JP2003347494A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止前に裏面への高価なテープの貼り付
けを省略でき、しかも封止樹脂の剥離を生じることがな
く、さらには半田による一括リフローのフリップチップ
ボンディングを可能とすること。 【解決手段】 半導体素子を搭載して樹脂封止するタイ
プの樹脂封止型半導体パッケージに用いられるリードフ
レームであって、半導体素子を搭載する主面側に絶縁性
樹脂積層部を配設するとともに、半導体素子搭載部及び
リード５のワイヤー接続部分に絶縁性樹脂８の開口部を
設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性樹脂８を略埋
め込み配設した構成とする。
けを省略でき、しかも封止樹脂の剥離を生じることがな
く、さらには半田による一括リフローのフリップチップ
ボンディングを可能とすること。 【解決手段】 半導体素子を搭載して樹脂封止するタイ
プの樹脂封止型半導体パッケージに用いられるリードフ
レームであって、半導体素子を搭載する主面側に絶縁性
樹脂積層部を配設するとともに、半導体素子搭載部及び
リード５のワイヤー接続部分に絶縁性樹脂８の開口部を
設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性樹脂８を略埋
め込み配設した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
を構成するリードフレームの技術分野に属し、詳しく
は、半導体素子を搭載して樹脂封止するタイプの樹脂封
止型半導体パッケージに用いられるリードフレームに関
するものである。
を構成するリードフレームの技術分野に属し、詳しく
は、半導体素子を搭載して樹脂封止するタイプの樹脂封
止型半導体パッケージに用いられるリードフレームに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
に実装される半導体パッケージの小型化・薄型化が要求
されている。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減
とパッケージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆ
るＣＳＰ（Chip Size Package)の普及が急速に進んでい
る。特に、リードフレームを用いた薄型の半導体パッケ
ージの開発においては、リードフレームに半導体素子を
搭載し、その搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止
タイプの半導体パッケージが開発されている。
に実装される半導体パッケージの小型化・薄型化が要求
されている。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減
とパッケージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆ
るＣＳＰ（Chip Size Package)の普及が急速に進んでい
る。特に、リードフレームを用いた薄型の半導体パッケ
ージの開発においては、リードフレームに半導体素子を
搭載し、その搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止
タイプの半導体パッケージが開発されている。
【０００３】図１は従来の半導体パッケージの一つであ
るＱＦＮ（Quad Flatpack Non-leaded package) の一例
を示す断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示
す平面図である。これらの図に示される半導体パッケー
ジは、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダ
イパッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素
子４の上面の電極とリードフレーム１のリード５とを電
気的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダ
イパッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封
止した封止樹脂７とを備えている。この半導体パッケー
ジは、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イン
ナーリードとアウターリードの両者がリード５として一
体となったノンリードタイプである。また、用いられて
いるリードフレーム１は、ダイパッド３がリード５より
上方に位置するように、吊りリード２がアップセット処
理されている。このようにダイパッド３は段差を有して
