JPH09181074A - シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH09181074A JPH09181074A JP34050995A JP34050995A JPH09181074A JP H09181074 A JPH09181074 A JP H09181074A JP 34050995 A JP34050995 A JP 34050995A JP 34050995 A JP34050995 A JP 34050995A JP H09181074 A JPH09181074 A JP H09181074A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及
び半導体装置の製造方法に関し、シリコンオキシナイト
ライド膜の膜厚均一性を改善するとともに組成比を広い
範囲にわたって制御可能にすることを目的とする。 【解決手段】 シリコンソース３としてクロロシラン又
はフルオロシラン、窒化ソース４としてアンモニア、酸
化ソース５として水を用いるように構成する。
び半導体装置の製造方法に関し、シリコンオキシナイト
ライド膜の膜厚均一性を改善するとともに組成比を広い
範囲にわたって制御可能にすることを目的とする。 【解決手段】 シリコンソース３としてクロロシラン又
はフルオロシラン、窒化ソース４としてアンモニア、酸
化ソース５として水を用いるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンオキシナイ
トライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関す
る。
トライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】シリコンオキシナイトライド膜(Si0x N
y ) はシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン窒化膜(Si3N
4) の中間の性質を持っていることから種々の応用が期
待されている。例えば、シリコン窒化膜は酸素透過性が
小さいため半導体プロセスにおける選択酸化マスク等の
用途に適しているが、膜応力が大きく基板に与えるダメ
ージが大きいという問題があり、一方、シリコン酸化膜
は膜応力は小さいものの酸素透過性が大きいため容易に
基板内に拡散しその特性を劣化させるという問題があ
る。シリコンオキシナイトライド膜は膜応力がシリコン
窒化膜より小さくかつ酸素透過性はシリコン酸化膜に比
べて小さく、また、これらの性質はその組成比を変える
ことにより制御可能であるため、上記シリコン酸化膜及
びシリコン酸化膜の欠点を補うことができる。しかし、
従来の膜形成方法では膜厚均一性が悪くその改善が望ま
れている。
y ) はシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン窒化膜(Si3N
4) の中間の性質を持っていることから種々の応用が期
待されている。例えば、シリコン窒化膜は酸素透過性が
小さいため半導体プロセスにおける選択酸化マスク等の
用途に適しているが、膜応力が大きく基板に与えるダメ
ージが大きいという問題があり、一方、シリコン酸化膜
は膜応力は小さいものの酸素透過性が大きいため容易に
基板内に拡散しその特性を劣化させるという問題があ
る。シリコンオキシナイトライド膜は膜応力がシリコン
窒化膜より小さくかつ酸素透過性はシリコン酸化膜に比
べて小さく、また、これらの性質はその組成比を変える
ことにより制御可能であるため、上記シリコン酸化膜及
びシリコン酸化膜の欠点を補うことができる。しかし、
従来の膜形成方法では膜厚均一性が悪くその改善が望ま
れている。
【０００３】
【従来の技術】シリコンオキシナイトライド膜は、選択
酸化マスク等の用途に用いる場合には膜の稠密性が要求
されるため700 ℃以上の高温域において減圧ＣＶＤ法に
より形成され、ソースガスとしてはシリコン酸化膜及び
シリコン窒化膜の形成に用いる反応ガスが用いられる。
通常、シリコン酸化膜の形成にはシリコンソースとして
モノシラン(SiH4)、酸化ソースとして一酸化窒素（N2O
）、シリコン窒化膜の形成にはシリコンソースとして
モノシラン、窒化ソースとしてアンモニア(NH3) が用い
られ、それぞれ以下のような反応が生じる。
酸化マスク等の用途に用いる場合には膜の稠密性が要求
されるため700 ℃以上の高温域において減圧ＣＶＤ法に
より形成され、ソースガスとしてはシリコン酸化膜及び
