JPH10178589A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH10178589A
JPH10178589A JP8353994A JP35399496A JPH10178589A JP H10178589 A JPH10178589 A JP H10178589A JP 8353994 A JP8353994 A JP 8353994A JP 35399496 A JP35399496 A JP 35399496A JP H10178589 A JPH10178589 A JP H10178589A
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JP8353994A
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Yoichi Kato
洋一 加藤
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Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子スチルカメラなどに使用され、短時間で
受光素子のリセットを行ない動画および連続撮影モード
でも的確な撮像を可能にする。 【解決手段】 増幅型の画素を使用した固体撮像装置で
ある。各々受光素子PDijと該受光素子に蓄積された
信号電荷を増幅する増幅素子QAijと受光素子に蓄積
された信号電荷を増幅素子の制御電極に転送する転送素
子QTijと増幅素子の制御電極の電荷をリセットする
リセット素子QRSTijを有し2次元状に配列された
複数の画素1と、該画素を順次選択して得られた信号を
順次読み出すための走査回路5,9とを備えている。前
記走査回路5によって複数の画素を選択し、選択した複
数の画素においてリセット素子QRSTijをオフとし
かつ転送素子QTijをオンとして受光素子PDijの
電荷を増幅素子QAijの制御電極に転送することによ
り受光素子の電荷をリセットする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、例えば電子スチルカメラなどに使用され、短時間で
画素の初期化を行い撮像当初から完全な画像を得ること
ができるようにして、動画および連続撮影モードでも好
適に使用可能な固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は、画素として増幅型の受光素子を
使用した従来の固体撮像装置の概略の構成を示す。同図
では説明の簡略化のため画素が3行×3列のマトリクス
状に配列された2次元イメージセンサの例を示してい
る。
【0003】各画素としては、受光素子であるフォトダ
イオードPDij、接合型電界効果トランジスタ(JF
ET)からなる増幅素子QAij、フォトダイオードP
Dijの電荷を増幅素子QAijのゲートに転送するた
めのMOSトランジスタからなる転送用スイッチQTi
j、および増幅素子QAijのゲート電極を所定の電圧
に設定するためのMOSトランジスタからなるリセット
スイッチQRSTijを備えて構成されている。なお、
ここでi=1,2,3、かつj=1,2,3である。
【0004】各画素1の増幅素子QAijの内、垂直方
向すなわち列方向に配置された画素の増幅素子QAij
のソースは各列の列ラインLVjに共通に接続され、各
列の列ラインLVjはそれぞれ列ごとに設けられた定電
流源CSVjに接続されている。各定電流源CSVjは
増幅素子QAijをソースフォロアとして動作させたと
きの負荷となる。各定電流源CSVjの他端は共通に所
定の電源VEEに接続されている。
【0005】各画素1のフォトダイオードPDijのカ
ソードは共通に所定の電源VDDに接続され、アノード
は対応する転送用スイッチQTijのソースに接続され
ている。転送用スイッチQTijのドレインは増幅素子
QAijのゲートおよびリセットスイッチQRSTij
のソースに接続されている。各転送用スイッチQTij
のゲートは行ごとに共通に垂直走査回路(VSR)5に
接続され、第1の垂直走査信号φTRiを受けるよう構
成されている。
【0006】リセットスイッチQRSTijのゲートは
全画素共通に制御信号φPGに接続され、ドレインは各
行ごとに共通に垂直走査回路5に接続され、各行ごとに
第2の垂直走査信号φRDiが供給されるよう構成され
ている。
【0007】各増幅素子QAijのドレインは共通に前
記フォトダイオードPDijのアノードと同じ電源VD
Dに接続されている。なお、垂直走査回路(VSR)5
は、後に詳細に説明するようにクロックパルスφCKV
を加えるごとにスタートパルスφSTVが内部のシフト
レジスタ1段分ずつ順次転送され前記第1の垂直走査信
号φTRiおよび第2の垂直走査信号φRDiを出力す
るものである。
【0008】図5の固体撮像装置において、各列ライン
LVjの他端はそれぞれの転送用スイッチQTCj(j
=1,2,3)を介してそれぞれの水平出力用トランジ