いるので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在さ
せることができる。
るＱＦＮ（Quad Flatpack Non-leaded package) の一例
を示す断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示
す平面図である。これらの図に示される半導体パッケー
ジは、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダ
イパッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素
子４の上面の電極とリードフレーム１のリード５とを電
気的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダ
イパッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封
止した封止樹脂７とを備えている。この半導体パッケー
ジは、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イン
ナーリードとアウターリードの両者がリード５として一
体となったノンリードタイプである。また、用いられて
いるリードフレーム１は、ダイパッド３がリード５より
上方に位置するように、吊りリード２がアップセット処
理されている。このようにダイパッド３は段差を有して
いるので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在さ
せることができる。
【０００４】上記のようなノンリードタイプの薄型半導
体パッケージ（ＱＦＮ）は、半導体素子のサイズが小型
であるため、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して
製造するマトリックスタイプが主流である。そして、最
近では、コストダウンの要求から、図３に示すような個
別にモールドするタイプから、図４に示すような一括し
てモールドするタイプへ移行しつつある。
体パッケージ（ＱＦＮ）は、半導体素子のサイズが小型
であるため、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して
製造するマトリックスタイプが主流である。そして、最
近では、コストダウンの要求から、図３に示すような個
別にモールドするタイプから、図４に示すような一括し
てモールドするタイプへ移行しつつある。
【０００５】個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体パッケージＳを得るものである。すなわち、
半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイ
パッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した
後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、金型
により個々の半導体パッケージとして打ち抜くのであ
る。
ように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に
示す半導体パッケージＳを得るものである。すなわち、
半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイ
パッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した
後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、金型
により個々の半導体パッケージとして打ち抜くのであ
る。
【０００６】一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示す
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体パッケージＳを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数
個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズ
で一括モールドしてから、ダイシングにより個片化する
のである。
ように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬの
ところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半
導体パッケージＳを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数
