JPH10180483A - はんだ組成物からなる物品 - Google Patents

はんだ組成物からなる物品

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JPH10180483A
JPH10180483A JP9323536A JP32353697A JPH10180483A JP H10180483 A JPH10180483 A JP H10180483A JP 9323536 A JP9323536 A JP 9323536A JP 32353697 A JP32353697 A JP 32353697A JP H10180483 A JPH10180483 A JP H10180483A
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Jin Shungo
ジン シュンゴー
Henery Taifer Thomas
ヘンリー タイフェル トーマス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱および応力のサイクルからの粗化および疲
労に対して十分に耐性のあるはんだ接合を形成する。 【解決手段】 平均粒径が５００ｎｍ以下のはんだ材料
内に、このはんだ材料と反応しない直径が平均５〜２０
００ｎｍの粒子を分散させて、粒界の運動を実質的に阻
止するとともに粒の成長を抑制する物理的障壁として作
用させる。はんだ材料としては、Ｐｂ−Ｓｎはんだ組成
物や、無鉛はんだを使用することが可能である。本発明
のはんだ接合は一般に、応力欠陥に対して、分散した粒
子のない対応する従来のはんだ接合より少なくとも３０
％〜５０％高い耐性があり、それに対応して一般に、少
なくとも５０％〜１００％長い疲労寿命を有する。本発
明のはんだ組成物を用いて、はんだ材料から分散質粒子
が偏析しないようにはんだ接合を形成することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分散質粒子を含む
はんだ組成物に関し、特に、そのようなはんだ組成物を
用いて物品を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】消費者向け電子機器、コンピュータ、通
信機器および自動車電子機器などの現在の電子製品は、
電気的なデバイス相互接続およびパッケージングを必要
とする。一般に、はんだ接合を用いて、パッケージされ
た、あるいは、パッケージされていない集積回路デバイ
スをプリント回路板や基板と相互接続する。このような
はんだ接合を形成する従来の方法は、ウェーブはんだ付
けや、はんだペーストを用いるものである。電子部品の
サイズおよびコストの縮小は、電子産業の一般的な目標
となっている。
【０００３】しかし、電子部品サイズの縮小は一般に、
部品相互接続の密度の増大、ならびに、対応するはんだ
接合のサイズおよび高さの縮小を要求する。２つの相互
接続された部品間の熱膨張不整合による応力サイクル、
および、電子部品の動作中の熱サイクルにより、対応す
るはんだ接合において局所的再結晶や微細構造粗化が起
こる。この粗化(coarsening)と、小さいはんだ接合が受
ける高いずれ歪みは、熱疲労亀裂成長やはんだ接合欠陥
の可能性を増大させる。このようなふるまいは、従来の
Ｐｂ−Ｓｎはんだで観察されており（D. R. Frear et a
l., "Solder Mechanics", ch.6, p.239 (1990)）、残念
ながら、はんだ接合サイズ、および対応する電子部品サ
イズの縮小を制限している。
【０００４】前掲の"Solder Mechanics"、および、Inou
e et al., "Pb-Sn Solder for DieBonding of Silicon
Chips", IEEE Trans. on Components, Hybrids, and Ma
nufacturing Technol., vol.9, p.190-194 (1986)で
は、直径が１〜５μｍの範囲の粒のような微細粒のはん
だは、やや粗化しにくく、対応して、はんだ接合の長期
信頼性がやや改善する。しかし、このような微細粒の従
来のはんだは十分に安定ではなく、依然として、一般的
な電子部品の寿命中の熱および応力のサイクルから好ま
しくない粗化を受ける。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】結果として、熱および
応力のサイクルからの粗化および疲労に対して十分に耐
性のあるはんだ接合に対する需要がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、機械的性質を
改善した新しいはんだ組成物からなる物品に関する。具
体的には、本発明は、直径が平均５〜２０００ｎｍの範
囲の比較的に不活性の粒子を、平均粒径が５００ｎｍ以
下のはんだ材料内に分散させて、粒界の運動を実質的に
阻止するとともに粒の成長を抑制する物理的障壁として
作用させることに基づく。その結果、熱および応力サイ
クル中の粗化は実質的に抑制される。さらに、はんだ組
成物は、接合欠陥に対して十分に耐性のある超塑性を示
す。
【０００７】はんだ材料としては、Ｐｂ−Ｓｎはんだ組
成物や、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｂｉ−ＳｎおよびＩｎ−Ａ
ｇはんだのような無鉛はんだを使用することが可能であ
る。本発明によって形成されるはんだ接合は一般に、応
力欠陥に対して、分散した粒子のない対応する従来のは
んだ接合より少なくとも３０％〜５０％高い耐性があ
り、それに対応して一般に、少なくとも５０％〜１００
％長い疲労寿命を有する。
【０００８】本発明のもう１つの特徴によれば、本発明
のはんだ組成物を用いて、はんだ材料から分散質粒子が
偏析しないようにはんだ接合を形成することができる。
この方法は、例えば、はんだペーストの使用、あるい
は、真空蒸着、浸漬被覆(dip-coating)、または、レー
ザ溶融や圧着法を用いた対応するはんだバンプの形成を
含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施例は、機械的性質が
改善された新しいはんだ組成物からなる物品として実現
される。このような物品には、本発明によるはんだ組成
物を有する少なくとも１つのはんだ接合によって相互接
続された部品、パッケージされたあるいはパッケージさ
れていない電気デバイス、プリント回路板または基板が
ある。本発明によるはんだ組成物は、平均粒径が５００
ｎｍ以下のはんだ材料内に分散された、平均直径が５ｎ
ｍ〜２０００ｎｍの分散質粒子を含む。このような組成
物では、分散質材料は、粒界の運動を実質的に阻止する
とともに粒の成長を抑制する物理的障壁として作用す
る。その結果、熱および応力サイクル中の粗化は実質的
に抑制される。さらに、結果として得られるはんだ組成
物は、接合欠陥に対して十分に耐性のある超塑性を示
す。
【００１０】分散質粒子が、粒の成長を抑制する物理的
障壁として作用するためには、分散質粒子がはんだ材料
内で全くあるいはほとんど液体溶解度あるいは固体溶解
度を有さず、実質的に不活性であることが重要である。
本発明によれば、さまざまなタイプのはんだ材料および
分散質粒子が使用可能である。以下の説明でＰｂ−Ｓｎ
はんだを用いるのは単なる例示であり、本発明を限定す
ることを意図するものではない。また、はんだ材料とし
て、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｂｉ−ＳｎおよびＩｎ−Ａｇの
共晶および非共晶はんだのような無鉛はんだを使用する
ことが可能である。
【００１１】本発明によって、はんだおよび分散質の組
成物を用いて物品を形成するプロセスの実施例１を図１
に示す。プロセス１において、ステップ１０で、Ｐｂ−
Ｓｎはんだ粉末を分散質粒子と混合する。図２のＡに、
結果として得られるはんだ粉末１００と分散質粒子１１
０の混合物を示す。次に、図１のステップ２０で、混合
した組成物を機械的に圧縮して、図２のＢに示すように
はんだ粒子１１０の塑性変形を行い、その結果、図２の
Ｃに示すようなはんだ組成物のシート１２０を生成す
る。次に、図１のステップ３０で、生成したはんだ組成
物シート１２０を用いて、図４および図５に示すよう