シリコン窒化膜の形成に用いる反応ガスが用いられる。
通常、シリコン酸化膜の形成にはシリコンソースとして
モノシラン(SiH4)、酸化ソースとして一酸化窒素（N2O
）、シリコン窒化膜の形成にはシリコンソースとして
モノシラン、窒化ソースとしてアンモニア(NH3) が用い
られ、それぞれ以下のような反応が生じる。
【０００４】SiH4 ＋ 2N2O → SiO2 + 2H2 + 2N2 SiH4 ＋ 4/3NH3 → 1/3Si3N4 ＋ 4H2 反応管内の圧力を 1 Torr 、膜形成温度を800 ℃とした
とき、上記反応式で表されるシリコン酸化膜及びシリコ
ン窒化膜の膜成長速度はいずれも 3 nm/min 程度であ
る。
とき、上記反応式で表されるシリコン酸化膜及びシリコ
ン窒化膜の膜成長速度はいずれも 3 nm/min 程度であ
る。
【０００５】以上のように、モノシランと一酸化窒素を
用いてシリコン酸化膜を形成した場合、及びモノシラン
とアンモニアを用いてシリコン窒化膜を形成した場合に
は、同一温度における膜形成速度はほぼ同一となる。従
って、これらの反応ガスを同時に用いてシリコンオキシ
ナイトライド膜を形成した場合、膜中に含まれるＯとＮ
はほぼ同じ割合となり、反応ガスの流量比を制御するこ
とにより膜の組成比を広い範囲にわたって変えることが
できる。
用いてシリコン酸化膜を形成した場合、及びモノシラン
とアンモニアを用いてシリコン窒化膜を形成した場合に
は、同一温度における膜形成速度はほぼ同一となる。従
って、これらの反応ガスを同時に用いてシリコンオキシ
ナイトライド膜を形成した場合、膜中に含まれるＯとＮ
はほぼ同じ割合となり、反応ガスの流量比を制御するこ
とにより膜の組成比を広い範囲にわたって変えることが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た形成方法でシリコンオキシナイトライド膜を形成した
場合、膜厚分布不均一になるという問題があった。一般
に、モノシランを用いた反応は供給律速で進むため膜厚
均一性が悪くなることが知られており、上述した従来方
法の問題点はシリコンソースとしてモノシランを用いて
いることに起因している。シリコンソースとしてSiH2Cl
2 やSiHCl3等のクロロシランを用いた場合には反応律速
となるため膜厚均一性も良好になることが知られてい
る。しかし、クロロシランを用いてシリコンオキシナイ
トライド膜を形成することは以下述べるように従来困難
であった。。
た形成方法でシリコンオキシナイトライド膜を形成した
場合、膜厚分布不均一になるという問題があった。一般
に、モノシランを用いた反応は供給律速で進むため膜厚
均一性が悪くなることが知られており、上述した従来方
法の問題点はシリコンソースとしてモノシランを用いて
いることに起因している。シリコンソースとしてSiH2Cl
2 やSiHCl3等のクロロシランを用いた場合には反応律速
となるため膜厚均一性も良好になることが知られてい
る。しかし、クロロシランを用いてシリコンオキシナイ
トライド膜を形成することは以下述べるように従来困難
であった。。
【０００７】例えば、SiH2Cl2 とN2O を用いてシリコン
酸化膜を形成した場合、及びSiH2Cl 2 とNH3 を用いてシ
リコン窒化膜を形成した場合、反応はそれぞれ以下のよ
うに進む。
酸化膜を形成した場合、及びSiH2Cl 2 とNH3 を用いてシ
リコン窒化膜を形成した場合、反応はそれぞれ以下のよ
うに進む。
【０００８】 SiH2Cl2 ＋ 2N2O → SiO2 + 2HCl + 2N2 （950 ℃) SiH2Cl2 ＋ 4/3NH3 → 1/3Si3N4 + 2HCl + 2H2 （775 ℃) 上記括弧内には、それぞれ膜形成速度を 3 nm/min とす
るための膜形成温度を示しており、これから明らかなよ
うに同一膜形成速度を得るための膜形成温度がシリコン
酸化膜を形成する場合とシリコン窒化膜を形成する場合
とで大きく異なっている。これは、シリコンソースとし
てSiH2Cl2 を用いた場合、同一温度におけるシリコン酸
化膜とシリコン窒化膜の成長速度が大きく異なることを
意味しており、その結果、SiH2Cl2 、N2O 、NH3 を用い
てシリコンオキシナイトライド膜を形成した場合、Ｏと
Ｎの含有量が極端に偏って組成比の制御範囲を広くする
ことが困難となる。シリコンソースとしてSiH2F2、SiHF
3 等のフルオロシランを用いた場合にも同様な問題が生
じる。
るための膜形成温度を示しており、これから明らかなよ
うに同一膜形成速度を得るための膜形成温度がシリコン
酸化膜を形成する場合とシリコン窒化膜を形成する場合
とで大きく異なっている。これは、シリコンソースとし
てSiH2Cl2 を用いた場合、同一温度におけるシリコン酸
化膜とシリコン窒化膜の成長速度が大きく異なることを
意味しており、その結果、SiH2Cl2 、N2O 、NH3 を用い
てシリコンオキシナイトライド膜を形成した場合、Ｏと
Ｎの含有量が極端に偏って組成比の制御範囲を広くする
ことが困難となる。シリコンソースとしてSiH2F2、SiHF
3 等のフルオロシランを用いた場合にも同様な問題が生
じる。
【０００９】そこで本発明は、シリコンオキシナイトラ
イド膜の膜厚均一性を改善するとともに組成比を広い範
囲にわたって制御可能にすることを目的とする。
イド膜の膜厚均一性を改善するとともに組成比を広い範
囲にわたって制御可能にすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、シリ
コンソースとしてクロロシラン又はフルオロシラン、窒
化ソースとしてアンモニア、酸化ソースとして水を用い
たことを特徴とするシリコンオキシナイトライド膜の形
成方法、あるいは、シリコンソース、窒化ソース及び酸
化ソースを個別に配管を通して反応管に導入し、反応管
内で混合・反応させることを特徴とする上記シリコンオ
キシナイトライド膜の形成方法、あるいは、反応管に導
入する水の供給量によってシリコンオキシナイトライド
膜の組成比を制御することを特徴とする上記シリコンオ
キシナイトライド膜の形成方法、あるいは、選択酸化マ
スクとしてシリコンオキシナイトライド膜を用いた半導
体装置の製造方法において、該シリコンオキシナイトラ
イド膜は、シリコンソースとしてクロロシラン又はフル
オロシラン、窒化ソースとしてアンモニア、酸化ソース
として水を用い、減圧ＣＶＤ法により形成したことを特
徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。
コンソースとしてクロロシラン又はフルオロシラン、窒
化ソースとしてアンモニア、酸化ソースとして水を用い
たことを特徴とするシリコンオキシナイトライド膜の形
成方法、あるいは、シリコンソース、窒化ソース及び酸
化ソースを個別に配管を通して反応管に導入し、反応管
内で混合・反応させることを特徴とする上記シリコンオ
キシナイトライド膜の形成方法、あるいは、反応管に導
入する水の供給量によってシリコンオキシナイトライド
膜の組成比を制御することを特徴とする上記シリコンオ
キシナイトライド膜の形成方法、あるいは、選択酸化マ
スクとしてシリコンオキシナイトライド膜を用いた半導
体装置の製造方法において、該シリコンオキシナイトラ
イド膜は、シリコンソースとしてクロロシラン又はフル
オロシラン、窒化ソースとしてアンモニア、酸化ソース
として水を用い、減圧ＣＶＤ法により形成したことを特
徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。
【００１１】発明者は種々の実験の結果、クロロシラン
又はフルオロシランが 800℃程度の温度において加水分
解され膜形成速度 3nm/minで SiO2 が形成されることを
見出した。一方、従来技術の項で述べたように、クロロ
シラン又はフルオロシランは775℃でアンモニアと反応
し膜形成速度 3 nm/min でシリコン窒化膜が形成され
る。以上のことから、酸化ソースとして水、窒化ソース
としてアンモニアを用いた場合には、クロロシラン又は
フルオロシランは、ほぼ同一温度、同一反応速度で水及
びアンモニアと反応し、その結果、ＯとＮが同程度の割
合で含まれるシリコンオキシナイドライド膜を容易に形
成できることがわかる。この際、水の供給量によって加
水分解反応を制御すれば膜中に含まれるＯの割合を制御
することができ、これによって組成比を広い範囲にわた
って可変にすることができる。
又はフルオロシランが 800℃程度の温度において加水分
解され膜形成速度 3nm/minで SiO2 が形成されることを
見出した。一方、従来技術の項で述べたように、クロロ
シラン又はフルオロシランは775℃でアンモニアと反応
し膜形成速度 3 nm/min でシリコン窒化膜が形成され
る。以上のことから、酸化ソースとして水、窒化ソース
としてアンモニアを用いた場合には、クロロシラン又は
フルオロシランは、ほぼ同一温度、同一反応速度で水及
びアンモニアと反応し、その結果、ＯとＮが同程度の割
合で含まれるシリコンオキシナイドライド膜を容易に形
成できることがわかる。この際、水の供給量によって加
