JPH10178336A - プルアップ及びプルダウン回路及び方法 - Google Patents

プルアップ及びプルダウン回路及び方法

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JPH10178336A
JPH10178336A JP9276197A JP27619797A JPH10178336A JP H10178336 A JPH10178336 A JP H10178336A JP 9276197 A JP9276197 A JP 9276197A JP 27619797 A JP27619797 A JP 27619797A JP H10178336 A JPH10178336 A JP H10178336A
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circuit
transistor
pull
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node
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JP9276197A
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Inventor
Edwin Gersbach John
ジョン・エドウィン・ゲルスバッハ
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356008Bistable circuits ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; storing the actual state when the supply voltage fails
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 正しい所定状態にパワーアップすることを保
証するために、異なるしきい値電圧を有するトランジス
タを用いるプルアップ/プルダウン回路を提供する。 【解決手段】 これらの回路がDC電流をほとんど引き
込まずに、ノードをアップまたはダウンに保持する能力
を有する。1つの実施例では、プルアップ・ノードがハ
イで、プルダウン・ノードがロウの第1の状態にパワー
アップし、1状態から別の状態にトグルし得るプルアッ
プ/プルダウン回路が提供される。第2の実施例は、所
望の状態にパワーアップし、プルアップ・ノードをロウ
に、またはプルダウン・ノードをハイに引っ張ることに
より、不能にされ得るプルアップまたはプルダウン回路
を提供する。この回路は、回路へのパワーが巡回される
まで、不能状態を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体素子に
関し、特にプルアップ及びプルダウン回路に関する。
【0002】
【従来の技術】プルアップ及びプルダウン回路は、ノー
ドをDCレベルにプルアップ及びプルダウンするために
使用され、これらは最終パッケージに実装されるとき
に、一般に未接続状態に維持される。例えば、プルアッ
プ回路は一般に、半導体素子上に形成され、入力ノード
に接続され、ノードをプルアップする外部回路の必要無
しに、そのノードがハイにプルアップされることを可能
にする。プルアップ回路はまた、外部的に接続される
が、駆動されないノードをプルアップするためにも使用
され得る。プルアップ/プルダウン回路は、半導体素子
のテストにおいて使用される。例えば、プルアップ回路
はノードをハイにプルアップし、過度な漏洩電流をテス
トするために使用され得る。テストの完了時、これらの
プルアップ素子が非活動化され、通常の素子動作のため
にノードがフローティングになることを可能にする。
【0003】従来、ゲートがグラウンドに接続されるP
チャネル・トランジスタが、プルアップ回路内で使用さ
れ、ゲートが電源に接続されるNチャネル・トランジス
タがプルダウン回路内で使用された。
【0004】ゲートがグラウンドに接続される従来のP
チャネル・トランジスタ・プルアップ回路は、外部的に
ロウ・レベルに維持されるノードをプルアップするため
に使用されるとき、電流を引き込む。プルアップ・トラ
ンジスタ回路がテスト環境において使用されるとき、こ
の電流が実際の素子内の欠陥により生じた、漏洩電流を
マスクし、正確なテストを妨害し得る。
【0005】同様に、ゲートが電源に接続されるNチャ
ネル・トランジスタ・プルダウン回路は、外部的にハイ
・レベルに維持されるノードをプルダウンするために使
用されるとき、類似の電流を排出する。再度、このDC
電流路が素子上の漏洩電流のテスト測定を妨害し得る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来、受け入れ得る解
決策が存在しないので、この問題は通常、静止グラウン
ド電流を測定しないことにより、回避される。しかしな
がら、特に新たな設計を診断及びデバッグするために、
静止電流を測定する能力を有することが望まれる。従っ
て、DC電流を引き込むこと無しに、ノードをバイアス
するプルアップ及びプルダウン回路が待望される。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プルア
ップ/プルダウン回路が提供され、これは正しい所定状
態へのパワーアップを保証する異なるしきい値電圧を有
するトランジスタを使用する。更に、これらの回路は、
ノードをプルアップまたはプルダウンする間、過度な電
流を引き込まない利点を有する。
【0008】1つの実施例では、プルアップ・ノードが
ハイで、プルダウン・ノードがロウの第1の状態にパワ
ーアップし、1状態から別の状態にトグルし得る、プル
アップ/プルダウン回路が提供される。第2の実施例
は、所望の状態にパワーアップし、プルアップ・ノード
をロウに引っ張るか、プルダウン・ノードをハイに引っ
張ることにより、不能にされ得る、プルアップまたはプ
ルダウン回路を提供する。回路は回路へのパワーが巡回
されるまで、不能状態を維持される。
【0009】本発明の前述の及び他の特長及び利点が、
添付の図面で表される本発明の好適な実施例の詳細説明
から明らかとなろう。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施例は、ラッチ
回路を含むプルアップ/プルダウン回路を提供すること
により、従来技術の制限を克服し、このラッチ回路は、
パワーアップ時に正しい状態にセットされるように保証
され、CMOS回路内で見い出される正規の漏洩電流レ
ベルを越えるDC電流を引き込まない。第1の実施例
は、回路のプルアップ及びプルダウン・ノードがトグル
されることを可能にし、それらはそれぞれアップまたは
ダウンに維持される。別の実施例は、ラッチ回路を含む
プルアップ回路を提供し、このラッチ回路は、パワーア
ップ時にプルアップ状態にセットされるように保証さ
れ、通常ほとんどDC電流を引き込まない。この実施例
は更に、プルアップ・ノードがプルダウンされる場合
に、プルアップ・トランジスタがターンオフし、このオ
フ状態が、パワーがターンオフされ、再度ターンオンさ
れるまで、維持されることを保証する。この実施例はま
た、プルダウン構成においても使用され得る。従って、
上述の2つの実施例は、DC電流を引き込むこと無し
に、ノードをアップまたはダウンに保持する能力を提供
する。
【0011】図1を参照すると、図1は本発明の第1の
実施例に従うプルアップ/プルダウン回路100を示
す。回路100は第1のトランジスタ104、第2のト
ランジスタ106、第3のトランジスタ108、及び第
4のトランジスタ110を含む。第1のトランジスタ1
04及び第2のトランジスタ106は、電源Vddとグ
ラウンドとの間に、直列に接続される。更に、第3のト
ランジスタ108及び第4のトランジスタ110は、電
源Vddとグラウンドとの間に、直列に接続される。プ
ルアップ・ノードは、第1のトランジスタ104と第2
のトランジスタ106との間に接続される。同様に、プ
ルダウン・ノードは、第3のトランジスタ108と第4
のトランジスタ110との間に接続される。
【0012】第1のトランジスタ104及び第2のトラ
ンジスタ106のゲートは、プルダウン・ノードに接続
され、第3のトランジスタ108及び第4のトランジス
タ110のゲートは、プルアップ・ノードに接続され
る。従って、トランジスタは静的ラッチを形成する2つ
の相互結合インバータとして構成される。
【0013】第1のトランジスタ104及び第3のトラ
ンジスタ108は、好適にはPチャネルFETであり、
第2のトランジスタ106及び第4のトランジスタ11
0は、好適にはNチャネルFETである。第2のトラン
ジスタ106及び第3のトランジスタ108は、好適に
は第1のトランジスタ104及び第4のトランジスタ1