に、第１部品１４０上にはんだバンプ１３０を形成す
る。このようなはんだバンプ１３０を形成する適当な方
法については、図３および図４に関して詳細に後述す
る。次に、図１のステップ４０で、図７に示すように第
１部品１４０と第２部品１６０の間にはんだ接合１５０
を形成する（同じく後述）。
【００１２】図１の混合ステップ１０で、はんだ粉末１
００の例示的な組成は、３０重量％〜９８重量％がＰｂ
で、２重量％〜７０重量％がＳｎである。さらに、２０
重量％までは、例えばＢｉ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ａｕ、
Ｎｉ、Ｉｎ、Ｚｎのような金属を含むことも可能であ
る。分散質粒子を十分に分散させるために、はんだ粉末
１００の平均粒径は約１０μｍ〜１０００μｍの範囲と
すべきである。金属組織学における従来の線形切片法に
よってはんだ粒および分散質粒子の平均直径を測定する
ことが可能である。
【００１３】平均直径が１０μｍ以下のはんだ粒子１０
０は、表面積が大きく表面酸化を受けやすくなるため好
ましくない。また、１μｍ以下のサイズの粒子は発火し
やすくなる。Ｐｂ含有はんだのような有毒のはんだ粉末
で非常に微細なものも、そのような粉末を取り扱う際の
安全性を考慮すると好ましくない。一方、直径が１００
０μｍ以上のはんだ粒子１００の使用は、必要なはんだ
粉末の大きい塑性変形により、小さい分散質粒子を十分
に分散させるような混合が困難になるために、好ましく
ない。このような考察に基づいて、平均粒径が２０μｍ
〜２００μｍの範囲のはんだ粉末を使用することが特に
好ましい。
【００１４】比較的不活性の分散質粒子１１０の材料
は、例えば、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3のような酸化
物や、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｓｍ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3およびＤ
ｙ2Ｏ3などの希土類酸化物のような安定な酸化物であ
る。このような酸化物を安定な酸化物というのは、はん
だ接合が形成されあるいは使用される環境でほとんど還
元されたり分解したりしないためである。また、Ｐｂ
Ｏ、ＰｂＯ2およびＰｂ2Ｏ3のような鉛酸化物を使用す
ることも可能であるが、鉛酸化物はＰｂ−Ｓｎはんだ材
料と共通の元素Ｐｂを共有するため、分散質組成物にお
けるＰｂの移動度のためにこのような分散質材料の粗化
が起こる可能性がある。さらに、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ａｌ
Ｎや希土類窒化物のような対応する安定な窒化物や、Ｔ
ｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣのような炭化物（カーバイド）の
微細粒子もまた、分散質材料１１０として使用可能であ
る。
【００１５】分散質粒子１１０は、結果として得られる
はんだ組成物において、粒界の運動を阻止するとともに
粒の成長を抑制する。このような性質を有するために
は、分散質粒子１１０の平均直径は約５ｎｍ〜２０００
ｎｍの範囲にあるべきである。しかし、粒子１１０の平
均直径がはんだ粉末１００の平均粒径より少なくともお
よそ１〜２桁小さいものであれば、混合ステップ１０中
にはんだ粒子１００の表面を分散質粒子１１０で被覆す
ることが容易になる。このような被覆はさらに、その後
の塑性変形ステップ中に粒子１１０の分散を高める。こ
のように、平均直径が約１００〜５００ｎｍの分散質粒
子１１０を用いて、Ｐｂ−Ｓｎはんだ粉末のこのような
分散を行うことが有効である。Ｐｂ−Ｓｎはんだ粉末の
このような性質を提供するのに十分な分散質の量は、結
果として得られるはんだ組成物の体積の０．５％〜２０
％の範囲であり、特に１％〜１０％の範囲が有効であ
る。
【００１６】図１のステップ１０で、従来の乾燥粉末混
合法によって、図２の分散質粒子１１０およびはんだ粉
末１００を混合することが可能である。しかし、湿式混
合法を用いて、粒子１１０の分散を良くすることができ
る。湿式混合法によれば、有毒のＰｂ含有はんだおよび
微細な分散質粒子の不用意な吸入に伴う健康および環境
上の危険を縮小することができる。湿式混合を実行する
ためには、水などのさまざまな液体を使用可能である。
しかし、アルコールやアセトンのような比較的揮発性の
液体を用いることにより、混合後に組成物を乾燥させる
のが容易になる。
【００１７】混合およびその後のはんだ付け操作中に分
散質粒子１１０がはんだ材料１００から偏析することを
避けるために、はんだ材料と同程度の密度を有する分散
質粒子１１０を使用するのが有利である。こうして、は
んだ組成物中で分散質粒子が重力によって浮上あるいは
沈降することによる偏析を防ぐことができる。この場
合、分散質粒子１１０の密度は、はんだ材料１００の密
度の１０％以内とするのが有利である。さらに偏析から
の保護を高めるには、分散質粒子とはんだ材料の密度の
差を５％以内とするのが好ましく、特に２％以内とする
のが好ましい。
【００１８】例えば、約３７重量％のＰｂと６３重量％
のＳｎからなり密度が約８．３４ｇ／ｃｍ3の共晶はん
だ合金のようなはんだ材料１００と、例えば、Ｄｙ2Ｏ3
（密度は約８．１７ｇ／ｃｍ3）やＨｏ2Ｏ3（密度は約
８．４１ｇ／ｃｍ3）のような安定な希土類酸化物の分
散質粒子を使用すると有効である。さらに、希土類酸化
物の混合比を、はんだ材料の密度に一致するように調整
することが可能である。例えば、密度が約７．６２ｇ／
ｃｍ3のＳｍ2Ｏ3と、密度が約９．２５ｇ／ｃｍ3のＹｂ
2Ｏ3の、５５：４５の比率の混合物から、混合物密度が
８．３４ｇ／ｃｍ3のＳｍ1.1Ｙｂ0.9Ｏ3が生成される。
この混合物密度は、Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだ材料の密度に
ほぼ一致する。
【００１９】また、希土類酸化物の密度はＹ2Ｏ3の５．
０３ｇ／ｃｍ3からＬｕ2Ｏ3の９．４２３ｇ／ｃｍ3まで
にわたるため、このような酸化物や、Ｌａ、Ｃｅおよび
Ｐｒを含む混合希土類酸化物を含むミッシュメタル酸化
物の混合物を、分散質粒子１１０として用いて、所望の
密度を実現することが可能である。また、ＮｂＯ（密度
は約７．３ｇ／ｃｍ3）、ＺｒＯ2（密度は約５．８ｇ／
ｃｍ3）、ＨｆＯ2（密度は約９．６８ｇ／ｃｍ3）、お
よびＴａ2Ｏ3（密度は約８．０２ｇ／ｃｍ3）などの遷
移金属あるいは耐熱金属の酸化物、あるいはこのような
酸化物の組合せも、所望の密度を得るために使用可能で
ある。また、例えばＨｆＢ2（密度は約１１．２ｇ／ｃ
ｍ3）、ＴａＢ（密度は約１４．０ｇ／ｃｍ3）、ＴａＢ
2（密度は約１２．４ｇ／ｃｍ3）、ＺｒＢ2（密度は約
６．１ｇ／ｃｍ3）、ＨｆＣ（密度は約１２．２ｇ／ｃ
ｍ3）、ＴａＣ（密度は約１４．７ｇ／ｃｍ3）、ＷＣ
（密度は約１５．７ｇ／ｃｍ3）、ＴｉＣ（密度は約
６．７ｇ／ｃｍ3）およびＺｒＣ（密度は約４．２５ｇ
／ｃｍ3）のような耐熱金属のホウ化物、炭化物または
それらの組合せも、所望の密度を有する分散質粒子を生
成するために使用可能である。
【００２０】さらに、従来の９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ（重
量％）はんだ合金のような有鉛はんだ（密度は約１１．
００ｇ／ｃｍ3と比較的大きい）の密度一致は、分散質
粒子１１０の成分として上記で列挙した比較的高い密度
のホウ化物または炭化物を用いて実現される。はんだ材
料の溶融時間および凝固時間が十分に短い場合、所望の
密度を達成するために分散質粒子の成分として鉛含有材
料を使用することが可能である。そのような鉛含有材料
の例としては、ＰｂＯ、ＰｂＦ2、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺ
ｒＯ3、あるいは、このような鉛含有材料の組合せ（例
えばＰｂ（Ｔｉ0 .4 6Ｚｒ0.54）Ｏ3）がある。
【００２１】密度が一致した分散質粒子およびはんだ材
料は、結果として得られるはんだ接合において粒子の偏
析が抑制されるが、本発明によれば、相異なる密度の分
散質粒子およびはんだ材料を使用することも可能であ
