JPH10199869A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH10199869A JPH10199869A JP9013402A JP1340297A JPH10199869A JP H10199869 A JPH10199869 A JP H10199869A JP 9013402 A JP9013402 A JP 9013402A JP 1340297 A JP1340297 A JP 1340297A JP H10199869 A JPH10199869 A JP H10199869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- plasma
- processing
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 88
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 85
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 31
- 238000010792 warming Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000007059 acute toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000403 acute toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 2
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- ZVJOQYFQSQJDDX-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3,4,4,4-octafluorobut-1-ene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZVJOQYFQSQJDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVHWOZCZUNPZPW-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4-hexafluorocyclobutene Chemical compound FC1=C(F)C(F)(F)C1(F)F QVHWOZCZUNPZPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温室効果による地球の温暖化に寄与せず，か
つエッチング特性が高いドライエッチング方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明によれば，ガス供給源１５２，１
５４，１５６からそれぞれに対応するＡｒ，Ｏ2，Ｃ3Ｆ
6を，それぞれに対応するマスフローコントローラＭＦ
Ｃ１４６，１４８，１５０及びバルブ１４０，１４２，
１４４によって所定の流量に調整した後混合し，この混
合ガスをガス導入管１３８，ガス導入口１３４，空間部
１３０及び貫通孔１２４ａからウェハＷ上に導入する。
その際，混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．
１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定され，Ｃ3Ｆ6の分圧が
０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒに設定される。
つエッチング特性が高いドライエッチング方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明によれば，ガス供給源１５２，１
５４，１５６からそれぞれに対応するＡｒ，Ｏ2，Ｃ3Ｆ
6を，それぞれに対応するマスフローコントローラＭＦ
Ｃ１４６，１４８，１５０及びバルブ１４０，１４２，
１４４によって所定の流量に調整した後混合し，この混
合ガスをガス導入管１３８，ガス導入口１３４，空間部
１３０及び貫通孔１２４ａからウェハＷ上に導入する。
その際，混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．
１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定され，Ｃ3Ｆ6の分圧が
０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒに設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ドライエッチング
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，被処理体を気密な処理室内に
載置し，所定の処理ガスの導入及び真空引きにより処理
室内を所定の減圧雰囲気にした後，例えば処理室内に形
成された電極に対して所定の高周波電力を印加すること
によりプラズマを励起し，このプラズマ中のエッチャン
トイオンによって，被処理体に対してエッチング処理を
施す，ドライエッチング方法が提案されている。
載置し，所定の処理ガスの導入及び真空引きにより処理
室内を所定の減圧雰囲気にした後，例えば処理室内に形
成された電極に対して所定の高周波電力を印加すること
によりプラズマを励起し，このプラズマ中のエッチャン
トイオンによって，被処理体に対してエッチング処理を
施す，ドライエッチング方法が提案されている。
【０００３】かかるエッチング方法において，被処理
体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）の被処理面に形成された酸化シリコン系材料層，
例えばシリコン酸化膜（以下，「ＳｉＯ2膜」とす
る。）に対してエッチング処理を施す場合に使用される
処理ガスとしては，例えばＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ
−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等が用いられている。これらのガス
類は，不燃性，低毒性，低反応性であり，取り扱う上で
安全性が高いことが知られている。
体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）の被処理面に形成された酸化シリコン系材料層，
例えばシリコン酸化膜（以下，「ＳｉＯ2膜」とす
る。）に対してエッチング処理を施す場合に使用される
処理ガスとしては，例えばＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ
−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等が用いられている。これらのガス
類は，不燃性，低毒性，低反応性であり，取り扱う上で
安全性が高いことが知られている。
【０００４】さらに，最近の半導体デバイスの超微細化
に対応すべく，これらＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4
Ｆ8，ＣＨＦ3等のガス類の中でも，特に選択性や微細加
工性に優れるｃ−Ｃ4Ｆ8が注目されている。例えば，
“ＵＬＳＩドライエッチング技術フォーラム‘９６，１
９９６年５月２１日開催”においては，高密度プラズマ
源では，高Ｃ／Ｆ比のガスであるｃ−Ｃ4Ｆ8が，異方性
・選択性を両立する処理ガスとして有効であると報告し
ている。
に対応すべく，これらＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4
Ｆ8，ＣＨＦ3等のガス類の中でも，特に選択性や微細加
工性に優れるｃ−Ｃ4Ｆ8が注目されている。例えば，
“ＵＬＳＩドライエッチング技術フォーラム‘９６，１
９９６年５月２１日開催”においては，高密度プラズマ
源では，高Ｃ／Ｆ比のガスであるｃ−Ｃ4Ｆ8が，異方性
・選択性を両立する処理ガスとして有効であると報告し
ている。
【０００５】ところで，処理室内に導入された処理ガス
が，処理に寄与しなかった場合には，処理ガスはそのま
ま大気中に放出されている。そして，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，
Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等は，赤外線吸収力があ
ると共に，“ＣｌｉｍａｔｅＣｈａｎｇｅ １９９５，
ＩＰＣＣ， Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖ． Ｐｒ
ｅｓｓ”によれば，上記ガス類は，大気中に放出された
場合，非常に安定で分解され難く，大気寿命が２，６０
０〜５０，０００年と非常に長いため，温室効果が非常
に長く持続する地球温暖化の原因ガスであると指摘され
ている。
が，処理に寄与しなかった場合には，処理ガスはそのま
ま大気中に放出されている。そして，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，
Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等は，赤外線吸収力があ
ると共に，“ＣｌｉｍａｔｅＣｈａｎｇｅ １９９５，
ＩＰＣＣ， Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖ． Ｐｒ
ｅｓｓ”によれば，上記ガス類は，大気中に放出された
場合，非常に安定で分解され難く，大気寿命が２，６０
０〜５０，０００年と非常に長いため，温室効果が非常
に長く持続する地球温暖化の原因ガスであると指摘され
ている。
【０００６】また，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ
8，ＣＨＦ3等の大気寿命が長い理由としては，“Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ， Ｖｏｌ． ２５９， ８ Ｊａｎｕａｒｙ
１９９３”によれば，通常の化合物が大気中で受ける
ような，例えば加水分解や酸化分解や光分解等の反応が
一切起こらないうえ，大気中に局所的に存在する，例え
ばＯＨラジカル，Ｈラジカル，Ｏラジカル等とも，非常
に反応性が低いことが挙げられている。さらに，“１９
９６年７月１日付けの日経産業新聞”によれば，Ｃ
Ｆ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等による地
球温暖化問題に対策を講じる必要性があるが，現時点で
は対策が講じられていないことが報じられている。
8，ＣＨＦ3等の大気寿命が長い理由としては，“Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ， Ｖｏｌ． ２５９， ８ Ｊａｎｕａｒｙ
１９９３”によれば，通常の化合物が大気中で受ける
ような，例えば加水分解や酸化分解や光分解等の反応が
一切起こらないうえ，大気中に局所的に存在する，例え
ばＯＨラジカル，Ｈラジカル，Ｏラジカル等とも，非常
に反応性が低いことが挙げられている。さらに，“１９
９６年７月１日付けの日経産業新聞”によれば，Ｃ
Ｆ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等による地
球温暖化問題に対策を講じる必要性があるが，現時点で