個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズ
で一括モールドしてから、ダイシングにより個片化する
のである。
【０００７】そして、最近では、通信機器に欠かせない
高周波タイプの半導体素子についても上記のような半導
体パッケージが採用されており、このように搭載する半
導体素子が高集積化したものになると、発熱が問題とな
ることから、ダイパッド露出型の半導体パッケージの開
発が盛んとなっている。
高周波タイプの半導体素子についても上記のような半導
体パッケージが採用されており、このように搭載する半
導体素子が高集積化したものになると、発熱が問題とな
ることから、ダイパッド露出型の半導体パッケージの開
発が盛んとなっている。
【０００８】また、搭載する半導体素子が高周波タイプ
になるのに対応して、半導体パッケージの電気特性も厳
しい条件が要求されるようになり、現在では半導体素子
とリードフレームの接合をワイヤーボンディング方式か
らフリップチップボンディング方式へ転換する傾向にな
っている。高周波タイプの半導体素子は、その特性上、
材料が硬いＳｉから軟らかい化合物半導体へと移行しつ
つあるところ、現在はセラミック等の高価な基板にて実
装されているが、上記したような安価な半導体パッケー
ジへの変更が検討されている。
になるのに対応して、半導体パッケージの電気特性も厳
しい条件が要求されるようになり、現在では半導体素子
とリードフレームの接合をワイヤーボンディング方式か
らフリップチップボンディング方式へ転換する傾向にな
っている。高周波タイプの半導体素子は、その特性上、
材料が硬いＳｉから軟らかい化合物半導体へと移行しつ
つあるところ、現在はセラミック等の高価な基板にて実
装されているが、上記したような安価な半導体パッケー
ジへの変更が検討されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したノンリードタ
イプの半導体パッケージは、その製造工程での樹脂封止
時においてリードに薄バリが発生するのを防止するた
め、リードフレームの裏面に予めテープを貼り付けてお
く必要がある。また、半導体パッケージの製造には熱を
伴う工程があり、テープには耐熱性が要求される。とこ
ろが、この時に使用するテープは価格が高いという問題
がある。また、テープからのコンタミネーションにより
ワイヤーボンディングを阻害すると言う問題点や封止樹
脂の密着性が低下する問題点もあった。さらに、テープ
の貼り剥がしの際の応力が、半導体パッケージ内の層間
剥離を発生させたり、剥がしの際の静電気によりチップ
が静電破壊される問題点もあった。
イプの半導体パッケージは、その製造工程での樹脂封止
時においてリードに薄バリが発生するのを防止するた
め、リードフレームの裏面に予めテープを貼り付けてお
く必要がある。また、半導体パッケージの製造には熱を
伴う工程があり、テープには耐熱性が要求される。とこ
ろが、この時に使用するテープは価格が高いという問題
がある。また、テープからのコンタミネーションにより
ワイヤーボンディングを阻害すると言う問題点や封止樹
脂の密着性が低下する問題点もあった。さらに、テープ
の貼り剥がしの際の応力が、半導体パッケージ内の層間
剥離を発生させたり、剥がしの際の静電気によりチップ
が静電破壊される問題点もあった。
【００１０】また、ダイパッド露出型の半導体パッケー
ジでは、樹脂とリードフレームの熱膨張係数の違いか
ら、樹脂とリードフレームの界面から剥離が発生すると
いう問題点がある。
ジでは、樹脂とリードフレームの熱膨張係数の違いか
ら、樹脂とリードフレームの界面から剥離が発生すると
いう問題点がある。
【００１１】一方、材料に化合物半導体を用いた半導体
素子は、その軟らかさから、フリップチップボンディン
グのような熱圧力のかかる方法を用いると壊れる恐れが
あり、また生産性を向上させる観点からも半田接合によ
る一括リフロー接合の要求が高いが、通常のＱＦＮでは
半田接合を行うと、リフロー後に溶融した半田がリード
間に流れ込み、ひどいときには端子面にまで回り込み、
信頼性を阻害するという問題点があった。
素子は、その軟らかさから、フリップチップボンディン
グのような熱圧力のかかる方法を用いると壊れる恐れが
あり、また生産性を向上させる観点からも半田接合によ
る一括リフロー接合の要求が高いが、通常のＱＦＮでは
半田接合を行うと、リフロー後に溶融した半田がリード
間に流れ込み、ひどいときには端子面にまで回り込み、
信頼性を阻害するという問題点があった。
【００１２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、樹脂封止前に
裏面への高価なテープの貼り付けを省略でき、しかも封
止樹脂の剥離を生じることがなく、さらには半田による
一括リフローのフリップチップボンディングを可能とし