10よりも高いしきい値電圧(Vt)を有するように選
択される。
【0014】この高いしきい値電圧は、様々な方法によ
り達成され得る。第2のトランジスタ106及び第3の
トランジスタ108のしきい値電圧を、シリコンの禁止
帯の幅にほぼ等しい量、すなわち約1ボルト増加するた
めに、例えば相補ゲートのドーピングが使用され得る。
もちろん、チャネル適合化打込みなどの他の方法も、し
きい値電圧を増加するために使用され得る。
【0015】第2のトランジスタ106及び第3のトラ
ンジスタ108は、好適には、通常それらのそれぞれの
サイズによって、第1のトランジスタ104及び第4の
トランジスタ110よりも高い利得を有する。特に、第
1のトランジスタ104及び第4のトランジスタ110
は、好適には、第2のトランジスタ106及び第3のト
ランジスタ108よりも大きな、幅対長さの比を有す
る。
【0016】動作上、2つのノードの1つ、すなわちプ
ルアップ・ノードまたはプルダウン・ノードのいずれか
が、素子上の入力ピンなどの、適切な素子上のノードに
接続される。例えば、プルダウン・ノードが入力ピンに
接続されると仮定しよう。これはパワーアップ時に、プ
ルダウン・ノードに接続される入力が、ロウに引っ張ら
れる場合に相当する。
【0017】正しい状態への初期化は、好適にはトラン
ジスタ間のしきい値電圧差により達成される。特に、電
源がパワーアップ時に立ち上がるとき、低いしきい値の
トランジスタ(104及び110)が最初に導通する。
従って、これらのトランジスタが最初に導通し、他のト
ランジスタ(106及び108)が導通するのを阻止す
る。トランジスタ104及び110がオンし、トランジ
スタ106及び108がオフのとき、プルダウン・ノー
ドはグラウンドに引っ張られ、プルアップ・ノードはV
ddに引っ張られる。従って、回路100はパワーアッ
プ時に正しい状態にセットされるように設計される。更
に、静的ラッチ構成により、好適な実施例は、ノードを
第1の状態に保持するように動作する間に流れる、非常
に低い静止電流を有する。
【0018】更に、回路100は、テストまたは他のア
プリケーションのために所望される場合、第2の状態に
セットされ得る。回路100は、プルダウン・ノードを
Vddに引っ張るか、プルアップ・ノードをグラウンド
に引っ張ることにより、第2の状態にセットされ得る。
これが発生する場合、トランジスタ106及び108が
ターンオンし、トランジスタ104及び110がターン
オフする。回路100は、ノードが引き戻されるまで、
この第2の状態に保持される。更に、好適な実施例は、
ノードを第2の状態に保持するように動作する間に流れ
る、非常に低い静止電流を有する。
【0019】トランジスタ104及び110は、好適に
は標準サイズのトランジスタであるので(すなわち、プ
ルアップ及びプルダウン・レベルを提供する制御電圧に
接続される、従来のプルアップ・トランジスタと同じサ
イズ)これらは容易にこの第2の状態に駆動され得る。
【0020】トランジスタ106及び108は、好適に
は、大きなDC電流も任意の論理制御回路も要求するこ
と無しに、正規の入力電流レベルが、ノードをいずれか
の電圧レベルに駆動できるように、小電流を要求するよ
うに選択され得る。従って、トランジスタ106及び1
08は、これらが容易に克服され得るように、サイズ化
されるべきである。
【0021】従って、回路100はプルアップまたはプ
ルダウン回路として機能する。回路100は、プルアッ
プ・ノードがハイで、プルダウン・ノードがロウの第1
の状態に初期化される。更に、回路100が第2の状
態、すなわちプルアップ・ノードがロウで、プルダウン
・ノードがハイの状態に強要される場合、回路100
は、ノードがその元の状態に戻されるか、或いは回路が
パワーオフされ、再度パワーオンされるまで、その状態
を保持する。回路100はまた、いずれの状態において
もDC電流を引き込まず、状態変化の間に、僅かな過渡
電流だけを引き込む利点を有する。
【0022】図2を参照すると、図2はプルアップ回路
200の構成図を示す。一般に、プルアップ回路200
は、ラッチとして一緒に結合されるインバータ201及
びNAND回路203を含む。インバータ201はトラ
ンジスタ202及び204を含み、トランジスタ202
は好適にはPチャネル・トランジスタを含み、トランジ
スタ204は好適にはNチャネル・トランジスタを含
む。NAND回路203は、トランジスタ206、20
8、210及び212を含む。トランジスタ206及び
208は、好適にはPチャネル・トランジスタであり、
トランジスタ210及び212は、好適にはNチャネル
・トランジスタである。プルアップ回路200は更に、
レベル設定トランジスタ214を含み、この実施例で
は、プルアップ・トランジスタ214がそれに相当す
る。プルアップ・トランジスタ214は好適にはPチャ
ネル素子を含み、そのドレインはプルアップ・ノード2
16に接続される。
【0023】プルアップ回路200はパワーアップ時
に、プルアップ・ノード216がハイの既知の状態に初
期化するように設計される。プルアップ・ノード216
は、それがプルダウンされるまで、ハイに維持される。
プルダウンされると、パワー・サイクルにより再初期化
されるまで、回路はハイ・インピーダンス状態となる。
ハイ・インピーダンス状態の間、プルアップ回路200
に任意の電流を供給すること無しに、ノードが外部回路
により制御され得る。
【0024】回路100の場合同様、回路200は好適
には、正しい状態にパワーアップすることを容易にする
ために、幾つかのトランジスタが高いしきい値電圧を有
するように構成される。特に、トランジスタ204、2
06及び208は、好適には高いしきい値電圧を有す
る。この高いしきい値電圧は、好適には相補ゲート・ド
ーピングの使用により容易に実現されるが、他の技術に
よっても達成され得る。
【0025】回路200がパワーアップされるとき、信
号ノードがそれらのゲートを通じる容量結合により、電
源定格の約半分に立ち上がる。トランジスタ210、2
12及び202は低いしきい値電圧を有するので、これ
らはパワーアップ時に最初に導通するように保証され、
このことは他のトランジスタをオフさせる。その結果、
ノード220及びノード222がハイになる。ノード2
22がロウのとき、トランジスタ214が導通し、プル
アップ・ノード216をハイにする。
【0026】回路200が初期化された後、プルアップ
・ノード216はプルダウンされ得る。プルアップ・ノ
ード216をプルダウンすると、トランジスタ212が
ターンオフし、トランジスタ208がターンオンする。
その結果、ノード222がハイになる。インバータ20
1において、トランジスタ204がターンオンし、ノー
ド220をロウに引っ張る。ノード220がロウになる
とき、トランジスタ210がターンオフされる。従っ
て、プルアップ・ノード216が再度ハイになるとき、
回路200は状態を変化しない。特に、プルアップ・ノ
ード216をハイに引っ張ることにより、たとえトラン
ジスタ212が再度反転され、導通しても、このことは
単にノード224をグラウンドに引っ張るだけで、ノー
ド222はロウを維持する。なぜなら、トランジスタ2
10がオフを維持するからである。ノード222がハイ
のとき、トランジスタ214はターンオフされる。トラ
ンジスタ214がオフのとき、プルアップ・ノード21
6は開回路として振る舞い、それに接続される素子に影
響しない。従って、プルアップ回路200はテスト及び
他の目的のために、ノードを既知の状態に設定するため
に非常に有用であり、プルアップ・ノード216が1度
ロウに駆動されると、プルアップ回路が効果的に不能に
なる。
【0027】図3を参照しながら、回路200の動作に
ついて、インバータ201及びNAND回路203に関
連して述べることにする。ノード220はインバータ回
路201の出力であり、NAND回路203の第1の入
力に接続される。同様に、ノード222はNAND回路
203の出力であり、プルアップ・ノード216はNA
ND回路203の第2の入力に接続される。回路200
のパワーアップ時、NAND回路203の入力は両方と
もハイとなり、このことがNAND回路203の出力を
ロウにする。その結果、トランジスタ214がターンオ
ンし、プルアップ・ノード216をハイに保持する。従
って、パワーアップ時、回路200は自動的にターンオ
ンし、プルアップ・ノード216をハイに駆動する。
【0028】プルアップ・ノード216がプルダウンさ
れるとき、NAND回路203への第2の入力がロウに
引っ張られる。その結果、NAND回路203の出力
(ノード222)がハイになる。これにより、トランジ
スタ214がターンオフし、プルアップ・ノード216
がフローティングになる。NAND回路203の出力は
インバータ201の入力に帰還されるので、ノード22
0がロウになる。ノード220上のロウ入力は、NAN
D回路203の出力をハイに維持し、このことがノード
