JPH10198911A - 抵抗値変化検出回路 - Google Patents
抵抗値変化検出回路Info
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- JPH10198911A JPH10198911A JP35036196A JP35036196A JPH10198911A JP H10198911 A JPH10198911 A JP H10198911A JP 35036196 A JP35036196 A JP 35036196A JP 35036196 A JP35036196 A JP 35036196A JP H10198911 A JPH10198911 A JP H10198911A
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- emitter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性を改善する
ことができる抵抗値変化検出回路を提供する。 【解決手段】 抵抗ＲMR1 の抵抗値が変化すると、電流
ＩB が変化し、電位Ｖ１が変化する。電位Ｖ１は、アン
プ１１の＋入力端子に入力される。このとき、トランジ
スタＱ1 のエミッタには寄生容量Ｃａが生じる。一方、
抵抗Ｒ４を介して入力電位Ｖｉに応じた電位Ｖ２がアン
プ１１の−入力端子に入力される。このとき、トランジ
スタＱ５のエミッタには寄生容量Ｃｂが生じる。ここ
で、トランジスタＱ４，Ｑ６の面積は略等しく、抵抗Ｒ
３，Ｒ４の抵抗値も略等しい。
ことができる抵抗値変化検出回路を提供する。 【解決手段】 抵抗ＲMR1 の抵抗値が変化すると、電流
ＩB が変化し、電位Ｖ１が変化する。電位Ｖ１は、アン
プ１１の＋入力端子に入力される。このとき、トランジ
スタＱ1 のエミッタには寄生容量Ｃａが生じる。一方、
抵抗Ｒ４を介して入力電位Ｖｉに応じた電位Ｖ２がアン
プ１１の−入力端子に入力される。このとき、トランジ
スタＱ５のエミッタには寄生容量Ｃｂが生じる。ここ
で、トランジスタＱ４，Ｑ６の面積は略等しく、抵抗Ｒ
３，Ｒ４の抵抗値も略等しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＨＤＤ(Hard Disk
Drive) の再生ヘッドに設けられるＭＲ(magnetoresist
ive)抵抗の抵抗値変化を検出し、電圧として出力する再
生系のアンプに関する。
Drive) の再生ヘッドに設けられるＭＲ(magnetoresist
ive)抵抗の抵抗値変化を検出し、電圧として出力する再
生系のアンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨＤＤでは、磁気的に記録されている情
報を、再生ヘッドで電圧に変えることで再生を行う。再
生ヘッドでは、ＭＲ抵抗にバイアス電流を流し、ディス
クからの磁界の変化に応じたＭＲ抵抗の抵抗値の変化を
抵抗値変化検出回路によって電圧として取り出してい
る。
報を、再生ヘッドで電圧に変えることで再生を行う。再
生ヘッドでは、ＭＲ抵抗にバイアス電流を流し、ディス
クからの磁界の変化に応じたＭＲ抵抗の抵抗値の変化を
抵抗値変化検出回路によって電圧として取り出してい
る。
【０００３】図４は、従来の抵抗値変化検出回路１の回
路図である。図４に示すように、抵抗値変化検出回路１
は、電源電位「Ｖｃｃ」の供給線とＧＮＤ線との間に、
抵抗Ｒ３、トランジスタＱ１，Ｑ２およびＭＲ抵抗Ｒ
MR1 が直列に順に接続してある。すなわち、抵抗Ｒ３と
トランジスタＱ１のコレクタが接続され、トランジスタ
Ｑ１のエミッタがトランジスタＱ２のコレクタに接続さ
れ、トランジスタＱ２のエミッタがＭＲ抵抗ＲMR1 に接
続されている。また、トランジスタＱ１のエミッタとＧ
ＮＤ線との間には、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗Ｒ
MR1 と並列に、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2
が接続してある。
路図である。図４に示すように、抵抗値変化検出回路１
は、電源電位「Ｖｃｃ」の供給線とＧＮＤ線との間に、