水分解反応を制御すれば膜中に含まれるＯの割合を制御
することができ、これによって組成比を広い範囲にわた
って可変にすることができる。
【００１２】また、本発明者は、膜形成に際して上記ソ
ースガスを反応管に導入する前に混合した場合、不必要
な反応が生じてこれらのソースガスが分解しシリコンオ
キシナイトライド膜が形成されないことを見出した。例
えば、フルオロシランとアンモニアは反応管に導入され
る前に配管内で反応してフッ化アンモニウムを形成す
る。さらに、水はこれらの反応物と反応して塩酸やフッ
化水素を生成し配管を腐食させる。従って、それぞれの
ソースを個別に配管して反応管に導入する必要がある。
ースガスを反応管に導入する前に混合した場合、不必要
な反応が生じてこれらのソースガスが分解しシリコンオ
キシナイトライド膜が形成されないことを見出した。例
えば、フルオロシランとアンモニアは反応管に導入され
る前に配管内で反応してフッ化アンモニウムを形成す
る。さらに、水はこれらの反応物と反応して塩酸やフッ
化水素を生成し配管を腐食させる。従って、それぞれの
ソースを個別に配管して反応管に導入する必要がある。
【００１３】また、以上の方法で形成されたシリコンオ
キシナイトライド膜は膜応力と酸素透過性の制御が容易
になるので半導体集積回路における選択酸化マスクとし
て用いることができる。
キシナイトライド膜は膜応力と酸素透過性の制御が容易
になるので半導体集積回路における選択酸化マスクとし
て用いることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例で用いる反
応炉の断面図である。反応管１内に多数のシリコンウェ
ーハ２を垂直に並べて配置し、シリコンソース３として
SiH2Cl2 、窒化ソース４としてNH3 、酸化ソース５とし
てH2O を用い、それぞれマスフローメータ６により流量
を制御して反応管に導入する。H2O はバブリングさせて
反応管１に導入する。反応管１内は真空ポンプ７により
0.2 Torr まで減圧した。反応管１内では以下のように
SiH2Cl2 が H2Oと反応して加水分解され、中間体として
SiH4 が生成される。そして、生成された SiH4 が H2O
と反応してSiO2が形成される。
応炉の断面図である。反応管１内に多数のシリコンウェ
ーハ２を垂直に並べて配置し、シリコンソース３として
SiH2Cl2 、窒化ソース４としてNH3 、酸化ソース５とし
てH2O を用い、それぞれマスフローメータ６により流量
を制御して反応管に導入する。H2O はバブリングさせて
反応管１に導入する。反応管１内は真空ポンプ７により
0.2 Torr まで減圧した。反応管１内では以下のように
SiH2Cl2 が H2Oと反応して加水分解され、中間体として
SiH4 が生成される。そして、生成された SiH4 が H2O
と反応してSiO2が形成される。
【００１５】 SiH2Cl2 ＋ 2H2O → SiH4 + 2HCl + O2 (775℃) SiH4 ＋ 2H2O → SiO2 ＋ 4H2 (775℃) SiO2 の膜成長速度は 2 nm/min 程度となる。従来技術
の項で述べたようにSiH2Cl2 をN2O と反応させて SiO2
を形成する場合、2 〜 3 nm/min 程度の膜形成速度を得
るためには成長温度を 950℃程度にする必要があるが、
H2O を用いることにより 775℃程度にまで反応温度を下
げることが可能となる。
の項で述べたようにSiH2Cl2 をN2O と反応させて SiO2
を形成する場合、2 〜 3 nm/min 程度の膜形成速度を得
るためには成長温度を 950℃程度にする必要があるが、
H2O を用いることにより 775℃程度にまで反応温度を下
げることが可能となる。
【００１６】また、従来技術の項で述べたようにSiH2Cl
2 はNH3 と反応し以下のようにSi3N 4 が形成される。 SiH2Cl2 ＋ 4/3NH3 → 1/3Si3N4 + 2HCl + 2H2 （775 ℃) 以上のことから、SiH2Cl2 とH2O 及びSiH2Cl2 とNH3 は
それぞれ775 ℃において反応し膜形成速度 2 nm/min で
SiO2 及びSi3N4 を形成することがわかる。本実施例で
は、SiH2Cl2 、NH3 の流量をそれぞれ200 SCCM、600 SC
CM、H2O の流量を 1 SCCM とし、成長温度を 775℃とし
た。この条件下において膜形成速度 2 nm/min で屈折率
1.85 を有するシリコンオキシナイトライド膜が形成さ
れた。６インチ径のシリコンウェーハ上に平均膜厚 100