220上の入力をロウに維持する。従って、外部回路に
より、プルアップ・ノード216をロウに駆動すると、
プルアップ回路200を不能にする。
【0029】プルアップ・ノード216が外部的に再度
プルアップされると、NAND回路203への第2の入
力がハイに引っ張られる。しかしながら、第1の入力
(ノード220)がロウを維持するので、NAND20
3の出力(ノード222)はハイを維持し、トランジス
タ214はオフを維持する。従って、プルアップ・ノー
ド216がプルダウンされた後、再度それをプルアップ
しても、NAND回路203及びインバータ201によ
り形成されるラッチの状態に影響しない。
【0030】図4を参照すると、図4はプルダウン回路
300の構成図を示す。一般に、プルダウン回路300
は、ラッチとして一緒に結合されるインバータ301及
びNOR回路303を含む。インバータ301はトラン
ジスタ302及び304を含み、トランジスタ302は
好適にはPチャネル・トランジスタを含み、トランジス
タ304は好適にはNチャネル・トランジスタを含む。
NOR回路303はトランジスタ306、308、31
0及び312を含む。トランジスタ306及び308
は、好適にはPチャネル・トランジスタであり、トラン
ジスタ310及び312は、好適にはNチャネル・トラ
ンジスタである。プルダウン回路300は更に、レベル
設定トランジスタ314を含み、この実施例では、プル
ダウン・トランジスタ314がそれに相当する。プルダ
ウン・トランジスタ314は好適にはNチャネル素子を
含み、そのドレインはプルダウン・ノード316に接続
される。
【0031】プルダウン回路300はパワーアップ時
に、プルダウン・ノード316がロウの既知の状態に初
期化するように設計される。プルダウン・ノード316
は、それがプルアップされるまで、ロウに維持され、ト
ランジスタ314はパワーが巡回されるまで、不能にさ
れる。
【0032】回路100及び200の場合同様、回路3
00は好適には、所望の状態にパワーアップすることを
容易にするために、幾つかのトランジスタが高いしきい
値電圧を有するように構成される。特に、トランジスタ
302、310及び312は、好適には高いしきい値電
圧を有する。再度、この高いしきい値電圧は、好適には
相補ゲート・ドーピングの使用により容易に実現される
が、他の技術によっても達成され得る。
【0033】回路300がパワーアップされるとき、信
号ノードがそれらのゲートを通じる容量結合により、電
源定格の約半分に立ち上がる。トランジスタ304、3
06及び308は低いしきい値電圧を有するので、これ
らはパワーアップ時に最初に導通するように保証され、
このことは他のトランジスタをオフさせる。その結果、
ノード320がロウ、ノード322がハイになる。ノー
ド322がハイのとき、トランジスタ314が導通し、
プルダウン・ノード316をロウにする。
【0034】回路300が初期化された後、プルダウン
・ノード316はプルアップされ得る(すなわちハイに
駆動される)。プルダウン・ノード316をプルアップ
すると、トランジスタ306がターンオフし、トランジ
スタ312がターンオンする。その結果、ノード322
がロウになる。インバータ301において、トランジス
タ304がターンオフし、トランジスタ302がターン
オンし、ノード320をハイに引っ張る。ノード320
がハイになるとき、トランジスタ308がターンオフさ
れる。従って、プルダウン・ノード316が再度ロウに
なるとき、回路300は影響を受けない。特に、プルダ
ウン・ノード316がロウに駆動されるときに、たとえ
トランジスタ306がターンオンしても、このことは単
にノード324をハイに引っ張り、ノード322はロウ
を維持する。ノード322がロウのとき、トランジスタ
314はターンオフされる。トランジスタ314がオフ
のとき、プルダウン・ノード316は開回路として振る
舞い、それに接続される素子に影響しない。
【0035】回路300はプルアップ回路200と同様
に動作する。特に、この素子は、プルダウン・ノード3
16がロウに引っ張られる初期状態にパワーアップし、
プルダウン・ノード316がハイに駆動されるとき、回
路300はパワーが巡回されるまで、ハイ・インピーダ
ンス状態を維持する。
【0036】図5を参照しながら、回路300の動作に
ついて、インバータ301及びNOR回路303に関連
して述べることにする。ノード320はインバータ回路
301の出力であり、NOR回路303の第1の入力に
接続される。同様に、ノード322はNOR回路303
の出力であり、インバータ301の入力及びトランジス
タ314のゲートに接続される。トランジスタ314の
ドレインは、プルダウン・ノード316及びNOR回路
303の第2の入力に接続される。回路300のパワー
アップ時、NOR回路303の入力は両方ともロウとな
り、このことがNOR回路303の出力をハイにする。
その結果、トランジスタ314が導通し、プルダウン・
ノード316をロウに保持する。従って、パワーアップ
時、回路300は自動的にターンオンし、プルダウン・
ノード316がロウに引っ張られる。
【0037】プルダウン・ノード316がハイに駆動さ
れるとき、NOR回路303への第2の入力がハイに駆
動される。その結果、NOR回路303の出力(ノード
322)がロウになる。これにより、トランジスタ31
4がターンオフし、プルダウン・ノード316がフロー
ティングになる。NOR回路303の出力はインバータ
301の入力に帰還されるので、ノード320がハイに
駆動され、それによりNOR回路303が安定状態に維
持され、プルダウン・ノード316が非駆動状態に維持
される。従って、プルダウン回路300は、パワーアッ
プ時に信号をロウ状態に初期化するのに有用であり、し
かもノードをハイに駆動することにより、容易に不能に
され得る。
【0038】プルダウン・ノード316が外部的に再度
プルダウンされると、NOR回路303への第2の入力
がロウに引っ張られる。しかしながら、第1の入力(ノ
ード320)がハイを維持するので、NOR303の出
力(ノード322)はロウを維持し、トランジスタ31
4はオフを維持する。従って、プルダウン・ノード31
6がプルアップされた後、再度それをプルダウンして
も、NOR回路303の状態に影響を与えない。
【0039】従って、本発明の第1の実施例では、回路
のプルアップ及びプルダウン・ノードがトグルされ、そ
れぞれアップまたはダウン状態を維持する。第2の実施
例では、プルアップ(またはプルダウン)回路がラッチ
回路を含み、これがパワーアップ時にプルアップ状態
(またはプルダウン状態)にセットされるように保証さ
れ、通常は正規の漏洩電流を越えるDC電流を引き込ま
ない。この実施例は更に、プルアップ・ノードがロウに
駆動される(またはプルダウン・ノードがハイに駆動さ
れる)場合、出力トランジスタがターンオフし、パワー
が巡回されるまで、オフ状態を維持することを保証す
る。
【0040】本発明は特に、好適な実施例に関連して述
べられてきたが、当業者には、本発明の趣旨から逸脱す
ること無しに、その形態及び詳細に関する様々な変更が
可能であることが理解されよう。また、様々な導体が図
面では単線として示されたが、これらは制限的な意味で
示されたものではなく、複数の導体を含んでもよい。
【0041】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0042】(1)ノードの論理レベルを設定する回路
であって、出力が第1の状態にパワーアップするように
構成されるラッチ回路を含み、前記ラッチ回路の出力が
前記ノードに接続され、前記ラッチ回路の出力が前記第
1の状態のとき、前記ノードを第1の論理レベルに駆動
し、前記ノードが外部的に第2の論理レベルに駆動され
るとき、前記ラッチ回路の出力が第2の状態に切り替え
られる、回路。 (2)前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力がロウで
あることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ回路出
力がハイであることを含み、前記第1の論理レベルがロ
ウ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
状態のとき、前記ラッチ回路出力が前記ノードをハイ論
理レベルに駆動する、前記(1)記載のレベル設定回
路。 (3)前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力がハイで
あることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ回路出
力がロウであることを含み、前記第1の論理レベルがハ
イ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