抵抗Ｒ３、トランジスタＱ１，Ｑ２およびＭＲ抵抗Ｒ
MR1 が直列に順に接続してある。すなわち、抵抗Ｒ３と
トランジスタＱ１のコレクタが接続され、トランジスタ
Ｑ１のエミッタがトランジスタＱ２のコレクタに接続さ
れ、トランジスタＱ２のエミッタがＭＲ抵抗ＲMR1 に接
続されている。また、トランジスタＱ１のエミッタとＧ
ＮＤ線との間には、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗Ｒ
MR1 と並列に、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2
が接続してある。
【０００４】ここで、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗
ＲMR1 と、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 とは
異なるヘッドブロックに設けられ、スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２を切り換えることで、所定のヘッドブロックが選択
可能になっている。トランジスタＱ２，Ｑ３のベース
は、それぞれスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介して、ｇm ア
ンプ１０の出力と接続されている。ｇm アンプ１０の出
力は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ線に接続されてい
る。ｇm アンプ１０は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との差分電
圧の直流成分をトランジスタＱ２，Ｑ３のベースに供給
する。
ＲMR1 と、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 とは
異なるヘッドブロックに設けられ、スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２を切り換えることで、所定のヘッドブロックが選択
可能になっている。トランジスタＱ２，Ｑ３のベース
は、それぞれスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介して、ｇm ア
ンプ１０の出力と接続されている。ｇm アンプ１０の出
力は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ線に接続されてい
る。ｇm アンプ１０は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との差分電
圧の直流成分をトランジスタＱ２，Ｑ３のベースに供給
する。
【０００５】トランジスタＱ１のベースは、並列的に接
続された抵抗Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して電源電
位「Ｖｃｃ」の供給線に接続される共に、電流ＩA の電
流源１３を介してＧＮＤ線に接続されている。また、ト
ランジスタＱ１のベースは、アンプ１１の−入力端子お
よびｇm アンプ１０の−入力端子と接続されている。ト
ランジスタＱ１のコレクタは、アンプ１１の＋入力端子
およびｇm アンプ１０の＋入力端子と接続されている。
続された抵抗Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して電源電
位「Ｖｃｃ」の供給線に接続される共に、電流ＩA の電
流源１３を介してＧＮＤ線に接続されている。また、ト
ランジスタＱ１のベースは、アンプ１１の−入力端子お
よびｇm アンプ１０の−入力端子と接続されている。ト
ランジスタＱ１のコレクタは、アンプ１１の＋入力端子
およびｇm アンプ１０の＋入力端子と接続されている。
【０００６】抵抗値変化検出回路１では、トランジスタ
Ｑ１のベースの電位を入力電位Ｖｉとし、アンプ１１の
＋入力端子の電位をＶ１とし、アンプ１１の−入力端子
の電位をＶ２とし、アンプ１１の出力端子の電位を出力
電位Ｖｏとする。
Ｑ１のベースの電位を入力電位Ｖｉとし、アンプ１１の
＋入力端子の電位をＶ１とし、アンプ１１の−入力端子
