JPH10200142A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH10200142A JPH10200142A JP9003091A JP309197A JPH10200142A JP H10200142 A JPH10200142 A JP H10200142A JP 9003091 A JP9003091 A JP 9003091A JP 309197 A JP309197 A JP 309197A JP H10200142 A JPH10200142 A JP H10200142A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高性能な太陽電池を歩留まりよく製造する方
法を提供する。 【解決手段】 ＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造において、
ＣＩＳ系薄膜／バッファー層、及び、ＣＩＳ系薄膜／バ
ッファー層／ＴＯＣ（透明導電膜）の少なくとも一方を
高速で回転するエンドミルによりパターニングする。そ
の際、エンドミルの回転速度は、好適には、１〜５万
ｒ.ｐ.ｍとし、また、エンドミルの刃先の高さ方向及び
刃先の加重を制御する。
法を提供する。 【解決手段】 ＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造において、
ＣＩＳ系薄膜／バッファー層、及び、ＣＩＳ系薄膜／バ
ッファー層／ＴＯＣ（透明導電膜）の少なくとも一方を
高速で回転するエンドミルによりパターニングする。そ
の際、エンドミルの回転速度は、好適には、１〜５万
ｒ.ｐ.ｍとし、また、エンドミルの刃先の高さ方向及び
刃先の加重を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高性能なＣＩＳ型
太陽電池を歩留まりよく製造する方法に関する。
太陽電池を歩留まりよく製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 ）系化合物半導
体を有する太陽電池は、ＣＩＳ型太陽電池として斯界で
知られている。
体を有する太陽電池は、ＣＩＳ型太陽電池として斯界で
知られている。
【０００３】図５（ａ）〜（ｆ）は、従来の太陽電池の
製造方法の一例を示す主要工程の概略断面図である。図
６は、従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／Ｃ
ｄＳ膜をパターニングする工程の説明図であって、
（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、（ｂ）
は、パターニング後の表面を示す平面図であり、（ｃ）
は、その断面を示す概略断面である。図７は、従来の太
陽電池の製造方法におけるＺｎＯ膜を製膜する工程で形
成されたＺｎＯ膜の断面を示す概略断面図である。図８
は、従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／Ｃｄ
Ｓ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の説明図であっ
て、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、
（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であり、
（ｃ）は、その断面を示す概略断面図である。
製造方法の一例を示す主要工程の概略断面図である。図
６は、従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／Ｃ
ｄＳ膜をパターニングする工程の説明図であって、
（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、（ｂ）
は、パターニング後の表面を示す平面図であり、（ｃ）
は、その断面を示す概略断面である。図７は、従来の太
陽電池の製造方法におけるＺｎＯ膜を製膜する工程で形
成されたＺｎＯ膜の断面を示す概略断面図である。図８
は、従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／Ｃｄ
Ｓ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の説明図であっ
て、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、
（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であり、
（ｃ）は、その断面を示す概略断面図である。
【０００４】従来、ＣＩＳ型太陽電池は、図５（ａ）〜
（ｆ）に示されるような各工程を順次経て製造されてい
る。
（ｆ）に示されるような各工程を順次経て製造されてい
る。
【０００５】即ち、従来のＣＩＳ型太陽電池は、例え
ば、基板上１にＭｏ膜２を形成する工程［図５