は対策が講じられていないことが報じられている。
【０００７】また，従来の低解離度プラズマ源における
ＳｉＯ2膜の処理ガスとしては，ＣＨＦ3が有効であっ
た。しかし，最近の半導体デバイスの超微細化に対応す
べく，エッチング処理に用いられるプラズマは，低圧力
化及び高密度化が図られている。その結果，低解離度プ
ラズマ源での放電解離ではＦ原子の生成が少なかったＣ
ＨＦ3を，高密度プラズマ源で使用すると，高いガス分
解効率により多量のＦ原子を生じてしまう。さらに，高
密度プラズマ源でＣＨＦ3を使用した場合には，対Ｓｉ
選択比や対レジスト選択比が下がってしまうため，超微
細加工が要求される半導体デバイス，すなわちＳｉＯ2
膜のエッチング処理には適さないと，“ＵＬＳＩドライ
エッチング技術フォーラム‘９６，１９９６年５月２１
日開催”で指摘されている。
ＳｉＯ2膜の処理ガスとしては，ＣＨＦ3が有効であっ
た。しかし，最近の半導体デバイスの超微細化に対応す
べく，エッチング処理に用いられるプラズマは，低圧力
化及び高密度化が図られている。その結果，低解離度プ
ラズマ源での放電解離ではＦ原子の生成が少なかったＣ
ＨＦ3を，高密度プラズマ源で使用すると，高いガス分
解効率により多量のＦ原子を生じてしまう。さらに，高
密度プラズマ源でＣＨＦ3を使用した場合には，対Ｓｉ
選択比や対レジスト選択比が下がってしまうため，超微
細加工が要求される半導体デバイス，すなわちＳｉＯ2
膜のエッチング処理には適さないと，“ＵＬＳＩドライ
エッチング技術フォーラム‘９６，１９９６年５月２１
日開催”で指摘されている。
【０００８】そこで，地球の温暖化防止及び半導体デバ
イスの更なる微細加工の観点から，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3
Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等の代替ガスとして，例えば
同じＣＦ系のパーフルオロオレフィン類が考えられる。
しかしながら，パーフルオロオレフィン類は，取り扱い
が困難なものが多く，特にＣ2Ｆ4（パーフルオロエチレ
ン），ｃ−Ｃ4Ｆ6（パーフルオロシクロブテン），Ｃ4
Ｆ8（パーフルオロブテン）等は，取り扱いが非常に困
難である。例えばＣ2Ｆ4は，“１２３９４の化学商品，
化学工業日報社”によれば，引火性のガスであり，水分
や温度や鉄に非常に敏感で，爆発性の反応を生じる旨が
記載されている。また，ｃ−Ｃ4Ｆ6は，“フッ素の化合
物，講談社サイエンティフィック”によれば，毒ガスと
して知られているホスゲンの急性毒性（１時間暴露のＬ
Ｃ50が２０ｐｐｍ。）に匹敵する急性毒性があると記載
されている。さらに，同著によれば，Ｃ4Ｆ8に至って
は，ホスゲンの１０倍の急性毒性があると記載されてい
る。
イスの更なる微細加工の観点から，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3
Ｆ8，ｃ−Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3等の代替ガスとして，例えば
同じＣＦ系のパーフルオロオレフィン類が考えられる。
しかしながら，パーフルオロオレフィン類は，取り扱い
が困難なものが多く，特にＣ2Ｆ4（パーフルオロエチレ
ン），ｃ−Ｃ4Ｆ6（パーフルオロシクロブテン），Ｃ4
Ｆ8（パーフルオロブテン）等は，取り扱いが非常に困
難である。例えばＣ2Ｆ4は，“１２３９４の化学商品，
化学工業日報社”によれば，引火性のガスであり，水分
や温度や鉄に非常に敏感で，爆発性の反応を生じる旨が
記載されている。また，ｃ−Ｃ4Ｆ6は，“フッ素の化合
物，講談社サイエンティフィック”によれば，毒ガスと
して知られているホスゲンの急性毒性（１時間暴露のＬ
Ｃ50が２０ｐｐｍ。）に匹敵する急性毒性があると記載
されている。さらに，同著によれば，Ｃ4Ｆ8に至って
は，ホスゲンの１０倍の急性毒性があると記載されてい
る。
【０００９】しかしながら，“Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓａ
ｆｅｔｙ Ｄａｔａ Ｓｈｅｅｔｓ， Ｏｃｃｕｐａｔ
ｉｏｎａｌ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ Ｉｎ
ｃ．”によれば，取り扱いが困難なものが多いパーフル
オロオレフィン類の中でも，Ｃ3Ｆ6（パーフルオロプロ
ペン）に限っては，不燃性，低反応性であり，また“フ
ッ素の化合物，講談社サイエンティフィック”によれ
ば，４時間の暴露のＬＣ50が３，０００ｐｐｍと，ｃ−
Ｃ4Ｆ6やＣ4Ｆ8等と比較しても，はるかに急性毒性は低
い旨が記載されている。さらに，Ｃ3Ｆ6は，許容濃度を
２００ｐｐｍ以下で管理しなければならない高圧ガス保
安法における毒性ガスの適用も受けないことから，毒性
がさほど高くないと考えられる。
ｆｅｔｙ Ｄａｔａ Ｓｈｅｅｔｓ， Ｏｃｃｕｐａｔ
ｉｏｎａｌ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ Ｉｎ
ｃ．”によれば，取り扱いが困難なものが多いパーフル
オロオレフィン類の中でも，Ｃ3Ｆ6（パーフルオロプロ
ペン）に限っては，不燃性，低反応性であり，また“フ
ッ素の化合物，講談社サイエンティフィック”によれ
ば，４時間の暴露のＬＣ50が３，０００ｐｐｍと，ｃ−
Ｃ4Ｆ6やＣ4Ｆ8等と比較しても，はるかに急性毒性は低
い旨が記載されている。さらに，Ｃ3Ｆ6は，許容濃度を
２００ｐｐｍ以下で管理しなければならない高圧ガス保
安法における毒性ガスの適用も受けないことから，毒性
がさほど高くないと考えられる。
【００１０】また，“Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓａｆｅｔｙ
Ｄａｔａ Ｓｈｅｅｔｓ， Ｏｃｃｕｐａｔｉｏｎａ
ｌ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ Ｉｎｃ．”によ
れば，Ｃ3Ｆ6は大気中で徐々に加水分解すると記載され
ているため，大気寿命が数千年もあるほどの化合物とは
考えにくい。さらに，“Ｓｃｉｅｎｃｅ， Ｖｏｌ．２
５９，８ Ｊａｎｕａｒｙ １９９３”によれば，大気
中で徐々に加水分解する物質は，大気寿命が数年以下と
予測されるため，Ｃ3Ｆ6が長寿命の温室効果を引き起こ
すガスとして問題とはならないと考えられている。
Ｄａｔａ Ｓｈｅｅｔｓ， Ｏｃｃｕｐａｔｉｏｎａ
ｌ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ Ｉｎｃ．”によ
れば，Ｃ3Ｆ6は大気中で徐々に加水分解すると記載され
ているため，大気寿命が数千年もあるほどの化合物とは
考えにくい。さらに，“Ｓｃｉｅｎｃｅ， Ｖｏｌ．２
５９，８ Ｊａｎｕａｒｙ １９９３”によれば，大気
中で徐々に加水分解する物質は，大気寿命が数年以下と
予測されるため，Ｃ3Ｆ6が長寿命の温室効果を引き起こ
すガスとして問題とはならないと考えられている。
【００１１】以上述べたように，Ｃ3Ｆ6は，温室効果を
引き起こすことがほとんどなく，また取り扱いの面でも
優れているが，このＣ3Ｆ6を用いてＳｉＯ2膜にエッチ
ング処理を施す技術は，あまり報告されていない。ま
た，報告されている技術は，いずれも効果的な処理を施
すことができる方法とは言いがたい。例えば，特開平４
−１７００２６号公報によれば，被エッチング基板の表
面温度を５０℃以下に制御し，Ｃ3Ｆ6でエッチング処理
を施す技術が開示されている。しかし，処理時に被エッ
チング基板をプラズマに曝した場合，被エッチング基板
の表面温度は，一気に１００℃前後まで上昇するため，
被エッチング基板の表面温度を５０℃以下に制御するた
めには，非常に大きい冷却設備が必要となる。なお，被
エッチング基板の表面温度が１２０℃より高くなると，
レジストが変性してしまうため，１２０℃以下に制御す
ることは必要である。
引き起こすことがほとんどなく，また取り扱いの面でも
優れているが，このＣ3Ｆ6を用いてＳｉＯ2膜にエッチ
ング処理を施す技術は，あまり報告されていない。ま
た，報告されている技術は，いずれも効果的な処理を施
すことができる方法とは言いがたい。例えば，特開平４
−１７００２６号公報によれば，被エッチング基板の表
面温度を５０℃以下に制御し，Ｃ3Ｆ6でエッチング処理
を施す技術が開示されている。しかし，処理時に被エッ
チング基板をプラズマに曝した場合，被エッチング基板
の表面温度は，一気に１００℃前後まで上昇するため，
被エッチング基板の表面温度を５０℃以下に制御するた
めには，非常に大きい冷却設備が必要となる。なお，被
エッチング基板の表面温度が１２０℃より高くなると，
レジストが変性してしまうため，１２０℃以下に制御す
ることは必要である。
【００１２】また，特開昭６１−１３３６３０号公報に
よれば，Ｃ3Ｆ6とＣＨＦ3とから成る混合ガスでエッチ
ングする方法が開示されている。しかし，ＣＨＦ3は，
“Ｃｌｉｍａｔｅ Ｃｈａｎｇｅ １９９５， ＩＰＣ
Ｃ， ＣａｍｂｒｉｄｇｅＵｎｉｖ． Ｐｒｅｓｓ”に
よれば，温室効果を引き起こすガスとして問題視されて
おり，実用的な処理ガスとは言いがたい。さらに，
“Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ａ１２
（３），Ｍａｙ／Ｊｕｎ，１９９４”や“Ｊ．Ｖａｃ．
Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ａ１２（４），Ｊｕｌ／Ａ
ｕｇ，１９９４”には，ＣＨＦ3とＣ3Ｆ6のエッチング
特性の比較データが記載されている。この記載による
と，Ｃ3Ｆ6は，ＣＨＦ3に比べて，コンタクトホール形
成などの反応性イオンエッチングにおいて，アスペクト
比が大きくなるほどエッチング速度が小さくなる，いわ
ゆるＲＩＥラグが生じやすく，またエッチング特性が劣
ることが報告されている。
よれば，Ｃ3Ｆ6とＣＨＦ3とから成る混合ガスでエッチ
ングする方法が開示されている。しかし，ＣＨＦ3は，
“Ｃｌｉｍａｔｅ Ｃｈａｎｇｅ １９９５， ＩＰＣ
Ｃ， ＣａｍｂｒｉｄｇｅＵｎｉｖ． Ｐｒｅｓｓ”に
よれば，温室効果を引き起こすガスとして問題視されて
おり，実用的な処理ガスとは言いがたい。さらに，
“Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ａ１２
（３），Ｍａｙ／Ｊｕｎ，１９９４”や“Ｊ．Ｖａｃ．
Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ａ１２（４），Ｊｕｌ／Ａ
ｕｇ，１９９４”には，ＣＨＦ3とＣ3Ｆ6のエッチング
特性の比較データが記載されている。この記載による
と，Ｃ3Ｆ6は，ＣＨＦ3に比べて，コンタクトホール形
成などの反応性イオンエッチングにおいて，アスペクト
比が大きくなるほどエッチング速度が小さくなる，いわ
ゆるＲＩＥラグが生じやすく，またエッチング特性が劣
ることが報告されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，従来のドラ
イエッチング方法が有する上記のような問題点に鑑みて
なされたものであり，地球の温暖化を引き起こすことが
なく，かつ取り扱いが容易なＣ3Ｆ6を用い，被処理体の
被処理面に形成された，例えばＳｉＯ2膜に対して，エ
ッチィング特性の高い，例えばｃ−Ｃ4Ｆ8と同等のエッ
チング処理を施すことが可能な，新規かつ改良されたド
ライエッチング方法を提供することを目的としている。
イエッチング方法が有する上記のような問題点に鑑みて
なされたものであり，地球の温暖化を引き起こすことが