スタQHjのドレインに接続されている。各水平出力用
トランジスタQHjのソースは共通の水平出力線HOU
Tに接続されている。該水平出力線HOUTは撮像信号
を外部に供給するためのビデオ出力端子に接続されてい
る。
【0009】各転送用トランジスタQTCjのソースは
それぞれの容量CTjを介して設置されている。各列の
転送用トランジスタQTCjのゲートは共通に接続さ
れ、転送パルスφTが供給できるよう構成されている。
【0010】また、水平出力用トランジスタQHjの各
ゲートは水平走査回路(HSR)9の各回路段の出力に
接続されている。水平走査回路9も前記垂直走査回路5
と同様に内部にシフトレジスタを備えている。このシフ
トレジスタも、前記垂直走査回路5の場合と同様に、ク
ロックパルスφCKHを加えるごとに水平スタートパル
スφSTHのデータを順次1段分ずつシフトし、各水平
出力用トランジスタQHjを順次制御するための水平走
査信号を出力する。
【0011】図6は、図5の固体撮像装置における垂直
走査回路5および水平走査回路9に使用されるシフトレ
ジスタの構成例を示す。図6のシフトレジスタはCMO
Sプロセスを使用して作成され、クロックパルスによっ
て順次活性化される、いわゆるクロックドインバータを
使用した例を示している。図6のシフトレジスタは、正
の電源電圧VDDと負の電源電圧VSSとの間に直列接
続された2個のPMOSトランジスタP11およびP1
2と2個のNMOSトランジスタN12およびN11に
よって1段目のクロックドインバータを構成している。
PMOSトランジスタP13,P14およびNMOSト
ランジスタN14,N13が2段目のクロックドインバ
ータを構成し、PMOSトランジスタP15,P16お
よびNMOSトランジスタN16,N15で3段目のク
ロックドインバータを構成し、PMOSトランジスタP
17,P18およびNMOSトランジスタN18,N1
7で4段目のクロックドインバータを構成し、以下同様
に後続の回路段が構成される。
【0012】各回路段のクロックドインバータにおい
て、中央に位置するPMOSトランジスタとNMOSト
ランジスタ、例えば1段目ではP12とN12、はそれ
ぞれCMOSインバータを構成している。各CMOSイ
ンバータと電源VDDおよびVSSとの間に接続された
トランジスタ、例えば1段目ではP11とN11、は前
記CMOSインバータを活性化させるための制御用トラ
ンジスタである。
【0013】これらの制御用トランジスタの内、PMO
SトランジスタP11,P15,…およびNMOSトラ
ンジスタN13,N17,…のゲートにはクロックパル
スφCKが供給されている。また、PMOSトランジス
タP13,P17,…およびNMOSトランジスタN1
1,N15,…にはクロックパルスφCKをインバータ
INV11で反転した信号が供給されている。
【0014】スタートパルスφSTは1段目のCMOS
インバータを構成する各トランジスタP12およびN1
2のゲートに供給されている。1段目のCMOSインバ
ータの出力は2段目のCMOSインバータの入力、すな
わちトランジスタP14およびN14のゲートに接続さ
れ、2段目のCMOSインバータの出力は3段目のCM
OSインバータの入力に接続され、3段目のCMOSイ
ンバータの出力は4段目のCMOSインバータの入力に
接続され、以下順次同様に接続されている。
【0015】図6のシフトレジスタにおいては、例えば
PMOSトランジスタP11とNMOSトランジスタN
11が共にオンであるとすると、PMOSトランジスタ
P12とNMOSトランジスタN12で構成されるCM
OSインバータ回路は動作可能であり、これを活性状態
という。逆にPMOSトランジスタP11とNMOSト
ランジスタN11が共にオフであるとすると、PMOS
トランジスタP12とNMOSトランジスタN12で構
成されるCMOSインバータ回路は動作せず、不活性状
態となる。
【0016】図6のシフトレジスタの各回路段はクロッ
クドインバータ2段1組で構成されており、2段のクロ
ックドインバータの内一方が活性状態にあるときは他方
は不活性状態になるように制御する。そして、不活性状
態にあるクロックドインバータは寄生容量でデータを保
持するように動作させて、クロックパルスφCKを加え
るごとに入力データがシフトレジスタ1段分ずつ順次転
送される。各回路段のクロックドインバータの出力は出
力S11,S12,…から取り出される。従って、この
ようなシフトレジスタは、入力に適切なスタートパルス
φSTを加えることにより固体撮像素子の垂直走査回路
および水平走査回路として使用することができる。
【0017】次に、以上のような構成を有する固体撮像
装置の動作を図7を参照して説明する。図7は、このよ
うな固体撮像装置が1例として動画モードで使用された
場合の動作を示し、画素の初期化またはリセットを行わ
ずに被写体画像の撮像が行われる。
【0018】図5の固体撮像装置において信号の読出し
を行う場合には、垂直走査回路5に供給される垂直スタ
ートパルスφSTVをハイにすると共に、垂直クロック