たリードフレームを提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、樹脂封止前に
裏面への高価なテープの貼り付けを省略でき、しかも封
止樹脂の剥離を生じることがなく、さらには半田による
一括リフローのフリップチップボンディングを可能とし
たリードフレームを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のリードフレームは、半導体素子を搭載して
樹脂封止するタイプの樹脂封止型半導体パッケージに用
いられるリードフレームであって、半導体素子を搭載す
る主面側に絶縁性樹脂積層部を配設するとともに、半導
体素子搭載部及びリードのワイヤー接続部分に絶縁性樹
脂の開口部を設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性
樹脂を略埋め込み配設したことを特徴としている。
め、本発明のリードフレームは、半導体素子を搭載して
樹脂封止するタイプの樹脂封止型半導体パッケージに用
いられるリードフレームであって、半導体素子を搭載す
る主面側に絶縁性樹脂積層部を配設するとともに、半導
体素子搭載部及びリードのワイヤー接続部分に絶縁性樹
脂の開口部を設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性
樹脂を略埋め込み配設したことを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１５】図５は本発明に係るリードフレームの一例
を示す平面図、図６は図５に示すリードフレームにおけ
るＡ−Ａ断面とＢ−Ｂ断面の一部拡大図である。
を示す平面図、図６は図５に示すリードフレームにおけ
るＡ−Ａ断面とＢ−Ｂ断面の一部拡大図である。
【００１６】図示のように、リードフレーム１は、周辺
部からの４本の吊りリード２でダイパッド３を支持し、
そのダイパッド３に向けて周囲４辺からそれぞれ４本ず
つリード５が突き出た状態になっており、半導体素子を
搭載する主面側に薄い積層部を形成した状態でリード５
の側面間に絶縁性樹脂８が埋め込まれている。そして、
半導体素子の電極とのワイヤー接続部分となる各リード
５の先端付近のところで、絶縁性樹脂８の薄い積層部に
開口が形成され、その開口した部位（図のハッチング部
分）にワイヤーボンディング用のめっき９が施されてい
る。さらに、半導体素子の搭載場所となるダイパッドの
ところで、絶縁性樹脂８の薄い積層部に開口部が形成さ
れており、この開口部（図のハッチング部分）には必要
に応じてダイボンディング用のめっき１０が施されてい
る。
部からの４本の吊りリード２でダイパッド３を支持し、
そのダイパッド３に向けて周囲４辺からそれぞれ４本ず
つリード５が突き出た状態になっており、半導体素子を
搭載する主面側に薄い積層部を形成した状態でリード５
の側面間に絶縁性樹脂８が埋め込まれている。そして、
半導体素子の電極とのワイヤー接続部分となる各リード
５の先端付近のところで、絶縁性樹脂８の薄い積層部に
開口が形成され、その開口した部位（図のハッチング部
分）にワイヤーボンディング用のめっき９が施されてい
る。さらに、半導体素子の搭載場所となるダイパッドの
ところで、絶縁性樹脂８の薄い積層部に開口部が形成さ
れており、この開口部（図のハッチング部分）には必要
に応じてダイボンディング用のめっき１０が施されてい
る。
【００１７】図５のリードフレーム１において、主面側
に配設される絶縁性樹脂積層部の塗布乾燥後の厚さは、
少なくとも５〜５０μｍであることが好ましい。また、
リードフレーム１の反り改善の観点からすると、半導体
素子を搭載する主面側とは反対の裏面側に、さらに所定
の開口部を有する絶縁性樹脂積層部を配設することが好
ましい。
に配設される絶縁性樹脂積層部の塗布乾燥後の厚さは、
少なくとも５〜５０μｍであることが好ましい。また、
リードフレーム１の反り改善の観点からすると、半導体
素子を搭載する主面側とは反対の裏面側に、さらに所定
の開口部を有する絶縁性樹脂積層部を配設することが好
ましい。
【００１８】そして、リードフレーム１の基材は、熱膨
張係数の違いによる信頼性向上の観点から、絶縁性樹脂
とは相性の悪い銅材を使用することとし、材質が重量９
０％以上の銅を主体とした銅合金を用いることが好まし
い。
張係数の違いによる信頼性向上の観点から、絶縁性樹脂
とは相性の悪い銅材を使用することとし、材質が重量９
０％以上の銅を主体とした銅合金を用いることが好まし
い。
【００１９】絶縁性樹脂としては、アクリル樹脂及びポ
リマーアロイ樹脂系のソルダーレジストを使用するのが
好適である。このソルダーレジストは弾性率が５×１０
-9Ｐａ程度であり、線膨張係数はＴｇ前後においてα1
＝５７ｐｐｍ／℃、α2 ＝１４１ｐｐｍ／℃である。具
体的な製品としては、太陽インキ製造株式会社製「ＰＦ