なく，かつ取り扱いが容易なＣ3Ｆ6を用い，被処理体の
被処理面に形成された，例えばＳｉＯ2膜に対して，エ
ッチィング特性の高い，例えばｃ−Ｃ4Ｆ8と同等のエッ
チング処理を施すことが可能な，新規かつ改良されたド
ライエッチング方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は，減圧自在な処
理室内に所定の処理ガスを導入し，所定の減圧雰囲気の
下で処理室内にプラズマを発生させて，処理室内の被処
理体の被処理面に形成された酸化シリコン系材料層に対
してエッチング処理を施すドライエッチング方法に関す
るものである。そして，上記課題を解決するため，請求
項１に記載の発明によれば，処理室内に導入される処理
ガスは，Ｃ3Ｆ6，Ｏ2（酸素）およびＡｒ（アルゴン）
から成る混合ガスであり，この混合ガスから励起される
プラズマ中のイオンにより，被処理体，例えばウェハの
酸化シリコン系材料層，例えばＳｉＯ2膜に対してエッ
チング処理を施すことを特徴としている。
理室内に所定の処理ガスを導入し，所定の減圧雰囲気の
下で処理室内にプラズマを発生させて，処理室内の被処
理体の被処理面に形成された酸化シリコン系材料層に対
してエッチング処理を施すドライエッチング方法に関す
るものである。そして，上記課題を解決するため，請求
項１に記載の発明によれば，処理室内に導入される処理
ガスは，Ｃ3Ｆ6，Ｏ2（酸素）およびＡｒ（アルゴン）
から成る混合ガスであり，この混合ガスから励起される
プラズマ中のイオンにより，被処理体，例えばウェハの
酸化シリコン系材料層，例えばＳｉＯ2膜に対してエッ
チング処理を施すことを特徴としている。
【００１５】本発明にかかる混合ガスのうち，プラズマ
生成用ガスであるＣ3Ｆ6は，大気中に放出された場合で
も徐々に加水分解するため，地球の温暖化の要因とは成
り難く，また不燃性，低反応性及び低毒性であるため，
取り扱いが容易である。また，従来からの技術的要求項
目として挙げられていたＣ3Ｆ6のエッチング特性の改善
の問題については，Ｃ3Ｆ6にＯ2及びＡｒを添加した，
本発明にかかる混合ガスを用いることにより，例えばｃ
−Ｃ4Ｆ8とほぼ同等のエッチング特性を得ることができ
る。
生成用ガスであるＣ3Ｆ6は，大気中に放出された場合で
も徐々に加水分解するため，地球の温暖化の要因とは成
り難く，また不燃性，低反応性及び低毒性であるため，
取り扱いが容易である。また，従来からの技術的要求項
目として挙げられていたＣ3Ｆ6のエッチング特性の改善
の問題については，Ｃ3Ｆ6にＯ2及びＡｒを添加した，
本発明にかかる混合ガスを用いることにより，例えばｃ
−Ｃ4Ｆ8とほぼ同等のエッチング特性を得ることができ
る。
【００１６】すなわち，Ｏ2の添加により，被処理体の
被処理面に付着した，例えば反応生成物から成るデポジ
ション（以下，「デポ」と称する。）を，アッシング作
用の促進により除去し，エッチングを進行させることが
できる。さらに，Ｏ2により，デポの付着性よりもエッ
チング性の高い，すなわちＦ／Ｃ比の高いＣＦ系ラジカ
ルが生じるため，エッチング特性を向上させることがで
きる。また，Ｏラジカルは，原子の大きさが比較的小さ
く，コンタクトホールの底部まで到達するため，イオン
アシスト効果が小さいコンタクトホール底部に付着した
デポを除去し，いわゆるエッチングストップを防止する
ことができる。
被処理面に付着した，例えば反応生成物から成るデポジ
ション（以下，「デポ」と称する。）を，アッシング作
用の促進により除去し，エッチングを進行させることが
できる。さらに，Ｏ2により，デポの付着性よりもエッ
チング性の高い，すなわちＦ／Ｃ比の高いＣＦ系ラジカ
ルが生じるため，エッチング特性を向上させることがで
きる。また，Ｏラジカルは，原子の大きさが比較的小さ
く，コンタクトホールの底部まで到達するため，イオン
アシスト効果が小さいコンタクトホール底部に付着した
デポを除去し，いわゆるエッチングストップを防止する
ことができる。
【００１７】また，Ａｒの添加により，このＡｒから生
じるＡｒイオンによるイオンアシスト効果によって，エ
ッチング速度の向上を図ることができる。また，Ａｒに
は，混合ガスの全圧を高く保ちながら，Ｃ3Ｆ6の分圧を
所定の値に調整する希釈効果があるため，該分圧を維持
するための，例えば実行排気速度の大きい真空ポンプが
必要とはならない。
じるＡｒイオンによるイオンアシスト効果によって，エ
ッチング速度の向上を図ることができる。また，Ａｒに
は，混合ガスの全圧を高く保ちながら，Ｃ3Ｆ6の分圧を
所定の値に調整する希釈効果があるため，該分圧を維持
するための，例えば実行排気速度の大きい真空ポンプが
必要とはならない。
【００１８】また，請求項２に記載の発明によれば，混
合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ
3Ｆ6≦１．０に設定されている。従って，Ｏ2は，例え
ばコンタクトホール底部に付着するデポを除去し，かつ
被処理面に形成されているフォトレジスト膜を過剰にア
ッシングしない程度の流量に調整されている。さらに，
混合ガスは，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０
ｍＴｏｒｒに設定されている。このため，エッチングと
デポの付着が適度に調節され，コンタクトホールのアス
ペクト比を確保しつつ，エッチング速度を所望の状態に
保つことができる。
合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ
3Ｆ6≦１．０に設定されている。従って，Ｏ2は，例え
ばコンタクトホール底部に付着するデポを除去し，かつ
被処理面に形成されているフォトレジスト膜を過剰にア
ッシングしない程度の流量に調整されている。さらに，
混合ガスは，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０
ｍＴｏｒｒに設定されている。このため，エッチングと
デポの付着が適度に調節され，コンタクトホールのアス
ペクト比を確保しつつ，エッチング速度を所望の状態に
保つことができる。
【００１９】また，請求項３に記載の発明によれば，減
圧自在な処理室内に所定の処理ガスを導入し，所定の減
圧雰囲気の下で処理室内にプラズマを発生させて，処理
室内の被処理体の被処理面に形成された酸化シリコン系
材料層に対してエッチング処理を施すドライエッチング
方法であって，処理ガスは，Ｃ3Ｆ6，Ｏ2，Ａｒおよび
Ｈｅ（ヘリウム）から成る混合ガスであることを特徴と
している。
圧自在な処理室内に所定の処理ガスを導入し，所定の減
圧雰囲気の下で処理室内にプラズマを発生させて，処理
室内の被処理体の被処理面に形成された酸化シリコン系
材料層に対してエッチング処理を施すドライエッチング
方法であって，処理ガスは，Ｃ3Ｆ6，Ｏ2，Ａｒおよび
Ｈｅ（ヘリウム）から成る混合ガスであることを特徴と
している。
【００２０】当該発明においては，請求項１に記載の発
明にかかる混合ガス，すなわちＣ3Ｆ6，Ｏ2，Ａｒから
成る混合ガスに，さらにＨｅを添加した構成となってい
る。このＨｅは，Ａｒよりも原子半径が小さいため，混
合ガスに添加することにより平均自由工程を長くでき，
さらにコンタクトホール内でのイオン種の衝突による拡
散を防止することができる。また，Ｈｅは，Ａｒと比べ
て原子量が小さいため，処理室内で拡散しやすく，さら
にイオン化ポテンシャルが大きいため，Ｃ3Ｆ6の解離を
促進させることができる。
明にかかる混合ガス，すなわちＣ3Ｆ6，Ｏ2，Ａｒから
成る混合ガスに，さらにＨｅを添加した構成となってい
る。このＨｅは，Ａｒよりも原子半径が小さいため，混
合ガスに添加することにより平均自由工程を長くでき，
さらにコンタクトホール内でのイオン種の衝突による拡
散を防止することができる。また，Ｈｅは，Ａｒと比べ
て原子量が小さいため，処理室内で拡散しやすく，さら
にイオン化ポテンシャルが大きいため，Ｃ3Ｆ6の解離を
促進させることができる。
【００２１】さらに，請求項４に記載の発明によれば，
混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．１≦Ｏ2／
Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定され，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴ
ｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒに設定されている。かかるＨ
ｅは，請求項２に記載の発明において説明したように，
混合ガス中に添加することにより，優れた効果を得るこ
とができる。しかしながら，Ｈｅは，Ａｒよりも原子量
が小さいため，イオンアシスト効果が小さく，混合ガス
中に添加する量によっては，この問題が一層顕著なもの
となってしまう。そこで，かかる発明においては，Ｃ3
Ｆ6の分圧やＯ2の流量比を変更せずに，Ａｒの添加量を
減らしＨｅを導入する構成とした。その結果，Ｈｅの効
果を引き出し，かつイオンアシスト効果も所望の状態に
維持することが可能となり，さらに高選択比かつ高エッ
チングレートで均一な処理を被処理体に施すことができ
る。
混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2の流量比が０．１≦Ｏ2／
Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定され，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴ
ｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒに設定されている。かかるＨ
ｅは，請求項２に記載の発明において説明したように，
混合ガス中に添加することにより，優れた効果を得るこ
とができる。しかしながら，Ｈｅは，Ａｒよりも原子量
が小さいため，イオンアシスト効果が小さく，混合ガス
中に添加する量によっては，この問題が一層顕著なもの
となってしまう。そこで，かかる発明においては，Ｃ3
Ｆ6の分圧やＯ2の流量比を変更せずに，Ａｒの添加量を
減らしＨｅを導入する構成とした。その結果，Ｈｅの効
果を引き出し，かつイオンアシスト効果も所望の状態に
維持することが可能となり，さらに高選択比かつ高エッ
チングレートで均一な処理を被処理体に施すことができ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるドライエッチング方法の実施の一形態に
ついて詳細に説明する。図１は，本実施の形態にかかる
ドライエッチング方法を実施するために用いたエッチン
グ装置１００の概略的な断面を示している。このエッチ
ング装置１００における処理室１０２は，気密に閉塞自
在な，例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムな
どから成る略円筒形状の処理容器１０４内に形成され，
当該処理容器１０４自体は，接地線１０６を介して接地
されている。また，処理室１０２内の底部には，例えば
セラミックなどの絶縁支持板１０８が設けられており，
この絶縁支持板１０８の上部に被処理体，例えば６イン
チのウェハＷを載置するための下部電極を構成する略円
柱状のサセプタ１１０が，上下動自在に収容されてい
る。
本発明にかかるドライエッチング方法の実施の一形態に
ついて詳細に説明する。図１は，本実施の形態にかかる
ドライエッチング方法を実施するために用いたエッチン
グ装置１００の概略的な断面を示している。このエッチ
ング装置１００における処理室１０２は，気密に閉塞自
