JPH10189582A - シリコン系絶縁膜の製造方法 - Google Patents
シリコン系絶縁膜の製造方法Info
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- JPH10189582A JPH10189582A JP34744796A JP34744796A JPH10189582A JP H10189582 A JPH10189582 A JP H10189582A JP 34744796 A JP34744796 A JP 34744796A JP 34744796 A JP34744796 A JP 34744796A JP H10189582 A JPH10189582 A JP H10189582A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン系絶縁膜の製造方法に関し，水素を含
まないシリコン系絶縁膜を容易に製造することを目的と
する。 【解決手段】 反応容器中に水素を含まないシリコン系
原料と第三種アミンの気体を導入して反応させ水素を含
まないシリコン系絶縁膜を基板上に堆積する。
まないシリコン系絶縁膜を容易に製造することを目的と
する。 【解決手段】 反応容器中に水素を含まないシリコン系
原料と第三種アミンの気体を導入して反応させ水素を含
まないシリコン系絶縁膜を基板上に堆積する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多結晶シリコンやア
モルファスシリコンの薄膜トランジスタ等のゲート絶縁
膜，層間絶縁膜を低温形成するための水素を含まないシ
リコン系絶縁膜，あるいは液晶ディスプレイ等において
廉価なガラス膜と半導素子の間に介在させ，半導体素子
を保護するための水素を含まないシリコン系絶縁膜の製
造方法に関するものである。
モルファスシリコンの薄膜トランジスタ等のゲート絶縁
膜，層間絶縁膜を低温形成するための水素を含まないシ
リコン系絶縁膜，あるいは液晶ディスプレイ等において
廉価なガラス膜と半導素子の間に介在させ，半導体素子
を保護するための水素を含まないシリコン系絶縁膜の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】低温で絶縁膜を形成する方法は，シラン
を酸素や亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）で分解堆積する方法やテ
トラ・エチル・オルソ・シリケート（主にＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ） 4 ）をオゾンにより分解堆積する方法が用いられ
ている。
を酸素や亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）で分解堆積する方法やテ
トラ・エチル・オルソ・シリケート（主にＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ） 4 ）をオゾンにより分解堆積する方法が用いられ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路装置等
において，ゲート酸化膜，層間絶縁膜として堆積したシ
リコンの酸化膜もしくは窒化膜に水素が含まれる（Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈ等の化合物として存在）と，その水素
は集積回路装置の特性を不安定にする要因となる。ある
いは，液晶ディスプレイ等において廉価なガラス膜で半
導体素子を保護するが，ガラス膜に含まれる不純物が半
導体素子に移動し特性を劣化させるのでガラス膜と半導
体素子の間に純度の高い絶縁膜を介在させる。その絶縁
膜にも水素が含まれていると半導体素子を劣化させるの