（ａ）］、Ｍｏ膜２をパターニングする工程［図５
（ｂ）］、基板１／Ｍｏ膜２上にＣＩＳ薄膜３及びＣｄ
Ｓ膜４を順次形成する工程［図５（ｃ）］、ＣＩＳ膜３
／ＣｄＳ膜４をパターニングする工程［５図（ｄ）］、
ＺｎＯ膜５を製膜する工程［図５（ｅ）］、及び、ＣＩ
Ｓ薄膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５をパターニングする
工程［図５（ｆ）］の各工程図を順次経て製造されてい
る。
ば、基板上１にＭｏ膜２を形成する工程［図５
（ａ）］、Ｍｏ膜２をパターニングする工程［図５
（ｂ）］、基板１／Ｍｏ膜２上にＣＩＳ薄膜３及びＣｄ
Ｓ膜４を順次形成する工程［図５（ｃ）］、ＣＩＳ膜３
／ＣｄＳ膜４をパターニングする工程［５図（ｄ）］、
ＺｎＯ膜５を製膜する工程［図５（ｅ）］、及び、ＣＩ
Ｓ薄膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５をパターニングする
工程［図５（ｆ）］の各工程図を順次経て製造されてい
る。
【０００６】上記工程［図５（ｂ）］のＭｏ膜２のパタ
ーニングは、上記工程［図５（ａ）］で製膜されたＭｏ
膜２をレーザースクライブ法を用いて行われる。なお、
Ｍｏ膜２のパターニングは、予め、上記工程［５図
（ａ）］の成膜時にマスクを用いても行うことができ
る。
ーニングは、上記工程［図５（ａ）］で製膜されたＭｏ
膜２をレーザースクライブ法を用いて行われる。なお、
Ｍｏ膜２のパターニングは、予め、上記工程［５図
（ａ）］の成膜時にマスクを用いても行うことができ
る。
【０００７】上記工程［図５（ｄ）］のＣＩＳ膜３／Ｃ
ｄＳ膜４のパターニング及び上記工程［図５（ｆ）］の
ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５のパターニング
は、図６（ａ）及び図８（ａ）に示されるように、固定
刃３０を用いたメカニカルスクライブ法により行われて
いる。
ｄＳ膜４のパターニング及び上記工程［図５（ｆ）］の
ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５のパターニング
は、図６（ａ）及び図８（ａ）に示されるように、固定
刃３０を用いたメカニカルスクライブ法により行われて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記工程［図５
（ｄ）］のＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４の積層膜のメカニカ
ルスクライブ法によるパターニングにおいては、加工
時の応力により図６（ｂ）及び（ｃ）に示されるような
積層膜の膜割れ及び剥離が発生し、これらが図７に示す
ような次工程［図５（ｅ）］のＺｎＯ膜５の成膜不良に
よる接触不良を起こすこと、ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４
の積層膜を完全に除去できないことによりショートや断
線を起こすこと、図６（ｃ）に示されるようなＣＩＳ
又はＭｏＳｅX が残留してＺｎＯ膜とＭｏ膜との接触面
の抵抗が増加すること等の問題がある。
（ｄ）］のＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４の積層膜のメカニカ
ルスクライブ法によるパターニングにおいては、加工
時の応力により図６（ｂ）及び（ｃ）に示されるような
積層膜の膜割れ及び剥離が発生し、これらが図７に示す
ような次工程［図５（ｅ）］のＺｎＯ膜５の成膜不良に
よる接触不良を起こすこと、ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４
の積層膜を完全に除去できないことによりショートや断
線を起こすこと、図６（ｃ）に示されるようなＣＩＳ
又はＭｏＳｅX が残留してＺｎＯ膜とＭｏ膜との接触面
の抵抗が増加すること等の問題がある。
【０００９】また、上記工程［図５（ｆ）］のＣＩＳ膜
３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５の積層膜のメカニカルスク
ライブ法によるパターニングにおいては、加工時の応
力により図８（ｂ）及び（ｃ）に示されるような積層膜
の膜割れ及び剥離が発生し、これらが図８（ｂ）に示す
ような接触部分の破壊を起こすこと、図８（ｃ）に示
すようにＣＩＳ膜３又はＭｏＳｅX がＭｏ膜２の表面に
残留するため上記、に示すような接続不良が発生
し、その結果、セルを複数接続した際に生じる直列抵抗
の増大によって、太陽電池の性能低下が起こってしまう
こと等の問題がある。
３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５の積層膜のメカニカルスク
ライブ法によるパターニングにおいては、加工時の応
力により図８（ｂ）及び（ｃ）に示されるような積層膜
の膜割れ及び剥離が発生し、これらが図８（ｂ）に示す
ような接触部分の破壊を起こすこと、図８（ｃ）に示