Ｒ−８００ ＡＵＳ４０２」が挙げられる。
リマーアロイ樹脂系のソルダーレジストを使用するのが
好適である。このソルダーレジストは弾性率が５×１０
-9Ｐａ程度であり、線膨張係数はＴｇ前後においてα1
＝５７ｐｐｍ／℃、α2 ＝１４１ｐｐｍ／℃である。具
体的な製品としては、太陽インキ製造株式会社製「ＰＦ
Ｒ−８００ ＡＵＳ４０２」が挙げられる。
【００２０】図５に示すリードフレーム１を製造するに
は、まず、薄板状の金属材料からリードフレームの基材
を製作する。すなわち、リードフレームのパターンがマ
トリックス状に複数個並んだ状態の基材を薄板状金属材
料から製作する。そして、このリードフレームの基材の
少なくとも主面側に、所定の開口部を複数有する絶縁性
樹脂積層部を同時あるいは別工程にて形成する工程と、
リード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を略埋め込む工程と
を行う。
は、まず、薄板状の金属材料からリードフレームの基材
を製作する。すなわち、リードフレームのパターンがマ
トリックス状に複数個並んだ状態の基材を薄板状金属材
料から製作する。そして、このリードフレームの基材の
少なくとも主面側に、所定の開口部を複数有する絶縁性
樹脂積層部を同時あるいは別工程にて形成する工程と、
リード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を略埋め込む工程と
を行う。
【００２１】具体的には、リードフレームの基材の裏面
側に漏れ防止用の剥離性部材を設置した後に、リードフ
レームの基材の全面に液状絶縁性樹脂を塗布することに
より、主面側の絶縁性樹脂積層部の形成とリード側面間
の間隙部への埋め込みを同時に行い、絶縁性樹脂の乾燥
及び剥離性部材の取外し後に、絶縁性樹脂積層部に所定
の開口部を設ける。
側に漏れ防止用の剥離性部材を設置した後に、リードフ
レームの基材の全面に液状絶縁性樹脂を塗布することに
より、主面側の絶縁性樹脂積層部の形成とリード側面間
の間隙部への埋め込みを同時に行い、絶縁性樹脂の乾燥
及び剥離性部材の取外し後に、絶縁性樹脂積層部に所定
の開口部を設ける。
【００２２】或いは、所定厚さのフィルム状樹脂をリー
ドフレームの基材の主面側に位置合わせした後、リード
フレームの基材の主面側及び各リード側面間の間隙部
に、熱圧接及び加圧圧入することにより、絶縁性樹脂積
層部と埋め込み部を同時形成し、その後に絶縁性樹脂積
層部に所定の開口部を設ける。
ドフレームの基材の主面側に位置合わせした後、リード
フレームの基材の主面側及び各リード側面間の間隙部
に、熱圧接及び加圧圧入することにより、絶縁性樹脂積
層部と埋め込み部を同時形成し、その後に絶縁性樹脂積
層部に所定の開口部を設ける。
【００２３】通常、リードフレームの基材は、表裏両面
から片面ずつハーフエッチングしてパターニングするの
で、側面は図６のように尖鋭形状を持つ断面形状にな
る。そして、この空間に埋め込まれた絶縁性樹脂８は側
面がリードフレーム１に食い込んだ状態となる。なお、
図６ではリードフレーム１の板厚の全体に渡って絶縁性
樹脂８が埋め込まれているが、表面側から少なくとも板
厚の１／３程度以上の深さで埋め込まれていればよい。
から片面ずつハーフエッチングしてパターニングするの
で、側面は図６のように尖鋭形状を持つ断面形状にな
る。そして、この空間に埋め込まれた絶縁性樹脂８は側
面がリードフレーム１に食い込んだ状態となる。なお、
図６ではリードフレーム１の板厚の全体に渡って絶縁性
樹脂８が埋め込まれているが、表面側から少なくとも板
厚の１／３程度以上の深さで埋め込まれていればよい。
【００２４】主面側の絶縁性樹脂８の積層部に設ける開
口はフォトリソグラフィー法で形成する。具体的には、
所定のマスクを介しての露光とそれに続く現像によりリ
ード５及びダイパッド３の所定位置にて絶縁性樹脂８に
開口をパターニングする。そして、その開口により露出
した下の金属部分に銀、金、Ｐｄ等のボンディングに必
要なめっきを施すのである。
口はフォトリソグラフィー法で形成する。具体的には、
所定のマスクを介しての露光とそれに続く現像によりリ
ード５及びダイパッド３の所定位置にて絶縁性樹脂８に
開口をパターニングする。そして、その開口により露出
した下の金属部分に銀、金、Ｐｄ等のボンディングに必
要なめっきを施すのである。
【００２５】このリードフレーム１を用いて半導体パッ
ケージを製造する手順は次のようである。まず、ダイパ
ッド３の上に銀ペーストにより半導体素子を搭載し、リ
ード５に施しためっき９のところと半導体素子の上面の
電極との間にワイヤーボンディングを実施した後、モー
ルド型にセットして個別にモールドしてから、金型によ
り個々の半導体パッケージに打ち抜く。このモールド時
において、リード５間に絶縁性樹脂８が埋め込まれてい
るので、従来のようにリードフレームの裏面にテープを
