JPH10173117A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
電子部品およびその製造方法Info
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- JPH10173117A JPH10173117A JP32857196A JP32857196A JPH10173117A JP H10173117 A JPH10173117 A JP H10173117A JP 32857196 A JP32857196 A JP 32857196A JP 32857196 A JP32857196 A JP 32857196A JP H10173117 A JPH10173117 A JP H10173117A
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの機械的強度あるいは高周波特性
を維持しつつ、回路基板に実装する際の半田やフラック
スの侵入を防止し、工程不良率の低減を図る。 【解決手段】 チップ３を搭載したリードフレーム４，
５の一方の面に、樹脂でチップ３を囲むように枠状に土
手部２ｂを形成する。リードフレーム４，５の他方の面
に、基板部２ａを形成し、リードフレーム４，５を挟む
ようにする。土手部２ｂにキャップ８を接合することに
よりチップ３を封止する中空部が形成される。そして、
リードフレーム４，５の表面を、基板部２ａおよび土手
部２ｂに接する第１の領域１３，１６と、この第１の領
域以外の第２の領域１８とに区分けする。第１の領域１
３，１６には、樹脂との密着性が高いニッケルめっきを
施し、第２の領域１８には、導通性やボンディング性が
良く、かつ樹脂との密着性が低い金めっきを施す。
を維持しつつ、回路基板に実装する際の半田やフラック
スの侵入を防止し、工程不良率の低減を図る。 【解決手段】 チップ３を搭載したリードフレーム４，
５の一方の面に、樹脂でチップ３を囲むように枠状に土
手部２ｂを形成する。リードフレーム４，５の他方の面
に、基板部２ａを形成し、リードフレーム４，５を挟む
ようにする。土手部２ｂにキャップ８を接合することに
よりチップ３を封止する中空部が形成される。そして、
リードフレーム４，５の表面を、基板部２ａおよび土手
部２ｂに接する第１の領域１３，１６と、この第１の領
域以外の第２の領域１８とに区分けする。第１の領域１
３，１６には、樹脂との密着性が高いニッケルめっきを
施し、第２の領域１８には、導通性やボンディング性が
良く、かつ樹脂との密着性が低い金めっきを施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、小形の中空パッケ
ージに超高周波用デバイスを搭載した電子部品に関し、
特に半田が侵入し難いリードフレームの表面処理に関す
る。
ージに超高周波用デバイスを搭載した電子部品に関し、
特に半田が侵入し難いリードフレームの表面処理に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超高周波用デバイスには、トランジス
タ、ＩＣ、光素子、表面弾性波素子あるいは共振子など
がある。これらのデバイスは、商用の通信機器や衛星な
どに使われており、多少高価であっても信頼性が高く、
寿命が長いことが必要不可欠であるため、従来ではセラ
ミック製中空パッケージに組み込んでいた。近年では、
衛星放送の受信機や携帯電話機などのように、一般家庭
で使う民生機器にも超高周波用デバイスが数多く使われ
るようになってきている。民生機器に使うデバイスは、
商用通信機器ほど信頼性が高く長寿命になるように形成
しなくてもよいものの、いかに低コストに作るかが大き
な課題である。また、携帯電話機のように装置が小形化
されるに伴い、超高周波用デバイスの外形もこれまで以
上に小形化することが求められている。したがって、従
来セラミック製中空パッケージに組み込んでいたもの
を、低コスト化のため樹脂モールド・パッケージに組み
込む傾向にあった。しかしながら、超高周波用チップ全
体を樹脂封止すると、樹脂の誘電率が高いので、寄生容
量が大きくなり、高周波損失が大きくなるといった欠点
があった。そこで、安価で、かつ高周波特性の優れたパ
ッケージとして、中空パッケージが提案されている。発
明者らは中空パッケージの構造として、特願平８−１６
６８０号を出願している。
タ、ＩＣ、光素子、表面弾性波素子あるいは共振子など
がある。これらのデバイスは、商用の通信機器や衛星な
どに使われており、多少高価であっても信頼性が高く、
寿命が長いことが必要不可欠であるため、従来ではセラ
ミック製中空パッケージに組み込んでいた。近年では、
衛星放送の受信機や携帯電話機などのように、一般家庭
で使う民生機器にも超高周波用デバイスが数多く使われ
るようになってきている。民生機器に使うデバイスは、
商用通信機器ほど信頼性が高く長寿命になるように形成
しなくてもよいものの、いかに低コストに作るかが大き
な課題である。また、携帯電話機のように装置が小形化
されるに伴い、超高周波用デバイスの外形もこれまで以
上に小形化することが求められている。したがって、従
来セラミック製中空パッケージに組み込んでいたもの
を、低コスト化のため樹脂モールド・パッケージに組み
込む傾向にあった。しかしながら、超高周波用チップ全
体を樹脂封止すると、樹脂の誘電率が高いので、寄生容
量が大きくなり、高周波損失が大きくなるといった欠点
があった。そこで、安価で、かつ高周波特性の優れたパ
ッケージとして、中空パッケージが提案されている。発
明者らは中空パッケージの構造として、特願平８−１６
６８０号を出願している。
【０００３】図１０は従来の中空パッケージに超高周波
用デバイスのチップ（以下、単にチップと呼ぶ）を搭載
した電子部品を示し、（ａ）はキャップを取り除いた状
態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるX(b)-X(b) 線断面
図である。これらの図において、符号１９は従来の電子
部品を示し、この電子部品１９は、リードフレーム４，
５を樹脂で封止したベース２と、このベース２に接着し
たキャップ８と、リードフレーム５に搭載したチップ３
と、チップ３とリードフレーム４，５とを電気的に接続
するボンディングワイヤ６とから構成されている。また
ベース２にキャップ８を接着し、チップ３の表面に空間
を設けたパッケージを中空パッケージと呼ぶ。
用デバイスのチップ（以下、単にチップと呼ぶ）を搭載
した電子部品を示し、（ａ）はキャップを取り除いた状
態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるX(b)-X(b) 線断面
図である。これらの図において、符号１９は従来の電子
部品を示し、この電子部品１９は、リードフレーム４，
５を樹脂で封止したベース２と、このベース２に接着し
たキャップ８と、リードフレーム５に搭載したチップ３
と、チップ３とリードフレーム４，５とを電気的に接続
するボンディングワイヤ６とから構成されている。また
ベース２にキャップ８を接着し、チップ３の表面に空間
を設けたパッケージを中空パッケージと呼ぶ。
【０００４】ベース２は、チップ接合前のリードフレー
ム４，５を封止金型（図示せず）に装填し、この封止金
型にエポキシ樹脂を注入し固化させることによって有底
円筒状に成形している。また、このベース２は、基板部
２ａと土手部２ｂとリードフレーム４，５とからなり、
基板部２ａはリードフレーム４，５のチップ搭載面とは
反対の面に形成され、リードフレーム４，５を固定して
いる。また、土手部２ｂはリードフレーム４，５のチッ
プ搭載面に、チップ３を枠状に囲むように形成し、基板
部２ａの外周部とつながっている。土手部２ｂはベース
２に機械的なストレスが加わっても、リードフレーム
４、５から樹脂が剥離しないようにしている。この基板
部２ａと土手部２ｂとで前記リードフレーム４，５を挟
み込むように形成されている。さらに、このベース２の
内側底面にリードフレーム５のインナーリード兼アイラ
ンド５ａ（以下、アイランドと呼ぶ）の一方の面、およ
びリードフレーム４のインナーリード４ａの一方の面を
露出させており、ベース２の外側にアウターリード４
ｂ，５ｂを露出させている。
ム４，５を封止金型（図示せず）に装填し、この封止金
型にエポキシ樹脂を注入し固化させることによって有底
円筒状に成形している。また、このベース２は、基板部