で，半導体素子の保護のために水素を含まないシリコン
系絶縁膜を介在させる必要がある。そのため，堆積膜に
水素を含まないようにすることが望まれるが，上記の原
料ガスは水素を含むため堆積した膜中に水素を含まない
ようにすることは困難である。
において，ゲート酸化膜，層間絶縁膜として堆積したシ
リコンの酸化膜もしくは窒化膜に水素が含まれる（Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈ等の化合物として存在）と，その水素
は集積回路装置の特性を不安定にする要因となる。ある
いは，液晶ディスプレイ等において廉価なガラス膜で半
導体素子を保護するが，ガラス膜に含まれる不純物が半
導体素子に移動し特性を劣化させるのでガラス膜と半導
体素子の間に純度の高い絶縁膜を介在させる。その絶縁
膜にも水素が含まれていると半導体素子を劣化させるの
で，半導体素子の保護のために水素を含まないシリコン
系絶縁膜を介在させる必要がある。そのため，堆積膜に
水素を含まないようにすることが望まれるが，上記の原
料ガスは水素を含むため堆積した膜中に水素を含まない
ようにすることは困難である。
【０００４】例えば，テトラ・イソシアネート・シラン
（（Ｓｉ（ＮＣＯ）4 ）は水素を含まないため原理的に
そのような絶縁膜の堆積が可能である。また，この材料
は室温では液体であるが，沸点が１８６°Ｃと低いため
十分な蒸気圧が得られるので容易にＣＶＤ反応室に供給
することができ，二酸化シリコン膜として有望であると
考えられる。しかし，テトラ・イソシアネート・シラン
を使用して熱分解により絶縁膜を堆積させるためには，
１０００°Ｃ程度を必要とするので低温堆積はできな
い。
（（Ｓｉ（ＮＣＯ）4 ）は水素を含まないため原理的に
そのような絶縁膜の堆積が可能である。また，この材料
は室温では液体であるが，沸点が１８６°Ｃと低いため
十分な蒸気圧が得られるので容易にＣＶＤ反応室に供給
することができ，二酸化シリコン膜として有望であると
考えられる。しかし，テトラ・イソシアネート・シラン
を使用して熱分解により絶縁膜を堆積させるためには，
１０００°Ｃ程度を必要とするので低温堆積はできな
い。
【０００５】また，テトラ・イソシアネート・シランの
加水分解反応を用いれば，４００°Ｃ程度以下で低温堆
積は可能であるが，水の中の水素が堆積した絶縁膜に含
まれ，目的とする水素を含まない絶縁膜は得られない。
あるいは，テトラ・イソシアネート・シランをプラズマ
中で分解することにより４００°Ｃ程度以下で低温堆積
は可能であるが，プラズマを使うため堆積した絶縁膜中
および界面にダメージを与えるので良好な膜質を得るこ
とが困難である。
加水分解反応を用いれば，４００°Ｃ程度以下で低温堆
積は可能であるが，水の中の水素が堆積した絶縁膜に含
まれ，目的とする水素を含まない絶縁膜は得られない。
あるいは，テトラ・イソシアネート・シランをプラズマ
中で分解することにより４００°Ｃ程度以下で低温堆積
は可能であるが，プラズマを使うため堆積した絶縁膜中
および界面にダメージを与えるので良好な膜質を得るこ
とが困難である。
【０００６】また，テトラ・イソシアネート・シラン
は，その構造中のＮ−Ｃ結合が強いダイポールモーメン
トを有するため，これと同様のダイポールモーメントを
含む水やアンモニアなどの材料と高い反応性を示し，加
アミンポリマーを形成することが知られている。この方
法を使用して絶縁膜を形成することも可能ではあるが，
水，アンモニアに含まれる水素のために絶縁膜にも水素
が含まれ，目的とする水素を含まない絶縁膜を得ること
はできない。
は，その構造中のＮ−Ｃ結合が強いダイポールモーメン
トを有するため，これと同様のダイポールモーメントを
含む水やアンモニアなどの材料と高い反応性を示し，加
アミンポリマーを形成することが知られている。この方
法を使用して絶縁膜を形成することも可能ではあるが，