すようにＣＩＳ膜３又はＭｏＳｅX がＭｏ膜２の表面に
残留するため上記、に示すような接続不良が発生
し、その結果、セルを複数接続した際に生じる直列抵抗
の増大によって、太陽電池の性能低下が起こってしまう
こと等の問題がある。
【００１０】上記の問題により、従来の太陽電池の製造
方法では、歩留まりが悪く、高性能な太陽電池を製作で
きない。
方法では、歩留まりが悪く、高性能な太陽電池を製作で
きない。
【００１１】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、高性能な太陽電池を部
留まりよく製造する方法を提供することを目的とする。
的としている。即ち、本発明は、高性能な太陽電池を部
留まりよく製造する方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本第１発明は、ＣＩＳ系
薄膜太陽電池の製造において、ＣＩＳ系薄膜／バッファ
ー層、及び、ＣＩＳ系薄膜／バッファー層／ＴＯＣ（透
明導電膜）の少なくとも一方を高速で回転するエンドミ
ルによりパターニングすることを特徴としている。
薄膜太陽電池の製造において、ＣＩＳ系薄膜／バッファ
ー層、及び、ＣＩＳ系薄膜／バッファー層／ＴＯＣ（透
明導電膜）の少なくとも一方を高速で回転するエンドミ
ルによりパターニングすることを特徴としている。
【００１３】本第２発明は、第１発明において、ＣＩＳ
系薄膜がＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＧａＳｅ2、ＣｕＩｎ
Ｓ2、ＣｕＩｎ（ＳＳｅ）2、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（ＳＳ
ｅ）2及びＣｕＩｎＧａＳ2 から選ばれ、バッファー層
がＣｄＳ、ＩｎxＳｅy 、ＺｎＳｅ及びＩｎx（ＯＨ）y
から選ばれ、そして、ＴＣＯがＺｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、
ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれることを特徴
としている。
系薄膜がＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＧａＳｅ2、ＣｕＩｎ
Ｓ2、ＣｕＩｎ（ＳＳｅ）2、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（ＳＳ
ｅ）2及びＣｕＩｎＧａＳ2 から選ばれ、バッファー層
がＣｄＳ、ＩｎxＳｅy 、ＺｎＳｅ及びＩｎx（ＯＨ）y
から選ばれ、そして、ＴＣＯがＺｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、
ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から選ばれることを特徴
としている。
【００１４】本第３発明は、第１又は２発明において、
エンドミルの回転速度を１〜５万ｒ.ｐ.ｍとすることを
特徴としている。
エンドミルの回転速度を１〜５万ｒ.ｐ.ｍとすることを
特徴としている。
【００１５】第４発明は、第１、２又は３発明におい
て、エンドミルの刃先の高さ方向及び刃先の加重を制御
することを特徴としている。
て、エンドミルの刃先の高さ方向及び刃先の加重を制御
することを特徴としている。
【００１６】本発明において用いられる基板は、例え
ば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目的に反し
ないかぎり、従来太陽電池の製造において用いられてい
る、セラミック基板、金属等のいかなる基板をも用いる
ことができる。
ば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目的に反し
ないかぎり、従来太陽電池の製造において用いられてい
る、セラミック基板、金属等のいかなる基板をも用いる
ことができる。
【００１７】本発明においては、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ
2 ）系化合物半導体によるＣＩＳ膜は、例えば、ガラス
基板上にＭｏ膜をスパッタによって作成し、次に、Ｉｎ
あるいはＩｎ−Ｓｅ化合物とＣｕあるいはＣｕ−Ｓｅ化
合物を真空蒸着によって順次成膜した後、Ｓｅ蒸気雰囲
気中にて加熱処理して形成される。
2 ）系化合物半導体によるＣＩＳ膜は、例えば、ガラス
基板上にＭｏ膜をスパッタによって作成し、次に、Ｉｎ
あるいはＩｎ−Ｓｅ化合物とＣｕあるいはＣｕ−Ｓｅ化
合物を真空蒸着によって順次成膜した後、Ｓｅ蒸気雰囲
気中にて加熱処理して形成される。
【００１８】また、本発明においては、ＣｄＳ膜は、溶
液成長法又は真空蒸着法により形成され、ＺｎＯ膜は、
スパッタにより形成される。
液成長法又は真空蒸着法により形成され、ＺｎＯ膜は、
スパッタにより形成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の太陽電池の製造方