２ａと土手部２ｂとリードフレーム４，５とからなり、
基板部２ａはリードフレーム４，５のチップ搭載面とは
反対の面に形成され、リードフレーム４，５を固定して
いる。また、土手部２ｂはリードフレーム４，５のチッ
プ搭載面に、チップ３を枠状に囲むように形成し、基板
部２ａの外周部とつながっている。土手部２ｂはベース
２に機械的なストレスが加わっても、リードフレーム
４、５から樹脂が剥離しないようにしている。この基板
部２ａと土手部２ｂとで前記リードフレーム４，５を挟
み込むように形成されている。さらに、このベース２の
内側底面にリードフレーム５のインナーリード兼アイラ
ンド５ａ（以下、アイランドと呼ぶ）の一方の面、およ
びリードフレーム４のインナーリード４ａの一方の面を
露出させており、ベース２の外側にアウターリード４
ｂ，５ｂを露出させている。
【０００５】前記キャップ８は、封止金型にエポキシ樹
脂を注入し固化させることによって成形する。このキャ
ップ８は、ベース２側の端面に凹陥部８ａを形成し、こ
の凹陥部８ａより外側を土手部２ｂの上面に接着剤９に
よって接着する。この高周波用のデバイス中空パッケー
ジの特徴は外形がきわめて小さいことである。すなわ
ち、パッケージの外径を２ｍｍ、キャップ８の外径を
１．９ｍｍ、リードフレーム４，５の幅を０．５ｍｍ、
厚さを０．１２５ｍｍ、土手部２ｂの幅を０．３５ｍｍ
にそれぞれ形成している。このように中空パッケージの
外形が極めて小さいため、土手部２ｂのせん断強度が充
分でなく、これを補強するために、リードフレーム４，
５の土手部２ｂに接する部位にアンカーホール４ｃ，５
ｃを穿孔し、これに樹脂を充填して基板部２ａと土手部
２ｂとを連結している。なお、アンカーホール４ｃ，５
ｃの径は０．２ｍｍである。
脂を注入し固化させることによって成形する。このキャ
ップ８は、ベース２側の端面に凹陥部８ａを形成し、こ
の凹陥部８ａより外側を土手部２ｂの上面に接着剤９に
よって接着する。この高周波用のデバイス中空パッケー
ジの特徴は外形がきわめて小さいことである。すなわ
ち、パッケージの外径を２ｍｍ、キャップ８の外径を
１．９ｍｍ、リードフレーム４，５の幅を０．５ｍｍ、
厚さを０．１２５ｍｍ、土手部２ｂの幅を０．３５ｍｍ
にそれぞれ形成している。このように中空パッケージの
外形が極めて小さいため、土手部２ｂのせん断強度が充
分でなく、これを補強するために、リードフレーム４，
５の土手部２ｂに接する部位にアンカーホール４ｃ，５
ｃを穿孔し、これに樹脂を充填して基板部２ａと土手部
２ｂとを連結している。なお、アンカーホール４ｃ，５
ｃの径は０．２ｍｍである。
【０００６】このように構成された電子部品１９を回路
基板に実装するときには、半田槽に浸してアウターリー
ド４ｂ，５ｂと回路基板の導体パターン（図示せず）と
を電気的に接続する作業を行っている。このとき、図１
１に示すように、中空パッケージの内部に半田やフラッ
クス１０が侵入し、ボンディングワイヤ６を溶断して電
子部品１９を機能しなくさせたり、チップ３の表面に半
田やフラックス１０が付着してチップ３の電気的特性を
劣化させることがあった。この半田やフラックス１０の
侵入の原因が、リードフレーム４の上面と土手部２ｂの
下面との間あるいはリードフレーム４の下面と基板部２
ａの上面との間に形成される隙間４ｅによるものである
ことが判った。リードフレーム５についても同様なこと
が言えるが、以下の説明では、リードフレーム４につい
て記載する。
基板に実装するときには、半田槽に浸してアウターリー
ド４ｂ，５ｂと回路基板の導体パターン（図示せず）と
を電気的に接続する作業を行っている。このとき、図１
１に示すように、中空パッケージの内部に半田やフラッ
クス１０が侵入し、ボンディングワイヤ６を溶断して電
子部品１９を機能しなくさせたり、チップ３の表面に半
田やフラックス１０が付着してチップ３の電気的特性を
劣化させることがあった。この半田やフラックス１０の
侵入の原因が、リードフレーム４の上面と土手部２ｂの
下面との間あるいはリードフレーム４の下面と基板部２
ａの上面との間に形成される隙間４ｅによるものである
ことが判った。リードフレーム５についても同様なこと
が言えるが、以下の説明では、リードフレーム４につい
て記載する。
【０００７】すなわち、電子部品１９のリードフレーム
４の表面全体には、チップ３とリードフレーム４とをオ
ーミック接触とし、かつ抵抗を下げて高周波特性を向上
させ、さらにボンディング性を向上させるため、金めっ
きが施されている。しかしながら、金は樹脂との密着性
が低いので、アウターリード４ｂを折り曲げ加工すると
きに、土手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げる方
向に大きな力が作用すると、土手部２ｂとリードフレー
ム４とが部分的に剥離して隙間４ｅが形成される。この
隙間４ｅから半田やフラックス等が侵入するというもの
である。
４の表面全体には、チップ３とリードフレーム４とをオ
ーミック接触とし、かつ抵抗を下げて高周波特性を向上
させ、さらにボンディング性を向上させるため、金めっ
きが施されている。しかしながら、金は樹脂との密着性
が低いので、アウターリード４ｂを折り曲げ加工すると
きに、土手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げる方
向に大きな力が作用すると、土手部２ｂとリードフレー
ム４とが部分的に剥離して隙間４ｅが形成される。この
隙間４ｅから半田やフラックス等が侵入するというもの
である。
【０００８】この対策として、リードフレーム４の表面
全体を樹脂との密着性の高い金属、例えばニッケルでめ
っきすることが考えられるが、この方法では、半田やフ
ラックスの侵入については防止できるが、金より抵抗値
が高いので、高周波特性が低下し、またボンディング性
が低下し、ボンディングワイヤ６がリードフレーム４か
ら剥離しやすくなる。したがって、超高周波用デバイス
を搭載した電子部品には適用が困難である。また、従来
の樹脂封止型の半導体装置は、パッケージの外形が大き
いので、パッケージの外周部からチップまでの距離が長
く、また、チップ３の表面が樹脂で覆われているので、
外周部から半田やフラックスが侵入してもボンディング
ワイヤやチップまで半田やフラックスが達することはな
い。このため、パッケージ内への半田の侵入を防止した
公知例としては、見当たらない。類似の技術思想とし
て、図１２ないし図１３に示すような、水分等の侵入を
防止するための技術があり、仮に、これらの公知例の技
術思想を小形で中空のパッケージ型の本願発明の電子部
品に適用した場合を以下に説明する。
全体を樹脂との密着性の高い金属、例えばニッケルでめ
っきすることが考えられるが、この方法では、半田やフ
ラックスの侵入については防止できるが、金より抵抗値
が高いので、高周波特性が低下し、またボンディング性
が低下し、ボンディングワイヤ６がリードフレーム４か
ら剥離しやすくなる。したがって、超高周波用デバイス
を搭載した電子部品には適用が困難である。また、従来
の樹脂封止型の半導体装置は、パッケージの外形が大き
いので、パッケージの外周部からチップまでの距離が長
く、また、チップ３の表面が樹脂で覆われているので、
外周部から半田やフラックスが侵入してもボンディング
ワイヤやチップまで半田やフラックスが達することはな
い。このため、パッケージ内への半田の侵入を防止した
公知例としては、見当たらない。類似の技術思想とし
て、図１２ないし図１３に示すような、水分等の侵入を
防止するための技術があり、仮に、これらの公知例の技
術思想を小形で中空のパッケージ型の本願発明の電子部
品に適用した場合を以下に説明する。
【０００９】例えば、図１２は特開平２−１４５５５号
公報あるいは特開昭６１−２３７４５８号公報に開示さ
れた第１の公知例を示すもので、（ａ）は電子部品の平
面図、（ｂ）はリードフレームの一部を拡大して示す断
面図である。同図において、符号２０で示すものは樹脂
封止型の電子部品であって、中央のチップ搭載パッド２
１上にチップ２２が搭載され、このチップ２２のボンデ
ィングパッドとリードフレーム２３のインナーリード２
４の先端部とがボンディングワイヤで結線される。そし
て、封止樹脂とリードフレーム２３との密着性の向上
と、リードフレーム２３の曲げ加工時における封止樹脂
の剥離を防止する目的から、リードフレーム２３の上下
面には複数条の溝２５が設けられている。このように溝