信号φCKVを加えて垂直走査回路5のシフト動作を行
わせる。そして、リセット制御信号φPGにより全画素
のリセットスイッチQRSTijをオンにする。また、
選択された行に対しては第2の垂直走査信号φRDiの
電圧を各画素の増幅素子QAijがオンになって活性化
する電圧VGHとし、非選択画素に対しては増幅素子Q
Aijがカットオフする電圧VGLとする。
【0019】この状態で前記制御信号φPGをオフにす
る。前記制御信号φPGをオフにしても増幅素子AQi
jのゲート浮遊容量によって該増幅素子QAijのゲー
ト電圧は同じ値に保持される。従って、リセット制御信
号φPGにより全画素のリセットスイッチQRSTをオ
フにした後に、垂直走査回路5からの第1の垂直走査信
号φTRiにより選択された行の画素の転送素子QTi
jをオンにする。これによって、フォトダイオードPD
ijに蓄積されていた信号電荷が増幅素子QAijのゲ
ートに転送され、該増幅素子QAijのゲート電圧が信
号に対応して変化する。このようなゲート電圧を増幅素
子QAijをソースフォロアとして動作させて垂直読出
し線LVjに行単位で順次出力する。
【0020】そして、各列ラインLVjに接続された読
出しゲートトランジスタQTCjを転送パルスφTによ
ってオンとし、前記垂直読出し線LVjに出力された読
出し電荷をそれぞれの列の蓄積容量CTjに充電する。
また、水平走査回路9においても、水平スタートパルス
φSTHをハイレベルとし、かつ水平クロック信号φC
KHを加えることによりシフト動作を行わせる。これに
よって、各列の水平読出し用スイッチ素子QHjが順次
オンとされて各列の読出し信号が蓄積容量CTjから水
平出力ラインHOUTに供給されビデオ出力端子から外
部に供給される。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の固体撮像装置においては、画素の初期化を
行わずに被写体画像の撮像および読出しが行われるた
め、読出し開始当初の読出し映像信号は撮像開始時点に
おける画素に残留している電荷を含むものとなり、所望
の被写体の画像を高い信号対雑音比で得ることができな
かった。このため、固体撮像装置を電子スチルカメラに
使用し、動画および連続撮影モードで撮像する場合に
は、各撮像開始時点で撮像信号の始めの部分を捨て必要
な部分のみを抜き取ることなどにより間欠的な撮像を行
う必要があった。このため、高速度の動画モードおよび
連続撮影モードの撮像は不可能となり、あるいは高速度
で動画モードおよび連続撮影モードの撮像を行った場合
には、高品質の撮像を行うことはできなかった。
【0022】本発明の目的は、前述の従来例における問
題点に鑑み、固体撮像装置において、短時間で全画素の
初期化を行うことが可能であり、スチルカメラとして利
用した場合でも撮像当初から的確な撮像を行うことがで
きるようにすることにある。
【0023】本発明の他の目的は、電子スチルカメラな
どに使用される固体撮像装置において、短時間で全画素
の初期化を行うことができ、動画モードおよび連続撮影
モードで使用した場合にも高速度の撮像ができるように
することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の態様によれば、各々光信号を電荷に
変換し蓄積する受光素子と該受光素子に蓄積された信号
電荷を増幅する増幅素子とを備え2次元状に配列された
複数の画素と、前記画素を順次選択することにより前記
信号電荷を増幅して得られた信号を順次読出すための走
査回路とを具備する固体撮像装置において、前記走査回
路によって複数の画素を選択し、選択した複数の画素に
おいて前記増幅素子の制御電極をフローティング状態と
して前記受光素子の電荷を前記増幅素子の制御電極に転
送することにより受光素子のリセットを行なうことを特
徴とする。
【0025】このような構成では、走査回路によって選
択された複数の画素において、受光素子の電荷を、フロ
ーティング状態とした増幅素子の制御電極に転送しかつ
該増幅素子を介して排出することにより受光素子のリセ
ットを行う。従って、被写体画像の撮像を行う前にこの
ような受光素子のリセットを行えば、撮像を開始した当
初から有効な撮像信号を的確に得ることができ、例えば
電子スチルカメラにおいて動画モードあるいは連続撮影
モードで固体撮像素子を使用した場合にも、各コマの撮
像信号として高品質の信号を的確に得ることができる。
また、撮像開始時から有効な画像信号を得ることができ
るから、撮像動作を高速度で行うことができ、動画モー
ドあるいは連続撮影モードの撮像速度を高速化すること
ができる。さらに、受光素子のリセットは複数の画素を
選択して行うから、受光素子のリセット動作も高速度で
行われ、撮像開始のタイミングが遅れることもなくな
る。
【0026】本発明の第2の態様では、各々光信号を電
荷に変換しかつ蓄積する受光素子と該受光素子に蓄積さ
れた信号電荷を増幅する増幅素子と前記受光素子に蓄積
された信号電荷を前記増幅素子の制御電極に転送する転
送素子と前記増幅素子の制御電極の電荷をリセットする