nmのシリコンオキシナイトライド膜を形成したとき膜厚
分布のバラツキはおよそ５％であった。これに対しモノ
シランを用いた従来の膜形成方法では膜厚分布のバラツ
キを20％以下に抑えることは困難であった。
2 はNH3 と反応し以下のようにSi3N 4 が形成される。 SiH2Cl2 ＋ 4/3NH3 → 1/3Si3N4 + 2HCl + 2H2 （775 ℃) 以上のことから、SiH2Cl2 とH2O 及びSiH2Cl2 とNH3 は
それぞれ775 ℃において反応し膜形成速度 2 nm/min で
SiO2 及びSi3N4 を形成することがわかる。本実施例で
は、SiH2Cl2 、NH3 の流量をそれぞれ200 SCCM、600 SC
CM、H2O の流量を 1 SCCM とし、成長温度を 775℃とし
た。この条件下において膜形成速度 2 nm/min で屈折率
1.85 を有するシリコンオキシナイトライド膜が形成さ
れた。６インチ径のシリコンウェーハ上に平均膜厚 100
nmのシリコンオキシナイトライド膜を形成したとき膜厚
分布のバラツキはおよそ５％であった。これに対しモノ
シランを用いた従来の膜形成方法では膜厚分布のバラツ
キを20％以下に抑えることは困難であった。
【００１７】図２は得られたシリコンオキシナイトライ
ド膜の赤外線吸収スペクトル、図３はＸ線光電子吸収ス
ペクトル(XPS) を示したものである。図２にはSi-O及び
Si-Nによる吸収帯が観測され、形成された膜にＯ及びＮ
が含まれていることを示している。同図ではSi-Oによる
吸収帯が明確でないが、図３に示したＸＰＳではＯ原子
による吸収スペクトルが明瞭に観測される。
ド膜の赤外線吸収スペクトル、図３はＸ線光電子吸収ス
ペクトル(XPS) を示したものである。図２にはSi-O及び
Si-Nによる吸収帯が観測され、形成された膜にＯ及びＮ
が含まれていることを示している。同図ではSi-Oによる
吸収帯が明確でないが、図３に示したＸＰＳではＯ原子
による吸収スペクトルが明瞭に観測される。
【００１８】また、これらのソースを反応管に導入する
前に混合すると不必要な反応が生じてソースガスが分解
しオキシナイトライド膜が形成されなくなる。例えば、
フルオロシランとアンモニアはフッ化アンモニウムを形
成する。また、水はこれらの反応物と反応して塩酸やフ
ッ化水素を生成し、配管を腐食させることとなる。従っ
て、本実施例ではそれぞれのソースを個別に配管して反
応管に導入した。
前に混合すると不必要な反応が生じてソースガスが分解
しオキシナイトライド膜が形成されなくなる。例えば、
フルオロシランとアンモニアはフッ化アンモニウムを形
成する。また、水はこれらの反応物と反応して塩酸やフ
ッ化水素を生成し、配管を腐食させることとなる。従っ
て、本実施例ではそれぞれのソースを個別に配管して反
応管に導入した。
【００１９】シリコンオキシナイトライド膜の屈折率は
その組成に依存してシリコン酸化膜の屈折率 1.46 から
シリコン窒化膜の屈折率 2.0まで変化する。図４は前述
した膜形成条件のもとで水の供給量を変えたときの屈折
率の変化を示したものである。水の供給量が増加すると
ともに屈折率が小さくなり膜中におけるＯの割合が増加
していることを示しており、この図から水の供給量によ
りシリコンオキシナイトライド膜の組成比を容易に制御
できることが分かる。
その組成に依存してシリコン酸化膜の屈折率 1.46 から
シリコン窒化膜の屈折率 2.0まで変化する。図４は前述
した膜形成条件のもとで水の供給量を変えたときの屈折
率の変化を示したものである。水の供給量が増加すると
ともに屈折率が小さくなり膜中におけるＯの割合が増加
していることを示しており、この図から水の供給量によ
りシリコンオキシナイトライド膜の組成比を容易に制御
できることが分かる。
【００２０】また、以上の方法で形成されたシリコンオ
キシナイトライド膜は組成比を広い範囲にわたって制御
できることから、膜特性、特に、膜応力と酸素透過性の
制御が容易になるので半導体集積回路における選択酸化
マスクとしての用途に用いることができる。
キシナイトライド膜は組成比を広い範囲にわたって制御
できることから、膜特性、特に、膜応力と酸素透過性の
制御が容易になるので半導体集積回路における選択酸化
マスクとしての用途に用いることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、膜厚均一
性に優れかつ組成比制御の容易なシリコンオキシナイト
ライド膜を得ることができ、また、半導体集積回路にお
ける選択酸化マスクの特性を向上させる上で有益であ