状態のとき、前記ラッチ回路出力が前記ノードをロウ論
理レベルに駆動する、前記(1)記載のレベル設定回
路。 (4)前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力がロウで
あることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ回路出
力がハイであることを含み、前記第1の論理レベルがハ
イ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがロウ論理
レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の状態の
とき、前記ノードが前記レベル設定回路により駆動され
ない、前記(1)記載のレベル設定回路。 (5)前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力がハイで
あることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ回路出
力がロウであることを含み、前記第1の論理レベルがロ
ウ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがハイ論理
レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の状態の
とき、前記ノードが前記レベル設定回路により駆動され
ない、前記(1)記載のレベル設定回路。 (6)前記ラッチ回路が相互結合ラッチ回路を含む、前
記(1)記載のレベル設定回路。 (7)前記相互結合ラッチ回路が、 a)直列に接続される第1及び第2のトランジスタであ
って、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジス
タよりも低いしきい値電圧を有する、第1及び第2のト
ランジスタと、 b)直列に接続される第3及び第4のトランジスタであ
って、前記第4のトランジスタが前記第3のトランジス
タよりも低いしきい値電圧を有する、第3及び第4のト
ランジスタと、を含む、前記(6)記載のレベル設定回
路。 (8)レベル設定トランジスタを含み、前記ラッチ回路
出力が前記レベル設定トランジスタを通じ前記ノードに
接続される、前記(1)記載のレベル設定回路。 (9)前記ラッチ回路が、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
D回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前記
ラッチ回路出力であり、前記インバータ入力に接続さ
れ、前記NAND回路の前記第2の入力が前記ノードに
接続される、NAND回路と、を含む、前記(1)記載
のレベル設定回路。 (10)前記ラッチ回路がゲート及びドレインを有する
レベル設定トランジスタを含み、前記ゲートが前記NA
ND回路の前記出力に接続され、前記ドレインが前記ノ
ード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接続され
る、前記(9)記載のレベル設定回路。 (11)前記レベル設定トランジスタがPタイプ・トラ
ンジスタであり、前記第1の状態が前記ラッチ回路出力
がロウであることを含み、前記第2の状態が前記ラッチ
回路出力がハイであることを含み、前記第1の論理レベ
ルがハイ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがロ
ウ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
状態のとき、前記Pタイプ・トランジスタがターンオフ
される、前記(10)記載のレベル設定回路。 (12)i)前記インバータが、直列に接続される第1
及び第2のトランジスタを含み、前記第2のトランジス
タが前記第1のトランジスタよりも低いしきい値電圧を
有し、 ii)前記NAND回路が第3、第4、第5及び第6の
トランジスタを含み、前記第3及び第4のトランジスタ
が互いに並列に、且つ前記第5及び第6のトランジスタ
と直列に接続され、前記第5及び第6のトランジスタ
が、前記第3及び第4のトランジスタよりも低いしきい
値電圧を有する、前記(10)記載のレベル設定回路。 (13)前記ラッチ回路が、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前記
出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記ラッ
チ回路出力であり、前記インバータ入力に接続され、前
記NOR回路の前記第2の入力が前記ノードに接続され
る、NOR回路と、を含む、前記(1)記載のレベル設
定回路。 (14)前記ラッチ回路がゲート及びドレインを有する
レベル設定トランジスタを含み、前記ゲートが前記NO
R回路の前記出力に接続され、前記ドレインが前記ノー
ド及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続される、
前記(13)記載のレベル設定回路。 (15)前記レベル設定トランジスタがNタイプ・トラ
ンジスタであり、前記第1の状態が前記ラッチ回路出力
がハイであることを含み、前記第2の状態が前記ラッチ
回路出力がロウであることを含み、前記第1の論理レベ
ルがロウ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがハ
イ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
状態のとき、前記Nタイプ・トランジスタがターンオフ
される、前記(14)記載のレベル設定回路。 (16)i)前記インバータが、直列に接続される第1
及び第2のトランジスタを含み、前記第2のトランジス
タが前記第1のトランジスタよりも低いしきい値電圧を
有し、 ii)前記NOR回路が第3、第4、第5及び第6のト
ランジスタを含み、前記第5及び第6のトランジスタが
互いに並列に、且つ前記第3及び第4のトランジスタと
直列に接続され、前記第3及び第4のトランジスタが、
前記第5及び第6のトランジスタよりも低いしきい値電
圧を有する、前記(14)記載のレベル設定回路。 (17)プルアップ/プルダウン回路であって、 a)第1の供給電位と第2の供給電位との間に直列に接
続される第1のトランジスタ及び第2のトランジスタで
あって、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジ
スタよりも低いしきい値電圧を有する、第1及び第2の
トランジスタと、 b)前記第1の供給電位と前記第2の供給電位との間に
直列に接続される第3のトランジスタ及び第4のトラン
ジスタであって、前記第4のトランジスタが前記第3の
トランジスタよりも低いしきい値電圧を有する、第3及
び第4のトランジスタと、 c)前記第3及び第4のトランジスタのゲートに接続さ
れる、前記第1及び第2のトランジスタ間のプルアップ
・ノードと、 d)前記第1及び第2のトランジスタのゲートに接続さ
れる、前記第3及び第4のトランジスタ間のプルダウン
・ノードと、 を含み、前記プルアップ/プルダウン回路のパワーアッ
プ時に、前記プルアップ・ノードがハイに、前記プルダ
ウン・ノードがロウに遷移する、回路。 (18)前記第1及び第3のトランジスタがPタイプ・
トランジスタであり、前記第2及び第4のトランジスタ
がNタイプ・トランジスタである、前記(17)記載の
回路。 (19)パワーアップ時に最小のDC静止電流により、
回路ノードを所定の第1の状態に駆動し、パワーアップ
後に駆動を中断する方法であって、 a)前記回路ノードに接続される出力を有するラッチ回
路を提供するステップと、 b)前記ラッチ回路のパワーアップ時に、前記出力が前
記回路ノードを前記第1の状態に駆動するように、前記
ラッチ回路をパワーアップするステップと、 c)前記ラッチ回路が前記回路ノードを前記第1の状態
に駆動するのを中断するように、前記回路ノードを第2
の状態に外部的に駆動するステップと、を含む、方法。 (20)前記回路が、 i)第1の供給電位と第2の供給電位との間に直列に接
続される第1のPタイプ・トランジスタ及び第2のNタ
イプ・トランジスタであって、前記第1のPタイプ・ト
ランジスタが前記第2のNタイプ・トランジスタよりも
低いしきい値電圧を有する、前記第1のPタイプ・トラ
ンジスタ及び第2のNタイプ・トランジスタと、 ii)前記第1の供給電位と前記第2の供給電位との間
に直列に接続される第3のPタイプ・トランジスタ及び
第4のNタイプ・トランジスタであって、前記第4のN
タイプ・トランジスタが前記第3のPタイプ・トランジ
スタよりも低いしきい値電圧を有する、第3のPタイプ
・トランジスタ及び第4のNタイプ・トランジスタと、 iii)前記第3のPタイプ・トランジスタ及び前記第
4のNタイプ・トランジスタのゲートに接続される、前
