことができる。スポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップは、アダプタが回転するのを防止するために、プラテンの頂面に当接するように構成された支持フランジを配置するステップを含むことができる。
プラテンシールドは、乾燥スポンジで擦ることができる。プラテンシールドは、洗浄溶液を含む湿潤スポンジで湿らされてもよく、プラテンシールドは、湿潤スポンジで擦られてもよい。
実施態様は、任意に、以下の利点のうちの１つまたは複数を含むことができるが、これらに限定されない。研磨品質を改善することができ、例えば、研磨プロセス中にプラテンシールドから剥離する研磨スラリ蓄積物からの乾燥した研磨粒子によって生成される引っかき傷および欠陥が少なくなる。さらに、欠陥に起因して廃棄されるウエハの量を減らすことができる。研磨システムのメンテナンス休止時間を大幅に短縮することができる。これにより、研磨システムの生産性が改善され、プラテンシールド洗浄プロセスに充てられる時間が短くなるため、オペレータ時間が短縮される。異なる洗浄モード（すなわち、乾式洗浄と湿式洗浄）間の切り替えがより容易になる。洗浄プロセスは、プラテンシールドとのツール圧力係合を調整することによって迅速に修正することができる。
１つまたは複数の実施態様の詳細が、添付の図面および以下の説明に記載される。他の態様、特徴、および利点は、説明および図面から、ならびに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
様々な図面における同様の参照番号および記号表示は、同様の要素を示す。
化学機械研磨の間、研磨液、例えば研磨剤研磨スラリが研磨パッドの表面に供給される。プラテンおよび研磨パッドが回転すると、研磨剤研磨、研磨液がプラテンから振り飛ばされる。プラテンの周囲に配置されたプラテンシールドは、研磨液が研磨システムの周囲領域を汚染するのを防止するためのバリアとして機能することができる。
研磨液の一部は、シールドから流れ落ち、槽に収集され得るが、研磨液の一部は、乾燥してプラテンシールド上に蓄積し得る。時間の経過とともにプラテンシールド上に乾燥した研磨液が蓄積することは、複数の有害な影響を有する。例えば、研磨液中の研磨粒子は、除去されて研磨面に戻り得る凝集物を形成する可能性があり、したがって、引っかき傷および欠陥の危険性が生じる。乾燥した研磨液の蓄積を防止するためにプラテンシールドを洗浄するには、かなりの量の非生産的な時間が必要である。
プラテンに容易に取り付けることができ、装置の分解を必要としないプラテンシールド洗浄ツールは、これらの悪影響を軽減することができる。
図１Ａは、基板１０を研磨するように動作可能な研磨システム２０を示す。研磨システム２０は、主研磨パッド３０が位置する回転可能なプラテン２４と、回転可能なプラテン２４を取り囲み、環状間隙２２によってプラテン２４から分離されたプラテンシールド２６と、を含む。図１Ｂに示すように、プラテンシールド洗浄システム５０は、回転可能なプラテン２４に機械的に結合され、回転可能なプラテン２４とプラテンシールド２６との間に介在することができる。プラテンシールドは円形であり、回転可能なプラテン２６を取り囲んでいる。プラテンシールドは、垂直円筒形部分２６ａを含むことができ、プラテンシールドの頂部は、内向きに湾曲してリップ２６ｂを形成することができる。リップ２６ｂは、プラテン２４の表面の垂直面よりも上方に配置することができる。
回転可能なプラテン２４は、軸２８の周りを回転するように動作可能である。例えば、モータ３０は、駆動シャフト３２を回して、回転可能なプラテン２４を回転させることができる。
研磨システム２０は、基板１０を研磨パッド３０に対して保持するように動作可能なキャリアヘッド７０を含む。キャリアヘッド７０は、支持構造７２、例えば、カルーセルまたはトラックから吊り下げられており、キャリアヘッドが軸７１の周りを回転することができるように、キャリア駆動シャフト７４によってキャリアヘッド回転モータ７６に接続されている。加えて、キャリアヘッド７０は、例えば、アクチュエータによって駆動されるカルーセル７２の半径方向のスロット内を移動することによって、モータによって駆動されるカルーセルの回転によって、またはアクチュエータによって駆動されるトラックに沿って前後に移動することによって、研磨パッド３０を横切って横方向に振動することができる。動作において、プラテン２４は、その中心軸２５の周りを回転し、キャリアヘッドは、その中心軸７１の周りを回転し、研磨パッド３０の頂面を横切って横方向に並進する。