法を図１〜３及び上記図５に基づいて説明する。
法を図１〜３及び上記図５に基づいて説明する。
【００２０】図１は、本発明の太陽電池の製造方法にお
けるＣＩＳ膜／ＣｄＳ膜をパターニングする工程の一例
を示す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の
斜視図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す
平面図であり、そして、図１（ｃ）は、その断面を示す
概略断面図である。図２は、本発明の太陽電池の製造方
法におけるＺｎＯ膜を製膜する工程の一例を示す説明図
であって、（ａ）は、製膜後の表面を示す平面図であ
り、そして、（ｂ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。図３は、本発明太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ
膜／ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の一例
を示す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の
斜視図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す
平面図であり、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図で
ある。図４は、本発明により製造された太陽電池（Ａ）
及び従来の太陽電池（Ｂ）のＩ−Ｖ特性を示す図であ
る。
けるＣＩＳ膜／ＣｄＳ膜をパターニングする工程の一例
を示す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の
斜視図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す
平面図であり、そして、図１（ｃ）は、その断面を示す
概略断面図である。図２は、本発明の太陽電池の製造方
法におけるＺｎＯ膜を製膜する工程の一例を示す説明図
であって、（ａ）は、製膜後の表面を示す平面図であ
り、そして、（ｂ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。図３は、本発明太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ
膜／ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の一例
を示す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の
斜視図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す
平面図であり、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図で
ある。図４は、本発明により製造された太陽電池（Ａ）
及び従来の太陽電池（Ｂ）のＩ−Ｖ特性を示す図であ
る。
【００２１】図５（ａ）に示すように、基板上１にＭｏ
膜２をスパッタリングによって１〜２μに堆積させる。
その後、図５（ｂ）に示すように、Ｍｏ膜２を紫外線領
域の短い波長を有するレーザであるエキシマレーザによ
るレーザスクライブ法によりパターニングし、短冊状の
Ｍｏ膜２（電極層）を形成する。次に、図５（ｃ）に示
すように、基板１／Ｍｏ膜２上にＰ型のＣＩＳ（ＣｕＩ
ｎＳｅ2 ）膜３及びＮ型のＣｄＳ膜４をスパッタリン
グ、溶液成長法、真空蒸着法等により順次形成する。
膜２をスパッタリングによって１〜２μに堆積させる。
その後、図５（ｂ）に示すように、Ｍｏ膜２を紫外線領
域の短い波長を有するレーザであるエキシマレーザによ
るレーザスクライブ法によりパターニングし、短冊状の
Ｍｏ膜２（電極層）を形成する。次に、図５（ｃ）に示
すように、基板１／Ｍｏ膜２上にＰ型のＣＩＳ（ＣｕＩ
ｎＳｅ2 ）膜３及びＮ型のＣｄＳ膜４をスパッタリン
グ、溶液成長法、真空蒸着法等により順次形成する。
【００２２】このように形成されたＣＩＳ膜３／ＣｄＳ
膜４を図１（ａ）に示すように回転速度１〜５万ｒ.ｐ.
ｍのエンドミル１０を用いてパターニングする。続い
て、図５（ｅ）に示すように、Ｎ型の透明電極であるＺ
ｎＯ膜５をスパッタリングにより製膜する。その後、図
３（ａ）に示すように、ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４／Ｚｎ
Ｏ膜５を回転速度１〜５万ｒ.ｐ.ｍのエンドミル１０を
用いてパターニングして、溝６を形成することにより、
各短冊状Ｍｏ膜（電極）２の表面を露呈させて光起電力
発生層の各ユニットに分離させる。続いて、各ユニット
が直列接続されて化合物半導体薄膜による太陽電池が形
成される。
膜４を図１（ａ）に示すように回転速度１〜５万ｒ.ｐ.