記第1のPタイプ・トランジスタ及び前記第2のNタイ
プ・トランジスタ間のプルアップ・ノードと、 iv)前記第1のPタイプ・トランジスタ及び前記第2
のNタイプ・トランジスタのゲートに接続される、前記
第3のPタイプ・トランジスタ及び前記第4のNタイプ
・トランジスタ間のプルダウン・ノードと、を含む、前
記(19)記載の方法。 (21)前記回路ノードがプルアップ・ノードに接続さ
れ、前記第1の状態が前記回路ノードがロウに駆動され
ることを含み、前記ラッチ回路が前記回路ノードを前記
第1の状態に駆動するのを中断するとき、前記回路ノー
ドがハイに駆動される、前記(20)記載の方法。 (22)前記回路ノードがプルアップ・ノードに接続さ
れ、前記第1の状態が前記回路ノードがハイに駆動され
ることを含み、前記ラッチ回路が前記回路ノードを前記
第1の状態に駆動するのを中断するとき、前記回路ノー
ドがロウに駆動される、前記(20)記載の方法。 (23)前記ラッチ回路が、 i)入力及び出力を有するインバータと、 ii)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNA
ND回路であって、前記第1の入力が前記インバータの
前記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前
記インバータの前記入力に接続される、NAND回路
と、 iii)ゲート及びドレインを有するプルアップ・トラ
ンジスタであって、前記プルアップ・トランジスタの前
記ゲートが、前記NAND回路の前記出力に接続され、
前記プルアップ・トランジスタの前記ドレインが、前記
回路ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接
続される、プルアップ・トランジスタと、を含み、前記
インバータがその出力がハイの状態にパワーアップし、
前記NAND回路が、その出力がロウの状態にパワーア
ップすることにより、パワーアップ時に、前記プルアッ
プ・トランジスタがターンオンされ、前記回路ノードが
ハイに駆動される、前記(19)記載の方法。 (24)前記回路ノードを第2の状態に外部的に駆動す
るステップが、前記回路ノードをロウに外部的に駆動す
るステップを含み、前記NAND回路の前記第2の入力
がロウに駆動され、前記NAND回路の前記出力がハイ
に駆動され、前記プルアップ・トランジスタがターンオ
フされ、前記インバータの前記入力がハイに駆動され
る、前記(23)記載の方法。 (25)前記ラッチ回路が、 i)入力及び出力を有するインバータと、 ii)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNO
R回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
記出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記イ
ンバータの前記入力に接続される、NOR回路と、 iii)ゲート及びドレインを有するプルダウン・トラ
ンジスタであって、前記プルダウン・トランジスタの前
記ゲートが、前記NOR回路の前記出力に接続され、前
記プルダウン・トランジスタの前記ドレインが、前記回
路ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続さ
れる、プルダウン・トランジスタと、を含み、前記イン
バータがその出力がロウの状態にパワーアップし、前記
NOR回路がその出力がハイの状態にパワーアップする
ことにより、パワーアップ時に、前記プルダウン・トラ
ンジスタがターンオンされ、前記回路ノードがロウに駆
動される、前記(19)記載の方法。 (26)前記回路ノードを第2の状態に外部的に駆動す
るステップが、前記回路ノードをハイに外部的に駆動す
るステップを含み、前記NOR回路の前記第2の入力が
ハイに駆動され、前記NOR回路の前記出力がロウに駆
動され、前記プルダウン・トランジスタがターンオフさ
れ、前記インバータの前記入力がロウに駆動される、前
記(25)記載の方法。 (27)プルアップ回路であって、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
D回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前記
インバータの前記入力に接続される、NAND回路と、 c)ゲート及びドレインを有するプルアップ・トランジ
スタであって、前記プルアップ・トランジスタの前記ゲ
ートが、前記NAND回路の前記出力に接続され、前記
プルアップ・トランジスタの前記ドレインが、プルアッ
プ・ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接
続される、プルアップ・トランジスタと、を含み、 d)前記インバータがその出力がハイの状態にパワーア
ップし、前記NAND回路がその出力がロウの状態にパ
ワーアップするように構成されることにより、パワーア
ップ時に、前記プルアップ・トランジスタがターンオン
され、前記プルアップ・ノードがハイに駆動される、プ
ルアップ回路。 (28)前記インバータが、直列に接続される第1のト
ランジスタ及び第2のトランジスタを含み、前記第2の
トランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いしき
い値電圧を有する、前記(27)記載のプルアップ回
路。 (29)前記NAND回路が第3、第4、第5及び第6
のトランジスタを含み、前記第3及び第4のトランジス
タが互いに並列に、且つ前記第5及び第6のトランジス
タと直列に接続され、前記第5及び第6のトランジスタ
が、前記第3及び第4のトランジスタよりも低いしきい
値電圧を有する、前記(27)記載のプルアップ回路。 (30)プルアップ回路であって、 a)入力及び出力を有し、直列に接続される第1及び第
2のトランジスタを含むインバータであって、前記第2
のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いし
きい値電圧を有することにより、前記プルアップ回路の
パワーアップ時に、前記インバータ出力がハイに遷移す
る、インバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
D回路であって、前記NAND回路の前記出力が前記イ
ンバータ入力に接続され、前記第1の入力が前記インバ
ータの前記出力を受信し、前記NAND回路が第3、第
4、第5及び第6のトランジスタを含み、前記第3及び
第4のトランジスタが互いに並列に、且つ前記第5及び
第6のトランジスタと直列に接続され、前記第5及び第
6のトランジスタが、前記第3及び第4のトランジスタ
よりも低いしきい値電圧を有し、前記プルアップ回路の
パワーアップ時に、前記NAND回路出力がロウに遷移
する、NAND回路と、 c)プルアップ・トランジスタであって、前記プルアッ
プ・トランジスタの前記ゲートが、前記NAND回路の
前記出力に接続され、前記プルアップ・トランジスタが
前記プルアップ回路のパワーアップ時に導通し、前記プ
ルアップ・トランジスタの前記ドレインが、プルアップ
・ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接続
される、プルアップ・トランジスタと、を含む、プルア
ップ回路。 (31)プルダウン回路であって、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前記
出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記イン
バータの前記入力に接続される、NOR回路と、 c)ゲート及びドレインを有するプルダウン・トランジ
スタであって、前記プルダウン・トランジスタの前記ゲ
ートが、前記NOR回路の前記出力に接続され、前記プ
ルダウン・トランジスタの前記ドレインが、プルダウン
・ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続さ
れる、プルダウン・トランジスタと、を含み、 d)前記インバータがその出力がロウの状態にパワーア
ップし、前記NOR回路がその出力がハイの状態にパワ
ーアップするように構成されることにより、パワーアッ
プ時に、前記プルダウン・トランジスタがターンオンさ
れ、前記プルダウン・ノードがロウに駆動される、プル
ダウン回路。 (32)前記インバータが、直列に接続される第1のト
ランジスタ及び第2のトランジスタを含み、前記第2の
トランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いしき
い値電圧を有する、前記(31)記載のプルダウン回
路。 (33)前記NOR回路が第3、第4、第5及び第6の
トランジスタを含み、前記第5及び第6のトランジスタ