リセット素子とを有し行および列方向に2次元状に配列
された複数の画素と、前記画素を順次選択して前記信号
電荷を増幅して得られた信号を順次読出すための走査回
路とを具備する固体撮像装置において、前記走査回路に
よって複数の画素を選択し、選択した複数の画素におい
て前記リセット素子をオフとしかつ前記転送素子をオン
として前記受光素子の電荷を前記増幅素子の制御電極に
転送することにより受光素子の電荷をリセットすること
を特徴とする。
【0027】このような構成では、画素として前記受光
素子と、前記増幅素子と、前記転送素子と前記リセット
素子とを有する固体撮像装置において、受光素子の電荷
を的確に前記増幅素子に逃がすことができ、効果的に受
光素子の電荷をリセットできる。このような第2の態様
に係わる固体撮像装置においても、前記第1の態様に係
わる固体撮像装置と同様の作用効果が得られる。
【0028】また、この場合、前記受光素子のリセット
は暗状態で受光素子の蓄積電荷を前記増幅素子の制御電
極に転送することによって行うと好都合であり、これに
よって受光素子に残留している電荷が少ない状態で受光
素子の蓄積電荷を増幅素子を介して排出することがで
き、極めて確実かつ完全なリセット動作を行うことがで
きる。なお、暗状態で受光素子のリセットを行うために
は、一例として電子スチルカメラに設けられた光学的シ
ャッタを閉じた状態で受光素子のリセットを行えばよ
い。光学的シャッタとしては機械的なものあるいは液晶
などを使用したものが使用できる。
【0029】また、前記走査回路によって前記受光素子
の蓄積電荷を行単位で前記増幅素子の制御電極に転送す
ることによって順次全画素につきリセット動作を行うと
好都合である。走査回路は、通常の撮像信号の読出しの
際にも、受光素子を行単位で選択して読出し動作を行わ
せるから、このようなリセット動作も行単位で行うこと
により、走査回路の構成を簡略化し、かつ効率よく画素
のリセットを行うことができる。
【0030】さらに、前記受光素子を行ごとに暗状態で
全画素につき順次リセットを行った後、被写体の画像光
を撮像し、各列の画素の信号を行単位で並列に読出すと
共に、並列に読出した行単位の画素の信号を順次直列的
に出力すると好都合である。
【0031】この場合も、共通の走査回路を使用して画
素のリセットのための行ごとの選択および画素の読出し
のための行ごとの選択を行うことができ、走査回路など
の構成が複雑化することはなくなる。また、画素のリセ
ットを行ごとに全画素につき行った後、行単位の画素の
信号を直列的に読出すことなく、撮像動作に入るから、
極めて迅速に画素のリセットおよび被写体の画像光の撮
像動作を行うことが可能になる。
【0032】本発明の第3の態様では、各々光信号を電
荷に変換しかつ蓄積する受光素子と、該受光素子に蓄積
された信号電荷を増幅する増幅素子と、前記受光素子に
蓄積された信号電荷を前記増幅素子の制御電極に転送す
る転送素子と、前記増幅素子の制御電極の電荷をリセッ
トするリセット素子とを具備し、行および列方向に2次
元状に配置された複数の画素と、前記各列に配置された
画素がそれぞれ共通に接続された複数の垂直読出し線
と、前記画素を行ごとに選択する垂直走査回路と、前記
複数の垂直読出し線からの読出し信号を順次行方向に走
査して各行ごとの時系列的な信号を順次読出すための水
平走査回路とを具備し、暗状態で前記垂直走査回路によ
り前記画素を行ごとに選択し、選択した行の画素におい
て、前記リセット素子をオフとしかつ前記転送素子をオ
ンとして前記受光素子の電荷を前記増幅素子の制御電極
に転送することにより受光素子の電荷をリセットし、該
リセットの後に被写体の画像光の撮像を行ない、前記垂
直走査回路により前記画素を行ごとに選択し、選択行の
画素の信号を前記垂直読出し線に出力し、かつ前記水平
走査回路により各垂直読出し線からの信号を順次時系列
的に出力することを特徴とする固体撮像装置が提供され
る。
【0033】このような構成においても、前記第1およ
び第2の態様に係わる固体撮像装置と同様の効果が得ら
れる。すなわち、前記垂直走査回路により画素を行ごと
に選択して受光素子の電荷をリセットし、その後被写体
の画像光の撮像を行い、垂直走査回路および水平走査回
路を使用して順次撮像信号の読出しを行うことができ、
撮像の前に短時間で全画素の初期化を行うことができ、
動画モードおよび連続撮影モードなどにおいて、各コマ
の撮像信号を高品質かつ的確に得ることができる。ま
た、各コマの撮像信号を高速度で得ることができるた
め、間欠的な撮像を行う場合にも極めて早いピッチで撮
像を行うことが可能になる。また、従来のように画像信
号の一部を捨てるなどの作業が不要となり、省電力かつ
高品質の撮像が行われる。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係わる固体撮像装置につき説明する。図1
は、本発明の一実施形態に係わる固体撮像装置の概略の
構成を示し、2次元イメージセンサとして構成した場合
の例を示している。図1の固体撮像装置は、被写体画像
の撮像に先立ち垂直走査回路5などを使用した画素のリ
セット動作が行なわれる点を除き前記図5に示した固体
撮像装置と同じである。したがって、装置構成もリセッ
ト動作に関連する部分を除き図5の装置と同じ構成でよ
い。
【0035】図1の固体撮像装置は、行および列からな
る2次元マトリクス状に配置された複数の画素1を有す
る画素部3と、垂直走査回路5と、水平読み出し部7
と、水平走査回路9とを備えている。また、各部に供給
する制御パルスおよびクロックパルスなどを供給するた
めの図示しない制御回路が設けられている。各画素1
は、図5に示されるように、受光素子であるフォトダイ
オードPDij、接合型電界効果トランジスタ(JFE
T)からなる増幅素子QAij、フォトダイオードPD
ijの電荷を増幅素子QAijのゲートに転送するため
のMOSトランジスタからなる転送素子QTij、およ
び増幅素子QAijのゲート電極を所定の電圧に設定す
るためのMOSトランジスタからなるリセットスイッチ
QRSTijから構成されている。なお、ここでi=
1,2,3、かつj=1,2,3である。
【0036】各画素1の増幅素子QAijの内、垂直方
向すなわち列方向に配置された画素の増幅素子QAij
のソースは各列の列ラインLVjに共通に接続され、各
列の列ラインLVjはそれぞれ列ごとに設けられた定電
流源CSVjに接続されている。各定電流源CSVjは
増幅素子QAijをソースフォロアとして動作させたと
きの負荷となる。各定電流源CSVjの他端は共通に所
定の電源VEEに接続されている。
【0037】各画素1のフォトダイオードPDijのカ
ソードは共通に所定の電源VDDに接続され、アノード
は対応する転送用スイッチQTijのソースに接続され
ている。転送用スイッチQTijのドレインは増幅素子
QAijのゲートおよびリセットスイッチQRSTij
のソースに接続されている。各転送用スイッチQTij
のゲートは行ごとに共通に垂直走査回路(VSR)5に
接続され、第1の垂直走査信号φTRiを受けるよう構
成されている。
【0038】リセットスイッチQRSTijのゲートは
全画素共通に制御信号φPGに接続され、ドレインは各
行ごとに共通に垂直走査回路5に接続され、各行ごとに
第2の垂直走査信号φRDiが供給されるよう構成され
ている。
【0039】各増幅素子QAijのドレインは共通に前
記フォトダイオードPDijのアノードと同じ電源VD
Dに接続されている。なお、垂直走査回路(VSR)5
は、後に詳細に説明するようにクロックパルスφCKV
を加えるごとにスタートパルスφSTVが内部のシフト
レジスタ1段分ずつ順次転送され前記第1の垂直走査信
号φTRiおよび第2の垂直走査信号φRDiを出力す
るものである。
【0040】また、各列ラインLVjの他端はそれぞれ
の転送用スイッチQTCj(j=1,2,3)を介して
それぞれの水平出力用トランジスタQHjのドレインに
接続されている。各水平出力用トランジスタQHjのソ
ースは共通の水平出力線HOUTに接続されている。該
水平出力線HOUTは撮像信号を外部に供給するための
ビデオ出力端子に接続されている。
【0041】各転送用トランジスタQTCjのソースは
それぞれの容量CTjを介して設置されている。各列の
転送用トランジスタQTCjのゲートは共通に接続さ
れ、転送パルスφTが供給できるよう構成されている。
【0042】また、水平出力用トランジスタQHjの各
ゲートは水平走査回路(HSR)9の各回路段の出力に
接続されている。水平走査回路9も前記垂直走査回路5
と同様に内部にシフトレジスタを備えている。このシフ
トレジスタも、前記垂直走査回路5の場合と同様に、ク
ロックパルスφCKHを加えるごとに水平スタートパル
スφSTHのデータを順次1段分ずつシフトし、各水平
出力用トランジスタQHjを順次制御するための水平走
査信号を出力する。
【0043】このような構成のうち、水平走査回路9
は、図5の固体撮像装置と同様に図6に示されるシフト
レジスタによって構成することができる。
【0044】垂直走査回路5は、イニシャライズリセッ
トを可能にするため、例えば図2に示されるシフトレジ
スタ回路を備えて構成される。図2に示されるシフトレ
ジスタ回路は、前記図6に示したシフトレジスタ回路に
さらにANDゲートAND21,AND22,…および
ORゲートOR21,…を追加したものである。シフト
レジスタ本体部の各PMOSトランジスタP21,P2
2,P23,…,P28,…は図6のPMOSトランジ
スタP11,P12,P13,…,P18,…と同じも
のでよい。また、図2のNMOSトランジスタN21,
N22,N23,…,N28…は図6のNMOSトラン
ジスタN11,N12,N13,…,N18,…とそれ
ぞれ同じものでよい。また、図2のインバータINV2
1は図6のインバータINV11と同じものでよい。こ
れらのPMOSトランジスタおよびNMOSトランジス
タならびにインバータINV21の接続は図6と同じで
ある。
【0045】図2の回路では、ANDゲートAND21
の一方の入力は第1の回路段の出力、すなわちPMOS
トランジスタP24のドレインとNMOSトランジスタ
24のドレインとの接続点に接続されている。また、A
NDゲートAND21の他方の入力はクロックパルスφ
CKが供給される。また、第2のANDゲートAND2
2の一方の端子は第2段目の回路段の出力、すなわちP
MOSトランジスタP28のドレインとNMOSトラン
ジスタN28のドレインとの接続点に接続され、他方の
入力はクロックパルスφCKを受ける。以下図示しない
ANDゲートについても同様に接続される。
【0046】また、ORゲートOR21の一方の入力は
シフトレジスタの第2の回路段を構成する入力側のイン
バータの出力、すなわちPMOSトランジスタP26の
ドレインとNMOSトランジスタN26のドレインとの
接続点に接続され、他方の入力はクロックパルスφCK
を受ける。以下、図示しない後段のORゲートについて
も同様に接続される。
【0047】ANDゲート21の出力S21は図5の回
路における信号φRD1を供給し、ANDゲート22の
出力S22は第2行目の信号φRD2を供給し、以下同
様である。また、図2のORゲート21の出力S23は
図5の固体撮像装置における信号φTR1を出力し、以
下同様である。図3は、図2のシフトレジスタ回路の各
部の信号波形を示す。図3に示すようなクロックパルス
φCKおよびスタートパルスφSTを図2のシフトレジ
スタ回路に入力すると、前記図6のシフトレジスタに関
して説明したように、各回路段の出力S11,S12と
してスタートパルスφSTがシフトレジスタ1段分ずつ
順次転送され各回路段の出力S11,S12,…から順
次出力される。したがって、このような各回路段の出力
をそれぞれANDゲート21およびANDゲート22で
クロックパルスφCKとAND操作を行なうことによ
り、それぞれ信号φRD1(S21),φRD2(S2
2),…が順次出力される。
【0048】また、シフトレジスタの第2の回路段の入
力側のインバータの出力R11とクロックパルスφCK
とをORゲート21においてOR演算することにより信
号φTR1(S23)が図3に示すごとく出力される。
また、信号φPGは図示しないインバータまたは図2に
示すインバータINV21によってクロックパルスφC
Kを反転することによって得られる。
【0049】なお、垂直走査回路5には読み出し期間に
信号φRDn,φTRnを間欠的に供給するため、さら
に前記図6に示した回路を基本とするシフトレジスタが
もう1系統設けられている。読み出し期間の動作のため
に2系統のシフトレジスタを設けるのは、それぞれのシ
フトレジスタを駆動するクロックパルスφCKから両信
号φRDn,φTRnを、図6に示した簡単な回路構成
で合成するために必要とされる。
【0050】しかし、これに限らず、1個のシフトレジ
スタを駆動するためのクロックパルスφCKの波形を2
種類用意し、シフトレジスタを減らすことも可能であ
る。このようにすれば、シフトレジスタの占める面積を
小さくすることができ、固体撮像素子の面積を小型化に
する事が出来、さらに歩留り向上によるコストの低減も
できる。固体撮像素子を設計するときに、その目的によ
り好適な方を選択すればよい。
【0051】以上のような構成を有する固体撮像装置で
は、例えばスチルビデオカメラなどに使用された場合、
シャッタを押す前には固体撮像装置は擬似走査をさせて
おく。すなわち、走査はするが出力信号は使用しない状
態にしておく。そして、図4に示すように、被写体の画
像光の撮像に入る前に画素の初期化またはリセットを行
なう。この初期化はシャッタが押された直後に行単位で
連続的に受光素子をリセットして行なう。
【0052】すなわち、図4に示すように、まず第1行
目の受光素子のリセットを行なう。すなわち、全画素共
通のリセット制御信号φPGをローにして全画素のリセ
ットスイッチQRSTijをオンとする。第1行目のみ
信号φPGと同期させて増幅素子QA1jをオンとする
ように第2の垂直走査信号φRD1の電圧を前述の電圧
VGHとする。次にリセット制御信号φPGをハイにし
て、全画素のリセットスイッチQRSTijをオフと
し、各画素の増幅素子QAijの制御電極をフローティ
ング状態とする。
【0053】そして、この時垂直走査信号φTR1によ
り第1行目の転送素子QT1jをオンとする。これによ
って、第1行目全ての受光素子PD1jの蓄積電荷を増
幅素子QA1jの制御電極に転送し、受光素子のイニシ
ャライズが行なわれる。第2行目以下の受光素子のリセ
ット動作も以下順次図4に示すようにして同様に行なわ
れる。
【0054】このような行単位の受光素子のリセット動
作は水平読み出しを行なわないので、全画素のイニシャ
ライズを短時間でかつ少ない消費電力で行なうことがで
きる。
【0055】以上のようにして全画素につき受光素子の
イニシャライズを行なった後、各画素により被写体の画
像光を撮像し、画像光に対応する画像電荷を各受光素子
PDijに蓄積する。そして、撮像信号の読み出しを行
なう場合には、図2のシフトレジスタにおけるスタート
パルスφSTVをハイにすると共にクロック信号φCK
Vを加えて垂直走査回路5のシフト動作を行なわせる。
【0056】そして、リセット制御信号φPGにより全
画素のリセットスイッチQRSTijをオンにする。ま
た、選択された行に対しては、第2の垂直走査信号φR
Dの電圧を各画素の増幅素子QAijがオンになって活
性化する電圧VGHとし、非選択画素に対しては増幅素
子QAijがカットオフする電圧VGLとする。この状
態で、前記制御信号φPGをオフとしても、増幅素子Q
Aijのゲート浮遊容量によって該増幅素子QAijの
ゲート電圧は同じ値に保持される。
【0057】したがって、リセット制御信号φPGによ
り全画素のリセットスイッチQRSTijをオフとした
後に、第1の垂直走査信号φTRにより選択された行の
画素の転送素子をオンにする。これによって、フォトダ
イオードPDijに蓄積されていた信号電荷が増幅素子
QAijのゲートに転送され、該増幅素子のゲート電圧
が信号に対応して変化する。
【0058】このゲート電圧を増幅素子QAijをソー
スフォロアとして動作させて各垂直読み出し線LVjに
行単位で順次出力する。そして、各垂直読み出し線LV
jに接続された読み出しゲートトランジスタQTCjを
転送パルスφTによってオンとし、各列の信号の読み出
し電荷をそれぞれの別の容量CTjに充電する。また、
水平走査回路9においてもスタートパルスφSTHをハ
イレベルとし、かつクロック信号φCKHを加えること
によりシフト動作を行なわせ、各列の水平読み出し用ス
イッチ素子QHjが順次オンとされる。これによって、
各列の読み出し信号が順次水平出力ラインHOUTに供
給されビデオ出力端子から外部に出力される。
【0059】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電子ス
チルカメラなどに使用される固体撮像装置において、被
写体画像光の撮像の前に短時間で各画素の受光素子のリ
セットすなわちイニシャライズを行なうことができ、最
初の撮像画像から完全な画像信号を読み出すことができ
る。また、各受光素子のリセットは短時間で行なわれか
つ水平読み出しを行なわないので、高速度でリセットが
行なわれかつ消費電力も無視できる程少なくなる。この
ため、例えば電子スチルカメラなどにおいて、動画モー
ドおよび連続撮影モードなどで使用した場合にも、各コ
マの画像信号として高品質かつ完全な画像信号が得られ
ると共に、各コマの撮影間隔を短くして高速度の撮影を
行なうことも可能になる。
【0060】また、本発明によれば、新たなシフトレジ
スタを追加することなく、AND回路およびOR回路の
ような簡単な論理回路を、垂直走査回路に従来より使用
されている2つのシフトレジスタの内の一方に追加する
だけで、イニシャライズリセットが可能となる。従っ
て、大幅な設計変更をすることなく、また、コストを増
大させることなく、イニシャライズリセットができる。
なお、イニシャライズにおいては、この論理回路を追加
した一方のシフトレジスタを使用する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係わる固体撮像素子の概
略の構成を示すブロック図である。
【図2】図1の固体撮像装置に使用されるシフトレジス
タ回路の詳細な構成を示す電気回路図である。
【図3】図2のシフトレジスタ回路の動作を説明するた
めの信号波形図である。
【図4】本発明の一実施形態に係わる固体撮像装置の動
作を説明するためのタイミング図である。
【図5】一般的な固体撮像装置の詳細な構成を示す電気
回路図である。
【図6】従来の固体撮像装置の走査回路に使用されてい
るシフトレジスタの構成を示す電気回路図である。
【図7】従来の固体撮像装置の動画モードにおける動作
を説明するためのタイミング図である。
【符号の説明】
1 画素 3 画素部 5 垂直走査回路(VSR) 7 水平読み出し部 9 水平走査回路(HSR) PDij フォトダイオード QTij 転送素子 QAij 増幅素子 QRSTij リセット素子 CSVj 定電流源 QTCj 読み出しゲートトランジスタ CTj 蓄積用容量 QHj 水平読み出し用スイッチ素子 LVj 垂直読み出し線 HOUT 水平出力線

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各々光信号を電荷に変換し蓄積する受光
    素子と該受光素子に蓄積された信号電荷を増幅する増幅
    素子とを備え2次元状に配列された複数の画素と、前記
    画素を順次選択することにより前記信号電荷を増幅して
    得られた信号を順次読出すための走査回路とを具備する
    固体撮像装置において、 前記走査回路によって複数の画素を選択し、選択した複
    数の画素において前記増幅素子の制御電極をフローティ
    ング状態として前記受光素子の電荷を前記増幅素子の制
    御電極に転送することにより受光素子のリセットを行な
    うことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 各々光信号を電荷に変換しかつ蓄積する
    受光素子と該受光素子に蓄積された信号電荷を増幅する
    増幅素子と前記受光素子に蓄積された信号電荷を前記増
    幅素子の制御電極に転送する転送素子と前記増幅素子の
    制御電極の電荷をリセットするリセット素子とを有し行
    および列方向に2次元状に配列された複数の画素と、前
    記画素を順次選択して前記信号電荷を増幅して得られた
    信号を順次読出すための走査回路とを具備する固体撮像
    装置において、 前記走査回路によって複数の画素を選択し、選択した複
    数の画素において前記リセット素子をオフとしかつ前記
    転送素子をオンとして前記受光素子の電荷を前記増幅素
    子の制御電極に転送することにより受光素子の電荷をリ
    セットすることを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記受光素子のリセットは暗状態で前記
    受光素子の蓄積電荷を前記増幅素子の制御電極に転送す
    ることによって行なうことを特徴とする請求項2に記載
    の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記走査回路によって前記受光素子の蓄
    積電荷を行単位で前記増幅素子の制御電極に転送するこ
    とによって順次全画素につきリセットを行なうことを特
    徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。
  5. 【請求項5】 前記受光素子を行ごとに暗状態で全画素
    につき順次リセットを行なった後、被写体の画像光を撮
    像し、各列の画素の信号を行単位で並列に読出すととも
    に、並列に読出した行単位の画素の信号を順次直列的に
    出力することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項
    に記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 各々光信号を電荷に変換しかつ蓄積する
    受光素子と、該受光素子に蓄積された信号電荷を増幅す
    る増幅素子と、前記受光素子に蓄積された信号電荷を前
    記増幅素子の制御電極に転送する転送素子と、前記増幅
    素子の制御電極の電荷をリセットするリセット素子とを
    具備し、行および列方向に2次元状に配置された複数の
    画素と、 前記各列に配置された画素がそれぞれ共通に接続された
    複数の垂直読出し線と、 前記画素を行ごとに選択する垂直走査回路と、 前記複数の垂直読出し線からの読出し信号を順次行方向
    に走査して各行ごとの時系列的な信号を順次読出すため
    の水平走査回路と、 を具備し、暗状態で前記垂直走査回路により前記画素を
    行ごとに選択し、選択した行の画素において、前記リセ
    ット素子をオフとしかつ前記転送素子をオンとして前記
    受光素子の電荷を前記増幅素子の制御電極に転送するこ
    とにより受光素子の電荷をリセットし、 該リセットの後に被写体の画像光の撮像を行ない、前記
    垂直走査回路により前記画素を行ごとに選択し、選択行
    の画素の信号を前記垂直読出し線に出力し、かつ前記水
    平走査回路により各垂直読出し線からの信号を順次時系
    列的に出力することを特徴とする固体撮像装置。
JP8353994A 1996-12-18 1996-12-18 固体撮像装置 Pending JPH10178589A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307929B1 (ko) * 1999-07-24 2001-11-05 채수익 액세스와 리셋 겸용의 단일 트랜지스터를 이용하는 씨모스능동 이미지 센서
US6704050B1 (en) 1999-04-23 2004-03-09 Polaroid Corporation Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion
KR100521296B1 (ko) * 2001-11-13 2005-10-14 가부시끼가이샤 도시바 고체 촬상 장치 및 이를 이용한 카메라 모듈

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KR100307929B1 (ko) * 1999-07-24 2001-11-05 채수익 액세스와 리셋 겸용의 단일 트랜지스터를 이용하는 씨모스능동 이미지 센서
KR100521296B1 (ko) * 2001-11-13 2005-10-14 가부시끼가이샤 도시바 고체 촬상 장치 및 이를 이용한 카메라 모듈

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