研磨システム２０は、研磨液供給アーム３４を含むことができる。研磨中、アーム３４は、研磨液３６を吐出するように動作可能である。研磨液３６は、研磨粒子を含むスラリとすることができる。研磨液３６は、複数の名称、例えば、研磨剤研磨スラリ、研磨剤研磨液、または研磨スラリによって言及される可能性がある。あるいは、研磨システム２０は、研磨液３６を主研磨パッド３０上に吐出するように動作可能なポートをプラテン２４に含むことができる。プラテン２４が回転すると、研磨剤研磨、研磨液３６がプラテン２４から振り飛ばされる。プラテン２４の周囲に配置されたプラテンシールド２６は、研磨液３６が研磨システム２０の周囲領域を汚染するのを阻止するためのバリアとして機能することができる。研磨液３６の一部は、プラテンシールド２６から流れ落ち、研磨システム２０の下方に収集され得るが、研磨液３６の一部は、プラテンシールド２６上に蓄積し得る。その後の研磨動作により、プラテンシールド２６上に研磨液３６が堆積し続け、研磨液３６は、乾燥し、プラテンシールド２６上にさらに蓄積し得る。
プラテン２４の円筒形外面４４の凹部４２にプラグ６０が据え付けられている。プラグ６０は、凹部４２から取り外し可能である。プラグ６０は、外面４４から間隙２２内に延出する。プラグは、プラスチックまたは金属とすることができる。プラグ６０は、プラテンシールド洗浄システム５０（図２に示す）に機械的に結合するように構成されている。
図１Ｂは、研磨システム２０に据え付けられたプラテンシールド洗浄システム５０を示す。プラテンシールド洗浄システム５０は、スポンジホルダ５２およびスポンジ５４を含む。スポンジホルダ５２は、スポンジ５４をプラテンシールド２６の内面３８に対して付勢して、プラテンシールド２６を洗浄する。スポンジ５４は、プラテンシールド２６の内面３８を洗浄する外面５６を有する。
スポンジ５４は、柔らかく多孔性の吸収性材料で作られている。スポンジ５４は、天然由来の材料または合成材料で作ることができる。例えば、スポンジ５４は、植物性セルロース、動物の海綿、麻、または木質繊維などの天然由来の材料から形成することができる。あるいは、スポンジ５４は、例えば、ポリエステルまたはポリウレタンなどの合成材料から形成することができる。
スポンジホルダ５２は、プラテン２４に取り外し可能に取り付けられ、プラテン２４とプラテンシールド２６との間の間隙２２に位置する。スポンジ５４は、例えば、スポンジの一方の表面にコーティングされた弱接着剤層によって、または機械的締め具によって、スポンジホルダに取り外し可能に取り付けられている。
スポンジ５４は、スポンジ５４の外面５６がプラテンシールド２４の内面３８に押し付けられるように、スポンジホルダ５２によって保持されている。動作において、回転可能なプラテン２４およびプラテンシールド洗浄システム５０は、スポンジ５４がプラテンシールド２６の内面３８に係合した状態で、軸２８の周りを回転する。プラテンシールド２６の内面３８の周りのスポンジ５４の円形掃引は、研磨液３６の蓄積を掻き落とすことができる。
プラテンシールド２６の洗浄を容易にするために、洗浄化学物質をスポンジ５４に塗布することができる。化学物質をスポンジ５４に塗布して、その後の研磨液３６がプラテンシールド２６の内面３８に蓄積するのをさらに防止することができる。例えば、脱イオン水、イソプロピルアルコール、または水酸化カリウムをスポンジに塗布することができる。
図２は、化学機械研磨システム２０に据え付けられたプラテンシールド洗浄システム５０の斜視図を示す。プラテンシールド洗浄システム５０は、回転可能なプラテン２４に機械的に結合され、回転可能なプラテン２４とプラテンシールド２６との間に介在する。
図３は、図１のプラテンシールド洗浄システム５０の分解斜視図を示す。図４は、プラテンシールド洗浄システム５０の背面分解斜視図を示す。図１、図３および図４を参照すると、プラテンシールド洗浄システム５０は、プラテン２４に取り外し可能に固定されるように構成されたアダプタ６６と、アダプタ６６に接続され、スポンジ５４を受けるように構成された外面６４を有する裏当て片６２を備えたスポンジホルダ５２と、を含む。
裏当て片６２の外面６４は、スポンジ５４をプラテンシールド２６の内面３８に適合させるように湾曲している。裏当て片６２は、垂直セクション８４と、傾斜セクション８６と、垂直セクション８４を傾斜セクション８６に接続する湾曲セクション８８と、を有することができる。この構成は、スポンジ５４をプラテンシールド２６の垂直セクション２６ａおよび内側に湾曲したリップ２６ｂに適合させる。
スポンジホルダ５２は、スポンジホルダをプラグ６０に取り外し可能に固定するためのラッチ機構５８を含む。例えば、プラテン２４に隣接するアダプタ６６の背面１００は、プラグ６０が嵌合することができる凹部９２を含むことができる。
アダプタ６６は、プラテンの円筒形外面に寄りかかる略垂直の本体９０と、本体９０の上縁部から水平に延在し、パッドまたはプラテン２４の頂面４０に当接するように構成された支持フランジ６８と、を含む。支持フランジ６８は、プラテンシールドに対するスポンジの摩擦によるトルクの影響下で、アダプタ６６が回転するのを防止することができる。アダプタ６６は、凹部９２を備えた背面１００を有する。凹部９２は、プラグ６０を収容するように構成されている。凹部９２は、プラグ６０にラッチするように構成されたリッジ１０２を有する。プラグ６０は、リッジ１０２によって拘束されるまで、凹部９２内を垂直に摺動する。あるいは、クランプがプラテン２６を把持し、次いでアダプタ６６がクランプに固定されてもよい。