が互いに並列に、且つ前記第3及び第4のトランジスタ
と直列に接続され、前記第3及び第4のトランジスタ
が、前記第5及び第6のトランジスタよりも低いしきい
値電圧を有する、前記(31)記載のプルダウン回路。 (34)プルダウン回路であって、 a)入力及び出力を有し、直列に接続される第1及び第
2のトランジスタを含むインバータであって、前記第2
のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いし
きい値電圧を有することにより、前記プルダウン回路の
パワーアップ時に、前記インバータ出力がロウに遷移す
る、インバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
回路であって、前記NOR回路の前記出力が前記インバ
ータ入力に接続され、前記第1の入力が前記インバータ
の前記出力を受信し、前記NOR回路が第3、第4、第
5及び第6のトランジスタを含み、前記第5及び第6の
トランジスタが互いに並列に、且つ前記第3及び第4の
トランジスタと直列に接続され、前記第3及び第4のト
ランジスタが、前記第5及び第6のトランジスタよりも
低いしきい値電圧を有し、前記プルダウン回路のパワー
アップ時に、前記NOR回路出力がハイに遷移する、N
OR回路と、 c)プルダウン・トランジスタであって、前記プルダウ
ン・トランジスタの前記ゲートが、前記NOR回路の前
記出力に接続され、前記プルダウン・トランジスタが前
記プルダウン回路のパワーアップ時に導通し、前記プル
ダウン・トランジスタの前記ドレインが、プルダウン・
ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続され
る、プルダウン・トランジスタと、を含む、プルダウン
回路。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に従うプルアップ/プル
ダウン回路100の構成図である。
【図2】本発明の第2の実施例に従うプルアップ回路2
00の構成図である。
【図3】プルアップ回路200の第2の構成図である。
【図4】プルダウン回路300の構成図である。
【図5】プルダウン回路300の第2の構成図である。
【符号の説明】
100 プルアップ/プルダウン回路 104、106、108、110、202、204、2
06、208、210、212、302、304、30
6、308、310、312 トランジスタ 200 プルアップ回路 201、301 インバータ 203 NAND回路 214 プルアップ・トランジスタ 216 プルアップ・ノード 220、222、224、320、322、324 ノ
ード 300 プルダウン回路 303 NOR回路 314 プルダウン・トランジスタ 316 プルダウン・ノード

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ノードの論理レベルを設定する回路であっ
    て、 出力が第1の状態にパワーアップするように構成される
    ラッチ回路を含み、前記ラッチ回路の出力が前記ノード
    に接続され、前記ラッチ回路の出力が前記第1の状態の
    とき、前記ノードを第1の論理レベルに駆動し、前記ノ
    ードが外部的に第2の論理レベルに駆動されるとき、前
    記ラッチ回路の出力が第2の状態に切り替えられる、回
    路。
  2. 【請求項2】前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力が
    ロウであることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ
    回路出力がハイであることを含み、前記第1の論理レベ
    ルがロウ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記
    第2の状態のとき、前記ラッチ回路出力が前記ノードを
    ハイ論理レベルに駆動する、請求項1記載のレベル設定
    回路。
  3. 【請求項3】前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力が
    ハイであることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ
    回路出力がロウであることを含み、前記第1の論理レベ
    ルがハイ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記
    第2の状態のとき、前記ラッチ回路出力が前記ノードを
    ロウ論理レベルに駆動する、請求項1記載のレベル設定
    回路。
  4. 【請求項4】前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力が
    ロウであることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ
    回路出力がハイであることを含み、前記第1の論理レベ
    ルがハイ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがロ
    ウ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
    状態のとき、前記ノードが前記レベル設定回路により駆
    動されない、請求項1記載のレベル設定回路。
  5. 【請求項5】前記第1の状態が、前記ラッチ回路出力が
    ハイであることを含み、前記第2の状態が、前記ラッチ
    回路出力がロウであることを含み、前記第1の論理レベ
    ルがロウ論理レベルを含み、前記第2の論理レベルがハ
    イ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記第2の
    状態のとき、前記ノードが前記レベル設定回路により駆
    動されない、請求項1記載のレベル設定回路。
  6. 【請求項6】前記ラッチ回路が相互結合ラッチ回路を含
    む、請求項1記載のレベル設定回路。
  7. 【請求項7】前記相互結合ラッチ回路が、 a)直列に接続される第1及び第2のトランジスタであ
    って、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジス
    タよりも低いしきい値電圧を有する、第1及び第2のト
    ランジスタと、 b)直列に接続される第3及び第4のトランジスタであ
    って、前記第4のトランジスタが前記第3のトランジス
    タよりも低いしきい値電圧を有する、第3及び第4のト
    ランジスタと、 を含む、請求項6記載のレベル設定回路。
  8. 【請求項8】レベル設定トランジスタを含み、前記ラッ
    チ回路出力が前記レベル設定トランジスタを通じ前記ノ
    ードに接続される、請求項1記載のレベル設定回路。
  9. 【請求項9】前記ラッチ回路が、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
    D回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
    記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前記
    ラッチ回路出力であり、前記インバータ入力に接続さ
    れ、前記NAND回路の前記第2の入力が前記ノードに
    接続される、NAND回路と、 を含む、請求項1記載のレベル設定回路。
  10. 【請求項10】前記ラッチ回路がゲート及びドレインを
    有するレベル設定トランジスタを含み、前記ゲートが前
    記NAND回路の前記出力に接続され、前記ドレインが
    前記ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接
    続される、請求項9記載のレベル設定回路。
  11. 【請求項11】前記レベル設定トランジスタがPタイプ
    ・トランジスタであり、前記第1の状態が前記ラッチ回
    路出力がロウであることを含み、前記第2の状態が前記
    ラッチ回路出力がハイであることを含み、前記第1の論
    理レベルがハイ論理レベルを含み、前記第2の論理レベ
    ルがロウ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記
    第2の状態のとき、前記Pタイプ・トランジスタがター
    ンオフされる、請求項10記載のレベル設定回路。
  12. 【請求項12】i)前記インバータが、直列に接続され
    る第1及び第2のトランジスタを含み、前記第2のトラ
    ンジスタが前記第1のトランジスタよりも低いしきい値