る。しかし、このような場合に方法１に従って分散質含
有混合物を生成する際には、湿式混合中に特定の量の液
体を使用して、混合物に十分な粘度あるいは粒子間摩擦
を与え、偏析を抑制する。
【００２２】例えば、攪拌のような通常の穏和な機械的
混合プロセスの場合、１０体積％〜４０体積％の液体を
使用して所望の粘度を達成することが可能である。スピ
ードアトリションミルやボールミリングのような比較的
高いパワーの混合法と、それに対応する塑性変形を使用
することも可能である。しかし、このような混合法は加
工コストが比較的高くなり、場合によっては、分散質あ
るいははんだ粒子の凝集を引き起こし、好ましくないこ
とがある。
【００２３】湿式混合後、混合した粉末集塊を乾燥さ
せ、液体媒質を除去する。この乾燥プロセスは、大気
中、窒素やアルゴンのような不活性雰囲気中、あるいは
真空中で実行することが可能である。乾燥した粉末集塊
を、図１のステップ２０で、機械的圧縮により塑性変形
させ、図２のＢおよびＣに続けて示したように、分散質
含有はんだシート１２０を形成する。分散質含有はんだ
シート１２０の厚さは、例えば、２５０μｍ〜１ｍｍの
範囲にある。
【００２４】機械的圧縮ステップ２０は、真空中あるい
は不活性ガス環境中で実行すると有利である。このよう
な環境は、内表面における酸化や、中間または最終の熱
処理中にガスの膨張あるいは発泡を引き起こす孔にトラ
ップされる気体の量を減少させる。また、ステップ２０
で、液圧プレス圧縮などの機械的圧縮法を用いることも
可能である。
【００２５】ステップ２０で、粒子１１０の分散は、図
２のＢおよびＣの圧縮手順に示したように、はんだ粒子
１００間の粒子間距離を分散質粒子１１０の平均直径の
高々１０倍まで（好ましくは、分散質直径の高々３倍ま
で）圧縮方向に十分に圧縮することによって達成され
る。こうして、はんだ組成物集塊の厚さが少なくとも５
０％縮小する塑性変形が達成される。このような塑性変
形は、図２のＢおよびＣの圧縮手順に示したように、そ
れぞれの延ばしたＰｂ−Ｓｎはんだ粒子１００の直径を
包囲する分散質粒子１１０の実質的な層間の間隔を縮小
する。こうして、はんだ組成物集塊の厚さが少なくとも
９０％から９５％縮小する塑性変形を用いるとさらに有
効である。変形自体は一軸性である必要はない。例え
ば、パンを焼く前に小麦粉をこねるのと同様に任意の方
向に圧縮／膨張プロセスを繰り返すことも可能である。
【００２６】大規模で連続的な工業的製造では、図１の
ステップ２０における機械的圧縮に、プレートとストリ
ップを用いた従来の金属ミル加工を使用することが可能
である。このような場合、プレス圧縮した分散質含有は
んだ組成物集塊から、プレス圧縮した母材（プリフォー
ム）を生成する。次に、この母材を冷間圧延あるいは温
間圧延して、コイル状の連続ストリップにする。棒状に
スエージ加工した後、針金加工あるいは圧延を使用する
ことも可能である。また、ステップ２０に追加して、結
果として得られるプレートあるいはストリップを剪断
し、切片を積み重ねて圧延することを少なくとも１回行
い、組成物中に分散質粒子がさらに良く分散するように
することも可能である。
【００２７】図１のステップ２０で分散質含有はんだシ
ート１２０を形成した後、ステップ３０で、シート１２
０を用いて、例えば図３に示したように第１部品１４０
の接点パッド１４５上にはんだバンプ１３０を形成す
る。分散質粒子およびはんだ材料の密度が同程度である
場合には、溶融中に分散質粒子の好ましくない偏析が起
こる可能性は少ないため、はんだバンプ１３０を形成す
るためにどの方法を使用するかは重要ではない。しか
し、分散質粒子とはんだ材料の密度が同程度でない場
合、分散質粒子の偏析を制限するはんだバンプ形成方法
を使用すべきである。このような偏析を制限する方法の
例としては、図３および図４にそれぞれ示すような、レ
ーザビーム溶融法および圧着法がある。
【００２８】レーザビーム溶融法は、例えば約２０℃／
秒（さらに好ましくは１００℃／秒）以上という比較的
急速な加熱と、１０℃／秒以上（さらに好ましくは５０
℃／秒）以上という対応する急速な冷却を用いて、分散
質粒子の偏析をほとんど起こさずにはんだバンプ１３０
を形成するものである。図３において、図１のステップ
２０によって形成した分散質含有はんだシート１２０
を、第１部品１４０の基板３００上の接点パッド１４５
の一部の上に置く。次に、レーザ３１５からの光エネル
ギーを用いて、各接点パッド１４５に近接するシート１
２０上の特定の領域３１０を急速に加熱し、そのような
領域のはんだを溶解して、領域３２０に示されているよ
うなはんだバンプ１３０を形成する。はんだバンプ１３
０を形成した後、残りのはんだシート１２０は、例え
ば、機械的方法あるいは真空法によって基板３００から
取り除き、後のはんだ付け操作で再利用することが可能
である。
【００２９】ぬれを向上させるため、レーザ溶融の前
に、接点パッド１４５に、あるいは、接点パッドに接触
するはんだシート表面に、ＲＭＡ（活性剤量の少ないロ
ジン(rosin-mildly-activated)）フラックスを塗布して
もよい。本発明によれば、はんだシート領域３１０はそ
れぞれ、順次、あるいは、同時に、レーザ光エネルギー
によって溶融することができる。さらに、接点パッド１
４５よりも面積が約５％〜２０％大きい領域３１０を溶
融すると有効である。その理由は、接点パッド１４５の
対応するぬれの効果により、溶融はんだが容易にシート
１２０から分離するためである。図１のステップ３０
で、第１部品１４０上にはんだバンプ１３０を形成した
後、例えば従来のリフロープロセスによって、第１部品
１４０と別の部品の間にはんだ接合１５０が形成され
る。
【００３０】本発明によれば、図４に示すように、圧着
法を用いて、はんだシート１２０からはんだバンプ１３
０を形成することも可能である。図３と図４で同様の部
品は、基板３００および接点パッド１４５のように、統
一して番号を付けてある。図４において、分散質含有は
んだシート１２０を、接点パッド１４５の上に用意す
る。次に、プレス装置３６０の少なくとも１つのパンチ
ピン３５０が、はんだシート１２０の特定の領域を押し
抜き、この領域はピン３５０によって接点パッド１４５
に圧着され、はんだバンプを形成する。破線の輪郭３６
５は、この圧着プロセスによって接点パッド３７０上に
生成される対応するはんだバンプの形状を示す。例えば
平均直径が５〜５０ミル（０．１２７〜１．２７ｍｍ）
の範囲のはんだバンプを形成することが可能である。
【００３１】パンチピン３５０の端部３５５は、例えば
凹状の形状を有し、所望の形状を有するはんだバンプ１
３０の圧着および形成ができる。ステンレススチールの
ようなはんだぬれ性のない材料もパンチピン３５０であ
れば使用可能である。あるいは、パンチピン端部３５５
を、テフロン（登録商標）やダイヤモンド膜のようなは
んだぬれ性のない材料で被覆することも可能である。分
散質含有Ｐｂ−Ｓｎはんだシートの押し抜き、成形およ
び接合を容易にするため、圧着の前に、はんだシートを
例えば０．５ＴM〜０．８ＴM（ただし、ＴMははんだの
融点）の範囲の温度でアニールすると有効である。所望
の圧着特性を達成するために、はんだシートの材料に基
づいて、別の温度範囲および別の回数ではんだシートを
アニールすることも可能である。
【００３２】圧着を改善するには、はんだシート１２０
に比べてパンチピン３５０を高温に（共晶Ｐｂ−Ｓｎは
んだの場合１００℃〜１５０℃の程度）にすると有効で
ある。また、はんだバンプ１３０の接着を容易にするた
めに、圧着プロセスの前に、接点パッドをＰｂ−Ｓｎや
Ｓｎのような適当な材料で被覆することも有効である。
また、ぬれを容易にするために、接点パッドや、接点パ
ッドに面するはんだシートの表面をはんだフラックスで
被覆することも可能である。
【００３３】上記の方法では、粉末はんだを用いたはん
だシート１２０からはんだ接合１５０を生成したが、本
発明によれば、代わりに他のさまざまな方法を用いて、
分散質含有はんだシート１２０を形成することが可能で
ある。例えば、積層分散法を用いてこのようなはんだ組
成物を生成することが可能である。このような積層分散
法によれば、分散質含有はんだ組成物およびそのような
はんだを用いた物品を大規模に工業的に製造することが
できる。さらに、このような積層分散法は一般に、微細