ｍのエンドミル１０を用いてパターニングする。続い
て、図５（ｅ）に示すように、Ｎ型の透明電極であるＺ
ｎＯ膜５をスパッタリングにより製膜する。その後、図
３（ａ）に示すように、ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜４／Ｚｎ
Ｏ膜５を回転速度１〜５万ｒ.ｐ.ｍのエンドミル１０を
用いてパターニングして、溝６を形成することにより、
各短冊状Ｍｏ膜（電極）２の表面を露呈させて光起電力
発生層の各ユニットに分離させる。続いて、各ユニット
が直列接続されて化合物半導体薄膜による太陽電池が形
成される。
【００２３】本発明では、上述のようにＣＩＳ膜３／Ｃ
ｄＳ膜４を高速で回転するエンドミルによりパターニン
グするので、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、固
定刃による加工後の表面に従来生じていた膜割れ及び膜
全体の剥離［図６（ｂ）、（ｃ）参照］がないし、ま
た、図１（ｃ）に示すように、従来生じていたＣＩＳ及
びＭｏＳｅX の残留［図６（ｂ）、（ｃ）参照］がな
い。そのために、図２（ａ）、（ｂ）に示されるよう
に、ＺｎＯ膜５の製膜不良がなく、また、良好なＺｎＯ
膜５とＭｏ膜２との接触が可能となる。
ｄＳ膜４を高速で回転するエンドミルによりパターニン
グするので、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、固
定刃による加工後の表面に従来生じていた膜割れ及び膜
全体の剥離［図６（ｂ）、（ｃ）参照］がないし、ま
た、図１（ｃ）に示すように、従来生じていたＣＩＳ及
びＭｏＳｅX の残留［図６（ｂ）、（ｃ）参照］がな
い。そのために、図２（ａ）、（ｂ）に示されるよう
に、ＺｎＯ膜５の製膜不良がなく、また、良好なＺｎＯ
膜５とＭｏ膜２との接触が可能となる。
【００２４】そして、本発明では、上述のようにＣＩＳ
膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５を高速で回転するエンド
ミルによりパターニングするので、図３（ｂ）、（ｃ）
に示されるように、固定刃による加工後の表面に従来生
じていた膜割れ及び膜全体の剥離［図８（ｂ）、（ｃ）
参照］がないし、また、図３（ｃ）に示すように、従来
生じていたＣＩＳ及びＭｏＳｅX の残留［図８（ｂ）、
（ｃ）参照］がない。
膜３／ＣｄＳ膜４／ＺｎＯ膜５を高速で回転するエンド
ミルによりパターニングするので、図３（ｂ）、（ｃ）
に示されるように、固定刃による加工後の表面に従来生
じていた膜割れ及び膜全体の剥離［図８（ｂ）、（ｃ）
参照］がないし、また、図３（ｃ）に示すように、従来
生じていたＣＩＳ及びＭｏＳｅX の残留［図８（ｂ）、
（ｃ）参照］がない。
【００２５】また、上述のようにエンドミル１０により
パターニングした本発明による太陽電池（Ａ）及び固定
刃３０によりパターニングした従来技術による太陽電池
（Ｂ）のＩ−Ｖ特性は、図４に示される。さらに、解放
電圧（Voc ）、短絡電流（lsc ）、曲線因子（FF）及び
エネルギー変換効率（η）は、次の表１に示される。
パターニングした本発明による太陽電池（Ａ）及び固定
刃３０によりパターニングした従来技術による太陽電池
（Ｂ）のＩ−Ｖ特性は、図４に示される。さらに、解放
電圧（Voc ）、短絡電流（lsc ）、曲線因子（FF）及び
エネルギー変換効率（η）は、次の表１に示される。
【００２６】
【表１】
【００２７】図４及び表１から明らかなように、本発明
による太陽電池（Ａ）は、従来技術による太陽電池
（Ｂ）と比べて、全ての特性において向上している。
による太陽電池（Ａ）は、従来技術による太陽電池
（Ｂ）と比べて、全ての特性において向上している。
【００２８】
【発明の効果】ＣＩＳ膜３／ＣｄＳ膜、及び、ＣＩＳ薄
膜／ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜の膜割れ並びに膜全体の剥離が
なく、また、ＣＩＳ及びＭｏＳｅX の残留もないので、
ＺｎＯ膜の成膜不良がなく、また、各ユニットセルの直
列接続不良がなくなる。そのために、高性能な太陽電池
を歩留まりよく製造する方法を提供することができる。
膜／ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜の膜割れ並びに膜全体の剥離が
なく、また、ＣＩＳ及びＭｏＳｅX の残留もないので、
ＺｎＯ膜の成膜不良がなく、また、各ユニットセルの直
列接続不良がなくなる。そのために、高性能な太陽電池
を歩留まりよく製造する方法を提供することができる。
【図１】本発明の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜
／ＣｄＳ膜をパターニングする工程の一例を示す説明図
であって、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であ
り、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であ
り、そして、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。
／ＣｄＳ膜をパターニングする工程の一例を示す説明図
であって、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であ
り、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であ
り、そして、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。
【図２】本発明の太陽電池の製造方法におけるＺｎＯ膜
を製膜する工程の一例を示す説明図であって、（ａ）
は、製膜後の表面を示す平面図であり、そして、（ｂ）
は、その断面を示す概略断面図である。
を製膜する工程の一例を示す説明図であって、（ａ）
は、製膜後の表面を示す平面図であり、そして、（ｂ）
は、その断面を示す概略断面図である。
【図３】本発明太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／
ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の一例を示
す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の斜視
図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面
図であり、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。
ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の一例を示