貼り付けなくても、封止樹脂が裏側に回り込むことがな
い。
ケージを製造する手順は次のようである。まず、ダイパ
ッド３の上に銀ペーストにより半導体素子を搭載し、リ
ード５に施しためっき９のところと半導体素子の上面の
電極との間にワイヤーボンディングを実施した後、モー
ルド型にセットして個別にモールドしてから、金型によ
り個々の半導体パッケージに打ち抜く。このモールド時
において、リード５間に絶縁性樹脂８が埋め込まれてい
るので、従来のようにリードフレームの裏面にテープを
貼り付けなくても、封止樹脂が裏側に回り込むことがな
い。
【００２６】このようにして製造された半導体パッケー
ジの断面図を図７に示す。この半導体パッケージは、図
示のように、リードフレーム１のダイパッド３上に搭載
された半導体素子４の電極とリードフレームのリード５
に施しためっき９のところとが金属細線６により電気的
に接合されており、リードフレーム１のリード５間に絶
縁性樹脂８が埋め込まれ、かつリードフレーム１との間
に絶縁性樹脂８を挟んだ状態で封止樹脂７が設けられて
いる。そして、絶縁性樹脂８は、封止樹脂７との密着性
が良好であるとともに、封止樹脂７より弾性率が低いた
めにリードフレーム１との熱膨張係数の差による応力が
緩和されるので、剥離等の問題がなくなる。
ジの断面図を図７に示す。この半導体パッケージは、図
示のように、リードフレーム１のダイパッド３上に搭載
された半導体素子４の電極とリードフレームのリード５
に施しためっき９のところとが金属細線６により電気的
に接合されており、リードフレーム１のリード５間に絶
縁性樹脂８が埋め込まれ、かつリードフレーム１との間
に絶縁性樹脂８を挟んだ状態で封止樹脂７が設けられて
いる。そして、絶縁性樹脂８は、封止樹脂７との密着性
が良好であるとともに、封止樹脂７より弾性率が低いた
めにリードフレーム１との熱膨張係数の差による応力が
緩和されるので、剥離等の問題がなくなる。
【００２７】また、ダイパッド上に搭載された半導体素
子の電極とリードフレームのリードとの電気的な接合
に、ワイヤーボンディングではなく、フリップチップ方
式のワイヤレスボンディングを行う場合、リード５の先
端付近に形成した開口のところに半導体素子のバンプを
位置合わせし、熱による半田リフローにより接着・接続
を行う。この時、開口の回りの絶縁性樹脂８が堰の役割
を果たすため、半田流れが防止される。
子の電極とリードフレームのリードとの電気的な接合
に、ワイヤーボンディングではなく、フリップチップ方
式のワイヤレスボンディングを行う場合、リード５の先
端付近に形成した開口のところに半導体素子のバンプを
位置合わせし、熱による半田リフローにより接着・接続
を行う。この時、開口の回りの絶縁性樹脂８が堰の役割
を果たすため、半田流れが防止される。
【００２８】なお、上記の説明では、個別モールドタイ
プについて述べたが、一括モールドタイプの半導体パッ
ケージについても同様である。
プについて述べたが、一括モールドタイプの半導体パッ
ケージについても同様である。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、半導体素子を搭載して樹脂封
止するタイプの樹脂封止型半導体パッケージに用いられ
るリードフレームであって、半導体素子を搭載する主面
側に絶縁性樹脂積層部を配設するとともに、半導体素子
搭載部及びリードのワイヤー接続部分に絶縁性樹脂の開
口部を設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を
略埋め込み配設したことを特徴としているので、封止樹
脂のモールドに際して裏面への高価なテープの貼付を省
略できるため、製造コストの削減を図ることができる。
止するタイプの樹脂封止型半導体パッケージに用いられ
るリードフレームであって、半導体素子を搭載する主面
側に絶縁性樹脂積層部を配設するとともに、半導体素子
搭載部及びリードのワイヤー接続部分に絶縁性樹脂の開
口部を設け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を
略埋め込み配設したことを特徴としているので、封止樹
脂のモールドに際して裏面への高価なテープの貼付を省
略できるため、製造コストの削減を図ることができる。
【００３０】また、リードフレームの基材と接する絶縁
性樹脂は弾性率が低く、熱膨張係数の違いによる応力が
緩和されるため、また絶縁性樹脂と封止樹脂は密着性が
非常に高いため、剥離の発生しない信頼性の高い半導体
パッケージを提供することができる。
性樹脂は弾性率が低く、熱膨張係数の違いによる応力が
緩和されるため、また絶縁性樹脂と封止樹脂は密着性が
非常に高いため、剥離の発生しない信頼性の高い半導体
パッケージを提供することができる。
【００３１】また、絶縁性樹脂積層部に開口を形成する
ことにより、半田による一括リフローのフリップチップ