在な，例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムな
どから成る略円筒形状の処理容器１０４内に形成され，
当該処理容器１０４自体は，接地線１０６を介して接地
されている。また，処理室１０２内の底部には，例えば
セラミックなどの絶縁支持板１０８が設けられており，
この絶縁支持板１０８の上部に被処理体，例えば６イン
チのウェハＷを載置するための下部電極を構成する略円
柱状のサセプタ１１０が，上下動自在に収容されてい
る。
【００２３】このサセプタ１１０は，絶縁支持板１０８
及び処理容器１０４の底部を遊貫する昇降軸１１２によ
って支持されており，この昇降軸１１２は，処理容器１
０４外部に設置されている駆動モータＭ１１４によって
上下動自在である。従って，この駆動モータＭ１１４の
作動により，サセプタ１１０は，図１中の往復矢印に示
したように，上下動自在となっている。なお，処理室１
０２の気密性を確保するため，サセプタ１１０と絶縁支
持板１０８との間には，昇降軸１１２の外方を囲むよう
に伸縮自在な気密部材，例えばベローズ１１６が設けら
れている。
及び処理容器１０４の底部を遊貫する昇降軸１１２によ
って支持されており，この昇降軸１１２は，処理容器１
０４外部に設置されている駆動モータＭ１１４によって
上下動自在である。従って，この駆動モータＭ１１４の
作動により，サセプタ１１０は，図１中の往復矢印に示
したように，上下動自在となっている。なお，処理室１
０２の気密性を確保するため，サセプタ１１０と絶縁支
持板１０８との間には，昇降軸１１２の外方を囲むよう
に伸縮自在な気密部材，例えばベローズ１１６が設けら
れている。
【００２４】また，サセプタ１１０は，例えば表面が陽
極酸化処理されたアルミニウムから成り，その内部には
温度調節手段，例えばセラミックヒータなどの加熱手段
（図示せず。）や，外部の冷媒源（図示せず。）との間
で冷媒を循環させるための冷媒循環路（図示せず。）が
設けられており，サセプタ１１０上のウエハＷを所定温
度に維持することが可能なように構成されている。ま
た，サセプタ１１０の温度は，温度センサ（図示せ
ず。），温度制御機構（図示せず。）によって自動的に
制御される構成となっている。
極酸化処理されたアルミニウムから成り，その内部には
温度調節手段，例えばセラミックヒータなどの加熱手段
（図示せず。）や，外部の冷媒源（図示せず。）との間
で冷媒を循環させるための冷媒循環路（図示せず。）が
設けられており，サセプタ１１０上のウエハＷを所定温
度に維持することが可能なように構成されている。ま
た，サセプタ１１０の温度は，温度センサ（図示せ
ず。），温度制御機構（図示せず。）によって自動的に
制御される構成となっている。
【００２５】サセプタ１１０上には，ウェハＷを吸着保
持するための静電チャック１１８が設けられている。こ
の静電チャック１１８は，導電性の薄膜をポリイミド系
の樹脂によって上下から挟持した構成を有し，処理容器
１０４の外部に設置されている高圧直流電源１２０から
の電圧，例えば１．５ｋＶ〜２．０ｋＶの電圧が薄膜に
印加されると，その際に発生するクーロン力によって，
ウェハＷは静電チャック１１８の上面に吸着保持される
ようになっている。
持するための静電チャック１１８が設けられている。こ
の静電チャック１１８は，導電性の薄膜をポリイミド系
の樹脂によって上下から挟持した構成を有し，処理容器
１０４の外部に設置されている高圧直流電源１２０から
の電圧，例えば１．５ｋＶ〜２．０ｋＶの電圧が薄膜に
印加されると，その際に発生するクーロン力によって，
ウェハＷは静電チャック１１８の上面に吸着保持される
ようになっている。
【００２６】サセプタ１１０上の周辺には，静電チャッ
ク１１８を囲むようにして，平面が略環状のフォーカス
リング１２２が設けられている。このフォーカスリング
１２２は，絶縁性を有する，例えば石英から成ってお
り，プラズマ中のイオンを効果的にウェハＷに入射させ
る機能を有している。また，このフォーカスリング１２
２は，後述のシールドリング１３２と共に，サセプタ１
１０と後述の上部電極１２４との間に発生したプラズマ
の拡散を抑制する機能を有している。
ク１１８を囲むようにして，平面が略環状のフォーカス
リング１２２が設けられている。このフォーカスリング
１２２は，絶縁性を有する，例えば石英から成ってお
り，プラズマ中のイオンを効果的にウェハＷに入射させ
る機能を有している。また，このフォーカスリング１２
２は，後述のシールドリング１３２と共に，サセプタ１
１０と後述の上部電極１２４との間に発生したプラズマ
の拡散を抑制する機能を有している。
【００２７】そして，サセプタ１１０の載置面と対向す
る位置には，略円盤状の上部電極１２４が配置されてい
る。この上部電極１２４は，導電性を有する，例えば単
結晶シリコンから成り，複数の貫通孔１２４ａが設けら
れている。また，上部電極１２４の上方には，導電性を
有する，例えばアルミニウムから成る上部電極１２４と
略同径の上部電極支持部材１２６が設けられている。さ
らに，この上部電極支持部材１２６の上部電極１２４側
には，開口部１２６ａが形成されている。従って，上部
電極１２４が上部電極支持部材１２６に取り付けられた
際には，上部電極１２４と上部電極支持部材１２６との
間に空間部１３０が形成される構成となっている。
る位置には，略円盤状の上部電極１２４が配置されてい
る。この上部電極１２４は，導電性を有する，例えば単
結晶シリコンから成り，複数の貫通孔１２４ａが設けら
れている。また，上部電極１２４の上方には，導電性を
有する，例えばアルミニウムから成る上部電極１２４と
略同径の上部電極支持部材１２６が設けられている。さ
らに，この上部電極支持部材１２６の上部電極１２４側
には，開口部１２６ａが形成されている。従って，上部
電極１２４が上部電極支持部材１２６に取り付けられた
際には，上部電極１２４と上部電極支持部材１２６との
間に空間部１３０が形成される構成となっている。
【００２８】また，上部電極１２４の下面外周部から絶
縁リング１２８の外周面略中央部にかけて，絶縁性を有
する，例えば石英から成る，略環状のシールドリング１
３２が配置されている。このシールドリング１３２は，
フォーカスリング１２２と共に，静電チャック１１８と
上部電極１２４との間のギャップよりも狭いギャップを
形成し，プラズマの拡散を抑制する機能を有している。
縁リング１２８の外周面略中央部にかけて，絶縁性を有
する，例えば石英から成る，略環状のシールドリング１
３２が配置されている。このシールドリング１３２は，
フォーカスリング１２２と共に，静電チャック１１８と
上部電極１２４との間のギャップよりも狭いギャップを
形成し，プラズマの拡散を抑制する機能を有している。
【００２９】ところで，空間部１３０の上部略中央に
は，ガス導入口１３４が接続されている。さらに，この
ガス導入口１３４には，バルブ１３６を介してガス導入
管１３８が接続されている。そして，このガス導入管１
３８には，バルブ１４０，１４２，１４４及び対応した
流量調節のためのマスフローコントローラＭＦＣ１４
６，１４８，１５０を介して，それぞれに対応するガス
供給源１５２，１５４，１５６が各々接続されている。
は，ガス導入口１３４が接続されている。さらに，この
ガス導入口１３４には，バルブ１３６を介してガス導入
管１３８が接続されている。そして，このガス導入管１
３８には，バルブ１４０，１４２，１４４及び対応した
流量調節のためのマスフローコントローラＭＦＣ１４
６，１４８，１５０を介して，それぞれに対応するガス
供給源１５２，１５４，１５６が各々接続されている。
【００３０】また，ガス供給源１５２からは，例えばＡ
ｒが供給自在であり，ガス供給源１５４からは，例えば
Ｏ2が供給自在であり，ガス供給源１５６からは，例え
ばＣ3Ｆ6が供給自在な構成となっている。そして，これ
らガス供給源１５２，１５４，１５６からの各ガスは，
ガス導入管１３８からガス導入口１３４，空間部１３０
及び貫通孔１２４ａを通じて，処理室１０２内に導入さ
れ，ウェハＷの被処理面に対して均一に吐出するように
構成されている。
ｒが供給自在であり，ガス供給源１５４からは，例えば
Ｏ2が供給自在であり，ガス供給源１５６からは，例え
ばＣ3Ｆ6が供給自在な構成となっている。そして，これ
らガス供給源１５２，１５４，１５６からの各ガスは，
ガス導入管１３８からガス導入口１３４，空間部１３０
及び貫通孔１２４ａを通じて，処理室１０２内に導入さ
れ，ウェハＷの被処理面に対して均一に吐出するように
構成されている。
【００３１】一方，処理容器１０４の下部には，真空ポ
ンプなどの真空引き手段Ｐ１５８に通ずる排気管１６０
が接続されており，例えばパンチング板から成る排気板
１６２を介して，処理室１０２内は，例えば数ｍＴｏｒ
ｒ〜数１００ｍＴｏｒｒまでの任意の真空度にまで真空
引きして，これを維持することが可能となっている。
ンプなどの真空引き手段Ｐ１５８に通ずる排気管１６０
が接続されており，例えばパンチング板から成る排気板
１６２を介して，処理室１０２内は，例えば数ｍＴｏｒ
ｒ〜数１００ｍＴｏｒｒまでの任意の真空度にまで真空
引きして，これを維持することが可能となっている。
【００３２】次に，このエッチング装置１００の高周波
電力の供給系について説明する。まず，サセプタ１１０
に対しては，周波数が数百ｋＨｚ程度，例えば８００ｋ
Ｈｚの高周波電力を出力する高周波電源１６４からの電
力が，整合器１６６を介して供給される構成となってい
る。一方，上部電極１２４に対しては，周波数が高周波
電源１６４よりも高い１ＭＨｚ以上の周波数，例えば２
７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する高周波電源１６
８からの電力が，整合器１７０及び上部電極支持部材１
２６を通じて供給される構成となっている。
電力の供給系について説明する。まず，サセプタ１１０
に対しては，周波数が数百ｋＨｚ程度，例えば８００ｋ
Ｈｚの高周波電力を出力する高周波電源１６４からの電
力が，整合器１６６を介して供給される構成となってい
る。一方，上部電極１２４に対しては，周波数が高周波
電源１６４よりも高い１ＭＨｚ以上の周波数，例えば２
７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する高周波電源１６
８からの電力が，整合器１７０及び上部電極支持部材１
２６を通じて供給される構成となっている。
【００３３】以上のように，エッチング装置１００の主
要部は構成されている。次に，本実施の形態にかかるド
ライエッチング方法に基づいて，ウェハＷに形成されて
いる，例えばＳｉＯ2膜に対して，エッチング処理を施
す場合の作用等について説明する。まず，ウェハＷがサ
セプタ１１０上に載置されると，高圧直流電源１２０か
ら所定の電圧が静電チャック１１８内の導電性の薄膜に
印加され，ウェハＷは静電チャック１１８上に吸着，保
持される。なお，サセプタ１１０は，不図示の温度調節
手段により所定の温度に調整されており，サセプタ１１
０上に保持されているウェハＷの表面温度は，処理時に
おいても１２０℃以下に設定されている。
要部は構成されている。次に，本実施の形態にかかるド
ライエッチング方法に基づいて，ウェハＷに形成されて
いる，例えばＳｉＯ2膜に対して，エッチング処理を施
す場合の作用等について説明する。まず，ウェハＷがサ
セプタ１１０上に載置されると，高圧直流電源１２０か
ら所定の電圧が静電チャック１１８内の導電性の薄膜に
印加され，ウェハＷは静電チャック１１８上に吸着，保
持される。なお，サセプタ１１０は，不図示の温度調節
手段により所定の温度に調整されており，サセプタ１１
０上に保持されているウェハＷの表面温度は，処理時に