２５を設けることにより、樹脂との密着性が向上し耐剥
離性に優れるとともに、水の侵入経路が長くなり耐透湿
性に優れた電子部品を提供することができる。
公報あるいは特開昭６１−２３７４５８号公報に開示さ
れた第１の公知例を示すもので、（ａ）は電子部品の平
面図、（ｂ）はリードフレームの一部を拡大して示す断
面図である。同図において、符号２０で示すものは樹脂
封止型の電子部品であって、中央のチップ搭載パッド２
１上にチップ２２が搭載され、このチップ２２のボンデ
ィングパッドとリードフレーム２３のインナーリード２
４の先端部とがボンディングワイヤで結線される。そし
て、封止樹脂とリードフレーム２３との密着性の向上
と、リードフレーム２３の曲げ加工時における封止樹脂
の剥離を防止する目的から、リードフレーム２３の上下
面には複数条の溝２５が設けられている。このように溝
２５を設けることにより、樹脂との密着性が向上し耐剥
離性に優れるとともに、水の侵入経路が長くなり耐透湿
性に優れた電子部品を提供することができる。
【００１０】また、図１３は、特開平３−２８０４５６
号公報に開示された第２の公知例を示すものであって、
（ａ）は電子部品の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるXI
II(b)-XIII(b) 線断面図である。同図において、符号３
０で示す電子部品は、チップ３１を搭載するチップ搭載
パッド３２、インナーリード３３、アウターリード３４
からなるリードフレーム３５を備えている。リードフレ
ーム３５には、３種類の表面処理層、すなわち第１〜第
３表面処理層３７，３８，３９が形成されている。この
うち、第１表面処理層３７は、アウターリード３４の全
体およびダムバー３６より内側のインナーリード３３の
一部にニッケルめっきを施したものである。また、第３
表面処理層３９は、チップ搭載パッド３２およびインナ
ーリード３３の先端部のワイヤボンディングエリアに金
めっきを施したものである。さらに、第２表面処理層３
８は、第１表面処理層３７と第３表面処理層３９に挟ま
れたインナーリード３３の部位に錫めっきを施したもの
である。このように、第１表面処理層３７を設けたこと
により、第２表面処理層３８の拡散を防止できるととも
に、組立工程における高温処理過程で第１表面処理層３
７に酸化被膜が形成されることにより封止樹脂との密着
性が向上し、樹脂封止後に樹脂とリードフレームとの間
に水分や腐食性成分が侵入するのを防止できる。
号公報に開示された第２の公知例を示すものであって、
（ａ）は電子部品の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるXI
II(b)-XIII(b) 線断面図である。同図において、符号３
０で示す電子部品は、チップ３１を搭載するチップ搭載
パッド３２、インナーリード３３、アウターリード３４
からなるリードフレーム３５を備えている。リードフレ
ーム３５には、３種類の表面処理層、すなわち第１〜第
３表面処理層３７，３８，３９が形成されている。この
うち、第１表面処理層３７は、アウターリード３４の全
体およびダムバー３６より内側のインナーリード３３の
一部にニッケルめっきを施したものである。また、第３
表面処理層３９は、チップ搭載パッド３２およびインナ
ーリード３３の先端部のワイヤボンディングエリアに金
めっきを施したものである。さらに、第２表面処理層３
８は、第１表面処理層３７と第３表面処理層３９に挟ま
れたインナーリード３３の部位に錫めっきを施したもの
である。このように、第１表面処理層３７を設けたこと
により、第２表面処理層３８の拡散を防止できるととも
に、組立工程における高温処理過程で第１表面処理層３
７に酸化被膜が形成されることにより封止樹脂との密着
性が向上し、樹脂封止後に樹脂とリードフレームとの間
に水分や腐食性成分が侵入するのを防止できる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１の公知例のリードフレームを、仮に、図１０で説
明した構造を採用する本願発明の小形で中空パッケージ
型の電子部品に適用したときに、溝２５を土手部２６の
外周端まで設けると、リードの折り曲げ強度が低下し、
リードフレーム４の折り曲げ加工時にリードフレーム４
が破損するおそれがある。これを防止するためには、溝
２５の加工精度を考慮して溝２５を土手部２ｂの外周端
から少なくとも１ｍｍ以上パッケージの内側に設ける必
要がある。しかしながら、前述したように本願発明の電
子部品は外形が極めて小さく、土手部２ｂの幅は０．３
５ｍｍしかなく、このため第１の公知例に示す構造の溝
２５を有するリードフレームを本願発明の小形で中空パ
ッケージ型の電子部品に適用することはできない。
た第１の公知例のリードフレームを、仮に、図１０で説
明した構造を採用する本願発明の小形で中空パッケージ
型の電子部品に適用したときに、溝２５を土手部２６の
外周端まで設けると、リードの折り曲げ強度が低下し、
リードフレーム４の折り曲げ加工時にリードフレーム４
が破損するおそれがある。これを防止するためには、溝
２５の加工精度を考慮して溝２５を土手部２ｂの外周端
から少なくとも１ｍｍ以上パッケージの内側に設ける必
要がある。しかしながら、前述したように本願発明の電
子部品は外形が極めて小さく、土手部２ｂの幅は０．３
５ｍｍしかなく、このため第１の公知例に示す構造の溝
２５を有するリードフレームを本願発明の小形で中空パ
ッケージ型の電子部品に適用することはできない。
【００１２】また、第２の公知例には、本願発明の中空
パッケージにおいて課題となる土手部２ｂのせん断強度
や樹脂封止時におけるバリ取り性については何ら記載が
ない。すなわち、第２の公知例の部分めっきを本願発明
の小形の中空パッケージと同じタイプの図１０で説明し
た電子部品１９に適用したときに、樹脂との密着性が高
い第２表面処理層３８がインナーリード４ｂあるいはア
イランド５ａにまで拡がると、樹脂のバリ取りが低下
し、バリがアイランド５ａに残り、このためチップ３と
リードフレーム５との接着性が低下し、チップ３が剥が
れやすくなるとともに、チップ３とリードフレーム５と
の接触抵抗が大きくなり高周波特性が劣化する。同様
に、インナーリード４ｂの先端部のワイヤボンディング
部にバリが残ると、ボンディング強度が低下し、このた
め使用中にボンディングワイヤ６が外れ、電子部品が機
能しなくなる。逆に、第２表面処理層３８が狭く、樹脂
との密着性が低い金めっきが施された第３表面処理層３
９が土手部２ｂにまで及ぶと、土手部２ｂとリードフレ
ーム４，５との密着性が低下し、このため土手部２ｂの
せん断強度が低下する。このように、従来の樹脂封止型
の電子部品の耐剥離性や耐透湿性の技術あるいは部分め
っきの技術を本願電子部品に適用しようとしても、外形
が極めて小さい中空パッケージ特有の課題を解決するこ
とができないため、中空パッケージの機械的強度を低下
させたり、電子部品の高周波特性を悪化させてしまうた
め、適用できなかった。
パッケージにおいて課題となる土手部２ｂのせん断強度
や樹脂封止時におけるバリ取り性については何ら記載が
ない。すなわち、第２の公知例の部分めっきを本願発明
の小形の中空パッケージと同じタイプの図１０で説明し
た電子部品１９に適用したときに、樹脂との密着性が高
い第２表面処理層３８がインナーリード４ｂあるいはア
イランド５ａにまで拡がると、樹脂のバリ取りが低下
し、バリがアイランド５ａに残り、このためチップ３と
リードフレーム５との接着性が低下し、チップ３が剥が
れやすくなるとともに、チップ３とリードフレーム５と
の接触抵抗が大きくなり高周波特性が劣化する。同様
に、インナーリード４ｂの先端部のワイヤボンディング
部にバリが残ると、ボンディング強度が低下し、このた
め使用中にボンディングワイヤ６が外れ、電子部品が機
能しなくなる。逆に、第２表面処理層３８が狭く、樹脂
との密着性が低い金めっきが施された第３表面処理層３
９が土手部２ｂにまで及ぶと、土手部２ｂとリードフレ
ーム４，５との密着性が低下し、このため土手部２ｂの
せん断強度が低下する。このように、従来の樹脂封止型
の電子部品の耐剥離性や耐透湿性の技術あるいは部分め
っきの技術を本願電子部品に適用しようとしても、外形
が極めて小さい中空パッケージ特有の課題を解決するこ
とができないため、中空パッケージの機械的強度を低下
させたり、電子部品の高周波特性を悪化させてしまうた
め、適用できなかった。