す説明図であって、（ａ）は、パターニング工程の斜視
図であり、（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面
図であり、（ｃ）は、その断面を示す概略断面図であ
る。
【図４】本発明により製造された太陽電池（Ａ）及び従
来の太陽電池（Ｂ）のＩ−Ｖ特性を示す図である。
来の太陽電池（Ｂ）のＩ−Ｖ特性を示す図である。
【図５】従来の太陽電池の製造方法の一例を示す主要工
程の概略断面図である。
程の概略断面図である。
【図６】従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／
ＣｄＳ膜をパターニングする工程の説明図であって、
（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、（ｂ）
は、パターニング後の表面を示す平面図であり、（ｃ）
は、その断面を示す概略断面である。
ＣｄＳ膜をパターニングする工程の説明図であって、
（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、（ｂ）
は、パターニング後の表面を示す平面図であり、（ｃ）
は、その断面を示す概略断面である。
【図７】従来の太陽電池の製造方法におけるＺｎＯ膜を
製膜する工程で形成されるＺｎＯ膜の断面を示す概略断
面図である。
製膜する工程で形成されるＺｎＯ膜の断面を示す概略断
面図である。
【図８】従来の太陽電池の製造方法におけるＣＩＳ膜／
ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の説明図で
あって、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、
（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であり、
（ｃ）は、その断面を示す概略断面図である。
ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜をパターニングする工程の説明図で
あって、（ａ）は、パターニング工程の斜視図であり、
（ｂ）は、パターニング後の表面を示す平面図であり、
（ｃ）は、その断面を示す概略断面図である。
１ 基板 ２ Ｍｏ膜 ３ ＣＩＳ膜 ４ ＣｄＳ膜 ５ ＺｎＯ膜 ６ 溝 １０ エンドミル ３０ 固定刃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神谷 武志 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 望月 紀雄 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中川 伸一 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中村 真砂美 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 鈴木 和枝 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造において、
ＣＩＳ系薄膜／バッファー層、及び、ＣＩＳ系薄膜／バ
ッファー層／ＴＯＣ（透明導電膜）の少なくとも一方を
高速で回転するエンドミルによりパターニングすること
を特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 ＣＩＳ系薄膜がＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩ
ｎＧａＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＩｎ（ＳＳｅ）2、Ｃ
ｕ（ＩｎＧａ）（ＳＳｅ）2 及びＣｕＩｎＧａＳ2 から
選ばれ、バッファー層がＣｄＳ、ＩｎxＳｅy 、ＺｎＳ
ｅ及びＩｎx（ＯＨ）y から選ばれ、そして、ＴＣＯが
ＺｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2
から選ばれることを特徴とする請求項１記載の太陽電池
の製造方法。 - 【請求項３】 エンドミルの回転速度が１〜５万ｒ.ｐ.
ｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の太陽電
池の製造方法。 - 【請求項４】 エンドミルの刃先の高さ方向及び刃先の
加重を制御することを特徴とする請求項１、２又は３記
載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9003091A JPH10200142A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9003091A JPH10200142A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10200142A true JPH10200142A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11547683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9003091A Withdrawn JPH10200142A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10200142A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064693A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Showa Shell Sekiyu K.K. | 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 |
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-
1997
- 1997-01-10 JP JP9003091A patent/JPH10200142A/ja not_active Withdrawn
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| JPWO2013031453A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
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|---|---|---|---|
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