の電位をＶ２とし、アンプ１１の出力端子の電位を出力
電位Ｖｏとする。
【０００７】抵抗値変化検出回路１では、ディスクから
磁界の変化に応じてＭＲ抵抗ＲMR1の抵抗値が変化する
と、その変化に応じて電流ＩB が変化し。これにより、
抵抗Ｒ３において降下する電圧が変化し、電位Ｖ１が変
化する。一方、電位Ｖ２は、原則として、「Ｖｃｃ−Ｉ
A ・Ｒ１」に固定されている。このとき、出力電圧Ｖｏ
は、電位Ｖ１と電位Ｖ２とを差動増幅したものになり、
この値は電位Ｖ１の値によって変動する。
磁界の変化に応じてＭＲ抵抗ＲMR1の抵抗値が変化する
と、その変化に応じて電流ＩB が変化し。これにより、
抵抗Ｒ３において降下する電圧が変化し、電位Ｖ１が変
化する。一方、電位Ｖ２は、原則として、「Ｖｃｃ−Ｉ
A ・Ｒ１」に固定されている。このとき、出力電圧Ｖｏ
は、電位Ｖ１と電位Ｖ２とを差動増幅したものになり、
この値は電位Ｖ１の値によって変動する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗値変化
検出回路１では、トランジスタＱ１のエミッタが、ヘッ
ドブロックのトランジスタＱ２，Ｑ３のコレクタに接続
されているため、トランジスタＱ１のエミッタとＧＮＤ
との間に寄生容量Ｃａが生じてしまう。電源電圧が変動
する場合を考え、入力信号を電源電圧の交流成分Ｖｉと
し、トランジスタＱ１での利得を考えると、Ｖ１での交
流成分Ｖ１ａは、下記式（１）で示される。
検出回路１では、トランジスタＱ１のエミッタが、ヘッ
ドブロックのトランジスタＱ２，Ｑ３のコレクタに接続
されているため、トランジスタＱ１のエミッタとＧＮＤ
との間に寄生容量Ｃａが生じてしまう。電源電圧が変動
する場合を考え、入力信号を電源電圧の交流成分Ｖｉと
し、トランジスタＱ１での利得を考えると、Ｖ１での交
流成分Ｖ１ａは、下記式（１）で示される。
【０００９】
【数１】 Ｖ１ａ＝Ｖｉ−Ｖｉ・Ｒ３／（ｒｅ＋１／（ω・Ｃａ）） …（１）
【００１０】上記式（１）において、「ｒｅ」はトラン
ジスタＱ１の相互コンダクタンスｇｍの逆数であり、
「ω」は、変動する電源電圧Ｖｉの角周波数を示してい
る。
ジスタＱ１の相互コンダクタンスｇｍの逆数であり、
「ω」は、変動する電源電圧Ｖｉの角周波数を示してい
る。
【００１１】ここで、Ｖ２での交流成分Ｖ２ａはＶｉで
あるため、アンプ１１への入力電圧差ΔＶは下記式
（２）で示される。
あるため、アンプ１１への入力電圧差ΔＶは下記式
（２）で示される。
【００１２】
【数２】 ΔＶ＝Ｖ２ａ−Ｖ１ａ＝Ｖｉ・Ｒ３／（ｒｅ＋１／（ω・Ｃａ）） …（２）
【００１３】ここで、アンプ１１の利得をＡとすると、
出力電圧Ｖｏは下記式（３）で示される。
出力電圧Ｖｏは下記式（３）で示される。
【００１４】
【数３】 Ｖｏ＝ΔＶ・Ａ＝Ｖｉ・Ｒ３・Ａ／（ｒｅ＋１／（ω・Ｃａ）） …（３）
【００１５】すなわち、抵抗値変化検出回路１では、電
源電圧が変動すると、その影響が出力電圧Ｖｏに生じ、
電源電圧変動除去比ＰＳＲＲが高いという問題がある。
ここで、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲとは、電源電圧の
変動による出力電圧の変化を入力電圧の変化に換算した
場合に、その換算値と電源電圧の変化量との比を示し、
電源電圧の変動に対する出力電圧の安定度の指標とな
る。
源電圧が変動すると、その影響が出力電圧Ｖｏに生じ、
電源電圧変動除去比ＰＳＲＲが高いという問題がある。
ここで、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲとは、電源電圧の
変動による出力電圧の変化を入力電圧の変化に換算した
場合に、その換算値と電源電圧の変化量との比を示し、
電源電圧の変動に対する出力電圧の安定度の指標とな
る。
【００１６】本発明は、上述した従来技術に鑑みてなさ
れ、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性を改善することが
できる抵抗値変化検出回路を提供することを目的とす
る。
れ、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性を改善することが
できる抵抗値変化検出回路を提供することを目的とす
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の
抵抗値変化検出回路は、第１の電位と第２の電位との間
に、第１の抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタ
およびエミッタと、第２のトランジスタのコレクタおよ
びエミッタと、第３のトランジスタのコレクタおよびエ
ミッタと、抵抗値変化の検出対象となる第２の抵抗素子
とが順に接続された第１の回路と、前記第１のトランジ
スタのベースと前記第２のトランジスタのベースとの間
に、前記第１の抵抗素子と略同じ抵抗値の第３の抵抗素
子と、ベースおよびコレクタが前記第３の抵抗素子の両
端に接続された第４のトランジスタのコレクタおよびエ
ミッタと、ベースが前記第２のトランジスタのベースと
接続されコレクタが前記第４のトランジスタのエミッタ
に接続され前記第２のトランジスタと略同じ面積を持つ
第５のトランジスタとが順に接続された第２の回路と、
前記第１の抵抗素子と前記第１のトランジスタのコレク
タとの接続ノードの電位と、前記第３の抵抗素子と前記
第４のトランジスタのコレクタとの接続ノードの電位と
を差動増幅して出力電圧とする増幅部とを有する。
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の
抵抗値変化検出回路は、第１の電位と第２の電位との間
に、第１の抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタ
およびエミッタと、第２のトランジスタのコレクタおよ
びエミッタと、第３のトランジスタのコレクタおよびエ
ミッタと、抵抗値変化の検出対象となる第２の抵抗素子
とが順に接続された第１の回路と、前記第１のトランジ
スタのベースと前記第２のトランジスタのベースとの間
に、前記第１の抵抗素子と略同じ抵抗値の第３の抵抗素
子と、ベースおよびコレクタが前記第３の抵抗素子の両
端に接続された第４のトランジスタのコレクタおよびエ
ミッタと、ベースが前記第２のトランジスタのベースと
接続されコレクタが前記第４のトランジスタのエミッタ
に接続され前記第２のトランジスタと略同じ面積を持つ
第５のトランジスタとが順に接続された第２の回路と、
前記第１の抵抗素子と前記第１のトランジスタのコレク
タとの接続ノードの電位と、前記第３の抵抗素子と前記
第４のトランジスタのコレクタとの接続ノードの電位と
を差動増幅して出力電圧とする増幅部とを有する。
【００１８】本発明の抵抗値変化検出回路では、抵抗値
変化の検出対象となる第２の抵抗素子の抵抗値が変化す
ると、その変化に応じて増幅部の入力電位が変化し、増
幅部の出力電圧から当該抵抗値の変化量を知ることがで
きる。この抵抗値変化検出回路では、第１のトランジス
タおよび第４のトランジスタのエミッタに寄生容量が生
じるが、第１の抵抗素子と第３の抵抗素子との抵抗値が
同じで、第２のトランジスタと第５のトランジスタの面
積が略等しいことから、当該寄生容量は増幅部の入力電
圧に影響を与えない。
変化の検出対象となる第２の抵抗素子の抵抗値が変化す
ると、その変化に応じて増幅部の入力電位が変化し、増
幅部の出力電圧から当該抵抗値の変化量を知ることがで
きる。この抵抗値変化検出回路では、第１のトランジス
タおよび第４のトランジスタのエミッタに寄生容量が生
じるが、第１の抵抗素子と第３の抵抗素子との抵抗値が
同じで、第２のトランジスタと第５のトランジスタの面
積が略等しいことから、当該寄生容量は増幅部の入力電
圧に影響を与えない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
抵抗値変化検出回路２１について説明する。この抵抗値
変化検出回路２１は、ＨＤＤの再生ヘッドに設けられ、
ＭＲ抵抗にバイアス電流を流し、ディスクからの磁界の
変化に応じたＭＲ抵抗の抵抗値の変化を電圧として取り
出す回路である。
抵抗値変化検出回路２１について説明する。この抵抗値
変化検出回路２１は、ＨＤＤの再生ヘッドに設けられ、
ＭＲ抵抗にバイアス電流を流し、ディスクからの磁界の
変化に応じたＭＲ抵抗の抵抗値の変化を電圧として取り
出す回路である。
【００２０】図１は、本実施形態の抵抗値変化検出回路
２１の回路図である。図１に示すように、抵抗値変化検
出回路２１は、電源電位「Ｖｃｃ」の供給線とＧＮＤ線
との間に、抵抗Ｒ３、トランジスタＱ１，Ｑ４，Ｑ２お
よびＭＲ抵抗ＲMR1 がこの順で直列に接続してある。す
なわち、抵抗Ｒ３とトランジスタＱ１のコレクタが接続
され、トランジスタＱ１のエミッタがトランジスタＱ４
のコレクタに接続され、トランジスタＱ４のエミッタが
トランジスタＱ２のコレクタに接続され、トランジスタ
Ｑ２のエミッタがＭＲ抵抗ＲMR1 に接続されている。ま
た、トランジスタＱ４のエミッタとＧＮＤ線との間に
は、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗ＲMR1 と並列に、
トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 が接続してあ
る。
２１の回路図である。図１に示すように、抵抗値変化検
出回路２１は、電源電位「Ｖｃｃ」の供給線とＧＮＤ線
との間に、抵抗Ｒ３、トランジスタＱ１，Ｑ４，Ｑ２お
よびＭＲ抵抗ＲMR1 がこの順で直列に接続してある。す
なわち、抵抗Ｒ３とトランジスタＱ１のコレクタが接続
され、トランジスタＱ１のエミッタがトランジスタＱ４
のコレクタに接続され、トランジスタＱ４のエミッタが
トランジスタＱ２のコレクタに接続され、トランジスタ
Ｑ２のエミッタがＭＲ抵抗ＲMR1 に接続されている。ま
た、トランジスタＱ４のエミッタとＧＮＤ線との間に
は、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗ＲMR1 と並列に、
トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 が接続してあ
る。
【００２１】ここで、トランジスタＱ２およびＭＲ抵抗
ＲMR1 と、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 とは
異なるヘッドブロックに設けられ、スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２を切り換えることで、所定のヘッドブロックが選択
可能になっている。トランジスタＱ２，Ｑ３のベース
は、それぞれスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介して、ｇm ア
ンプ１０の出力と接続されている。ｇm アンプ１０の出
力は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ線に接続されてい
る。ｇm アンプ１０は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との差分電
圧の直流成分をトランジスタＱ２，Ｑ３のベースに供給
する。
ＲMR1 と、トランジスタＱ３およびＭＲ抵抗ＲMR2 とは
異なるヘッドブロックに設けられ、スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２を切り換えることで、所定のヘッドブロックが選択
可能になっている。トランジスタＱ２，Ｑ３のベース
は、それぞれスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介して、ｇm ア
ンプ１０の出力と接続されている。ｇm アンプ１０の出
力は、コンデンサＣ１を介してＧＮＤ線に接続されてい
る。ｇm アンプ１０は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との差分電
圧の直流成分をトランジスタＱ２，Ｑ３のベースに供給
する。
【００２２】トランジスタＱ１のベースは、並列的に接
続された抵抗Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して電源電
位「Ｖｃｃ」の供給線に接続される共に、電流ＩA の電
流源１３を介してＧＮＤ線に接続されている。また、ト
ランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒ４を介して、アンプ
１１の−入力端子およびｇm アンプ１０の−入力端子と
接続されている。抵抗Ｒ４の一端にはトランジスタＱ５
のベースが接続され、他端にはトランジスタＱ５のコレ
クタが接続されている。抵抗Ｒ４は、抵抗Ｒ３と略同じ
抵抗値を持つ。トランジスタＱ５のエミッタは、トラン
ジスタＱ６のコレクタに接続されている。トランジスタ
Ｑ６のベースはトランジスタＱ４のベースに接続され、
トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ６を介してＧＮ
Ｄ線に接続されている。ここで、トランジスタＱ６の面
積は、トランジスタＱ４の面積と略等しい。
続された抵抗Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して電源電
位「Ｖｃｃ」の供給線に接続される共に、電流ＩA の電
流源１３を介してＧＮＤ線に接続されている。また、ト
ランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒ４を介して、アンプ
１１の−入力端子およびｇm アンプ１０の−入力端子と
接続されている。抵抗Ｒ４の一端にはトランジスタＱ５
のベースが接続され、他端にはトランジスタＱ５のコレ
クタが接続されている。抵抗Ｒ４は、抵抗Ｒ３と略同じ
抵抗値を持つ。トランジスタＱ５のエミッタは、トラン
ジスタＱ６のコレクタに接続されている。トランジスタ
Ｑ６のベースはトランジスタＱ４のベースに接続され、
トランジスタＱ６のエミッタは、抵抗Ｒ６を介してＧＮ
Ｄ線に接続されている。ここで、トランジスタＱ６の面
積は、トランジスタＱ４の面積と略等しい。
【００２３】トランジスタＱ１のコレクタは、アンプ１
１の＋入力端子およびｇm アンプ１０の＋入力端子と接
続されている。
１の＋入力端子およびｇm アンプ１０の＋入力端子と接
続されている。
【００２４】抵抗値変化検出回路２１では、アンプ１１
の＋端子の電位をＶ１とし、−端子の電位をＶ２として
いる。また、アンプ１１の出力端子の電位を出力電位Ｖ
ｏとする。
の＋端子の電位をＶ１とし、−端子の電位をＶ２として
いる。また、アンプ１１の出力端子の電位を出力電位Ｖ
ｏとする。
【００２５】抵抗値変化検出回路２１では、ディスクか
ら磁界の変化に応じてＭＲ抵抗ＲMR1 の抵抗値が変化す
ると、その変化に応じて電流ＩB が変化し。これによ
り、抵抗Ｒ３において降下する電圧が変化し、電位Ｖ１
が変化する。このとき、出力電圧Ｖｏは、電位Ｖ１と電
位Ｖ２とを差動増幅したものになり、この値は電位Ｖ１
の値によって変動する。
ら磁界の変化に応じてＭＲ抵抗ＲMR1 の抵抗値が変化す
ると、その変化に応じて電流ＩB が変化し。これによ
り、抵抗Ｒ３において降下する電圧が変化し、電位Ｖ１
が変化する。このとき、出力電圧Ｖｏは、電位Ｖ１と電
位Ｖ２とを差動増幅したものになり、この値は電位Ｖ１
の値によって変動する。
【００２６】抵抗値変化検出回路２１では、トランジス
タＱ１のエミッタが、ヘッドブロックのトランジスタＱ
４のコレクタに接続されているため、トランジスタＱ１
のエミッタとＧＮＤとの間に寄生容量Ｃａが生じる。電
源電圧が変動する場合を考え、入力信号を電源電圧の交
流成分Ｖｉとし、トランジスタＱ１での利得を考える
と、Ｖ１での交流成分Ｖ１ａは、下記式（４）で示され
る。
タＱ１のエミッタが、ヘッドブロックのトランジスタＱ
４のコレクタに接続されているため、トランジスタＱ１
のエミッタとＧＮＤとの間に寄生容量Ｃａが生じる。電
源電圧が変動する場合を考え、入力信号を電源電圧の交
流成分Ｖｉとし、トランジスタＱ１での利得を考える
と、Ｖ１での交流成分Ｖ１ａは、下記式（４）で示され
る。
【００２７】
【数４】 Ｖ１ａ＝Ｖｉ−Ｖｉ・Ｒ３／（ｒｅ＋１／（ω・Ｃａ）） …（４）
【００２８】また、抵抗値変化検出回路２１では、トラ
ンジスタＱ５のエミッタが、トランジスタＱ６のコレク
タに接続されているため、トランジスタＱ５のエミッタ
とＧＮＤとの間に寄生容量Ｃｂが生じる。そのため、ト
ランジスタＱ５での利得を考えると、Ｖ２での交流成分
Ｖ２ａは、下記式（５）で示される。
ンジスタＱ５のエミッタが、トランジスタＱ６のコレク
タに接続されているため、トランジスタＱ５のエミッタ
とＧＮＤとの間に寄生容量Ｃｂが生じる。そのため、ト
ランジスタＱ５での利得を考えると、Ｖ２での交流成分