【００１３】したがって、本発明は上記した従来の問題
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
小形中空パッケージの機械的強度あるいは高周波特性を
維持しつつ、回路基板に実装する際の半田やフラックス
の侵入を防止するとともに、チップの破壊を低減した電
子部品およびその製造方法を提供することにある。
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
小形中空パッケージの機械的強度あるいは高周波特性を
維持しつつ、回路基板に実装する際の半田やフラックス
の侵入を防止するとともに、チップの破壊を低減した電
子部品およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、第１の発明に係る電子部品は、一方の面にチップが
搭載されたリードフレームと、前記チップを囲むように
形成された枠状の土手部と、前記リードフレームの他方
の面に前記土手部とつながるように形成された基板部と
を備え、前記リードフレームの表面を、前記基板部およ
び土手部に接する第１の領域と、この第１の領域以外の
第２の領域との２つの領域に区分けし、前記第１の領域
には第２の領域と比べ樹脂との密着性が高い金属からな
る第１のめっきを施したものである。したがって、リー
ドフレームと基板部および土手部との密着性が向上する
ので、リードフレームとこれら部材との間に隙間が発生
することがなく、パッケージ内への半田やフラックスの
侵入が防止されるとともに、土手部のせん断強度の低下
が防止される。
に、第１の発明に係る電子部品は、一方の面にチップが
搭載されたリードフレームと、前記チップを囲むように
形成された枠状の土手部と、前記リードフレームの他方
の面に前記土手部とつながるように形成された基板部と
を備え、前記リードフレームの表面を、前記基板部およ
び土手部に接する第１の領域と、この第１の領域以外の
第２の領域との２つの領域に区分けし、前記第１の領域
には第２の領域と比べ樹脂との密着性が高い金属からな
る第１のめっきを施したものである。したがって、リー
ドフレームと基板部および土手部との密着性が向上する
ので、リードフレームとこれら部材との間に隙間が発生
することがなく、パッケージ内への半田やフラックスの
侵入が防止されるとともに、土手部のせん断強度の低下
が防止される。
【００１５】また、第２の発明に係る電子部品は、第１
の発明に係る電子部品おいて、第２の領域にはボンディ
ング性が良く、かつ第１の領域と比べ樹脂との密着性が
低い金属からなる第２のめっきを施したものである。し
たがって、チップを搭載する部位におけるバリ取りが確
実に行われる。
の発明に係る電子部品おいて、第２の領域にはボンディ
ング性が良く、かつ第１の領域と比べ樹脂との密着性が
低い金属からなる第２のめっきを施したものである。し
たがって、チップを搭載する部位におけるバリ取りが確
実に行われる。
【００１６】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、リードフレームの表面全体に第１のめっきを施す工
程と、第１の領域をマスクして第２のめっきを施す工程
と、基板部と土手部を形成してリードフレームを挟み込
む樹脂封止工程と、チップをリードフレームに搭載する
チップ搭載工程と、キャップを土手部に接合するキャッ
プ封止工程とを備えたものである。したがって、第１の
めっきはリードフレームの表面全体に施すので、めっき
作業が容易となり、第２のめっきは第１の領域にマスク
して行うので、各領域の境界の精度が高くなる。
は、リードフレームの表面全体に第１のめっきを施す工
程と、第１の領域をマスクして第２のめっきを施す工程
と、基板部と土手部を形成してリードフレームを挟み込
む樹脂封止工程と、チップをリードフレームに搭載する
チップ搭載工程と、キャップを土手部に接合するキャッ
プ封止工程とを備えたものである。したがって、第１の
めっきはリードフレームの表面全体に施すので、めっき
作業が容易となり、第２のめっきは第１の領域にマスク
して行うので、各領域の境界の精度が高くなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１（ａ）は本発明に係る電子部品
のキャップを取り外した状態を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるI(b)-I(b) 線断面図である。同図におい
て、図１０において説明した電子部品と同等もしくは同
一の構成については同一の符号を付し詳細な説明は省略
する。本発明の電子部品１の特徴とするところは、リー
ドフレーム４，５の表面を、上面においてベース２の土
手部２ｂと接する部位１３および下面においてベース２
の基板部２ａと接する部位１６を第１の領域とし、この
第１の領域以外の部位、すなわちインナーリード４ａの
先端部の上面、アウターリード４ｂ，５ｂの上、下面お
よびアイランド５ａの上面を第２の領域１８とするよう
に２つの領域に区分けする。そして、第１の領域には、
封止樹脂との密着性が高い金属であるニッケル１１によ
って第１のめっきを施し、第２の領域１８には、封止樹
脂との密着性が低い金属である金１２によって第２のめ
っきを施したものである。
基づいて説明する。図１（ａ）は本発明に係る電子部品
のキャップを取り外した状態を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるI(b)-I(b) 線断面図である。同図におい
て、図１０において説明した電子部品と同等もしくは同
一の構成については同一の符号を付し詳細な説明は省略
する。本発明の電子部品１の特徴とするところは、リー
ドフレーム４，５の表面を、上面においてベース２の土
手部２ｂと接する部位１３および下面においてベース２
の基板部２ａと接する部位１６を第１の領域とし、この
第１の領域以外の部位、すなわちインナーリード４ａの
先端部の上面、アウターリード４ｂ，５ｂの上、下面お
よびアイランド５ａの上面を第２の領域１８とするよう
に２つの領域に区分けする。そして、第１の領域には、
封止樹脂との密着性が高い金属であるニッケル１１によ
って第１のめっきを施し、第２の領域１８には、封止樹
脂との密着性が低い金属である金１２によって第２のめ
っきを施したものである。
【００１８】このような構成とすることにより、リード
フレーム４，５を樹脂で封止後、リードフレーム４，５
を折り曲げ加工してアウターリードを形成する際に、土
手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げる方向に大き
な力が作用しても、土手部２ｂとリードフレーム４，５
との密着性が高いため、土手部２ｂがリードフレーム
４，５から剥離することがなくリードフレーム４，５と
土手部２ｂとの間および基板部２ａとの間に隙間が発生
しない。このため、電子部品１を回路基板に実装する際
に、半田槽に浸して電気的接続を行っても、パッケージ
の内部に半田やフラックスが侵入することがないので、
ボンディングワイヤ６が溶断されたり、チップ３に半田
やフラックスが付着するようなこともない。
フレーム４，５を樹脂で封止後、リードフレーム４，５
を折り曲げ加工してアウターリードを形成する際に、土
手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げる方向に大き
な力が作用しても、土手部２ｂとリードフレーム４，５
との密着性が高いため、土手部２ｂがリードフレーム
４，５から剥離することがなくリードフレーム４，５と
土手部２ｂとの間および基板部２ａとの間に隙間が発生
しない。このため、電子部品１を回路基板に実装する際
に、半田槽に浸して電気的接続を行っても、パッケージ
の内部に半田やフラックスが侵入することがないので、
ボンディングワイヤ６が溶断されたり、チップ３に半田
やフラックスが付着するようなこともない。
【００１９】また、第２の領域１８を形成するインナー
リード４ａの先端部の上面およびアイランド５ａの上面
に封止樹脂との密着性が低い金属である金１２をめっき
したことにより、リードフレーム４，５を樹脂で封止
後、インナーリード４ａの先端部の上面およびアイラン
ド５ａの上面に付着した封止樹脂のバリを容易に除去す
ることができる。したがって、アイランド５ｂ上にチッ
プ３を密着よく搭載できるとともに、インナーリード４