おいても１２０℃以下に設定されている。
【００３４】次いで，処理室１０２内は，真空引き手段
Ｐ１５８によって真空引きされる。また，ガス供給源１
５２，１５４，１５６よりエッチング処理に必要なガス
が所定の流量で供給されると共に，不図示のゲートバル
ブの開度が調整され，処理室１０２の圧力が所定の真空
度，例えば４０ｍＴｏｒｒに設定，維持される。
Ｐ１５８によって真空引きされる。また，ガス供給源１
５２，１５４，１５６よりエッチング処理に必要なガス
が所定の流量で供給されると共に，不図示のゲートバル
ブの開度が調整され，処理室１０２の圧力が所定の真空
度，例えば４０ｍＴｏｒｒに設定，維持される。
【００３５】この際，本実施の形態においては，ガス供
給源１５２，１５４，１５６からそれぞれに対応するＡ
ｒ，Ｏ2，Ｃ3Ｆ6を，それぞれに対応するマスフローコ
ントローラＭＦＣ１４６，１４８，１５０及びバルブ１
４０，１４２，１４４によって所定の流量に調整した後
混合し，この混合ガスをガス導入管１３８，ガス導入口
１３４，空間部１３０及び貫通孔１２４ａからウェハＷ
上に導入する。そして，混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2
の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０となるよう
に，Ｏ2の流量が適宜調整されると共に，Ｃ3Ｆ6の分圧
が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒとなるように，
不図示のゲートバルブの開度を調整することにより，全
圧が調整される構成となっている。
給源１５２，１５４，１５６からそれぞれに対応するＡ
ｒ，Ｏ2，Ｃ3Ｆ6を，それぞれに対応するマスフローコ
ントローラＭＦＣ１４６，１４８，１５０及びバルブ１
４０，１４２，１４４によって所定の流量に調整した後
混合し，この混合ガスをガス導入管１３８，ガス導入口
１３４，空間部１３０及び貫通孔１２４ａからウェハＷ
上に導入する。そして，混合ガスは，Ｃ3Ｆ6およびＯ2
の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０となるよう
に，Ｏ2の流量が適宜調整されると共に，Ｃ3Ｆ6の分圧
が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒとなるように，
不図示のゲートバルブの開度を調整することにより，全
圧が調整される構成となっている。
【００３６】次いで，上部電極１２４に対して高周波電
源１６８から周波数が２７．１２ＭＨｚ，パワーが例え
ば２ｋＷの高周波電力が供給されると，上部電極１２４
とサセプタ１１０との間にプラズマが生起される。また
同時に，サセプタ１１０に対しては，高周波電源１６４
から周波数が８００ｋＨｚ，パワーが例えば１ｋＷの高
周波電力が供給される。
源１６８から周波数が２７．１２ＭＨｚ，パワーが例え
ば２ｋＷの高周波電力が供給されると，上部電極１２４
とサセプタ１１０との間にプラズマが生起される。また
同時に，サセプタ１１０に対しては，高周波電源１６４
から周波数が８００ｋＨｚ，パワーが例えば１ｋＷの高
周波電力が供給される。
【００３７】そして，発生したプラズマによって処理室
１０２内の処理ガスが解離し，その際に生ずるエッチャ
ントイオンが，サセプタ１１０側に供給された相対的に
低い周波数の高周波によって，その入射速度がコントロ
ールされつつ，ウェハＷ表面のＳｉＯ2膜をエッチング
していく。
１０２内の処理ガスが解離し，その際に生ずるエッチャ
ントイオンが，サセプタ１１０側に供給された相対的に
低い周波数の高周波によって，その入射速度がコントロ
ールされつつ，ウェハＷ表面のＳｉＯ2膜をエッチング
していく。
【００３８】次に，本実施の形態にかかる混合ガス用い
て，エッチング処理を行った場合の作用，効果等につい
て説明する。処理室１０２内に導入された各ガスは，エ
ッチング処理に寄与しなかった場合，そのまま大気中に
放出されている。従って，従来から使用されている処理
ガス，例えばＣＦ4，Ｃ2Ｆ6等は，非常に安定性の高い
物質であり，大気中に放出された場合には，温室効果が
長期間持続することから，地球の温暖化の原因となって
しまう。
て，エッチング処理を行った場合の作用，効果等につい
て説明する。処理室１０２内に導入された各ガスは，エ
ッチング処理に寄与しなかった場合，そのまま大気中に
放出されている。従って，従来から使用されている処理
ガス，例えばＣＦ4，Ｃ2Ｆ6等は，非常に安定性の高い
物質であり，大気中に放出された場合には，温室効果が
長期間持続することから，地球の温暖化の原因となって
しまう。
【００３９】そこで，発明者らは，従来から使用されて
いる処理ガスの代替ガスとして，Ｃ3Ｆ6に注目した。こ
のＣ3Ｆ6は，大気中に放出された場合でも，温室効果を
長期間に渡って引き起こすことがないことが報告されて
いる。また，Ｃ3Ｆ6は，パーフルオロオレフィン類の中
でも，特に不燃性，低反応性，低毒性であることが報告
されており，従来から使用されている処理ガスと同じよ
うに，容易に取り扱うことができると考えられる。
いる処理ガスの代替ガスとして，Ｃ3Ｆ6に注目した。こ
のＣ3Ｆ6は，大気中に放出された場合でも，温室効果を
長期間に渡って引き起こすことがないことが報告されて
いる。また，Ｃ3Ｆ6は，パーフルオロオレフィン類の中
でも，特に不燃性，低反応性，低毒性であることが報告
されており，従来から使用されている処理ガスと同じよ
うに，容易に取り扱うことができると考えられる。
【００４０】そして，従来からの問題であったＣ3Ｆ6の
エッチング性は，Ｃ3Ｆ6に本実施の形態にかかる流量で
Ｏ2およびＡｒを添加した混合ガスとすることにより改
善でき，ＳｉＯ2膜のエッチングガスの中で最もエッチ
ング特性が高いとされているｃ−Ｃ4Ｆ8と，ほぼ同等の
エッチング特性を得ることが可能である。
エッチング性は，Ｃ3Ｆ6に本実施の形態にかかる流量で
Ｏ2およびＡｒを添加した混合ガスとすることにより改
善でき，ＳｉＯ2膜のエッチングガスの中で最もエッチ
ング特性が高いとされているｃ−Ｃ4Ｆ8と，ほぼ同等の
エッチング特性を得ることが可能である。
【００４１】ここでまず，Ａｒの添加効果について説明
する。Ａｒの添加は，処理室１０２内の全圧を所定の値
に保ちながらＣ3Ｆ6の分圧を所定の値に抑える希釈効
果，およびＡｒイオンによるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）時のイオンアシストを大き
くする効果がある。仮に，Ａｒを添加しない場合には，
Ｃ3Ｆ6の分圧を保つために，実行排気速度の非常に大き
い真空ポンプを必要となる。また，Ｃ3Ｆ6の分圧を所定
の値に保てたとしても，例えばＡｒイオンによるイオン
アシスト効果がないため，ＳｉＯ2膜のエッチング速度
が非常に遅くなってしまう。なお，Ａｒを添加した場合
には，Ａｒイオンによるフォトレジストのスパッタリン
グは，エッチングと比較して速度が非常に遅いため，Ａ
ｒイオンによる対フォトレジスト選択比の悪化は無視す
ることができる。
する。Ａｒの添加は，処理室１０２内の全圧を所定の値
に保ちながらＣ3Ｆ6の分圧を所定の値に抑える希釈効
果，およびＡｒイオンによるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）時のイオンアシストを大き
くする効果がある。仮に，Ａｒを添加しない場合には，
Ｃ3Ｆ6の分圧を保つために，実行排気速度の非常に大き
い真空ポンプを必要となる。また，Ｃ3Ｆ6の分圧を所定
の値に保てたとしても，例えばＡｒイオンによるイオン
アシスト効果がないため，ＳｉＯ2膜のエッチング速度
が非常に遅くなってしまう。なお，Ａｒを添加した場合
には，Ａｒイオンによるフォトレジストのスパッタリン
グは，エッチングと比較して速度が非常に遅いため，Ａ
ｒイオンによる対フォトレジスト選択比の悪化は無視す
ることができる。
【００４２】また，Ａｒは，Ｃ3Ｆ6の分圧を０．５ｍＴ
ｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲に保つことにより，コ
ンタクトホールのアスペクト比を確保し，エッチング速
度を保つ役割を果たしている。エッチング処理において
は，コンタクトホールでのアスペクト比を確保できない
ことは，半導体デバイスを加工できないことを意味し，
エッチング速度が低いことは半導体デバイス製造時のス
ループットの悪化を意味することになる。
ｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲に保つことにより，コ
ンタクトホールのアスペクト比を確保し，エッチング速
度を保つ役割を果たしている。エッチング処理において
は，コンタクトホールでのアスペクト比を確保できない
ことは，半導体デバイスを加工できないことを意味し，
エッチング速度が低いことは半導体デバイス製造時のス
ループットの悪化を意味することになる。
【００４３】例えば，Ｃ3Ｆ6の分圧を２．０ｍＴｏｒｒ
以上に設定した場合には，コンタクトホールにおいて十
分なアスペクト比を確保できない上，エッチングが進行
しずらくなってしまう。このメカニズムとしては，以下
のようなことが考えられる。まず，プラズマ中でＣ3Ｆ6
がある程度中性ラジカルに分解されると，このラジカル
がウェハＷの表面に吸着する。そして，ラジカルが吸着
したウェハＷの活性部位では，イオン衝撃のアシストを
受けて，ウェハＷの基質と反応して揮発性物質が生じエ
ッチングが進行するか，若しくはラジカル同士が反応し
て非揮発性の化合物，すなわちデポが生成し付着が進行
する。
以上に設定した場合には，コンタクトホールにおいて十
分なアスペクト比を確保できない上，エッチングが進行
しずらくなってしまう。このメカニズムとしては，以下
のようなことが考えられる。まず，プラズマ中でＣ3Ｆ6
がある程度中性ラジカルに分解されると，このラジカル
がウェハＷの表面に吸着する。そして，ラジカルが吸着
したウェハＷの活性部位では，イオン衝撃のアシストを
受けて，ウェハＷの基質と反応して揮発性物質が生じエ
ッチングが進行するか，若しくはラジカル同士が反応し
て非揮発性の化合物，すなわちデポが生成し付着が進行
する。
【００４４】そして，Ｃ3Ｆ6の分圧が高い場合には，プ
ラズマ中でＣ3Ｆ6分子あたりに供給されるエネルギーが
小さくなり，解離が十分進行せず，活性部位が分子量の
大きい，すなわちＣ−Ｃ結合に富む状態となる。Ｃ−Ｃ
結合に富む活性部位は，エッチングが進行するよりもデ
ポの付着に寄与するため，ウェハＷにデポであるＣＦ系
の膜が，必要以上に生じてエッチングが進行し難くな
る。特に，アスペクト比の高いコンタクトホール底部で
は，エッチングをアシストするはずのイオンが到達しず
らくなるため，上記の様なメカニズムでデポの付着がよ
り一層進行する。そして，最終的には，エッチングがス
トップしてしまう。
ラズマ中でＣ3Ｆ6分子あたりに供給されるエネルギーが
小さくなり，解離が十分進行せず，活性部位が分子量の
大きい，すなわちＣ−Ｃ結合に富む状態となる。Ｃ−Ｃ
結合に富む活性部位は，エッチングが進行するよりもデ
ポの付着に寄与するため，ウェハＷにデポであるＣＦ系
の膜が，必要以上に生じてエッチングが進行し難くな
る。特に，アスペクト比の高いコンタクトホール底部で
は，エッチングをアシストするはずのイオンが到達しず
らくなるため，上記の様なメカニズムでデポの付着がよ
り一層進行する。そして，最終的には，エッチングがス
トップしてしまう。
【００４５】逆に，例えばＣ3Ｆ6の分圧を０．５ｍＴｏ
ｒｒ以下に設定した場合には，エッチング速度が低下し