なはんだ粉末の代わりに低コストのバルクのはんだ材料
を使用することにより、はんだ粉末プロセスに比べて低
コストで実行可能であり、さらに、鉛含有粉末に伴う高
い取扱いコストがなく、好ましくない表面酸化や健康上
および環境上の危険を避けることができる。
【００３４】積層分散法の実施例を図５に示す。このプ
ロセスは、図１の方法１のステップをほとんど実行する
が、粉末混合ステップ１０の代わりに積層分散プロセス
を行う。図５において、はんだシート２００（例えばＰ
ｂ−Ｓｎはんだシート）を、噴霧器２１０の近くで、矢
印２０５で示される方向に移動させる。噴霧器２１０
は、所望の材料および平均粒径の分散質粒子２１２をシ
ート２００の表面２１５上に噴霧する。はんだシート２
００上に被覆される分散質粒子の量は、結果として得ら
れるはんだ組成物中の分散質の所望の体積率に対応する
ことになる。Ｐｂ−Ｓｎはんだの場合に使用可能なはん
だシートの厚さは、例えば、０．００５〜０．２５０イ
ンチ（０．１２７〜６．３５ｍｍ）程度であり、特に、
０．０１０〜０．１００インチ（０．２５４〜２．５４
ｍｍ）の範囲が好ましい。はんだシート２００を被覆し
た後、図１のステップ２０に従って、インゴット状の母
材２２０へと巻く。
【００３５】シート２００の一方の表面２１５を噴霧被
覆したが、本発明によれば、さらに反対側の表面２１７
を噴霧被覆することも可能である。アルコール、アセト
ンあるいは水のような液体キャリアで分散質粒子を噴霧
するために、従来の噴霧被覆操作を使用することが可能
である。分散質被覆の前に、表面２１５および２１７を
機械的あるいは化学的に洗浄して、油脂や汚れのような
好ましくない汚染物質を除去し、あるいは、形成された
酸化皮膜を除去するのが好ましい。このような清浄な表
面により、分散質とシートの接着、および、シート間の
結合が容易になる。
【００３６】はんだシート２００を被覆するために図５
では噴霧器を用いているが、シート２００を分散質粒子
で被覆するためには他の方法を使用することも可能であ
る。例えば、はんだシート２００を分散質粒子を含む液
体浴に沈めることによる浸漬被覆が可能である。この液
体浴にはバインダ材料を入れることも可能である。ま
た、はんだシート２００を被覆するために、刷毛（ブラ
シ）による塗布、ローラによる塗布、電気泳動あるいは
静電的に、湿式あるいは乾式で分散質粒子を付着させる
ことが使用可能である。被覆プロセス中に液体媒質ある
いはバインダを使用する場合、被覆されるシートは、後
の機械的圧縮ステップの前に、乾燥させるべきである。
【００３７】商業的製造では、コイル状母材２２０の重
量は１００〜１０，０００ポンド（４５．３６〜４５３
６ｋｇ）、直径は１〜３フィート（０．３０４８〜０．
９１４４ｍ）の程度とすることが可能である。あるい
は、被覆されたシートを切り分け、積み重ね、プレス結
合して、例えば１０〜１０，０００層の長方形のブロッ
ク母材を形成することも可能である。その後、形成した
母材を、図１のステップ２０に対応するステップで機械
的に圧縮する。層間距離を縮小して分散質粒子の層間の
距離を縮小するための機械的圧縮に冷間圧延あるいは温
間圧延を使用することが可能である。あるいは、冷間圧
延および再積層を繰り返すことによって、少数の積層あ
るいは圧延した層を用いて母材２００を形成し、分散質
粒子の分散を達成することも可能である。０．５ＴM〜
０．９ＴMの温度で１００時間というような中間の熱処
理ステップを使用して、圧縮ステップのために、層間の
結合および機械的軟化を容易にすることも可能である。
【００３８】母材２００は圧縮され、分散質粒子の所望
の分布が達成される。この場合、必要な機械的圧縮は、
はんだシートの初期厚さ、加えた分散質粒子のサイズお
よび量、ならびに多層母材の全厚さに依存する。例え
ば、冷間あるいは温間圧延の場合、圧延パスあたり約５
％〜２０％の厚さの変形という代表的な収縮を用いて、
全体で約９９％〜９９．９９％の厚さの縮小が達成され
る。この場合、平均直径が１００ｎｍ（体積で約５％）
のＴｉＯ2粒子で厚さ２５μｍ〜５０μｍに被覆した、
各層の厚さが約５００μｍのはんだシートを５００層含
む、厚さ約２５ｃｍの母材スタック（コイル）は、冷間
あるいは温間圧延を繰り返すことによって変形して、厚
さ約５００μｍの分散質含有はんだシートとすることが
できる。このような変形は、もとの厚さ２５ｃｍからの
９９．８％の縮小に対応する。
【００３９】結果として得られる厚さ５００μｍの分散
質含有はんだシートを再び積層あるいはコイルして、厚
さあるいは直径を２５ｃｍにし、再び厚さ５００μｍに
圧縮して、分散質粒子被覆層間の距離を５００μｍから
０．００２μｍへと全体的に縮小する。これは、ＴｉＯ
2分散質粒子の平均直径よりずっと小さい。１００ｎｍ
サイズの分散質粒子の５体積％のほぼ一様な３次元分布
は、平均粒子間距離が０．３μｍ程度であるので、上記
のプロセスにより、このようなほぼ一様な分散質粒子分
布が達成される。
【００４０】さらに、圧延による機械的圧縮によって引
き起こされる比較的過酷な塑性変形により新しい金属表
面が露出し、次に再び積層されコイルされる母材の圧縮
に対して比較的強いはんだ間の層間結合・接着が可能と
なる。多層積層の結合および完全性を向上させるため、
例えば、積層されあるいはコイルされた母材の誘導加熱
などによる部分的あるいは急速な融解を含む中間熱処理
を追加的に使用することも可能である。
【００４１】図１〜図５に関して説明した上記のはんだ
バンプの生成方法では分散質含有はんだシートを用いた
が、このようなシートは本発明の実施に重要ではない。
例えば、融解した分散質はんだ浴を用いた浸漬被覆ある
いはウェーブはんだ付けによって分散質含有はんだバン
プを形成することも可能である。このはんだバンプ形成
操作中に溶融はんだ中の分散質粒子の所望の分布を維持
することが重要である。はんだ材料とほぼ一致する密度
を有する分散質粒子をこの目的のために使用可能であ
る。さらに、分散質含有はんだ浴の攪拌により、使用す
る分散質粒子の密度がはんだと一致しているかどうかに
かかわらず、所望の粒子分布を実現することが可能であ
る。十分な攪拌には、従来のウェーブはんだ付け浴で一
般的に用いられるものが含まれる。
【００４２】また、分散質粒子とはんだ材料の密度がか
なり異なる場合、浸漬被覆あるいはウェーブはんだ付け
被覆中に約１０℃／秒あるいはさらに効果的には５０℃
／秒以上の比較的急速な冷却によって、はんだバンプ１
３０の形成中に分散質粒子が偏析することがほぼ抑制さ
れる。
【００４３】別法として、本発明によれば、薄膜分散質
含有はんだシートの堆積と光リソグラフィ除去を用い
て、２５００μｍ2以下程度の、部品のはんだバンプ被
覆領域を生成することができる。図６に、この方法によ
る例示的なステップを示す。
【００４４】図６のＡにおいて、銅またはアルミニウム
の接点パッドのような接点パッド４０５を、シリコン基
板のような基板４００の表面上に形成する。接点パッド
を含まないシリコン基板表面の領域は、例えばポリイミ
ドや酸化物の層のような溶融はんだでぬれない保護絶縁
体４１０で被覆される。次に、接点パッド４０５および
絶縁体層４１０を、所望の組成比を有する分散質含有は
んだ混合物で被覆して、層４１５を形成する。はんだフ
ィルム層４１５の厚さは、およそ０．１μｍ〜５０μｍ
の範囲内、あるいは好ましくは、０．１μｍ〜２μｍの
範囲内とすることが可能である。
【００４５】このような被覆は、Ｐｂ−Ｓｎおよび分散
質ターゲットからの同時スパッタリング(co-sputterin
g)、あるいは、このような材料のスパッタリングと蒸着
の組合せによって実現される。酸化物、ホウ化物あるい
は炭化物（カーバイド）のような電気絶縁体を分散質と
して使用する場合、ＤＣスパッタリングではなくＲＦス
パッタリングを用いてこのような材料を堆積することが
可能である。さらに、分散質が酸化物である場合、堆積
容器雰囲気中の残留酸素ガスを用いて、堆積プロセス中
の所望の酸化物を生成することも可能である。
【００４６】はんだ層４１５の形成後、例えば従来のリ
ソグラフィプロセスを用いたエッチングによって、層４
１５で接点パッド４０５に近接していない部分を除去
し、図６のＢに示すように、接点パッド４０５に近接し
たはんだフィルム層４１５の領域４２０を形成する。次
に、基板４００および上記の層を加熱してはんだ層領域