本体９０は、凹部９６に接続されたボイド１０４を有する。ボイド１０４は、締め具８２を収容するようにサイズ決めされている。
スポンジホルダ５２は、背面１０６から垂直に突出する圧縮ピン９４を含む。圧縮ピン９４は、ばね８０をアダプタ６６の前面１０２の凹部９６に圧入する。圧縮ピン９４は、圧縮ピン９４を通って延在する垂直スリット９８を有することができる。垂直スリット９８は、締め具８２を収容するようにサイズ決めされている。
スポンジホルダは、金属またはプラスチックで作ることができる。例えば、スポンジホルダは、スチール、アルミニウム、高密度ポリエチレン、または複合材料とすることができる。
スポンジ５４は、マジックテープ式固定具によってスポンジホルダ５２に取り外し可能に取り付けることができる。マジックテープ式固定具の半分は、接着剤によって外面６４に取り付けられている。マジックテープ式固定具の他の半分は、接着剤によってスポンジ５４に取り付けられている。スポンジ５４は、乾燥スポンジまたは湿潤スポンジとすることができる。乾燥スポンジは、いかなる流体化学物質もスポンジに添加されていない。湿潤スポンジは、流体がスポンジに添加されている。湿潤スポンジを使用して、乾燥研磨液３６の蓄積を掻き落とすか、乾燥研磨液３６の蓄積を軟化させてほぐすか、またはプラテンシールドに化学物質を塗布することができる。例えば、化学物質をプラテンシールドに塗布して、さらなる乾燥研磨液３６の蓄積を低減または防止することができる。例えば、洗浄流体をスポンジに添加することができる。
プラテンシールド洗浄システム５０は、アダプタ６６とスポンジホルダ５２との間に介在して、スポンジ５４をプラテンシールド２６の内面３８に接触させるばね８０を含む。ばね８０は、アダプタ６６の凹部９６に嵌合する。ばね８０は、スポンジホルダ５２に結合し、圧縮ピン９４によって圧縮される。ばね８０は、恒久的に取り付けられるか、または取り外し可能に固定されてもよい。ばね８０は、例えば、溶接または接着によって恒久的に取り付けることができる。ばね８０は、ピンのような締め具８２によって取り外し可能に固定することができる。例えば、締め具８２は、コッタピンとすることができる。プラテンシールド洗浄システム５０は、ばね８０をアダプタ６６およびスポンジホルダ５２に保持するための締め具８２を含むことができる。ばね８０は、アダプタ６６の凹部９６に配置される。スポンジホルダ５４の圧縮ピン９４は、ばね８０に結合される。スポンジホルダ５４に力を加えて、ばね８０を凹部９６に圧入する。圧縮ピン９４の垂直スリット９８は、アダプタ６６のボイド１０４と位置合わせされる。コッタピン８２は、ボイド１０４および垂直スリット９８を貫いて配置され、ばね８０を捕捉する。
特に、アダプタ６６をプラテン２４に取り付けるために、プラグ６０は、プラテン２４の円筒形外面４４の凹部４２の内側に位置合わせされて配置される。次いで、アダプタ６６の背面１００がプラテン２４の外面４４に位置合わせされる。アダプタ凹部９２がプラグ６０に位置合わせされる。アダプタ凹部９２が凹部９２に結合される。アダプタ６６は、プラグ６０および凹部９２によって拘束されて垂直に摺動する。プラグ６０がラッチ機構５８のリッジ１０２に接触する。アダプタ６６は、動きが拘束される。スポンジホルダ５４が解放される。スポンジホルダ５４は、完全に伸びた位置に移動する。
図５は、プラテンシールドを洗浄する方法５００を示す。５０２では、スポンジとスポンジホルダとの間に介在する複数のばねが圧縮されて、スポンジとスポンジホルダを互いにより近づけるように移動させる。５０４では、スポンジおよびスポンジホルダがプラテンとプラテンシールドとの間の間隙に据え付けられる。５０６では、スポンジホルダ上のラッチが、プラテン上のプラグの上に配置される。５０８では、アダプタが回転するのを防止するために、プラテンの頂面に当接するように構成された支持フランジがプラテンの頂面に配置される。５１０では、スポンジとスポンジホルダとの間に介在する複数のばねが解放されて、スポンジとスポンジホルダを互いに遠ざけるように移動させる。５１２では、スポンジは、プラテンシールドと接触するように付勢される。５１４では、プラテンおよびプラテンと、スポンジホルダとは、スポンジとともにプラテンシールドと接触して回転する。スポンジは、乾燥スポンジまたは液体で湿らせた湿潤スポンジとすることができる。液体は、洗浄溶液または蓄積防止溶液とすることができる。
主題の特定の実施形態について説明した。他の実施形態は、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。
Claims (19)
- 回転可能なプラテンと、
前記プラテンを取り囲み、間隙によって前記プラテンから離間されたプラテンシールドと、
前記プラテンに取り付けられ、前記間隙に位置するスポンジホルダと、
前記スポンジホルダによって保持されたスポンジであって、前記スポンジの外面が前記プラテンシールドの内面に押し付けられるように保持された、スポンジと、
を備える、アセンブリ。 - 前記スポンジホルダが前記回転可能なプラテンに取り外し可能に固定されるように構成されたアダプタをさらに備え、前記アダプタが前記スポンジを前記プラテンシールドの前記内面に押し付けるように構成されている、請求項１に記載のアセンブリ。
- 前記アダプタがプラテンから延出するプラグに取り外し可能に固定されるように構成されたラッチをさらに備える、請求項２に記載のアセンブリ。
- 前記スポンジが複数のばねによって前記プラテンシールドの内面に押し付けられる、請求項３に記載のアセンブリ。
- 化学機械研磨システムのプラテンに取り外し可能に固定されるように構成されたアダプタと、
前記アダプタに接続され、スポンジを受け、前記プラテンを取り囲むプラテンシールドの内面に対して前記スポンジを保持するように構成された外面を有するスポンジホルダと、
を備える、プラテンシールド洗浄システム。 - 前記アダプタがプラテンから延出するプラグに取り外し可能に固定されるように構成されたラッチをさらに備える、請求項５に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 前記アダプタが、前記アダプタが回転するのを防止するために、前記プラテンの頂面に当接するように構成された支持フランジをさらに備える、請求項５に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 複数のばねが前記アダプタと前記スポンジホルダとの間に介在して、前記スポンジを前記プラテンシールドの前記内面に接触させる、請求項５に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 複数のコッタピンが前記複数のばねを前記アダプタおよび前記スポンジホルダに保持する、請求項６に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 前記スポンジホルダに結合されたスポンジをさらに備える、請求項６に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 前記スポンジが、マジックテープ式固定具によって前記スポンジホルダに結合されている、請求項１０に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 前記スポンジが乾燥スポンジである、請求項１０に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- 前記スポンジが湿潤スポンジである、請求項１０に記載のプラテンシールド洗浄システム。
- プラテンとプラテンシールドとの間の間隙にスポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップと、
前記スポンジを前記プラテンシールドに接触させるステップと、
前記スポンジを前記プラテンシールドに接触させて、前記プラテンおよび前記プラテンと、前記スポンジホルダと、前記スポンジとを回転させるステップと、
を含む、プラテンシールド洗浄方法。 - 前記プラテンと前記プラテンシールドとの間の前記間隙に前記スポンジおよび前記スポンジホルダを取り付けるステップが、
前記スポンジと前記スポンジホルダとの間に介在する複数のばねを圧縮して、前記スポンジと前記スポンジホルダを互いにより近づけるステップと、
前記スポンジと前記スポンジホルダとの間に介在する前記複数のばねを解放して、前記スポンジと前記スポンジホルダを互いに遠ざけるステップと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。 - 前記プラテンと前記プラテンシールドとの間の前記間隙に前記スポンジおよび前記スポンジホルダを取り付けるステップが、前記プラテン上のプラグの上に前記スポンジホルダ上のラッチを配置するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
- プラテンとプラテンシールドとの間の間隙にスポンジおよびスポンジホルダを据え付けるステップが、前記アダプタが回転するのを防止するために、前記プラテンの頂面に当接するように構成された支持フランジを配置するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
- 前記プラテンシールドを乾燥スポンジで擦るステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
- 洗浄溶液を含む湿潤スポンジで前記プラテンシールドを湿らせるステップと、
前記湿潤スポンジで前記プラテンシールドを擦るステップと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/909,947 US11545371B2 (en) | 2020-06-23 | 2020-06-23 | Platen shield cleaning system |
| US16/909,947 | 2020-06-23 | ||
| PCT/US2021/038296 WO2021262612A1 (en) | 2020-06-23 | 2021-06-21 | Platen shield cleaning system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023532659A true JP2023532659A (ja) | 2023-07-31 |
Family
ID=79022970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022580033A Pending JP2023532659A (ja) | 2020-06-23 | 2021-06-21 | プラテンシールド洗浄システム |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11545371B2 (ja) |
| EP (1) | EP4168211A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023532659A (ja) |
| KR (1) | KR20230009981A (ja) |
| CN (1) | CN115702062A (ja) |
| TW (1) | TWI797649B (ja) |
| WO (1) | WO2021262612A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11545371B2 (en) | 2020-06-23 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Platen shield cleaning system |
| CN115174773B (zh) * | 2022-06-28 | 2024-01-23 | 威海市纵横材料科技有限公司 | 新材料研发生产的表面处理深度拍照式记录装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
| US6206760B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preventing particle contamination in a polishing machine |
| JP3708740B2 (ja) | 1999-03-15 | 2005-10-19 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
| JP4642183B2 (ja) | 2000-05-09 | 2011-03-02 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置 |
| KR20050063346A (ko) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 화학기계적연마공정의 슬러리 세척장치 |
| JP2006229100A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5222759B2 (ja) | 2009-03-03 | 2013-06-26 | セイコーエプソン株式会社 | 流体噴射装置及び流体噴射装置のクリーニング方法 |
| CN104985523B (zh) | 2015-06-16 | 2017-07-21 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 易碎空心微球抛光机及抛光方法 |
| US20190299360A1 (en) | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and substrate processing apparatus |
| US11545371B2 (en) | 2020-06-23 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Platen shield cleaning system |
-
2020
- 2020-06-23 US US16/909,947 patent/US11545371B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-21 CN CN202180044398.7A patent/CN115702062A/zh active Pending
- 2021-06-21 JP JP2022580033A patent/JP2023532659A/ja active Pending
- 2021-06-21 EP EP21829046.8A patent/EP4168211A1/en active Pending
- 2021-06-21 WO PCT/US2021/038296 patent/WO2021262612A1/en unknown
- 2021-06-21 KR KR1020227043725A patent/KR20230009981A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-06-23 TW TW110122936A patent/TWI797649B/zh active
-
2022
- 2022-12-29 US US18/091,309 patent/US11756804B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210394540A1 (en) | 2021-12-23 |
| KR20230009981A (ko) | 2023-01-17 |
| EP4168211A1 (en) | 2023-04-26 |
| US20230146929A1 (en) | 2023-05-11 |
| US11545371B2 (en) | 2023-01-03 |
| CN115702062A (zh) | 2023-02-14 |
| TW202212005A (zh) | 2022-04-01 |
| TWI797649B (zh) | 2023-04-01 |
| US11756804B2 (en) | 2023-09-12 |
| WO2021262612A1 (en) | 2021-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11756804B2 (en) | Platen shield cleaning system | |
| US5902173A (en) | Polishing machine with efficient polishing and dressing | |
| US7601050B2 (en) | Polishing apparatus with grooved subpad | |
| KR100566787B1 (ko) | 반도체의연마방법및장치 | |
| US6193587B1 (en) | Apparatus and method for cleansing a polishing pad | |
| US20080138987A1 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
| KR100773190B1 (ko) | 가동 연마 시트를 이용한 화학 기계 연마 장치 및 방법 | |
| US20230278165A1 (en) | Pad conditioner cleaning system | |
| JPH10202507A (ja) | 化学機械的研磨（ｃｍｐ）装置及びこれを利用した化学機械的研磨方法 | |
| KR100546288B1 (ko) | 화학 기계적 폴리싱 장치 | |
| US6520841B2 (en) | Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet | |
| KR200205180Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마장치의 패드 컨디셔너 | |
| EP1111659A2 (en) | Apparatus and methods of chemical mechanical polishing | |
| KR100868648B1 (ko) | 씨엠피 장비의 연마장치 | |
| KR20050070418A (ko) | 화학기계적연마 장비용 다층구조의 폴리싱패드 | |
| KR20050056456A (ko) | 화학기계적 연마장치 | |
| KR20010107057A (ko) | 대구경용 화학 기계적 연마 장치 및 그를 이용한 화학기계적 연마 방법 | |
| KR20050067587A (ko) | 화학적 기계적 연마 장비의 패드 컨디셔너 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221223 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240423 |