てしまう。この理由としては，単にエッチャントが減少
することによるとも考えられるが，さらにもう一つのメ
カニズムとの相乗効果によってエッチング速度が低下す
ると推定される。Ｃ3Ｆ6の分圧が低いと，プラズマ中で
Ｃ3Ｆ6分子あたりに供給されるエネルギーが大きくな
り，Ｃ3Ｆ6のプラズマ中での解離が過度に進行すると共
に，ラジカル同士の再結合は少なくなるため，Ｆ／Ｃ比
の小さいＣに富むラジカルが必要以上に多く生じてしま
う。このラジカルは，デポを生じさせるラジカルとして
知られている。従って，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒ
ｒ以下の場合には，ウェハＷにＣＦ系の膜から成るデポ
が必要以上に生じ，このデポによりエッチングが抑制さ
れてしまう。
ｒｒ以下に設定した場合には，エッチング速度が低下し
てしまう。この理由としては，単にエッチャントが減少
することによるとも考えられるが，さらにもう一つのメ
カニズムとの相乗効果によってエッチング速度が低下す
ると推定される。Ｃ3Ｆ6の分圧が低いと，プラズマ中で
Ｃ3Ｆ6分子あたりに供給されるエネルギーが大きくな
り，Ｃ3Ｆ6のプラズマ中での解離が過度に進行すると共
に，ラジカル同士の再結合は少なくなるため，Ｆ／Ｃ比
の小さいＣに富むラジカルが必要以上に多く生じてしま
う。このラジカルは，デポを生じさせるラジカルとして
知られている。従って，Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒ
ｒ以下の場合には，ウェハＷにＣＦ系の膜から成るデポ
が必要以上に生じ，このデポによりエッチングが抑制さ
れてしまう。
【００４６】従って，Ｃ3Ｆ6の分圧を０．５ｍＴｏｒｒ
〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲に保つことにより，エッチン
グの進行とデポの付着の進行が適度に調節され，コンタ
クトホールでのアスペクト比を確保しつつ，エッチング
速度を保つことができる。
〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲に保つことにより，エッチン
グの進行とデポの付着の進行が適度に調節され，コンタ
クトホールでのアスペクト比を確保しつつ，エッチング
速度を保つことができる。
【００４７】次に，Ｏ2の添加効果について説明する。
Ｏ2は，アッシング効果を促進させてデポの付着によっ
て形成された膜をアッシングにより除去し，エッチング
を進行させる効果を有している。また，Ｏ2は，ラジカ
ル中のＣを引き抜き，デポの付着性よりもエッチング性
が高い，すなわちＦ／Ｃ比の高いラジカルを生じさせる
効果があることが知られている。さらに，Ｏラジカル
は，原子の径が小さいため，コンタクトホールの底部ま
で到達しやすい。従って，Ｏラジカル，すなわちＯ2の
添加は，イオンアシスト効果が小さく，デポの付着性が
大きいコンタクトホール底部でのエッチングストップの
防止に効果的である。
Ｏ2は，アッシング効果を促進させてデポの付着によっ
て形成された膜をアッシングにより除去し，エッチング
を進行させる効果を有している。また，Ｏ2は，ラジカ
ル中のＣを引き抜き，デポの付着性よりもエッチング性
が高い，すなわちＦ／Ｃ比の高いラジカルを生じさせる
効果があることが知られている。さらに，Ｏラジカル
は，原子の径が小さいため，コンタクトホールの底部ま
で到達しやすい。従って，Ｏラジカル，すなわちＯ2の
添加は，イオンアシスト効果が小さく，デポの付着性が
大きいコンタクトホール底部でのエッチングストップの
防止に効果的である。
【００４８】このように，Ｏ2は，優れた効果を有して
いるが，処理室１０２内への供給量によっては，十分に
その効果を引き出すことができないだけではなく，逆に
悪影響を及ぼすことがある。例えば，Ｃ3Ｆ6及びＯ2の
標準状態流量比を０．１より小さく設定した場合には，
Ｏ2の添加効果を引き出すことはできず，コンタクトホ
ール底部のエッチングでは，エッチング速度よりもデポ
の付着速度が大きくなってエッチングストップが生じ，
コンタクトホールの十分なアスペクト比を確保すること
ができない。逆に，Ｃ3Ｆ6及びＯ2の標準状態流量比を
１．０より大きく設定した場合，フォトレジストの表面
には，デポから成る膜が形成されず，Ｏラジカルによっ
てフォトレジストがアッシングされ，対フォトレジスト
選択比が悪化してしまう。
いるが，処理室１０２内への供給量によっては，十分に
その効果を引き出すことができないだけではなく，逆に
悪影響を及ぼすことがある。例えば，Ｃ3Ｆ6及びＯ2の
標準状態流量比を０．１より小さく設定した場合には，
Ｏ2の添加効果を引き出すことはできず，コンタクトホ
ール底部のエッチングでは，エッチング速度よりもデポ
の付着速度が大きくなってエッチングストップが生じ，
コンタクトホールの十分なアスペクト比を確保すること
ができない。逆に，Ｃ3Ｆ6及びＯ2の標準状態流量比を
１．０より大きく設定した場合，フォトレジストの表面
には，デポから成る膜が形成されず，Ｏラジカルによっ
てフォトレジストがアッシングされ，対フォトレジスト
選択比が悪化してしまう。
【００４９】従って，Ｃ3Ｆ6及びＯ2の標準状態流量比
を０．１〜１．０の範囲に保つことにより，エッチング
の進行とデポによる膜の形成が適度に調整され，フォト
レジストを必要以上にエッチングすることなく，コンタ
クトホールでのアスペクト比とエッチング速度を確保す
ることができる。
を０．１〜１．０の範囲に保つことにより，エッチング
の進行とデポによる膜の形成が適度に調整され，フォト
レジストを必要以上にエッチングすることなく，コンタ
クトホールでのアスペクト比とエッチング速度を確保す
ることができる。
【００５０】本実施の形態にかかる混合ガスは，以上の
ように設定されているが，さらにこの混合ガスにＨｅを
添加することによって，エッチング性を向上させること
ができる場合がある。エッチング処理においては，平均
自由工程が長いほど，コンタクトホール内でのイオン種
の衝突による散乱を防止することが可能となる。そし
て，Ｈｅは，Ａｒに比べて原子半径が小さいため，平均
自由工程を長くすることができ，同じ圧力で混合ガスに
Ｈｅを添加した場合としない場合とを比較すると，Ｈｅ
を添加した場合には，より低圧の効果を得ることができ
る。
ように設定されているが，さらにこの混合ガスにＨｅを
添加することによって，エッチング性を向上させること
ができる場合がある。エッチング処理においては，平均
自由工程が長いほど，コンタクトホール内でのイオン種
の衝突による散乱を防止することが可能となる。そし
て，Ｈｅは，Ａｒに比べて原子半径が小さいため，平均
自由工程を長くすることができ，同じ圧力で混合ガスに
Ｈｅを添加した場合としない場合とを比較すると，Ｈｅ
を添加した場合には，より低圧の効果を得ることができ
る。
【００５１】また，Ｈｅは，Ａｒに比べて原子量が小さ
いため，真空引き手段Ｐ１５８によって真空引きしづら
い反面，処理室１０２内では均一に拡散しやすく，ウェ
ハＷに対して均一な処理を施すことが可能となる。さら
に，Ｈｅのイオン化ポテンシャルは２４．６ｅＶである
ため，Ａｒの１５．８ｅＶに比べて大きい。そして，プ
ラズマ中の電子温度は，希ガスのイオン化ポテンシャル
に依存しているため，混合ガスにＨｅを添加した場合に
は，より高い電子温度を得ることができ，エッチャント
ガスの解離をさらに促進することができる。
いため，真空引き手段Ｐ１５８によって真空引きしづら
い反面，処理室１０２内では均一に拡散しやすく，ウェ
ハＷに対して均一な処理を施すことが可能となる。さら
に，Ｈｅのイオン化ポテンシャルは２４．６ｅＶである
ため，Ａｒの１５．８ｅＶに比べて大きい。そして，プ
ラズマ中の電子温度は，希ガスのイオン化ポテンシャル
に依存しているため，混合ガスにＨｅを添加した場合に
は，より高い電子温度を得ることができ，エッチャント
ガスの解離をさらに促進することができる。
【００５２】ただし，Ｈｅは，前述したようにＡｒより
も原子半径が小さいため，イオンアシスト効果が小さ
い。従って，混合ガス中のＡｒに変えてＣ3Ｆ6とＯ2と
Ｈｅとから成る混合ガスによってエッチング処理を行っ
た場合には，エッチング性が低下してしまう。よって，
本実施の形態にかかる混合ガス中のＡｒの流量を適度に
減少させて，本来処理室１０２内に導入されるべきＡｒ
の流量との差の流量でＨｅを導入する構成とすることが
好ましい。これにより，前述したような，ＡｒとＨｅの
優れた効果のみを得ることができる。なお，この場合の
Ｈｅの流量，すなわちＨｅとＡｒとの流量の割合は，予
め実験的に最適値を求めることにより設定される。
も原子半径が小さいため，イオンアシスト効果が小さ
い。従って，混合ガス中のＡｒに変えてＣ3Ｆ6とＯ2と
Ｈｅとから成る混合ガスによってエッチング処理を行っ
た場合には，エッチング性が低下してしまう。よって，
本実施の形態にかかる混合ガス中のＡｒの流量を適度に
減少させて，本来処理室１０２内に導入されるべきＡｒ
の流量との差の流量でＨｅを導入する構成とすることが
好ましい。これにより，前述したような，ＡｒとＨｅの
優れた効果のみを得ることができる。なお，この場合の
Ｈｅの流量，すなわちＨｅとＡｒとの流量の割合は，予
め実験的に最適値を求めることにより設定される。
【００５３】（第１実施例）次に，エッチング装置１０
０を用いて，エッチングプロセスに用いるガスにＣ3Ｆ6
とＡｒとＯ2とから成る混合ガスを使用して，Ｃ3Ｆ6の
流量を変化させたときの，エッチング特性の結果を図２
および図３に示す。なお，被処理体としては，被処理面
にＳｉＯ2膜が形成された６インチ径のウェハＷを使用
した。また，処理室１０２内のプロセス圧は，４０ｍＴ
ｏｒｒに維持し，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｏ2の
流量を３ｓｃｃｍに固定し，Ｃ3Ｆ6の流量を変化させ
て，Ｃ3Ｆ6の分圧を制御した。さらに，サセプタ１１０
の温度は，４０℃に設定されている。そして，高周波電
力については，上部電極１２４に対しては周波数が２
７．１２ＭＨｚで２０００Ｗの高周波電力を印加し，一
方下部電極となるサセプタ１１０に対しては周波数が
０．８ＭＨｚで９００Ｗの高周波電力を印加した。ま
た，ウェハＷの表面温度は，表面温度測定シールで測定
したところ，約９０℃であった。
０を用いて，エッチングプロセスに用いるガスにＣ3Ｆ6
とＡｒとＯ2とから成る混合ガスを使用して，Ｃ3Ｆ6の
流量を変化させたときの，エッチング特性の結果を図２
および図３に示す。なお，被処理体としては，被処理面
にＳｉＯ2膜が形成された６インチ径のウェハＷを使用
した。また，処理室１０２内のプロセス圧は，４０ｍＴ
ｏｒｒに維持し，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｏ2の
流量を３ｓｃｃｍに固定し，Ｃ3Ｆ6の流量を変化させ
て，Ｃ3Ｆ6の分圧を制御した。さらに，サセプタ１１０
の温度は，４０℃に設定されている。そして，高周波電
力については，上部電極１２４に対しては周波数が２
７．１２ＭＨｚで２０００Ｗの高周波電力を印加し，一
方下部電極となるサセプタ１１０に対しては周波数が
０．８ＭＨｚで９００Ｗの高周波電力を印加した。ま
た，ウェハＷの表面温度は，表面温度測定シールで測定
したところ，約９０℃であった。
【００５４】（第２実施例）また，処理室１０２内の全
圧を変化させたときの，エッチング特性の結果を図４お
よび図５に示す。なお，Ｃ3Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍ，
Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｏ2の流量を３ｓｃｃｍ
に固定し，Ｏ2／Ｃ3Ｆ6の標準状態流量比を０．２３に
維持し，不図示の排気バルブを制御することにより全圧
を変化させて，Ｃ3Ｆ6の分圧を制御した。また，他の条
件は，第１実施例と同じである。
圧を変化させたときの，エッチング特性の結果を図４お
よび図５に示す。なお，Ｃ3Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍ，
Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｏ2の流量を３ｓｃｃｍ
に固定し，Ｏ2／Ｃ3Ｆ6の標準状態流量比を０．２３に
維持し，不図示の排気バルブを制御することにより全圧
を変化させて，Ｃ3Ｆ6の分圧を制御した。また，他の条
件は，第１実施例と同じである。
【００５５】（第３実施例）さらに，Ｏ2の流量を変化
させたときの，エッチング特性の結果を図６および図７
に示す。なお，処理室１０２内のプロセス圧は，４０ｍ
Ｔｏｒｒに維持し，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｃ3
Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍに固定した。また，他の条件
は，第１実施例と同じである。
させたときの，エッチング特性の結果を図６および図７
に示す。なお，処理室１０２内のプロセス圧は，４０ｍ
Ｔｏｒｒに維持し，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｃ3
Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍに固定した。また，他の条件
は，第１実施例と同じである。
【００５６】これら第１〜第３実施例における図２〜図
７に示した結果から，Ｃ3Ｆ6とＯ2の流量比が０．１≦
Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０で，かつ分圧が０．５ｍＴｏｒｒ
〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲では，ＳｉＯ2膜でのエッチ
ングレートが５００ｎｍ／分以上で，フォトレジスト層
に対するＳｉＯ2膜の選択比が約５以上であると共に，
直径０．４μのコンタクトホールをアスペクト比５で抜
くことができる。従って，かかる混合ガスを構成する各
ガスの流量比および分圧を上記範囲内に設定することに
より，所望のエッチング特性を得ることができる。
７に示した結果から，Ｃ3Ｆ6とＯ2の流量比が０．１≦
Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０で，かつ分圧が０．５ｍＴｏｒｒ
〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲では，ＳｉＯ2膜でのエッチ
ングレートが５００ｎｍ／分以上で，フォトレジスト層
に対するＳｉＯ2膜の選択比が約５以上であると共に，
直径０．４μのコンタクトホールをアスペクト比５で抜
くことができる。従って，かかる混合ガスを構成する各
ガスの流量比および分圧を上記範囲内に設定することに
より，所望のエッチング特性を得ることができる。
【００５７】以上，本発明の好適な実施の一形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
【００５８】例えば，上記実施の形態において，平行平
板型のエッチング装置１００によってエッチング処理を
施す例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定
されない。本発明は，例えば誘導結合型プラズマ処理装
置やマイクロ波プラズマ処理装置などにより，エッチン
グ処理を行う場合にも適用することができる。
板型のエッチング装置１００によってエッチング処理を
施す例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定
されない。本発明は，例えば誘導結合型プラズマ処理装
置やマイクロ波プラズマ処理装置などにより，エッチン
グ処理を行う場合にも適用することができる。
【００５９】また，上記実施の形態においては，上部電
極１２４及びサセプタ１１０のそれぞれに，所定の高周
波電力を印加する構成を例に挙げて説明したが，本発明
はかかる構成に限定されず，サセプタのみに高周波電力
を印加する構成としても実施可能である。
極１２４及びサセプタ１１０のそれぞれに，所定の高周
波電力を印加する構成を例に挙げて説明したが，本発明
はかかる構成に限定されず，サセプタのみに高周波電力
を印加する構成としても実施可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
プラズマ発生用ガスにＣ3Ｆ6を使用するため，このＣ3
Ｆ6が例えばエッチング処理に関与せずにそのまま大気
中に放出された場合でも，大気中で加水分解され，温室
効果による地球の温暖化に関与しにくい。また，エッチ
ング処理には，Ｃ3Ｆ6のみならず，Ｏ2およびＡｒを添
加した混合ガスを使用するため，例えばｃ−Ｃ4Ｆ8とほ
ぼ同等のエッチング特性を確保することができる。
プラズマ発生用ガスにＣ3Ｆ6を使用するため，このＣ3
Ｆ6が例えばエッチング処理に関与せずにそのまま大気
中に放出された場合でも，大気中で加水分解され，温室
効果による地球の温暖化に関与しにくい。また，エッチ
ング処理には，Ｃ3Ｆ6のみならず，Ｏ2およびＡｒを添
加した混合ガスを使用するため，例えばｃ−Ｃ4Ｆ8とほ
ぼ同等のエッチング特性を確保することができる。
【図１】本発明を適用可能なエッチング装置の実施の一
形態を示す概略的な断面図である。
形態を示す概略的な断面図である。
【図２】本実施の形態にかかるドライエッチング方法に
基づいて，Ｃ3Ｆ6の流量を変化させたときのエッチング
特性の結果を示す表である。
基づいて，Ｃ3Ｆ6の流量を変化させたときのエッチング
特性の結果を示す表である。
【図３】図２に示したエッチング特性を表す図である。
【図４】本実施の形態にかかるドライエッチング方法に
基づいて，処理室の全圧を変化させたときのエッチング
特性の結果を示す表である。
基づいて，処理室の全圧を変化させたときのエッチング
特性の結果を示す表である。
【図５】図４に示したエッチング特性を表す図である。
【図６】本実施の形態にかかるエッチング方法に基づい
て，Ｏ2の流量を変化させたときのエッチング特性の結
果を示す表である。
て，Ｏ2の流量を変化させたときのエッチング特性の結
果を示す表である。
【図７】図６に示したエッチング特性を表す図である。
１０２ 処理室 １０４ 処理容器 １１０ サセプタ １２４ 上部電極 １５２，１５４，１５６ ガス供給源 １６４，１６８ 高周波電源 Ｗ ウェハ
Claims (4)
- 【請求項１】 減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを
導入し，所定の減圧雰囲気の下で前記処理室内にプラズ
マを発生させて，前記処理室内の被処理体の被処理面に
形成された酸化シリコン系材料層にエッチング処理を施
すドライエッチング方法であって，前記処理ガスは，Ｃ
3Ｆ6，Ｏ2およびＡｒから成る混合ガスであることを特
徴とする，ドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記混合ガスは，前記Ｃ3Ｆ6および前記
Ｏ2の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定さ
れ，前記Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴ
ｏｒｒに設定されることを特徴とする，請求項１に記載
のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを
導入し，所定の減圧雰囲気の下で前記処理室内にプラズ
マを発生させて，前記処理室内の被処理体の被処理面に
形成された酸化シリコン系材料層にエッチング処理を施
すドライエッチング方法であって，前記処理ガスは，Ｃ
3Ｆ6，Ｏ2，ＡｒおよびＨｅから成る混合ガスであるこ
とを特徴とする，ドライエッチング方法。 - 【請求項４】 前記混合ガスは，前記Ｃ3Ｆ6および前記
Ｏ2の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０に設定さ
れ，前記Ｃ3Ｆ6の分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴ
ｏｒｒに設定されることを特徴とする，請求項３に記載
のドライエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01340297A JP3798491B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ドライエッチング方法 |
| US08/998,200 US5972799A (en) | 1997-01-08 | 1997-12-29 | Dry etching method |
| KR1019970082258A KR100731331B1 (ko) | 1997-01-08 | 1997-12-31 | 드라이 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01340297A JP3798491B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199869A true JPH10199869A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3798491B2 JP3798491B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=11832141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01340297A Expired - Fee Related JP3798491B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ドライエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972799A (ja) |
| JP (1) | JP3798491B2 (ja) |
| KR (1) | KR100731331B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001024230A3 (en) * | 1999-09-27 | 2001-10-25 | Lam Res Corp | Techniques for improving etching in a plasma processing chamber |
| US6553277B1 (en) | 1999-05-07 | 2003-04-22 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for vacuum treatment |
| JP2007005464A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、及びコンピュータ記憶媒体 |
| KR100731331B1 (ko) * | 1997-01-08 | 2007-10-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 에칭방법 |