４２０をリフローさせる。接点パッド４０５のぬれと、
溶融はんだの表面張力により、リフローしたはんだ領域
４２０は図６のＣに示すように微小はんだバンプ４２５
が生成されることになる。
【００４７】微小レベルの分解能を得るために従来のリ
ソグラフィ材料除去法が使用可能であるため、上記の方
法によって高密度で微小サイズのはんだバンプ４２５を
形成することができる。その結果、この方法は、およそ
２５００μｍ2以下の部品面積を被覆するはんだバンプ
を形成することに使用可能なものではあるが、特に、お
よそ２５μｍ2以下、あるいはさらに好ましくは４μｍ2
以下の部品面積を被覆するはんだバンプを形成するのに
有効である。
【００４８】本発明の別の実施例によれば、上記のはん
だバンプの代わりにはんだペースト法を用いて本発明の
分散質含有はんだ接合を生成することが可能である。こ
のようなはんだペーストは、適当なフラックスおよびそ
の他の化学物質と混合された分散質含有はんだ粒子を含
む。はんだペーストのスクリーンプリントを含む、表面
マウント部品で用いられる従来の方法を用いて、はんだ
接合を生成するために、部品上にこのようなはんだペー
ストを形成することが可能である。ペーストを部品上に
形成した後、接合する部品をはんだペーストに接触させ
て正しく配置し、部品を加熱してはんだをリフローさせ
ることによって対応するはんだ接合が形成される。
【００４９】固体の分散質含有合金ブロックから合金を
機械的に削り取り、削り取った材料を流動媒質中に懸濁
させて再溶融および凝固をすることによって、はんだペ
ースト中に含まれる分散質含有はんだ粉末材料を生成す
ることが可能である。別法として、分散質含有溶融はん
だを噴霧（アトマイズ）して分散質含有はんだ粉末を生
成することも可能である。
【００５０】第１部品１４０と第２部品５００の接点パ
ッド１４５の間に本発明によって生成された分散質含有
はんだ接合１５０の例を図７に示す。このようなはんだ
接合は、サブミクロンの粒子サイズを維持し、あるレベ
ルの超塑性を示すことによって、熱および応力のサイク
ルによるはんだ接合の疲労寿命を長くする。また、図７
には、部品１４０および５００のいずれかに加えられる
圧力による変形の程度を制限するスペーサ５２０も示さ
れている。従って、はんだ接合の超塑性によるはんだ接
合１５０の好ましくない過剰な延びが制約される。同様
にして、側方および引っ張りの変形も、ピンと孔の組合
せ構成を用いることによって制約される。このような構
成では、一方の部品に取り付けられたピンあるいは突起
が、他方の部品の孔に入る。このような構成では、ピン
の相対移動が孔を形成する部品表面によって制限される
ために、部品の相対的な側方移動が制限される。
【００５１】以下の例では、平均はんだ粒径が５ｎｍ〜
２０００ｎｍの微細な分散質含有はんだを形成し、ある
レベルの超塑性を実現し、分散質粒子のない対応する組
成に対して少なくとも３０％〜５０％改善されたはんだ
接合強度を提供するとともにこれに対応して少なくとも
５０％〜１００％疲労寿命を改善している。
【００５２】
【実施例】
［例１］平均粒径が約５０μｍのＰｂ−Ｓｎ共晶はんだ
粉末を、平均粒径が１０ｎｍのＡｌ2Ｏ3分散質粒子と、
エチルアルコールを用いて湿式混合した。Ａｌ2Ｏ3分散
質粒子は混合物中で体積で約２％を占めた。この混合物
を乾燥させ、押し固め、１２０℃でアニールし、塑性変
形とアニールを繰り返して、全体の厚さを１／１０4以
下に縮小した。次に、結果として得られたはんだシート
を１２０℃で３時間（Ａ）および４８時間（Ｂ）アニー
ルし、図８に示すような微細構造を生成した。この１２
０℃は、０．８６Ｔmという高い比温度に対応する。こ
こで、共晶Ｐｂ−Ｓｎはんだの融点は１８３℃である。
【００５３】図８のＡにおいて、１２０℃で３時間のア
ニールの後、平均粒径は線形切片法を用いて約２００ｎ
ｍである。１２０℃で４８時間のアニール後の平均粒径
は同じく約２００ｎｍである。比較のため、同じ１２０
℃で３時間（Ａ）および４８時間（Ｂ）のアニールを、
分散質粒子のない対応するＰｂ−Ｓｎシートに対して行
い、図９に示す微細構造を得た。図９のＡに示す微細構
造では、平均粒径は約２μｍであり、図９のＢに示す４
８時間アニール後には５〜６μｍと粗くなっている。
【００５４】［例２］本発明による別のはんだ合金を例
１と同様に調製し加工した。ただし、Ａｌ2Ｏ3の分散質
粒子としては平均粒径が約２００ｎｍのものを用いた。
対応して、１２０℃で２時間および４８時間のアニール
の結果、それぞれ平均粒径が５００ｎｍおよび６００ｎ
ｍとなった。このような微細な粒径は、図９に示すよう
な従来のＰｂ−Ｓｎはんだ合金の粒径に比べて大幅な改
善を表している。
【００５５】以上、本発明の実施例について説明した
が、当業者には理解されるように、さまざまな変形例が
可能である。例えば、上記の実施例はＰｂ−Ｓｎはんだ
合金の使用に関するものであるが、例えばＳｎ−Ａｇ、
Ｂｉ−ＳｎおよびＩｎ−Ａｇによるはんだのような無鉛
はんだも、本発明による分散質含有はんだ接合を形成す
るために使用可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、熱
および応力サイクル中の粗化は実質的に抑制される。さ
らに、はんだ組成物は、接合欠陥に対して十分に耐性の
ある超塑性を示す。本発明によって形成されるはんだ接
合は一般に、応力欠陥に対して、分散した粒子のない対
応する従来のはんだ接合より少なくとも３０％〜５０％
高い耐性があり、それに対応して一般に、少なくとも５
０％〜１００％長い疲労寿命を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】粉末混合法を用いて本発明によって分散質含有
はんだ接合を形成する方法の実施例の流れ図である。
【図２】図１の方法の特定のステップ中のはんだ材料と
分散質の相互作用を説明する図である。
【図３】図１の方法によって分散質含有はんだシートか
らはんだバンプを精製する方法の実施例の説明図であ
る。
【図４】はんだバンプを形成する、図３の方法の別法の
説明図である。
【図５】分散積層法を用いて分散質含有はんだを形成す
る、図１の方法の別法の説明図である。
【図６】本発明による分散質含有はんだバンプを形成す
るもう１つの方法の説明図である。
【図７】相互接続スペーサを用いた、本発明による物品
の説明図である。
【図８】本発明によるはんだ組成物の顕微鏡写真であ
る。
【図９】従来のはんだ合金の顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１００ はんだ粉末 １１０ 分散質粒子（はんだ粒子） １２０ はんだ組成物シート １３０ はんだバンプ １４０ 第１部品 １４５ 接点パッド １５０ はんだ接合 ２００ はんだシート ２１０ 噴霧器 ２１２ 分散質粒子 ２２０ 母材 ３００ 基板 ３１５ レーザ ３５０ パンチピン ３５５ パンチピン端部 ３６０ プレス装置 ３７０ 接点パッド ４００ 基板 ４０５ 接点パッド ４１０ 保護絶縁体層 ４１５ はんだフィルム層 ４２０ はんだ層領域 ４２５ 微小はんだバンプ ５００ 第２部品 ５２０ スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ２２Ｃ 11/06 Ｃ２２Ｃ 13/00 13/00 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０３Ｂ ６０４Ａ (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 トーマス ヘンリー タイフェル アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ノース プレインフィールド、タフト アベニュー 758

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 はんだ材料と、該はんだ材料中に分散し
    た粒子とからなるはんだ組成物からなる物品において、
    前記はんだ材料の少なくとも一部の平均粒径は５００ｎ
    ｍ以下であり、前記粒子は前記はんだ材料とほとんど反
    応せず、前記粒子の平均直径は５ｎｍ〜２０００ｎｍの
    範囲にあることを特徴とする、はんだ組成物からなる物
    品。