ａとボンディングワイヤ６との接続不良が低減される。
リード４ａの先端部の上面およびアイランド５ａの上面
に封止樹脂との密着性が低い金属である金１２をめっき
したことにより、リードフレーム４，５を樹脂で封止
後、インナーリード４ａの先端部の上面およびアイラン
ド５ａの上面に付着した封止樹脂のバリを容易に除去す
ることができる。したがって、アイランド５ｂ上にチッ
プ３を密着よく搭載できるとともに、インナーリード４
ａとボンディングワイヤ６との接続不良が低減される。
【００２０】次に、図２ないし図４に基づいて、本発明
に係るリードフレーム４，５にめっきを施す方法を説明
する。図２は本発明に係る多連リードフレームのめっき
の工程を説明する図、図３（ａ）は図２（ｃ）における
III(a)部の拡大図、（ｂ）は（ａ）におけるIII(b)-III
(b) 線断面図、図４は図３（ａ）の裏面図である。ま
ず、図２（ａ）に示すように、金属板にプレス加工ある
いはエッチング加工を行うことにより多連リードフレー
ム１５を形成する。この多連リードフレーム１５には、
１個のチップを搭載して１個の電子部品を形成するため
の単位リードフレーム１７が複数行、複数列形成されて
いる。
に係るリードフレーム４，５にめっきを施す方法を説明
する。図２は本発明に係る多連リードフレームのめっき
の工程を説明する図、図３（ａ）は図２（ｃ）における
III(a)部の拡大図、（ｂ）は（ａ）におけるIII(b)-III
(b) 線断面図、図４は図３（ａ）の裏面図である。ま
ず、図２（ａ）に示すように、金属板にプレス加工ある
いはエッチング加工を行うことにより多連リードフレー
ム１５を形成する。この多連リードフレーム１５には、
１個のチップを搭載して１個の電子部品を形成するため
の単位リードフレーム１７が複数行、複数列形成されて
いる。
【００２１】次に、同図（ｂ）に示すように、多連リー
ドフレーム１５の表面全体に第１のめっきであるニッケ
ルめっき１１を施す。しかる後、リードフレーム４，５
の第１の領域、すなわち上面における土手部２ｂに接す
る部位１３および下面における基板部２ａと接する部位
１６にホトレジストあるいはシールでマスクし、残りの
部位、すなわち第２の領域１８に、同図（ｃ）に示すよ
うに、第２のめっきである金めっき１２を施す。このよ
うにしてめっきが施されたリードフレーム４，５の上面
側を図３（ａ）に示し、下面側を図４に示す。図３
（ａ）において、金めっき１２が施されていない、すな
わちニッケルめっきが露呈している部位１３の幅ｌは、
土手部２ｂの幅と同一もしくは樹脂封止用金型の位置合
わせ時の精度誤差分を考慮した長さに形成される。例え
ば、本実施例の場合には、土手部２ｂの幅を０．３５ｍ
ｍとし、精度誤差を±０．０５ｍｍとすることにより、
ｌを０．４５ｍｍとした。同様に、図４におけるニッケ
ルめっきが露呈している部位１６の幅Ｌは、基板部２ａ
の直径を２．０ｍｍとしたので、２．１ｍｍとした。こ
のように、第１の領域１３，１６と第２の領域１８とを
形成するのに、まずリードフレーム４，５の表面全体に
第１のめっきを施し、次に第１の領域１３，１６をマス
クして第２のめっきを施すようにしたので、２つの領域
に個別に部分めっきを施すよりも、めっきを施す際の位
置合わせが１回で済み、このため２つの領域を精度よ
く、かつ短時間の作業で行うことができる。
ドフレーム１５の表面全体に第１のめっきであるニッケ
ルめっき１１を施す。しかる後、リードフレーム４，５
の第１の領域、すなわち上面における土手部２ｂに接す
る部位１３および下面における基板部２ａと接する部位
１６にホトレジストあるいはシールでマスクし、残りの
部位、すなわち第２の領域１８に、同図（ｃ）に示すよ
うに、第２のめっきである金めっき１２を施す。このよ
うにしてめっきが施されたリードフレーム４，５の上面
側を図３（ａ）に示し、下面側を図４に示す。図３
（ａ）において、金めっき１２が施されていない、すな
わちニッケルめっきが露呈している部位１３の幅ｌは、
土手部２ｂの幅と同一もしくは樹脂封止用金型の位置合
わせ時の精度誤差分を考慮した長さに形成される。例え
ば、本実施例の場合には、土手部２ｂの幅を０．３５ｍ
ｍとし、精度誤差を±０．０５ｍｍとすることにより、
ｌを０．４５ｍｍとした。同様に、図４におけるニッケ
ルめっきが露呈している部位１６の幅Ｌは、基板部２ａ
の直径を２．０ｍｍとしたので、２．１ｍｍとした。こ
のように、第１の領域１３，１６と第２の領域１８とを
形成するのに、まずリードフレーム４，５の表面全体に
第１のめっきを施し、次に第１の領域１３，１６をマス
クして第２のめっきを施すようにしたので、２つの領域
に個別に部分めっきを施すよりも、めっきを施す際の位
置合わせが１回で済み、このため２つの領域を精度よ
く、かつ短時間の作業で行うことができる。
【００２２】次に、このように形成したリードフレーム
にチップを搭載して電子部品を製造する方法を図５ない
し図９に基づいて説明する。図５は上述した方法でリー
ドフレーム４，５にニッケルめっき１１と金めっき１２
とを施した状態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。このリードフレーム４，５を封止用金型（図
示せず）に装填し、金型内に樹脂を注入することによっ
て、図６に示すように、ベース２を成形して基板部２ａ
と土手部２ｂを形成し、これら基板部２ａと土手部２ｂ
とでリードフレーム４，５を挟み込む。基板部２ａは第
１の領域の一方の領域１６内に形成され、土手部２ｂは
第１の領域の他方の領域１３内に形成される。このと
き、基板部２ａおよび土手部２ｂを成形した以外の部
分、すなわち、リードフレーム４，５の第２の領域１８
である基板部２ａの上面の土手部２ｂの内側あるいは基
板部２ａと土手部２ｂの外側の部位にバリ２ｃが形成さ
れる。
にチップを搭載して電子部品を製造する方法を図５ない
し図９に基づいて説明する。図５は上述した方法でリー
ドフレーム４，５にニッケルめっき１１と金めっき１２
とを施した状態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。このリードフレーム４，５を封止用金型（図
示せず）に装填し、金型内に樹脂を注入することによっ
て、図６に示すように、ベース２を成形して基板部２ａ
と土手部２ｂを形成し、これら基板部２ａと土手部２ｂ
とでリードフレーム４，５を挟み込む。基板部２ａは第
１の領域の一方の領域１６内に形成され、土手部２ｂは
第１の領域の他方の領域１３内に形成される。このと
き、基板部２ａおよび土手部２ｂを成形した以外の部
分、すなわち、リードフレーム４，５の第２の領域１８
である基板部２ａの上面の土手部２ｂの内側あるいは基
板部２ａと土手部２ｂの外側の部位にバリ２ｃが形成さ
れる。
【００２３】次に、基板部２ａおよび土手部２ｂを成形
したリードフレーム４，５を電解溶液に浸漬し（図示せ
ず）、直流電圧を印加することにより、バリ２ｃをリー
ドフレーム４，５から遊離させる。そして、図７に示す
ように、噴射ノズル１７から研磨剤を混入した高圧の水
をバリ２ｃに噴射し、バリ取りを行う。このとき、バリ
２ｃが付着したリードフレーム４，５の第２の領域に
は、樹脂に対する密着性が低い金めっきが施されている
ので、バリ取りが確実に行われ、バリ２ｃが残存するよ
うなことはない。
したリードフレーム４，５を電解溶液に浸漬し（図示せ
ず）、直流電圧を印加することにより、バリ２ｃをリー
ドフレーム４，５から遊離させる。そして、図７に示す
ように、噴射ノズル１７から研磨剤を混入した高圧の水
をバリ２ｃに噴射し、バリ取りを行う。このとき、バリ
２ｃが付着したリードフレーム４，５の第２の領域に
は、樹脂に対する密着性が低い金めっきが施されている
ので、バリ取りが確実に行われ、バリ２ｃが残存するよ
うなことはない。
【００２４】図８において、リードフレーム５のアイラ
ンド５ａ上にチップ３を搭載し、このチップ３のボンデ
ィングパッドとリードフレーム４のインナーリード４ａ
の先端とをボンディングワイヤ６で結線する。このと
き、前述したように、アイランド５ａの上面にはバリ２
ｃが残存しないので、チップ３がアイランド５ａに密着
よく搭載され、このためチップ３がアイランド５ａから
剥離することがないとともに、接触抵抗が大きくなるこ
ともなく、したがって高周波特性が劣化することもな
い。また、インナーリード４ａの先端部の上面、すなわ
ちワイヤボンディング部にもバリ２ｃが残存してないの
で、ボンディング強度が低下することなく、このためボ
ンディングワイヤの圧着が確実に行われ、接続不良が発
生しない。
ンド５ａ上にチップ３を搭載し、このチップ３のボンデ
ィングパッドとリードフレーム４のインナーリード４ａ
の先端とをボンディングワイヤ６で結線する。このと
き、前述したように、アイランド５ａの上面にはバリ２
ｃが残存しないので、チップ３がアイランド５ａに密着
よく搭載され、このためチップ３がアイランド５ａから
剥離することがないとともに、接触抵抗が大きくなるこ
ともなく、したがって高周波特性が劣化することもな
い。また、インナーリード４ａの先端部の上面、すなわ
ちワイヤボンディング部にもバリ２ｃが残存してないの
で、ボンディング強度が低下することなく、このためボ
ンディングワイヤの圧着が確実に行われ、接続不良が発
生しない。
【００２５】図９において、キャップ８の下面を接着剤
９によって土手部２ｂの上面に接合させて中空パッケー
ジを形成してチップ３を封止する。封止後、リードフレ
ーム４，５を切断し、折り曲げ加工する。この折り曲げ
加工時に、土手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げ
る方向に大きな力が作用するが、リードフレーム４，５
の第１の領域、すなわち土手部２ｂに接するリードフレ
ーム４，５の表面には、樹脂との密着性が高いニッケル
めっきが施されているから、土手部２ｂとリードフレー
ム４，５との密着性が低下して、土手部２ｂとリードフ
レーム４，５とが部分的に剥離して隙間が発生すること
がない。
９によって土手部２ｂの上面に接合させて中空パッケー
ジを形成してチップ３を封止する。封止後、リードフレ
ーム４，５を切断し、折り曲げ加工する。この折り曲げ
加工時に、土手部２ｂの外周部に土手部２ｂを持ち上げ
る方向に大きな力が作用するが、リードフレーム４，５
の第１の領域、すなわち土手部２ｂに接するリードフレ
ーム４，５の表面には、樹脂との密着性が高いニッケル
めっきが施されているから、土手部２ｂとリードフレー
ム４，５との密着性が低下して、土手部２ｂとリードフ
レーム４，５とが部分的に剥離して隙間が発生すること
がない。
【００２６】したがって、この後、半導体装置１を回路
基板に実装するため半田槽に浸漬させたときに、パッケ
ージの内部に半田やフラックスが侵入することがなく、
このためボンディングワイヤ６が溶断してチップ３の機
能を停止させるようなことがなく、チップ３の表面に半
田やフラックスが付着して電気的特性を劣化させること
もない。表１はリードフレーム４，５の第１の領域に施
しためっきの種類と半田やフラックスがパッケージ内へ
侵入するために発生する不良率との関係を示す。この表
から判るように、ニッケルめっきを施した場合には、不
良率を大幅に低減できる。
基板に実装するため半田槽に浸漬させたときに、パッケ
ージの内部に半田やフラックスが侵入することがなく、
このためボンディングワイヤ６が溶断してチップ３の機
能を停止させるようなことがなく、チップ３の表面に半
田やフラックスが付着して電気的特性を劣化させること
もない。表１はリードフレーム４，５の第１の領域に施
しためっきの種類と半田やフラックスがパッケージ内へ
侵入するために発生する不良率との関係を示す。この表
から判るように、ニッケルめっきを施した場合には、不
良率を大幅に低減できる。
【００２７】また、土手部２ｂとリードフレーム４，５
との密着性がよいので、土手部２ｂのせん断強度を低下
させることがない。また、リードフレーム４，５に凹凸
を形成する必要がないので、リードフレーム４，５の折
り曲げ強度が低下するようなこともない。さらに、リー
ドフレーム４，５の形状を変える必要がないため、高周
波特性が劣化することもない。
との密着性がよいので、土手部２ｂのせん断強度を低下
させることがない。また、リードフレーム４，５に凹凸
を形成する必要がないので、リードフレーム４，５の折
り曲げ強度が低下するようなこともない。さらに、リー
ドフレーム４，５の形状を変える必要がないため、高周
波特性が劣化することもない。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【実施例】リードフレーム４，５の材質を銅または４２
合金とし、リードフレームの幅を０．５ｍｍ、厚さを
０．１２５ｍｍとした。半導体装置１のパッケージの外
径を２ｍｍとし、キャップ８の外径を１．９ｍｍとし
た。多連リードフレーム１５へ施す第１のめっきである
ニッケルめっきは、電解めっきによる方法で行い、めっ
き液の組成は、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよびホウ
酸の混合液とし、＋極電極にニッケル板を使用し、−極
電極に多連リードフレームに接続し、めっき厚が０．８
μｍとなるようにめっきした。第２のめっきである金め
っきは、電解めっきによる方法で行い、めっき液は、シ
アン化金カリウムの溶液とし、＋極電極に白金メッシュ
を使用し、−極電極に多連リードフレームを接続し、め
っき厚が０．８μｍとなるようにめっきした。
合金とし、リードフレームの幅を０．５ｍｍ、厚さを
０．１２５ｍｍとした。半導体装置１のパッケージの外
径を２ｍｍとし、キャップ８の外径を１．９ｍｍとし
た。多連リードフレーム１５へ施す第１のめっきである
ニッケルめっきは、電解めっきによる方法で行い、めっ
き液の組成は、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよびホウ
酸の混合液とし、＋極電極にニッケル板を使用し、−極
電極に多連リードフレームに接続し、めっき厚が０．８
μｍとなるようにめっきした。第２のめっきである金め
っきは、電解めっきによる方法で行い、めっき液は、シ
アン化金カリウムの溶液とし、＋極電極に白金メッシュ
を使用し、−極電極に多連リードフレームを接続し、め
っき厚が０．８μｍとなるようにめっきした。
【００３０】また、樹脂との密着性の試験方法として図
１４に示す方法で行い、せん断力の大きさによって、密
着性の高、低を判断した。すなわち、同図（ａ）におい
て、４０は引張りせん断冶具であって、中空部４０ａ
と、この中空部４０ａと外部とを連通するスリット状の
引き抜き口４０ｂと、この引き抜き口４０ｂの上部に形
成された当接部４０ｃと、引き抜き口４０ｂの反対側に
突設した突起４０ｄとが設けられている。４１はリード
フレームの素材で形成した平板であって、この平板４１
の表面上にめっき４２を施し、このめっき４２を介して
円錐状の樹脂４３を形成する。そして、樹脂４３を引張
りせん断冶具４０の中空部４０ａ内に収納させ、平板４
１の一端を引き抜き口４０ｂから外部に露呈させ、この
露呈部と突起４０ｄと反対方向に引張り、樹脂４３を当
接部４０ｃに当接させ、樹脂４３が平板４０から剥離し
たときのせん断力を測定した。表２はめっき４２のを種
類を変えた場合あるいはめっきを施さない場合のせん断
力を示したものである。この表２において、めっきを施
さない銅や４２合金自体の樹脂との密着性は一番高い
が、表１に示すように半田侵入不良率においては悪い。
これは、銅や４２合金自体は酸化されやすく、リードフ
レームを大気中に放置しておくと酸化膜で被覆され、こ
の酸化膜が樹脂との密着性を低下させ、不良率を悪化さ
せたと推定される。表１と表２との結果から、いわゆる
密着性の高い金属とは、せん断力が３０Ｋｇ／ｃｍ2以
上で、密着性の低い金属とは、せん断力が３０Ｋｇ／ｃ
ｍ2未満である。なお、測定に当たっての測定温度は室
温とし、引き抜きの速度は ２ｍｍ／secとした。また、
樹脂４３の寸法は、Ｄ＝１１．３ｍｍ、ｄ＝９．０ｍ
ｍ、Ｔ＝５．０ｍｍとし、平板４１との接着面積は１．
０ｃｍ2 とした。
１４に示す方法で行い、せん断力の大きさによって、密
着性の高、低を判断した。すなわち、同図（ａ）におい
て、４０は引張りせん断冶具であって、中空部４０ａ
と、この中空部４０ａと外部とを連通するスリット状の
引き抜き口４０ｂと、この引き抜き口４０ｂの上部に形
成された当接部４０ｃと、引き抜き口４０ｂの反対側に
突設した突起４０ｄとが設けられている。４１はリード
フレームの素材で形成した平板であって、この平板４１
の表面上にめっき４２を施し、このめっき４２を介して
円錐状の樹脂４３を形成する。そして、樹脂４３を引張
りせん断冶具４０の中空部４０ａ内に収納させ、平板４
１の一端を引き抜き口４０ｂから外部に露呈させ、この