| JP2008219048A (ja) * | 2008-06-12 | 2008-09-18 | Kawasaki Microelectronics Kk | 石英治具およびプラズマ処理装置 |
| CN102012643A (zh) * | 2009-09-07 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 减压干燥装置和减压干燥方法 |
| JP2017092357A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183655B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon |
| US6602434B1 (en) * | 1998-03-27 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related fluorocarbons and manifesting a wide process window |
| TW514996B (en) * | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| TW200819555A (en) * | 2000-09-08 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning |
| JP2002110647A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6797639B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| US9165785B2 (en) * | 2013-03-29 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Reducing bowing bias in etching an oxide layer |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683942A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Matsushita Electronics Corp | Plasma etching of poly-crystal semiconductor |
| JPS61133630A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法 |
| JP2990608B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1999-12-13 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法 |
| JPH04170026A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH04170027A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JP3154128B2 (ja) * | 1991-05-24 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5770098A (en) * | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
| JPH0794482A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ドライエッチング方法 |
| JP3798491B2 (ja) * | 1997-01-08 | 2006-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP01340297A patent/JP3798491B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-29 US US08/998,200 patent/US5972799A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-31 KR KR1019970082258A patent/KR100731331B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731331B1 (ko) * | 1997-01-08 | 2007-10-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 에칭방법 |
| US6553277B1 (en) | 1999-05-07 | 2003-04-22 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for vacuum treatment |
| WO2001024230A3 (en) * | 1999-09-27 | 2001-10-25 | Lam Res Corp | Techniques for improving etching in a plasma processing chamber |
| US6410451B2 (en) | 1999-09-27 | 2002-06-25 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etching in a plasma processing chamber |
| KR100743873B1 (ko) | 1999-09-27 | 2007-07-30 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 챔버 내에서의 에칭을 개선하기 위한 기술 |
| JP2007005464A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP4602171B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2008219048A (ja) * | 2008-06-12 | 2008-09-18 | Kawasaki Microelectronics Kk | 石英治具およびプラズマ処理装置 |
| CN102012643A (zh) * | 2009-09-07 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 减压干燥装置和减压干燥方法 |
| JP2017092357A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980070319A (ko) | 1998-10-26 |
| US5972799A (en) | 1999-10-26 |
| KR100731331B1 (ko) | 2007-10-01 |
| JP3798491B2 (ja) | 2006-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1149403B1 (en) | Plasma reactor with perforated plasma confinement ring | |
| US20210134604A1 (en) | Etching method | |
| CN104882360B (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| KR101449081B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| JP2005340787A (ja) | リモートプラズマ発生チューブの表面洗浄方法と、リモートプラズマ発生チューブを用いる基板処理方法と、基板処理装置 | |
| JP3798491B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| WO2004093175A1 (ja) | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 | |
| US5240555A (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor etching machines | |
| JPH11340211A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2005039015A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| TWI809086B (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
| JP2003264169A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6788400B2 (ja) | 被処理体を処理する方法 | |
| WO2003077301A1 (fr) | Procede de gravure et appareil de gravure | |
| WO2003056617A1 (fr) | Procede de gravure et dispositif de gravure au plasma | |
| JP2007027564A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JPH0249425A (ja) | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 | |
| JPH1187324A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR100262883B1 (ko) | 플라즈마 크리닝 방법 및 플라즈마 처리장치 | |
| JPH09306892A (ja) | クリーニング方法および半導体製造装置 | |
| JP7493400B2 (ja) | エッチング方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム | |
| JP6165518B2 (ja) | プラズマ処理方法および真空処理装置 | |
| WO2003067643A1 (fr) | Procédé et appareil de gravure | |
| JPH07106300A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP3373466B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040105 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051024 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060420 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150428 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |