JPS61133630A - 半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法 - Google Patents
半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法Info
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- JPS61133630A JPS61133630A JP25621784A JP25621784A JPS61133630A JP S61133630 A JPS61133630 A JP S61133630A JP 25621784 A JP25621784 A JP 25621784A JP 25621784 A JP25621784 A JP 25621784A JP S61133630 A JPS61133630 A JP S61133630A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板上の８１０２膜のドライエツチング
方法（以下単にドライエツチング方法という。）に関す
る。
方法（以下単にドライエツチング方法という。）に関す
る。
従来の技術
従来、半導体基板上のＳｉｎ、膜を所定の形状にエツチ
ングする方法として、平行平板電極の一方に半導体基板
を配置し、ハロゲン含有ガスを導入し、両電極間に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させるドライエツチン
グ方法が多く用いられ（４） −一
− ている。しかし従来のドライエツチング方法ではエツチ
ング速度を高めようとした場合、５１０２膜と下地層あ
るいはレジストとの選択比が悪いという欠点があった。
ングする方法として、平行平板電極の一方に半導体基板
を配置し、ハロゲン含有ガスを導入し、両電極間に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させるドライエツチン
グ方法が多く用いられ（４） −一
− ている。しかし従来のドライエツチング方法ではエツチ
ング速度を高めようとした場合、５１０２膜と下地層あ
るいはレジストとの選択比が悪いという欠点があった。
この問題を解決するために、最近フッ素含有ガス、たと
えば販Ｆ６、Ｏ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ８に対して水素もしくは
水素含有ガス（たとえば０ＨＦ３、Ｃ２Ｈ４など）を添
加する方法が報告されている。しかしながらエツチング
速度および選択比ともにまだ十分な値が得られていない
。
えば販Ｆ６、Ｏ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ８に対して水素もしくは
水素含有ガス（たとえば０ＨＦ３、Ｃ２Ｈ４など）を添
加する方法が報告されている。しかしながらエツチング
速度および選択比ともにまだ十分な値が得られていない
。
発明の構成
本発明は、反応容器中に噴出するＯ、 ？、と０ＨＦ３
の混合割合の和が２０５００Ｍになる混合ガスを放電さ
せてプラズマを発生させ、半導体基板上の５ｉｎ２Ｌ膜
を所定形状にエツチングするにある。
の混合割合の和が２０５００Ｍになる混合ガスを放電さ
せてプラズマを発生させ、半導体基板上の５ｉｎ２Ｌ膜
を所定形状にエツチングするにある。
作用
本発明は、反応容器中に噴出する０３Ｆ、とＣＨ’Ｆ。
の混合割合の和が２０５００Ｍになるようにした混合ガ
スを、反応容器内を一度０． ＯＩ Ｔｏｏｒ以下に排
気した後、導入し、圧力を１０ （ｌ ｍ Ｔｏｏｒに
保ち高周波電源（５）から放電電極＋２１、（３１に印
加し、プラズマを発生さｉエツチングするもので、従来
のものに比較し、エツチング速度、エツチング速度比が
向上する。
スを、反応容器内を一度０． ＯＩ Ｔｏｏｒ以下に排
気した後、導入し、圧力を１０ （ｌ ｍ Ｔｏｏｒに
保ち高周波電源（５）から放電電極＋２１、（３１に印
加し、プラズマを発生さｉエツチングするもので、従来
のものに比較し、エツチング速度、エツチング速度比が
向上する。
実施例
第１図に本発明の、ドＭイ翠プチンダ方法に使用したプ
ラズマエツチング装置の一実施例を示す。
ラズマエツチング装置の一実施例を示す。
反Ｆ６容器（１）内には平行平板電極＋２１ 、（３１
が設けられ、下部電極（２）上にＰＳＧ膜を有するシリ
コン基板（４）を配置し、下部電極（２）には１３．５
６ ＭＨｚの高周波電源（５）が接続され反応容器（１
）から絶縁されており、上部電極（３）は接地されてい
る。上部電極（３）はエツチングガス噴出口（６）が多
数設けられている。
が設けられ、下部電極（２）上にＰＳＧ膜を有するシリ
コン基板（４）を配置し、下部電極（２）には１３．５
６ ＭＨｚの高周波電源（５）が接続され反応容器（１
）から絶縁されており、上部電極（３）は接地されてい
る。上部電極（３）はエツチングガス噴出口（６）が多
数設けられている。
本発明のプラズマエツチング装置の動作を説明する。
真空ポンプ（７）で反応容器内を一度０． ＯＩ Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した後、エツチングガスとしてＣＨＦ、
を５５００Ｍ （５ｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｏｅ
ｎｔｉｍｅｔｅｒ Ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔ ）０３Ｆ、を
１５５００Ｍ上部電極（３）から導入し圧力を１００ｍ
Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源（５）から両電極に高周
波電圧を印加し、プラズマを発生させ、出力３００Ｗで
印加した。本実施例で使用したシリコン基板の断面図を
第２図に示した。
ｒｒ以下に排気した後、エツチングガスとしてＣＨＦ、
を５５００Ｍ （５ｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｏｅ
ｎｔｉｍｅｔｅｒ Ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔ ）０３Ｆ、を
１５５００Ｍ上部電極（３）から導入し圧力を１００ｍ
Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源（５）から両電極に高周
波電圧を印加し、プラズマを発生させ、出力３００Ｗで
印加した。本実施例で使用したシリコン基板の断面図を
第２図に示した。
シリコン基板（８）上に多結晶シリコン層（９１、ＰＳ
Ｇ膜Ｑｌ、レジストαυが形成されている。さらにエツ
チングガス比を変え、他のパラメータは同じ条件でエツ
チングを行なった結果を第３図に示した。
Ｇ膜Ｑｌ、レジストαυが形成されている。さらにエツ
チングガス比を変え、他のパラメータは同じ条件でエツ
チングを行なった結果を第３図に示した。
曲線ａ、ｂはそれぞれＰＳＧ膜のエツチング速度および
ＰＳＧ膜とレジストとのエツチング速度比を示す。０Ｈ
Ｆ３が７５％以下の範囲でエツチング速度２０００ Ａ
０／分以上、ＰＳＧとレジストのエツチング速度比３以
上が得られた。比較のため従来のＯＨＦ、と０２Ｆ、を
エツチングガスとして用いて前記実施例と同一条件でエ
ツチングした場合のエツチング特性を第４図に示した。
ＰＳＧ膜とレジストとのエツチング速度比を示す。０Ｈ
Ｆ３が７５％以下の範囲でエツチング速度２０００ Ａ
０／分以上、ＰＳＧとレジストのエツチング速度比３以
上が得られた。比較のため従来のＯＨＦ、と０２Ｆ、を
エツチングガスとして用いて前記実施例と同一条件でエ