水，アンモニアに含まれる水素のために絶縁膜にも水素
が含まれ，目的とする水素を含まない絶縁膜を得ること
はできない。
【０００７】本発明は，水素を含まないシリコン系絶縁
膜を容易に製造することのできる絶縁膜の製造方法を提
供することを目的とする。
膜を容易に製造することのできる絶縁膜の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は，水素を含まな
いシリコン系原料と第三種アミンを含む混合ガスあるい
は液体を反応させ，シリコン系絶縁膜を基板上に堆積す
るようにした。
いシリコン系原料と第三種アミンを含む混合ガスあるい
は液体を反応させ，シリコン系絶縁膜を基板上に堆積す
るようにした。
【０００９】アルキル・アミン等の第三種アミンはダイ
ポールモーメントを有するためにテトラ・イソシアネー
ト・シランと低温で反応して二酸化シリコン膜もしくは
窒化シリコン膜を生じる。この原料には水素が存在する
が，それはＣ−Ｈの形で強い結合力により炭素と結ばれ
ているので，低温では分解されない。そのため，その炭
素と水素の結合が分解されて他の水素との化合物（Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈ等）を生じて堆積膜中に取り込まれる
ことはほとんどない。また，水素をフッ素や塩素などの
ハロゲンに置き換えたアミンを用いれば，原料中に全く
水素を含まないことから水素を含まない高品質のシリコ
ン系絶縁膜を堆積できる。
ポールモーメントを有するためにテトラ・イソシアネー
ト・シランと低温で反応して二酸化シリコン膜もしくは
窒化シリコン膜を生じる。この原料には水素が存在する
が，それはＣ−Ｈの形で強い結合力により炭素と結ばれ
ているので，低温では分解されない。そのため，その炭
素と水素の結合が分解されて他の水素との化合物（Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈ等）を生じて堆積膜中に取り込まれる
ことはほとんどない。また，水素をフッ素や塩素などの
ハロゲンに置き換えたアミンを用いれば，原料中に全く
水素を含まないことから水素を含まない高品質のシリコ
ン系絶縁膜を堆積できる。
【００１０】図１は本発明の原理説明図である。図１に
おいて，１は反応室であって，水素を含まないシリコン
系原料と第三種アミンを反応させ，シリコン系絶縁膜を
基板５上に堆積するものである。
おいて，１は反応室であって，水素を含まないシリコン
系原料と第三種アミンを反応させ，シリコン系絶縁膜を
基板５上に堆積するものである。
【００１１】２は供給管Ａであって，第三種アミンを供
給するものである（第３種アミンとしては，例えば，ト
リ・メチル・アミン，トリ・エチル・アミン，トリ・ブ
チル・アミン，トリ・プロピル・アミン等のトリ・アル
キル・アミン，あるいはトリ・フルオロメチル・アミ
ン，トリ・フルオロエチル・アミン等のトリ・アルキル
・アミンの水素をハロゲンで置換したもの等である）。
給するものである（第３種アミンとしては，例えば，ト
リ・メチル・アミン，トリ・エチル・アミン，トリ・ブ
チル・アミン，トリ・プロピル・アミン等のトリ・アル
キル・アミン，あるいはトリ・フルオロメチル・アミ
ン，トリ・フルオロエチル・アミン等のトリ・アルキル
・アミンの水素をハロゲンで置換したもの等である）。
【００１２】３は供給管Ｂであって，水素を有さないシ
リコン系原料を供給するものである（例えば，テトラ・
イソシアネート・シラン，モノシラン（ＳｉＨ4 ）等で
ある）。
リコン系原料を供給するものである（例えば，テトラ・
イソシアネート・シラン，モノシラン（ＳｉＨ4 ）等で
ある）。
【００１３】４は排気管である。５は基板であって，反
応室１で生成されたシリコン系絶縁膜を堆積する基板で
ある。
応室１で生成されたシリコン系絶縁膜を堆積する基板で
ある。
【００１４】６はシリコン系絶縁膜であって，水素を含