    電圧を有し、 ii)前記NAND回路が第3、第4、第5及び第6の
    トランジスタを含み、前記第3及び第4のトランジスタ
    が互いに並列に、且つ前記第5及び第6のトランジスタ
    と直列に接続され、前記第5及び第6のトランジスタ
    が、前記第3及び第4のトランジスタよりも低いしきい
    値電圧を有する、 請求項10記載のレベル設定回路。
  13. 【請求項13】前記ラッチ回路が、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
    回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前記
    出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記ラッ
    チ回路出力であり、前記インバータ入力に接続され、前
    記NOR回路の前記第2の入力が前記ノードに接続され
    る、NOR回路と、 を含む、請求項1記載のレベル設定回路。
  14. 【請求項14】前記ラッチ回路がゲート及びドレインを
    有するレベル設定トランジスタを含み、前記ゲートが前
    記NOR回路の前記出力に接続され、前記ドレインが前
    記ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続さ
    れる、請求項13記載のレベル設定回路。
  15. 【請求項15】前記レベル設定トランジスタがNタイプ
    ・トランジスタであり、前記第1の状態が前記ラッチ回
    路出力がハイであることを含み、前記第2の状態が前記
    ラッチ回路出力がロウであることを含み、前記第1の論
    理レベルがロウ論理レベルを含み、前記第2の論理レベ
    ルがハイ論理レベルを含み、前記ラッチ回路出力が前記
    第2の状態のとき、前記Nタイプ・トランジスタがター
    ンオフされる、請求項14記載のレベル設定回路。
  16. 【請求項16】i)前記インバータが、直列に接続され
    る第1及び第2のトランジスタを含み、前記第2のトラ
    ンジスタが前記第1のトランジスタよりも低いしきい値
    電圧を有し、 ii)前記NOR回路が第3、第4、第5及び第6のト
    ランジスタを含み、前記第5及び第6のトランジスタが
    互いに並列に、且つ前記第3及び第4のトランジスタと
    直列に接続され、前記第3及び第4のトランジスタが、
    前記第5及び第6のトランジスタよりも低いしきい値電
    圧を有する、 請求項14記載のレベル設定回路。
  17. 【請求項17】プルアップ/プルダウン回路であって、 a)第1の供給電位と第2の供給電位との間に直列に接
    続される第1のトランジスタ及び第2のトランジスタで
    あって、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジ
    スタよりも低いしきい値電圧を有する、第1及び第2の
    トランジスタと、 b)前記第1の供給電位と前記第2の供給電位との間に
    直列に接続される第3のトランジスタ及び第4のトラン
    ジスタであって、前記第4のトランジスタが前記第3の
    トランジスタよりも低いしきい値電圧を有する、第3及
    び第4のトランジスタと、 c)前記第3及び第4のトランジスタのゲートに接続さ
    れる、前記第1及び第2のトランジスタ間のプルアップ
    ・ノードと、 d)前記第1及び第2のトランジスタのゲートに接続さ
    れる、前記第3及び第4のトランジスタ間のプルダウン
    ・ノードと、 を含み、前記プルアップ/プルダウン回路のパワーアッ
    プ時に、前記プルアップ・ノードがハイに、前記プルダ
    ウン・ノードがロウに遷移する、回路。
  18. 【請求項18】前記第1及び第3のトランジスタがPタ
    イプ・トランジスタであり、前記第2及び第4のトラン
    ジスタがNタイプ・トランジスタである、請求項17記
    載の回路。
  19. 【請求項19】パワーアップ時に最小のDC静止電流に
    より、回路ノードを所定の第1の状態に駆動し、パワー
    アップ後に駆動を中断する方法であって、 a)前記回路ノードに接続される出力を有するラッチ回
    路を提供するステップと、 b)前記ラッチ回路のパワーアップ時に、前記出力が前
    記回路ノードを前記第1の状態に駆動するように、前記
    ラッチ回路をパワーアップするステップと、 c)前記ラッチ回路が前記回路ノードを前記第1の状態
    に駆動するのを中断するように、前記回路ノードを第2
    の状態に外部的に駆動するステップと、 を含む、方法。
  20. 【請求項20】前記回路が、 i)第1の供給電位と第2の供給電位との間に直列に接
    続される第1のPタイプ・トランジスタ及び第2のNタ
    イプ・トランジスタであって、前記第1のPタイプ・ト
    ランジスタが前記第2のNタイプ・トランジスタよりも
    低いしきい値電圧を有する、前記第1のPタイプ・トラ
    ンジスタ及び第2のNタイプ・トランジスタと、 ii)前記第1の供給電位と前記第2の供給電位との間
    に直列に接続される第3のPタイプ・トランジスタ及び
    第4のNタイプ・トランジスタであって、前記第4のN
    タイプ・トランジスタが前記第3のPタイプ・トランジ
    スタよりも低いしきい値電圧を有する、第3のPタイプ
    ・トランジスタ及び第4のNタイプ・トランジスタと、 iii)前記第3のPタイプ・トランジスタ及び前記第
    4のNタイプ・トランジスタのゲートに接続される、前
    記第1のPタイプ・トランジスタ及び前記第2のNタイ
    プ・トランジスタ間のプルアップ・ノードと、 iv)前記第1のPタイプ・トランジスタ及び前記第2
    のNタイプ・トランジスタのゲートに接続される、前記
    第3のPタイプ・トランジスタ及び前記第4のNタイプ
    ・トランジスタ間のプルダウン・ノードと、 を含む、請求項19記載の方法。
  21. 【請求項21】前記回路ノードがプルアップ・ノードに
    接続され、前記第1の状態が前記回路ノードがロウに駆
    動されることを含み、前記ラッチ回路が前記回路ノード
    を前記第1の状態に駆動するのを中断するとき、前記回
    路ノードがハイに駆動される、請求項20記載の方法。
  22. 【請求項22】前記回路ノードがプルアップ・ノードに
    接続され、前記第1の状態が前記回路ノードがハイに駆
    動されることを含み、前記ラッチ回路が前記回路ノード
    を前記第1の状態に駆動するのを中断するとき、前記回
    路ノードがロウに駆動される、請求項20記載の方法。
  23. 【請求項23】前記ラッチ回路が、 i)入力及び出力を有するインバータと、 ii)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNA
    ND回路であって、前記第1の入力が前記インバータの
    前記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前
    記インバータの前記入力に接続される、NAND回路
    と、 iii)ゲート及びドレインを有するプルアップ・トラ
    ンジスタであって、前記プルアップ・トランジスタの前
    記ゲートが、前記NAND回路の前記出力に接続され、
    前記プルアップ・トランジスタの前記ドレインが、前記
    回路ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接
    続される、プルアップ・トランジスタと、 を含み、前記インバータがその出力がハイの状態にパワ
    ーアップし、前記NAND回路が、その出力がロウの状
    態にパワーアップすることにより、パワーアップ時に、
    前記プルアップ・トランジスタがターンオンされ、前記
    回路ノードがハイに駆動される、請求項19記載の方
    法。
  24. 【請求項24】前記回路ノードを第2の状態に外部的に
    駆動するステップが、前記回路ノードをロウに外部的に
    駆動するステップを含み、前記NAND回路の前記第2
    の入力がロウに駆動され、前記NAND回路の前記出力
    がハイに駆動され、前記プルアップ・トランジスタがタ
    ーンオフされ、前記インバータの前記入力がハイに駆動
    される、請求項23記載の方法。
  25. 【請求項25】前記ラッチ回路が、 i)入力及び出力を有するインバータと、 ii)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNO
    R回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