  2. 【請求項２】 前記粒子の平均直径は５００ｎｍ以下で
    あることを特徴とする請求項１の物品。
  3. 【請求項３】 前記粒子の平均直径は１００ｎｍ以下で
    あることを特徴とする請求項２の物品。
  4. 【請求項４】 前記はんだ材料は有鉛はんだ材料である
    ことを特徴とする請求項１の物品。
  5. 【請求項５】 前記有鉛はんだ材料は３０〜９８重量％
    のＰｂと２〜７０重量％のＳｎを含むことを特徴とする
    請求項４の物品。
  6. 【請求項６】 前記有鉛はんだ材料はさらに、Ｂｉ、Ａ
    ｇ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ、ＩｎおよびＺｎからなる群から
    選択される金属を２０重量％以下の割合で含むことを特
    徴とする請求項５の物品。
  7. 【請求項７】 前記粒子は前記はんだ組成物の０．５％
    〜２０％の範囲の体積を占めることを特徴とする請求項
    １の物品。
  8. 【請求項８】 前記粒子によって示される体積は１〜１
    ０％の範囲にあることを特徴とする請求項７の物品。
  9. 【請求項９】 前記粒子は安定な酸化物からなることを
    特徴とする請求項７の物品。
  10. 【請求項１０】 前記安定な酸化物は、ＴｉＯ2、Ｚｒ
    Ｏ2およびＡｌ2Ｏ3からなる群から選択されることを特
    徴とする請求項９の物品。
  11. 【請求項１１】 前記安定な酸化物は、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ
    2、Ｓｍ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3およびＤｙ2Ｏ3からなる群から
    選択される安定な希土類酸化物からなることを特徴とす
    る請求項９の物品。
  12. 【請求項１２】 前記粒子は安定な窒化物からなること
    を特徴とする請求項７の物品。
  13. 【請求項１３】 前記安定な窒化物は、ＴｉＮ、Ｚｒ
    Ｎ、ＡｌＮおよび希土類窒化物からなる群から選択され
    ることを特徴とする請求項１２の物品。
  14. 【請求項１４】 前記粒子は、前記はんだ材料の平均密
    度の１０％以内の平均密度を有することを特徴とする請
    求項１の物品。
  15. 【請求項１５】 第１物品の表面上に分散質含有はんだ
    シートを置くステップと、 前記はんだシートから前記第１物品の表面上に分散質含
    有はんだバンプを形成するはんだバンプ形成ステップ
    と、 第２物品を前記第１物品に対して所望の向きで配置する
    ステップと、 前記はんだバンプをリフローさせて前記第１物品と前記
    第２物品を相互接続するはんだ接合を形成するステップ
    とからなる、第１物品と第２物品を相互接続する方法に
    おいて、 前記はんだシートははんだ材料中に分散した粒子を含
    み、前記はんだ材料の少なくとも一部の平均粒径は５０
    ０ｎｍ以下であり、前記粒子は前記はんだ材料とほとん
    ど反応せず、前記粒子の平均直径は５ｎｍ〜２０００ｎ
    ｍの範囲にあることを特徴とする、第１物品と第２物品
    を相互接続する方法。
  16. 【請求項１６】 前記はんだバンプ形成ステップは、 光エネルギーを用いて前記はんだシートの領域を加熱し
    て該領域を融解し、融解した分散質含有はんだ材料を前
    記第１部品上の所望の位置に堆積する加熱ステップと、 前記融解した分散質含有はんだ材料を冷却してはんだバ
    ンプを形成する冷却ステップとからなることを特徴とす
    る請求項１５の方法。
  17. 【請求項１７】 前記加熱ステップは、はんだバンプが
    形成される平均面積の５％〜２０％広いはんだシートの
    領域を融解することを特徴とする請求項１６の方法。
  18. 【請求項１８】 前記加熱ステップは、約２０℃／秒以
    上の速度で領域を加熱することを特徴とする請求項１６
    の方法。
  19. 【請求項１９】 前記冷却ステップは、約１０℃／秒以
    上の速度で前記第１部品の周りの環境の温度を低下させ
    ることを特徴とする請求項１８の方法。
  20. 【請求項２０】 前記加熱ステップの前に、前記はんだ
    シートの領域または前記第１部品の表面に活性剤量の少
    ないロジンを塗布するステップをさらに有することを特
    徴とする請求項１６の方法。
  21. 【請求項２１】 前記はんだバンプ形成ステップは、 プレス装置のパンチピンを用いて前記第１部品上の所望
    の位置に前記はんだシートの領域を押し出すステップ
    と、 押し出された分散質含有はんだ材料領域に十分な圧力を
    加えて前記第１部品に該材料領域を結合してはんだバン
    プを形成する加圧ステップとからなることを特徴とする
    請求項１５の方法。
  22. 【請求項２２】 前記はんだ材料の融点をＴMとして、
    前記押し出すステップの前に、０．５ＴM〜０．８ＴMの
    範囲の温度で前記はんだシートをアニールするステップ
    をさらに有することを特徴とする請求項２１の方法。
  23. 【請求項２３】 前記加圧ステップの前に、前記第１部
    品の領域を前記はんだ材料で被覆して前記はんだバンプ
    の接着を容易にするステップをさらに有することを特徴
    とする請求項２１の方法。
  24. 【請求項２４】 前記第１部品と前記第２部品の間に少
    なくとも１つのスペーサを設けるステップをさらに有す
    ることを特徴とする請求項１５の方法。
  25. 【請求項２５】 接点パッドを含む第１部品の領域を分
    散質含有はんだで被覆するはんだ被覆ステップと、 被覆の領域をエッチングして、接点パッドを被覆する部
    分以外の前記第１部品の領域からはんだ被覆を除去する
    エッチングステップと、 前記第１部品を加熱して接点パッドを被覆するはんだを
    リフローさせるステップと、 リフローしたはんだを冷却して前記接点パッド上にはん
    だバンプを形成するステップと、 第２物品を前記第１物品に対して所望の向きで配置する
    ステップと、 前記はんだバンプをリフローさせて前記第１物品と前記
    第２物品を相互接続するはんだ接合を形成するステップ
    とからなる、第１物品と第２物品を相互接続する方法に
    おいて、 前記分散質含有はんだははんだ材料中に分散した粒子を
    含み、前記はんだ材料の少なくとも一部の平均粒径は５
    ００ｎｍ以下であり、前記粒子は前記はんだ材料とほと
    んど反応せず、前記粒子の平均直径は５ｎｍ〜２０００
    ｎｍの範囲にあることを特徴とする、第１物品と第２物
    品を相互接続する方法。
  26. 【請求項２６】 前記はんだバンプは約２５μｍ2以下
    の接点パッド領域を被覆することを特徴とする請求項２
    ５の方法。
  27. 【請求項２７】 前記はんだ被覆ステップの前に、前記
    第１部品の前記接点パッド以外の領域の少なくとも一部
    の上に絶縁層を形成するステップをさらに有することを
    特徴とする請求項２５の方法。
  28. 【請求項２８】 前記はんだ被覆ステップは、蒸着法お
    よびスパッタリング堆積法のうちの少なくとも一方によ
    って実行されることを特徴とする請求項２５の方法。
  29. 【請求項２９】 前記はんだ被覆ステップは、残留酸素
    ガスを含む環境中で実行され、酸化物分散質粒子の形成
    を容易にすることを特徴とする請求項２５の方法。
  30. 【請求項３０】 前記エッチングステップは、光リソグ
    ラフィエッチング工程であることを特徴とする請求項２
    ５の方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004533166A (ja) * 2001-05-17 2004-10-28 サイプレス　セミコンダクター　コーポレーション ボールグリッドアレイアンテナ