Ｖ２ａは、下記式（５）で示される。
【００２９】
【数５】 Ｖ２ａ＝Ｖｉ−Ｖｉ・Ｒ４／（ｒｅ＋１／（ω・Ｃｂ）） …（５）
【００３０】上記式（４），（５）において、「ｒｅ」
はトランジスタＱ１，Ｑ５の相互コンダクタンスｇｍの
逆数を示しており、「ω」は、変動する電源電圧Ｖｉの
角周波数を示している。
はトランジスタＱ１，Ｑ５の相互コンダクタンスｇｍの
逆数を示しており、「ω」は、変動する電源電圧Ｖｉの
角周波数を示している。
【００３１】ここで、トランジスタＱ６の面積はトラン
ジスタＱ４の面積と略等しいため、寄生容量Ｃａと寄生
容量Ｃｂとは略等しい。また、前述したように、抵抗値
Ｒ３と抵抗地Ｒ４も等しい。従って、上記式（４），
（５）から、Ｖ２ａ＝Ｖ１ａが成り立ち、アンプ１１の
入力電圧差ΔＶは「０」になる。そのため、抵抗値変化
検出回路２１では、電源電圧Ｖｃｃが変動しても、アン
プ１１の入力電圧差ΔＶには影響が及ばない。すなわ
ち、抵抗値変化検出回路２１によれば、前述した従来の
抵抗値変化検出回路１に比べて電源電圧変動除去比ＰＳ
ＲＲ特性が低くなり、改善される。
ジスタＱ４の面積と略等しいため、寄生容量Ｃａと寄生
容量Ｃｂとは略等しい。また、前述したように、抵抗値
Ｒ３と抵抗地Ｒ４も等しい。従って、上記式（４），
（５）から、Ｖ２ａ＝Ｖ１ａが成り立ち、アンプ１１の
入力電圧差ΔＶは「０」になる。そのため、抵抗値変化
検出回路２１では、電源電圧Ｖｃｃが変動しても、アン
プ１１の入力電圧差ΔＶには影響が及ばない。すなわ
ち、抵抗値変化検出回路２１によれば、前述した従来の
抵抗値変化検出回路１に比べて電源電圧変動除去比ＰＳ
ＲＲ特性が低くなり、改善される。
【００３２】図２から分かるように、抵抗値変化検出回
路２１の電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性（ライン３
１）は、抵抗値変化検出回路１の電源電圧変動除去比Ｐ
ＳＲＲ特性（ライン３０）に比べて低く、改善されてい
ることが分かる。
路２１の電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性（ライン３
１）は、抵抗値変化検出回路１の電源電圧変動除去比Ｐ
ＳＲＲ特性（ライン３０）に比べて低く、改善されてい
ることが分かる。
【００３３】なお、図３は、図１に示すアンプ１１の周
波数特性を示し、横軸は入力電位Ｖｉの周波数を示し、
縦軸は利得を示している。
波数特性を示し、横軸は入力電位Ｖｉの周波数を示し、
縦軸は利得を示している。
【００３４】以上説明したように、抵抗値変化検出回路
２１は、電位Ｖ１と電位Ｖ２とを同相で振幅させるため
に、図４に示した抵抗値変化検出回路１の回路にトラン
ジスタＱ１と同じ利得を持つ回路１２を加えた構成とす
ることで、抵抗値変化検出回路１に比べて電源電圧変動
除去比ＰＳＲＲ特性が改善されている。
２１は、電位Ｖ１と電位Ｖ２とを同相で振幅させるため
に、図４に示した抵抗値変化検出回路１の回路にトラン
ジスタＱ１と同じ利得を持つ回路１２を加えた構成とす
ることで、抵抗値変化検出回路１に比べて電源電圧変動
除去比ＰＳＲＲ特性が改善されている。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の抵抗値変
化検出回路によれば、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性
を改善することができる。
化検出回路によれば、電源電圧変動除去比ＰＳＲＲ特性
を改善することができる。
【図１】図１は、本発明の実施形態の抵抗値変化検出回
路の回路図である。
路の回路図である。
【図２】図２は、入力電圧の周波数とＰＳＲＲとの関係
を、本発明の実施形態の抵抗値変化検出回路と従来の抵
抗値変化検出回路とで対比した図である。
を、本発明の実施形態の抵抗値変化検出回路と従来の抵
抗値変化検出回路とで対比した図である。
【図３】本発明の抵抗値変化検出回路の入力電位の周波
数と利得との関係を説明するための図である。
数と利得との関係を説明するための図である。
【図４】図４は、従来の抵抗値変化検出回路の回路図で
ある。
ある。
Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４…抵抗、ＲMR1 ，ＲMR2 …ＭＲ抵抗
Ｒ、ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ
４，Ｑ５，Ｑ６…トランジスタ、１０…ｇm アンプ、１
１…アンプ、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、１３…電流源
Ｒ、ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ
４，Ｑ５，Ｑ６…トランジスタ、１０…ｇm アンプ、１
１…アンプ、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、１３…電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 興邊 孝一 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】第１の電位と第２の電位との間に、第１の
抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタおよびエミ
ッタと、第２のトランジスタのコレクタおよびエミッタ
と、第３のトランジスタのコレクタおよびエミッタと、
抵抗値変化の検出対象となる第２の抵抗素子とが順に接
続された第１の回路と、 前記第１のトランジスタのベースと前記第２のトランジ
スタのベースとの間に、前記第１の抵抗素子と略同じ抵
抗値の第３の抵抗素子と、ベースおよびコレクタが前記
第３の抵抗素子の両端に接続された第４のトランジスタ
のコレクタおよびエミッタと、ベースが前記第２のトラ
ンジスタのベースと接続されコレクタが前記第４のトラ
ンジスタのエミッタに接続され前記第２のトランジスタ
と略同じ面積を持つ第５のトランジスタとが順に接続さ
れた第２の回路と、 前記第１の抵抗素子と前記第１のトランジスタのコレク
タとの接続ノードの電位と、前記第３の抵抗素子と前記
第４のトランジスタのコレクタとの接続ノードの電位と
を差動増幅して出力電圧とする増幅部とを有する抵抗値
変化検出回路。 - 【請求項２】前記第１の抵抗素子と前記第１のトランジ
スタのコレクタとの接続ノードの電位と、前記第３の抵
抗素子と前記第４のトランジスタのコレクタとの接続ノ
ードの電位とを差動増幅して、その差動増幅した電圧の
直流成分を前記第３のトランジスタのベースに印加する
第２の増幅部をさらに有する請求項１に記載の抵抗値変
化検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35036196A JPH10198911A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 抵抗値変化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35036196A JPH10198911A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 抵抗値変化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10198911A true JPH10198911A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=18409976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35036196A Pending JPH10198911A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 抵抗値変化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10198911A (ja) |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35036196A patent/JPH10198911A/ja active Pending
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