    記出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記イ
    ンバータの前記入力に接続される、NOR回路と、 iii)ゲート及びドレインを有するプルダウン・トラ
    ンジスタであって、前記プルダウン・トランジスタの前
    記ゲートが、前記NOR回路の前記出力に接続され、前
    記プルダウン・トランジスタの前記ドレインが、前記回
    路ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続さ
    れる、プルダウン・トランジスタと、 を含み、前記インバータがその出力がロウの状態にパワ
    ーアップし、前記NOR回路がその出力がハイの状態に
    パワーアップすることにより、パワーアップ時に、前記
    プルダウン・トランジスタがターンオンされ、前記回路
    ノードがロウに駆動される、請求項19記載の方法。
  26. 【請求項26】前記回路ノードを第2の状態に外部的に
    駆動するステップが、前記回路ノードをハイに外部的に
    駆動するステップを含み、前記NOR回路の前記第2の
    入力がハイに駆動され、前記NOR回路の前記出力がロ
    ウに駆動され、前記プルダウン・トランジスタがターン
    オフされ、前記インバータの前記入力がロウに駆動され
    る、請求項25記載の方法。
  27. 【請求項27】プルアップ回路であって、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
    D回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前
    記出力に接続され、前記NAND回路の前記出力が前記
    インバータの前記入力に接続される、NAND回路と、 c)ゲート及びドレインを有するプルアップ・トランジ
    スタであって、前記プルアップ・トランジスタの前記ゲ
    ートが、前記NAND回路の前記出力に接続され、前記
    プルアップ・トランジスタの前記ドレインが、プルアッ
    プ・ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接
    続される、プルアップ・トランジスタと、 を含み、 d)前記インバータがその出力がハイの状態にパワーア
    ップし、前記NAND回路がその出力がロウの状態にパ
    ワーアップするように構成されることにより、パワーア
    ップ時に、前記プルアップ・トランジスタがターンオン
    され、前記プルアップ・ノードがハイに駆動される、 プルアップ回路。
  28. 【請求項28】前記インバータが、直列に接続される第
    1のトランジスタ及び第2のトランジスタを含み、前記
    第2のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低
    いしきい値電圧を有する、請求項27記載のプルアップ
    回路。
  29. 【請求項29】前記NAND回路が第3、第4、第5及
    び第6のトランジスタを含み、前記第3及び第4のトラ
    ンジスタが互いに並列に、且つ前記第5及び第6のトラ
    ンジスタと直列に接続され、前記第5及び第6のトラン
    ジスタが、前記第3及び第4のトランジスタよりも低い
    しきい値電圧を有する、請求項27記載のプルアップ回
    路。
  30. 【請求項30】プルアップ回路であって、 a)入力及び出力を有し、直列に接続される第1及び第
    2のトランジスタを含むインバータであって、前記第2
    のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いし
    きい値電圧を有することにより、前記プルアップ回路の
    パワーアップ時に、前記インバータ出力がハイに遷移す
    る、インバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNAN
    D回路であって、前記NAND回路の前記出力が前記イ
    ンバータ入力に接続され、前記第1の入力が前記インバ
    ータの前記出力を受信し、前記NAND回路が第3、第
    4、第5及び第6のトランジスタを含み、前記第3及び
    第4のトランジスタが互いに並列に、且つ前記第5及び
    第6のトランジスタと直列に接続され、前記第5及び第
    6のトランジスタが、前記第3及び第4のトランジスタ
    よりも低いしきい値電圧を有し、前記プルアップ回路の
    パワーアップ時に、前記NAND回路出力がロウに遷移
    する、NAND回路と、 c)プルアップ・トランジスタであって、前記プルアッ
    プ・トランジスタの前記ゲートが、前記NAND回路の
    前記出力に接続され、前記プルアップ・トランジスタが
    前記プルアップ回路のパワーアップ時に導通し、前記プ
    ルアップ・トランジスタの前記ドレインが、プルアップ
    ・ノード及び前記NAND回路の前記第2の入力に接続
    される、プルアップ・トランジスタと、 を含む、プルアップ回路。
  31. 【請求項31】プルダウン回路であって、 a)入力及び出力を有するインバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
    回路であって、前記第1の入力が前記インバータの前記
    出力に接続され、前記NOR回路の前記出力が前記イン
    バータの前記入力に接続される、NOR回路と、 c)ゲート及びドレインを有するプルダウン・トランジ
    スタであって、前記プルダウン・トランジスタの前記ゲ
    ートが、前記NOR回路の前記出力に接続され、前記プ
    ルダウン・トランジスタの前記ドレインが、プルダウン
    ・ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続さ
    れる、プルダウン・トランジスタと、 を含み、 d)前記インバータがその出力がロウの状態にパワーア
    ップし、前記NOR回路がその出力がハイの状態にパワ
    ーアップするように構成されることにより、パワーアッ
    プ時に、前記プルダウン・トランジスタがターンオンさ
    れ、前記プルダウン・ノードがロウに駆動される、 プルダウン回路。
  32. 【請求項32】前記インバータが、直列に接続される第
    1のトランジスタ及び第2のトランジスタを含み、前記
    第2のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低
    いしきい値電圧を有する、請求項31記載のプルダウン
    回路。
  33. 【請求項33】前記NOR回路が第3、第4、第5及び
    第6のトランジスタを含み、前記第5及び第6のトラン
    ジスタが互いに並列に、且つ前記第3及び第4のトラン
    ジスタと直列に接続され、前記第3及び第4のトランジ
    スタが、前記第5及び第6のトランジスタよりも低いし
    きい値電圧を有する、請求項31記載のプルダウン回
    路。
  34. 【請求項34】プルダウン回路であって、 a)入力及び出力を有し、直列に接続される第1及び第
    2のトランジスタを含むインバータであって、前記第2
    のトランジスタが前記第1のトランジスタよりも低いし
    きい値電圧を有することにより、前記プルダウン回路の
    パワーアップ時に、前記インバータ出力がロウに遷移す
    る、インバータと、 b)第1の入力、第2の入力、及び出力を有するNOR
    回路であって、前記NOR回路の前記出力が前記インバ
    ータ入力に接続され、前記第1の入力が前記インバータ
    の前記出力を受信し、前記NOR回路が第3、第4、第
    5及び第6のトランジスタを含み、前記第5及び第6の
    トランジスタが互いに並列に、且つ前記第3及び第4の
    トランジスタと直列に接続され、前記第3及び第4のト
    ランジスタが、前記第5及び第6のトランジスタよりも
    低いしきい値電圧を有し、前記プルダウン回路のパワー
    アップ時に、前記NOR回路出力がハイに遷移する、N
    OR回路と、 c)プルダウン・トランジスタであって、前記プルダウ
    ン・トランジスタの前記ゲートが、前記NOR回路の前
    記出力に接続され、前記プルダウン・トランジスタが前
    記プルダウン回路のパワーアップ時に導通し、前記プル
    ダウン・トランジスタの前記ドレインが、プルダウン・
    ノード及び前記NOR回路の前記第2の入力に接続され
    る、プルダウン・トランジスタと、 を含む、プルダウン回路。
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