JP2015020181A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 ハリマ化成株式会社 はんだ組成物、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP2015020182A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 ハリマ化成株式会社 はんだ組成物、ソルダペーストおよび電子回路基板
WO2017098554A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 三菱電機株式会社 レーザ光源装置
JP2017528327A (ja) * 2014-08-18 2017-09-28 キュン ドン ワン コーポレーションＫｙｕｎｇ Ｄｏｎｇ Ｏｎｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 無鉛ソルダー合金組成物及び無鉛ソルダー合金の製造方法
WO2019188756A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 千住金属工業株式会社 はんだペースト

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0856376B1 (en) * 1996-12-03 2000-02-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising fine-grained solder compositions with dispersoid particles
FR2772657B1 (fr) * 1997-12-23 2000-03-03 Thomson Csf Procedure de realisation de pate a braser et joint de soudure obtenu
DE19859735B4 (de) * 1998-12-23 2006-04-27 Erbslöh Ag Verfahren zur partiellen oder vollständigen Beschichtung der Oberflächen von Bauteilen aus Aluminium und seinen Legierungen mit Lot, Fluß- und Bindemittel zur Hartverlötung
JP3204451B2 (ja) * 1999-01-26 2001-09-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 接合材料及びバンプ
US6173887B1 (en) * 1999-06-24 2001-01-16 International Business Machines Corporation Method of making electrically conductive contacts on substrates
JP4367675B2 (ja) 1999-10-21 2009-11-18 日本碍子株式会社 セラミック製部材と金属製部材の接合用接着剤組成物、同組成物を用いた複合部材の製造方法、および同製造方法により得られた複合部材
US6403399B1 (en) * 2000-08-11 2002-06-11 Lsi Logic Corporation Method of rapid wafer bumping
CN1269612C (zh) * 2000-12-21 2006-08-16 株式会社日立制作所 焊锡箔、半导体器件、电子器件、半导体组件及功率组件
TWI239574B (en) * 2004-03-18 2005-09-11 Ind Tech Res Inst The method of conductive particles dispersing
US7287685B2 (en) * 2004-09-20 2007-10-30 International Business Machines Corporation Structure and method to gain substantial reliability improvements in lead-free BGAs assembled with lead-bearing solders
US20060060639A1 (en) * 2004-09-21 2006-03-23 Byrne Tiffany A Doped contact formations
US20060067852A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Daewoong Suh Low melting-point solders, articles made thereby, and processes of making same
US7703661B2 (en) 2007-05-23 2010-04-27 International Business Machines Corporation Method and process for reducing undercooling in a lead-free tin-rich solder alloy
EP2188836A2 (en) * 2007-09-11 2010-05-26 Dow Corning Corporation Thermal interface material, electronic device containing the thermal interface material, and methods for their preparation and use
KR20100075894A (ko) * 2007-09-11 2010-07-05 다우 코닝 코포레이션 복합재, 복합재를 포함하는 열계면재료, 그리고 이들의 제조방법 및 용도
US20100068552A1 (en) * 2008-03-31 2010-03-18 Infineon Technologies Ag Module including a stable solder joint
JP4987823B2 (ja) * 2008-08-29 2012-07-25 株式会社東芝 半導体装置
US8128868B2 (en) 2009-02-12 2012-03-06 International Business Machines Corporation Grain refinement by precipitate formation in PB-free alloys of tin
US8493746B2 (en) * 2009-02-12 2013-07-23 International Business Machines Corporation Additives for grain fragmentation in Pb-free Sn-based solder
EP2309829A1 (en) * 2009-09-24 2011-04-13 Harman Becker Automotive Systems GmbH Multilayer circuit board
WO2011106421A2 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Ramirez Ainissa G Low melting temperature alloys with magnetic dispersions
EP2641676B1 (en) * 2010-11-18 2019-02-27 Dowa Holdings Co., Ltd. Process for producing solder powder
CH705327A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-31 Alstom Technology Ltd Lot zum Hochtemperaturlöten und Verfahren zum Reparieren bzw. Herstellen von Bauteilen unter Verwendung dieses Lotes.
US8618647B2 (en) * 2011-08-01 2013-12-31 Tessera, Inc. Packaged microelectronic elements having blind vias for heat dissipation