まないシリコン系原料と第三種アミンを反応させて得ら
れた生成物を堆積したシリコン系絶縁膜（二酸化シリコ
ン，窒化シリコン等）である。
まないシリコン系原料と第三種アミンを反応させて得ら
れた生成物を堆積したシリコン系絶縁膜（二酸化シリコ
ン，窒化シリコン等）である。
【００１５】水素を含まないシリコン系原料と第三種ア
ミンをガスにより直接にもしくはその液体の蒸気をキャ
リアガスを使用して反応室に導入する。そして，供給管
Ａ（２）から供給された第三種アミンと供給管Ｂ（３）
から供給された水素を含まないシリコン系原料が反応室
１において反応し，シリコン系絶縁材料が生成され，基
板５に堆積されてシリコン系絶縁膜６を得る。
ミンをガスにより直接にもしくはその液体の蒸気をキャ
リアガスを使用して反応室に導入する。そして，供給管
Ａ（２）から供給された第三種アミンと供給管Ｂ（３）
から供給された水素を含まないシリコン系原料が反応室
１において反応し，シリコン系絶縁材料が生成され，基
板５に堆積されてシリコン系絶縁膜６を得る。
【００１６】７は反応生成物である。
【００１７】
【発明の実施の形態】図２は本発明の実施例１の装置構
成であって，常圧ホットウォール型ＣＶＤ装置の構成で
ある。トリ・メチル・アミン等のアミン系ガスを供給管
Ａ（２）により直接反応室１に導入し，シリコン系原料
は液体のテトラ・イソシアネート・シランの蒸気をキャ
リアガス（Ｎ2 ）により導入するようにしたものであ
る。堆積温度は２００°Ｃであって，低温堆積である。
成であって，常圧ホットウォール型ＣＶＤ装置の構成で
ある。トリ・メチル・アミン等のアミン系ガスを供給管
Ａ（２）により直接反応室１に導入し，シリコン系原料
は液体のテトラ・イソシアネート・シランの蒸気をキャ
リアガス（Ｎ2 ）により導入するようにしたものであ
る。堆積温度は２００°Ｃであって，低温堆積である。
【００１８】図２において，１は反応室である。２は供
給管Ａであって，トリ・メチル・アミン，トリ・フルオ
ロメチル・アミン等のアミン系ガスを導入する管であ
る。
給管Ａであって，トリ・メチル・アミン，トリ・フルオ
ロメチル・アミン等のアミン系ガスを導入する管であ
る。
【００１９】３は供給管Ｂであって，テトラ・イソシア
ネート・シランの蒸気を運ぶためのキャリアガス
（Ｎ2 ）を導入する管である。４は排気管である。
ネート・シランの蒸気を運ぶためのキャリアガス
（Ｎ2 ）を導入する管である。４は排気管である。
【００２０】５は基板である。１１は流量制御装置であ
って，アミン系ガスの流量を調整するものである。１２
は流量制御装置であって，テトラ・イソシアネート・シ
ランの蒸気を運ぶキャリアガスの流量を調整する管であ
る。
って，アミン系ガスの流量を調整するものである。１２
は流量制御装置であって，テトラ・イソシアネート・シ
ランの蒸気を運ぶキャリアガスの流量を調整する管であ
る。
【００２１】１３，１４は供給管Ａ（２）のバルブであ
る。１５，１６，１７は供給管Ｂ（３）のバルブであ
る。２１は液体のテトラ・イソシアネート・シランを入
れる容器である。
る。１５，１６，１７は供給管Ｂ（３）のバルブであ
る。２１は液体のテトラ・イソシアネート・シランを入
れる容器である。
【００２２】２２は液体のテトラ・イソシアネート・シ
ランである。２３，２４はヒータである。図２の構成に
おいて，アミン系ガスは供給管Ａ（２）により直接反応
室１に導入される。その流量は流量制御装置１１により
制御される。また，供給管Ｂ（３）よりキャリアガスが
導入され，液体のテトラ・イソシアネート・シランの中
を通り，テトラ・イソシアネート・シランの蒸気ととも
に反応室１に導入される。その流量は流量制御装置１１
により制御される。反応室１において，常圧もしくは減
圧状態で，アミン系ガスとシリコン系原料の蒸気が反応
して熱分解され，二酸化シリコン膜が基板５に堆積され
る。堆積温度は２００°Ｃ程度である。そして，反応室
１のガスは排気管４により排気される。
ランである。２３，２４はヒータである。図２の構成に
おいて，アミン系ガスは供給管Ａ（２）により直接反応
室１に導入される。その流量は流量制御装置１１により
制御される。また，供給管Ｂ（３）よりキャリアガスが
導入され，液体のテトラ・イソシアネート・シランの中
を通り，テトラ・イソシアネート・シランの蒸気ととも
に反応室１に導入される。その流量は流量制御装置１１
により制御される。反応室１において，常圧もしくは減
圧状態で，アミン系ガスとシリコン系原料の蒸気が反応
して熱分解され，二酸化シリコン膜が基板５に堆積され
る。堆積温度は２００°Ｃ程度である。そして，反応室
１のガスは排気管４により排気される。
【００２３】図３は，本発明の実施例２の装置構成であ
って，常圧ホットウォール型ＣＶＤ装置の構成である。
トリ・エチル・アミン，トリ・フルオロエチル・アミン
等の常温で液体のアミン系原料の蒸気およびシリコン系
原料の蒸気をそれぞれキャリアガス（Ｎ2 ）により反応
室に導入するようにしたものである。堆積温度は２００
°Ｃであって，低温堆積である。
って，常圧ホットウォール型ＣＶＤ装置の構成である。
トリ・エチル・アミン，トリ・フルオロエチル・アミン
等の常温で液体のアミン系原料の蒸気およびシリコン系
原料の蒸気をそれぞれキャリアガス（Ｎ2 ）により反応
室に導入するようにしたものである。堆積温度は２００
°Ｃであって，低温堆積である。
【００２４】図３において，１は反応室である。２は供
給管Ａであって，アミン系原料の蒸気を運ぶキャリアガ
ス（Ｎ2 ）を導入する管である。
給管Ａであって，アミン系原料の蒸気を運ぶキャリアガ
ス（Ｎ2 ）を導入する管である。
【００２５】３は供給管Ｂであって，テトラ・イソシア
ネート・シランの蒸気を運ぶキャリアガスを導入する管
である。４は排気管である。
ネート・シランの蒸気を運ぶキャリアガスを導入する管
である。４は排気管である。
【００２６】５は基板である。１１は流量制御装置であ
って，アミン系原料の蒸気を運ぶキャリアガスの流量を
調整するものである。
って，アミン系原料の蒸気を運ぶキャリアガスの流量を
調整するものである。
【００２７】１２は液量制御装置であって，テトラ・イ
ソシアネート・シランの蒸気を運ぶキャリアガスの流量
を調整する管である。１３，１４，１５は供給管Ａ
（２）のバルブである。
ソシアネート・シランの蒸気を運ぶキャリアガスの流量
を調整する管である。１３，１４，１５は供給管Ａ
（２）のバルブである。
【００２８】１６，１７，１８は供給管Ｂ（３）のバル
ブである。２１は液体のアミン系原料を入れる容器であ
る。２１’は液体のテトラ・イソシアネート・シランを
入れる容器である。
ブである。２１は液体のアミン系原料を入れる容器であ
る。２１’は液体のテトラ・イソシアネート・シランを
入れる容器である。
【００２９】２２はトリ・エチル・アミン，トリ・フル
オロエチル・アミン等の常温で液体のアミン原料であ
る。２２’は液体のテトラ・イソシアネート・シランで
ある。
オロエチル・アミン等の常温で液体のアミン原料であ
る。２２’は液体のテトラ・イソシアネート・シランで
ある。
【００３０】２３，２４はヒータである。図３の構成に
おいて，キャリアガスが供給管Ａ（２）から導入され，
液体のアミン系原料２２を通過し，アミン系原料の蒸気
とともに反応室１に導入される。その流量は流量制御装
置１１により制御される。また，供給管Ｂ（３）よりキ
ャリアガスが導入され，液体のテトラ・イソシアネート
・シランの中を通り，テトラ・イソシアネート・シラン
の蒸気とともに反応室１に導入される。その流量は流量
制御装置１１により制御される。反応室１において，常
圧もしくは減圧状態にて，アミン系原料の蒸気とシリコ
ン系原料の蒸気が反応して，熱分解され，水素を含まな
い二酸化シリコン膜が基板５に堆積される。堆積温度は
２００°Ｃ程度である。そして，反応室１のガスは排気
管４により排気される。
おいて，キャリアガスが供給管Ａ（２）から導入され，
液体のアミン系原料２２を通過し，アミン系原料の蒸気
とともに反応室１に導入される。その流量は流量制御装
置１１により制御される。また，供給管Ｂ（３）よりキ
ャリアガスが導入され，液体のテトラ・イソシアネート
・シランの中を通り，テトラ・イソシアネート・シラン
の蒸気とともに反応室１に導入される。その流量は流量
制御装置１１により制御される。反応室１において，常
圧もしくは減圧状態にて，アミン系原料の蒸気とシリコ
ン系原料の蒸気が反応して，熱分解され，水素を含まな
い二酸化シリコン膜が基板５に堆積される。堆積温度は
２００°Ｃ程度である。そして，反応室１のガスは排気
管４により排気される。
【００３１】上記のように，本発明では，アルキル・ア
ミン系の原料の強い分極性を利用することにより，テト
ラ・イソシアネート・シランを２００°Ｃ以下の低温で
熱分解でき，良質の二酸化シリコン膜などの絶縁膜を堆
積することができる。また，アルキル・アミン系に含ま
れるＣ−Ｈ結合は結合力が強いのでその水素が分解さ
れ，Ｓｉ−ＯＨ化合物やＳｉ−Ｈ化合物を生成して絶縁
膜中に含まれることはない。あるいは，水素をハロゲン
で全て置換した原料を使用すれば，原料中に水素が存在
しないので，堆積されたシリコン系絶縁膜にも水素が含
まれることは全くない。
ミン系の原料の強い分極性を利用することにより，テト
ラ・イソシアネート・シランを２００°Ｃ以下の低温で
熱分解でき，良質の二酸化シリコン膜などの絶縁膜を堆
積することができる。また，アルキル・アミン系に含ま
れるＣ−Ｈ結合は結合力が強いのでその水素が分解さ
れ，Ｓｉ−ＯＨ化合物やＳｉ−Ｈ化合物を生成して絶縁
膜中に含まれることはない。あるいは，水素をハロゲン
で全て置換した原料を使用すれば，原料中に水素が存在
しないので，堆積されたシリコン系絶縁膜にも水素が含
まれることは全くない。
【００３２】なお，上記の実施例では，シリコン系原料
としてテトラ・イソシアネート・シランについてのみ説
明したが，四塩化珪素（ＳｉＨ4 ）等の他のシリコン化
合物でも，良好な絶縁膜の堆積は可能である。
としてテトラ・イソシアネート・シランについてのみ説
明したが，四塩化珪素（ＳｉＨ4 ）等の他のシリコン化
合物でも，良好な絶縁膜の堆積は可能である。
【００３３】図４，図５は本発明の実施例の絶縁膜の堆
積条件および測定結果である。図４ (a)はトリ・メチル
・アミン（ＴＭＡ）のガスとテトラ・イソシアネート・
シラン（ＴＩＣＳ）の蒸気を原料ガスとして熱分解によ
り堆積した二酸化シリコンのフーリエ変換赤外分光法の
測定結果である。
積条件および測定結果である。図４ (a)はトリ・メチル
・アミン（ＴＭＡ）のガスとテトラ・イソシアネート・
シラン（ＴＩＣＳ）の蒸気を原料ガスとして熱分解によ
り堆積した二酸化シリコンのフーリエ変換赤外分光法の
測定結果である。
【００３４】図４ (b)は堆積膜の生成条件である。堆積
条件は，ホットウォールＣＶＤ装置で基板温度２００°
Ｃ，ＴＭＡ流量率３０ｓｃｃｍ，ＴＩＣＳキャリア（Ｎ
2 ）の流量率が３０ｓｃｃｍ（総ガス流量率０．０２ｓ
ｃｃｍ），Ｎ2 の流量率２４０ｓｃｃｍ，圧力７６０Ｔ
ｏｒｒ．堆積率１３ｎｍ／ｈである。
条件は，ホットウォールＣＶＤ装置で基板温度２００°
Ｃ，ＴＭＡ流量率３０ｓｃｃｍ，ＴＩＣＳキャリア（Ｎ
2 ）の流量率が３０ｓｃｃｍ（総ガス流量率０．０２ｓ
ｃｃｍ），Ｎ2 の流量率２４０ｓｃｃｍ，圧力７６０Ｔ
ｏｒｒ．堆積率１３ｎｍ／ｈである。
【００３５】図４ (a)に示されるように，Ｓｉ−Ｏによ
り１０７０ｃｍ-1にのみ強い吸収のピークがあり，Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈのピークは存在しない。また，ＮＣ
Ｏ，Ｈ 2 Ｏによるピークも存在しない。吸収スペクトル
は熱酸化膜の場合とほとんど同じである。
り１０７０ｃｍ-1にのみ強い吸収のピークがあり，Ｓｉ
−ＯＨ，Ｓｉ−Ｈのピークは存在しない。また，ＮＣ
Ｏ，Ｈ 2 Ｏによるピークも存在しない。吸収スペクトル
は熱酸化膜の場合とほとんど同じである。
【００３６】図５ (a)は，図４ (b)の条件で生成した堆
積膜のオージェ電子分光法の測定結果である。図５ (a)
は，堆積膜ＳｉＯ2 のＳｉとＯの比は１：２であり，Ｃ
とＮの測定装置の測定限界（約１パーセント）以下であ
ることを示している。
積膜のオージェ電子分光法の測定結果である。図５ (a)
は，堆積膜ＳｉＯ2 のＳｉとＯの比は１：２であり，Ｃ
とＮの測定装置の測定限界（約１パーセント）以下であ
ることを示している。
【００３７】図５ (b)は，ＸＰＳスペクトルである。Ｓ
ｉ4+に対して分離されたスペクトルが点線の曲線で示さ
れている。Ｓｉ4+成分は９８パーセントの高さである。
以上の測定結果から，堆積膜はシリコンと酸素の割合が
理想的な値であり，水素をほとんど含まない二酸化シリ
コン薄膜であることが明確である。
ｉ4+に対して分離されたスペクトルが点線の曲線で示さ
れている。Ｓｉ4+成分は９８パーセントの高さである。
以上の測定結果から，堆積膜はシリコンと酸素の割合が
理想的な値であり，水素をほとんど含まない二酸化シリ
コン薄膜であることが明確である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば，良好なシリコン系の絶
縁膜を基板に低温堆積することができる。特に，堆積さ
れたシリコン性絶縁膜に水素が含まれないので，集積回
路装置等に使用しても，その特性を損なうことがない。
縁膜を基板に低温堆積することができる。特に，堆積さ
れたシリコン性絶縁膜に水素が含まれないので，集積回
路装置等に使用しても，その特性を損なうことがない。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の実施例１の装置構成を示す図である。
【図３】本発明の実施例２の装置構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の実施例の測定結果を示す図である。
１：反応室 ２：供給管Ａ ３：供給管Ｂ ４：排気管 ５：基板 ６：シリコン系絶縁膜 ７：反応生成物
Claims (5)
- 【請求項１】 反応容器中に水素を含まないシリコン系
原料と第三種アミンの気体を導入して反応させ水素を含
まないシリコン系絶縁膜を基板上に堆積するシリコン系
絶縁膜の製造方法。 - 【請求項２】 水素を含まないシリコン系原料はシアネ
ート基を有するものであり，第三種アミンはトリ・アル
キル・アミンであり，二酸化シリコン薄膜を基板上に堆
積することを特徴とする請求項１に記載のシリコン系絶
縁膜の製造方法。 - 【請求項３】 水素を含まないシリコン系原料はテトラ
・イソシアネート・シランであり，第三種アミンはトリ
・アルキル・アミンであって，二酸化シリコン薄膜を基
板上に堆積することを特徴とする請求項２に記載のシリ
コン系絶縁膜の製造方法。 - 【請求項４】 水素を含まないシリコン系原料はテトラ
・イソシアネート・シランであり，第三種アミンは全水
素をハロゲンで置換したハロゲン化トリ・アルキル・ア
ミンであって，二酸化シリコン薄膜を基板上に堆積する
ことを特徴とする請求項３に記載のシリコン系絶縁膜の
製造方法。 - 【請求項５】 水素を含まないシリコン系原料はテトラ
・イソシアネート・シランであり，第三種アミンはパー
フロロ・アルキル・アミンであって，二酸化シリコン薄
膜を基板上に堆積することを特徴とする請求項４に記載
のシリコン系絶縁膜の製造方法。
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