る。
性に優れかつ組成比制御の容易なシリコンオキシナイト
ライド膜を得ることができ、また、半導体集積回路にお
ける選択酸化マスクの特性を向上させる上で有益であ
る。
【図１】 本発明の実施例を説明する図
【図２】 赤外線吸収スペクトルを示す図
【図３】 Ｘ線光電子吸収スペクトル（ＸＰＳ）を示す
図
図
【図４】 屈折率の水供給量依存性を示す図
１ 反応管 ５ 酸化ソース ２ ウェーハ ６ マスフローメー
タ ３ シリコンソース ７ 真空ポンプ ４ 窒化ソース ８ ヒータ
タ ３ シリコンソース ７ 真空ポンプ ４ 窒化ソース ８ ヒータ
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコンソースとしてクロロシラン又は
フルオロシラン、窒化ソースとしてアンモニア、酸化ソ
ースとして水を用いたことを特徴とするシリコンオキシ
ナイトライド膜の形成方法。 - 【請求項２】 シリコンソース、窒化ソース及び酸化ソ
ースを個別に配管を通して反応管に導入し、反応管内で
混合・反応させることを特徴とする請求項１記載のシリ
コンオキシナイトライド膜の形成方法。 - 【請求項３】 反応管に導入する水の供給量によってシ
リコンオキシナイトライド膜の組成比を制御することを
特徴とする請求項１記載のシリコンオキシナイトライド
膜の形成方法。 - 【請求項４】 選択酸化マスクとしてシリコンオキシナ
イトライド膜を用いた半導体装置の製造方法において、 該シリコンオキシナイトライド膜は、シリコンソースと
してクロロシラン又はフルオロシラン、窒化ソースとし
てアンモニア、酸化ソースとして水を用い、減圧ＣＶＤ
法により形成したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050995A JPH09181074A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050995A JPH09181074A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181074A true JPH09181074A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18337660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34050995A Pending JPH09181074A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | シリコンオキシナイトライド膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181074A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040110A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法 |
| CN114634364A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-17 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种纯相Si2N2O粉体的合成方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34050995A patent/JPH09181074A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040110A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法 |
| CN114634364A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-17 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种纯相Si2N2O粉体的合成方法 |
| CN114634364B (zh) * | 2022-03-08 | 2023-08-11 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种纯相Si2N2O粉体的合成方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030805 |