ツチングした場合のエツチング特性を第４図に示した。
曲線ｃ、ｄはそれぞれＰＳＧのエツチング速度、ＰＳＧ
とレジストとのエツチング速度比を表わす。本発明に比
べてエツチング速度およびエツチング速度比が悪いこと
は明らかである。
とレジストとのエツチング速度比を表わす。本発明に比
べてエツチング速度およびエツチング速度比が悪いこと
は明らかである。
さらにＯ，Ｆ６流量１０５００Ｍ、 ０ＨＦ３流量１１
０５ＯＯの混合ガス比におけるＰＳＧ膜と下地の多結晶
シリコン膜のエツチング速度比は７であったのに対し０
２Ｆ６流量１０５００Ｍ、 ＯＨＦ、流量１１０５ＯＯ
の混合ガス比の場合のエツチング速度比は５であった。
０５ＯＯの混合ガス比におけるＰＳＧ膜と下地の多結晶
シリコン膜のエツチング速度比は７であったのに対し０
２Ｆ６流量１０５００Ｍ、 ＯＨＦ、流量１１０５ＯＯ
の混合ガス比の場合のエツチング速度比は５であった。
このように下地層とのエツチング速度比も向上させるこ
とができた。
とができた。
実施例ではＰＳＧ膜について説明したが、熱酸化膜につ
いても同様な効果が得られた。
いても同様な効果が得られた。
発明の効果
本発明は、０３Ｆ６あるいはＯ，Ｆ６と０ＨＦ３の両方
を含むガスを用いることにより半導体基板上の８１０２
膜のエツチング速度を高め、しかも下地層やレジストと
のエツチング速度比が向上する効果を生ずる０
を含むガスを用いることにより半導体基板上の８１０２
膜のエツチング速度を高め、しかも下地層やレジストと
のエツチング速度比が向上する効果を生ずる０
第１図は本発明で使用されるドライエツチング装置の概
略図、第２図は半導体基板の断面図、第３図は本発明の
エツチング方法の特性図、第４図は従来のエツチング方
法の特性図、を示す。 １：反応容器 ２：下部電極 ３：上部電極４：半
導体基板 ５：高周波電源 ８：シリコン基板
９：多結晶シリコン膜 １０ ： ＰＳＧ膜 １］
ニレジスト 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１図 第２図
略図、第２図は半導体基板の断面図、第３図は本発明の
エツチング方法の特性図、第４図は従来のエツチング方
法の特性図、を示す。 １：反応容器 ２：下部電極 ３：上部電極４：半
導体基板 ５：高周波電源 ８：シリコン基板
９：多結晶シリコン膜 １０ ： ＰＳＧ膜 １］
ニレジスト 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１図 第２図
Claims (1)
- 反応容器中に噴出するＣ＿３Ｆ＿６とＣＨＦ＿３の混
合割合の和が２０ＳＣＣＭになる混合ガスを放電させて
プラズマを発生させ、半導体基板上のＳｉＯ＿２膜を所
定形状にエッチングする半導体基板上のＳｉＯ＿２膜の
ドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25621784A JPS61133630A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25621784A JPS61133630A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133630A true JPS61133630A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17289555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25621784A Pending JPS61133630A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体基板上のＳｉＯ↓２膜のドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133630A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016110A3 (en) * | 1997-09-19 | 1999-06-10 | Applied Materials Inc | Plasma process for selectively etching oxide using fluoropropane or fluoropropylene |
| US5972799A (en) * | 1997-01-08 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| US6072147A (en) * | 1996-12-05 | 2000-06-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system |
| US6074959A (en) * | 1997-09-19 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method manifesting a wide process window and using hexafluoropropane or other hydrofluoropropanes to selectively etch oxide |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP25621784A patent/JPS61133630A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072147A (en) * | 1996-12-05 | 2000-06-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system |
| US5972799A (en) * | 1997-01-08 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| KR100731331B1 (ko) * | 1997-01-08 | 2007-10-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 드라이 에칭방법 |
| WO1999016110A3 (en) * | 1997-09-19 | 1999-06-10 | Applied Materials Inc | Plasma process for selectively etching oxide using fluoropropane or fluoropropylene |
| US6074959A (en) * | 1997-09-19 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method manifesting a wide process window and using hexafluoropropane or other hydrofluoropropanes to selectively etch oxide |
| US6183655B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon |
| US6361705B1 (en) | 1997-09-19 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma process for selectively etching oxide using fluoropropane or fluoropropylene |
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