DE102013213135B3 (de) * 2013-07-04 2014-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Weichlöten von Halbleiterchips auf Substrate und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls
DE102015108481B4 (de) 2015-05-29 2022-02-03 Infineon Technologies Ag Lot mit Struktur zur leichteren Vereinzelung
JP6332566B2 (ja) * 2015-09-15 2018-05-30 株式会社村田製作所 接合用部材、接合用部材の製造方法、および、接合方法
JP6528852B2 (ja) 2015-09-28 2019-06-12 株式会社村田製作所 ヒートパイプ、放熱部品、ヒートパイプの製造方法
CN107835724B (zh) 2015-11-05 2020-09-08 株式会社村田制作所 接合用构件和接合用构件的制造方法
US10865464B2 (en) * 2016-11-16 2020-12-15 Hrl Laboratories, Llc Materials and methods for producing metal nanocomposites, and metal nanocomposites obtained therefrom
KR102187085B1 (ko) * 2019-01-24 2020-12-04 주식회사 경동엠텍 고온 및 진동환경에 적합한 무연솔더 합금 조성물 및 그 제조방법
CN115401357B (zh) * 2022-08-31 2024-01-30 昆明理工大学 一种含有原位合成纳米增强相的复合焊料合金及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4836982A (en) * 1984-10-19 1989-06-06 Martin Marietta Corporation Rapid solidification of metal-second phase composites
US4751048A (en) * 1984-10-19 1988-06-14 Martin Marietta Corporation Process for forming metal-second phase composites and product thereof
US4738389A (en) * 1984-10-19 1988-04-19 Martin Marietta Corporation Welding using metal-ceramic composites
US5122418A (en) * 1985-12-09 1992-06-16 Shiseido Company Ltd. Composite powder and production process
JPH07121467B2 (ja) * 1986-02-24 1995-12-25 三菱マテリアル株式会社 Ｓｉ半導体素子をＣｕ基合金製リードフレームに少ない残留熱歪ではんだ付けする方法
US5134039A (en) * 1988-04-11 1992-07-28 Leach & Garner Company Metal articles having a plurality of ultrafine particles dispersed therein
US5066544A (en) * 1990-08-27 1991-11-19 U.S. Philips Corporation Dispersion strengthened lead-tin alloy solder
US5147471A (en) * 1991-04-08 1992-09-15 Kronberg James W Solder for oxide layer-building metals and alloys
JPH05220375A (ja) * 1992-02-12 1993-08-31 Nara Kikai Seisakusho:Kk 固体粒子の表面改質方法と装置
US5346775A (en) * 1993-02-22 1994-09-13 At&T Laboratories Article comprising solder with improved mechanical properties
JPH08215881A (ja) * 1995-02-10 1996-08-27 Tanaka Denshi Kogyo Kk 複合半田材料及びその製造方法
EP0856376B1 (en) * 1996-12-03 2000-02-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising fine-grained solder compositions with dispersoid particles

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004533166A (ja) * 2001-05-17 2004-10-28 サイプレス　セミコンダクター　コーポレーション ボールグリッドアレイアンテナ
JP2015020181A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 ハリマ化成株式会社 はんだ組成物、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP2015020182A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 ハリマ化成株式会社 はんだ組成物、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP2017528327A (ja) * 2014-08-18 2017-09-28 キュン ドン ワン コーポレーションＫｙｕｎｇ Ｄｏｎｇ Ｏｎｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 無鉛ソルダー合金組成物及び無鉛ソルダー合金の製造方法
US10286498B2 (en) 2014-08-18 2019-05-14 Kyung Dong One Corporation Lead-free solder alloy composition and method for preparing lead-free solder alloy
JP2021053704A (ja) * 2014-08-18 2021-04-08 キュン ドン ワン コーポレーションＫｙｕｎｇ Ｄｏｎｇ Ｏｎｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 無鉛ソルダー合金組成物
WO2017098554A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 三菱電機株式会社 レーザ光源装置
WO2019188756A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 千住金属工業株式会社 はんだペースト
JP2019181561A (ja) * 2018-03-30 2019-10-24 千住金属工業株式会社 はんだペースト
TWI677396B (zh) * 2018-03-30 2019-11-21 日商千住金屬工業股份有限公司 焊錫膏
CN111902238A (zh) * 2018-03-30 2020-11-06 千住金属工业株式会社 焊膏
US11633815B2 (en) 2018-03-30 2023-04-25 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder paste

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DE69701277T2 (de) 2000-08-31
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