露呈部と突起４０ｄと反対方向に引張り、樹脂４３を当
接部４０ｃに当接させ、樹脂４３が平板４０から剥離し
たときのせん断力を測定した。表２はめっき４２のを種
類を変えた場合あるいはめっきを施さない場合のせん断
力を示したものである。この表２において、めっきを施
さない銅や４２合金自体の樹脂との密着性は一番高い
が、表１に示すように半田侵入不良率においては悪い。
これは、銅や４２合金自体は酸化されやすく、リードフ
レームを大気中に放置しておくと酸化膜で被覆され、こ
の酸化膜が樹脂との密着性を低下させ、不良率を悪化さ
せたと推定される。表１と表２との結果から、いわゆる
密着性の高い金属とは、せん断力が３０Ｋｇ／ｃｍ2以
上で、密着性の低い金属とは、せん断力が３０Ｋｇ／ｃ
ｍ2未満である。なお、測定に当たっての測定温度は室
温とし、引き抜きの速度は ２ｍｍ／secとした。また、
樹脂４３の寸法は、Ｄ＝１１．３ｍｍ、ｄ＝９．０ｍ
ｍ、Ｔ＝５．０ｍｍとし、平板４１との接着面積は１．
０ｃｍ2 とした。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に係る
電子部品によれば、第１の領域に、第２の領域と比べ樹
脂との密着性が高い金属によるめっきを施したことによ
り、土手部とリードフレームとの間およびリードフレー
ムと基板との間の密着性が良好となり、土手部とリード
フレームとの間およびリードフレームと基板部との間に
隙間が発生することがない。したがって、電子部品を回
路基板に実装するときに半田槽に浸漬させた際に、パッ
ケージの内部に半田やフラックスが侵入することがな
く、このためボンディングワイヤを溶断したり、チップ
の表面に付着してチップの機能を停止させるようなこと
もない。また、土手部とリードフレームとの密着性がよ
いので、土手部のせん断強度を低下させることもない。
また、リードフレームに凹凸を形成する必要がないの
で、リードフレームの折り曲げ強度が低下するようなこ
とはない。さらに、リードフレームの形状を変える必要
がないため、高周波特性が劣化することもない。
電子部品によれば、第１の領域に、第２の領域と比べ樹
脂との密着性が高い金属によるめっきを施したことによ
り、土手部とリードフレームとの間およびリードフレー
ムと基板との間の密着性が良好となり、土手部とリード
フレームとの間およびリードフレームと基板部との間に
隙間が発生することがない。したがって、電子部品を回
路基板に実装するときに半田槽に浸漬させた際に、パッ
ケージの内部に半田やフラックスが侵入することがな
く、このためボンディングワイヤを溶断したり、チップ
の表面に付着してチップの機能を停止させるようなこと
もない。また、土手部とリードフレームとの密着性がよ
いので、土手部のせん断強度を低下させることもない。
また、リードフレームに凹凸を形成する必要がないの
で、リードフレームの折り曲げ強度が低下するようなこ
とはない。さらに、リードフレームの形状を変える必要
がないため、高周波特性が劣化することもない。
【００３３】また、第２の発明に係る電子部品によれ
ば、第２の領域に、第１の領域と比べ樹脂との密着性が
低い金属によってめっきを施したことにより、チップを
搭載する部位にバリが残存しないので、チップが密着よ
く搭載され、このためチップが剥離することがないとと
もに、接触抵抗が大きくなることもなく、したがって高
周波特性が劣化することもない。また、インナーリード
のワイヤボンディング部にバリが残存しないので、ボン
ディング強度が低下することなく、このためボンディン
グワイヤの結線が確実に行われ、接続不良が発生しな
い。
ば、第２の領域に、第１の領域と比べ樹脂との密着性が
低い金属によってめっきを施したことにより、チップを
搭載する部位にバリが残存しないので、チップが密着よ
く搭載され、このためチップが剥離することがないとと
もに、接触抵抗が大きくなることもなく、したがって高
周波特性が劣化することもない。また、インナーリード
のワイヤボンディング部にバリが残存しないので、ボン
ディング強度が低下することなく、このためボンディン
グワイヤの結線が確実に行われ、接続不良が発生しな
い。
【００３４】また、本発明に係る電子部品の製造方法に
よれば、第１の領域と第２の領域とを形成するのに、ま
ずリードフレームの表面全体に第１のめっきを施し、次
に第１の領域をマスクして第２のめっきを施すようにし
たので、２つの領域に個別に部分めっきを施すよりも、
めっきを施す際の位置合わせが１回で済み、このため２
つの領域を精度よく、かつ短時間で行うことができる。
よれば、第１の領域と第２の領域とを形成するのに、ま
ずリードフレームの表面全体に第１のめっきを施し、次
に第１の領域をマスクして第２のめっきを施すようにし
たので、２つの領域に個別に部分めっきを施すよりも、
めっきを施す際の位置合わせが１回で済み、このため２
つの領域を精度よく、かつ短時間で行うことができる。
【図１】 （ａ）は本発明に係る電子部品のキャップを
取り外した状態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるI(b)
-I(b) である。
取り外した状態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるI(b)
-I(b) である。
【図２】 本発明に係る電子部品のリードフレームを製
造する方法を説明する図で、（ａ）は金属板から多連リ
ードフレームを形成した状態を示し、（ｂ）は多連リー
ドフレームに第１のめっきを施した状態を示し、（ｃ）
は第２の鍍金を施した状態を示す。
造する方法を説明する図で、（ａ）は金属板から多連リ
ードフレームを形成した状態を示し、（ｂ）は多連リー
ドフレームに第１のめっきを施した状態を示し、（ｃ）
は第２の鍍金を施した状態を示す。
【図３】 （ａ）は本発明に係るリードフレームを拡大
して示す平面図、（ｂ）は（ａ）における1II(b)-III
(b) 線断面図である。
して示す平面図、（ｂ）は（ａ）における1II(b)-III
(b) 線断面図である。
【図４】 本発明に係るリードフレームを拡大して示す
底面図である。
底面図である。
【図５】 （ａ）は本発明に係るリードフレームの平面
図、（ｂ）は断面図である。
図、（ｂ）は断面図である。
【図６】 本発明に係る電子部品の樹脂封止工程を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】 本発明に係る電子部品の樹脂のバリ取り工程
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】 本発明に係る電子部品のチップの搭載とワイ
ヤボンディング工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。
ヤボンディング工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。
【図９】 本発明に係る電子部品のキャップ封止工程を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１０】 （ａ）は従来の電子部品のキャップを取り
外した状態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるX(b)-X
(b) である。
外した状態の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるX(b)-X
(b) である。
【図１１】 図１０（ｂ）の要部を拡大した断面図であ
る。
る。
【図１２】 （ａ）はリードフレームの第１の公知例を
示す平面図、（ｂ）は要部を拡大して示す断面図であ
る。
示す平面図、（ｂ）は要部を拡大して示す断面図であ
る。
【図１３】 リードフレームの第２の公知例を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるXIII(b)-XIII(b) である。
図、（ｂ）は（ａ）におけるXIII(b)-XIII(b) である。
【図１４】 （ａ）は密着性の評価試験の方法を示す概
略の断面図、（ｂ）は試験物の外観と外形寸法を示す図
である。
略の断面図、（ｂ）は試験物の外観と外形寸法を示す図
である。
１…電子部品、２…ベース、２ａ…基板部、２ｂ…土手
部、２ｃ…バリ、３…チップ、４，５…リードフレー
ム、４ａ…インナーリード、４ｂ，５ｂ…アウターリー
ド、５ａ…アイランド兼インナーリード、６…ボンディ
ングワイヤ、８…キャップ、１１…ニッケルめっき、１
２…金めっき、１３，１６…第１の領域、１５…多連リ
ードフレーム、１７…単位リードフレーム、１８…第２
の領域。
部、２ｃ…バリ、３…チップ、４，５…リードフレー
ム、４ａ…インナーリード、４ｂ，５ｂ…アウターリー
ド、５ａ…アイランド兼インナーリード、６…ボンディ
ングワイヤ、８…キャップ、１１…ニッケルめっき、１
２…金めっき、１３，１６…第１の領域、１５…多連リ
ードフレーム、１７…単位リードフレーム、１８…第２
の領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 卓 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 木村 伴昭 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 一方の面にチップが搭載されたリードフ
レームと、前記チップを囲むように形成された枠状の土
手部と、前記リードフレームの他方の面に前記土手部と
つながるように形成された基板部とを備え、前記リード
フレームの表面を、前記基板部および土手部に接する第
１の領域と、この第１の領域以外の第２の領域との２つ
の領域に区分けし、前記第１の領域には第２の領域と比
べ樹脂との密着性が高い金属からなる第１のめっきを施
したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子部品において、第２
の領域にはボンディング性が良く、かつ第１の領域と比
べ樹脂との密着性が低い金属からなる第２のめっきを施
したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子部品において、第１
の領域のうち土手部に接する部位の領域を、土手部がリ
ードフレームと接する面と略同一としたことを特徴とす
る電子部品。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載の電子部品のいず
れかにおいて、第１の領域にニッケルめっきを施し、第
２の領域にニッケルめっきの上に金めっきを施したこと
を特徴とする電子部品。 - 【請求項５】 請求項１記載の電子部品の製造方法であ
って、リードフレームの表面全体に第１のめっきを施す
工程と、第１の領域をマスクして第２のめっきを施す工
程と、基板部と土手部を形成してリードフレームを挟み
込む樹脂封止工程と、バリ取り工程と、チップをリード
フレームに搭載するチップ搭載工程とを備えたことを特
徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の電子部品の製造方法にお
いて、第１のめっきをニッケルめっきとし、第２のめっ
きを金めっきとしたことを特徴とする電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32857196A JP2933038B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 中空パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32857196A JP2933038B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 中空パッケージおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173117A true JPH10173117A (ja) | 1998-06-26 |
| JP2933038B2 JP2933038B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=18211769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32857196A Expired - Fee Related JP2933038B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 中空パッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933038B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133845A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6815808B2 (en) | 2000-10-10 | 2004-11-09 | Sanyo Electric, Co., Ltd. | Hollow airtight semiconductor device package |
| US6838765B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1480270A3 (en) * | 2003-05-22 | 2005-07-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Packaging component and semiconductor package |
| JP2010232243A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2020115830A1 (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びアンテナ装置 |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP32857196A patent/JP2933038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133845A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6815808B2 (en) | 2000-10-10 | 2004-11-09 | Sanyo Electric, Co., Ltd. | Hollow airtight semiconductor device package |
| US6838765B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1480270A3 (en) * | 2003-05-22 | 2005-07-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Packaging component and semiconductor package |
| US7190057B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-03-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Packaging component and semiconductor package |
| JP2010232243A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2020115830A1 (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びアンテナ装置 |
| JPWO2020115830A1 (ja) * | 2018-12-05 | 2021-09-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びアンテナ装置 |
| US11393778B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-07-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and antenna device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2933038B2 (ja) | 1999-08-09 |
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