ボンディングが可能となり、高周波タイプの半導体素子
に対応したパッケージを安価なＱＦＮの形態で供給する
ことができる。
ことにより、半田による一括リフローのフリップチップ
ボンディングが可能となり、高周波タイプの半導体素子
に対応したパッケージを安価なＱＦＮの形態で供給する
ことができる。
【図１】従来の半導体パッケージの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す半導体パッケージをその封止樹脂を
透視した状態で示す平面図である。
透視した状態で示す平面図である。
【図３】個別モールドタイプの半導体パッケージを示す
説明図である。
説明図である。
【図４】一括モールドタイプの半導体パッケージを示す
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明に係るリードフレームの一例を示す平面
図である。
図である。
【図６】図５に示すリードフレームにおけるＡ−Ａ断面
とＢ−Ｂ断面の一部拡大図である。
とＢ−Ｂ断面の一部拡大図である。
【図７】図５に示すリードフレームを使用して製造され
た半導体パッケージを示す断面図である。
た半導体パッケージを示す断面図である。
１ リードフレーム
２ 吊りリード
３ ダイパッド
４ 半導体素子
５ リード
６ 金属細線
７ 封止樹脂
８ 絶縁性樹脂
９ めっき
１０ めっき
Ｃ モールドキャビティ
Ｆ フレーム
Ｌ グリッドリード
Ｓ 半導体パッケージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉田 誠一郎
佐賀県神崎郡三田川町大字立野950 佐賀
エレクトロニックス株式会社佐賀製作所内
Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA07 AA15 AB04 BB08
BC12 BD05 CC02 CC03 CC05
CC07 DA16 DE14 EA04
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載して樹脂封止するタイ
プの樹脂封止型半導体パッケージに用いられるリードフ
レームであって、半導体素子を搭載する主面側に絶縁性
樹脂積層部を配設するとともに、半導体素子搭載部及び
リードのワイヤー接続部分に絶縁性樹脂の開口部を設
け、かつリード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を略埋め込
み配設したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 絶縁性樹脂積層部の塗布乾燥後の厚さ
が、少なくとも５〜５０μｍであることを特徴とする請
求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 半導体素子を搭載する主面側とは反対の
裏面側に、さらに所定の開口部を有する絶縁性樹脂積層
部を配設したことを特徴とする請求項１に記載のリード
フレーム。 - 【請求項４】 材質が重量９０％以上の銅を主体とした
銅合金であることを特徴とする請求項１に記載のリード
フレーム。 - 【請求項５】 主面側の絶縁性樹脂積層部に配設された
絶縁性樹脂が、アクリル樹脂及びポリマーアロイ樹脂系
のソルダーレジストであることを特徴とする請求項１，
２，３又は４に記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 裏面側の絶縁性樹脂積層部に配設された
絶縁性樹脂が、アクリル樹脂及びポリマーアロイ樹脂系
のソルダーレジストであることを特徴とする請求項１，
２，３，４又は５に記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 ダイパッドと、リードと、ダイパッドと
リードを接続固定する枠部とを有し、半導体素子を搭載
する主面側とその反対の裏面側のうちの少なくとも主面
側に絶縁性樹脂積層部を配設してなるリードフレームの
製造方法であって、次の工程を含むことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 （ａ）リードフレームのパターンが並んだ所定形状の基
材を薄板状金属材料より製作する工程。 （ｂ）リードフレームの基材の少なくとも主面側に、所
定の開口部を複数有する絶縁性樹脂積層部を同時あるい
は別工程にて形成する工程。 （ｃ）リード側面間の間隙部に絶縁性樹脂を略埋め込む
工程。 - 【請求項８】 請求項７に記載のリードフレームの製造
方法において、（ｂ）の絶縁性樹脂積層部を形成する工
程、及び（ｃ）の絶縁性樹脂を略埋め込む工程を、リー
ドフレームの基材の裏面側に漏れ防止用の剥離性部材を
設置した後に、リードフレームの基材の全面に液状絶縁
性樹脂を塗布することにより、主面側の絶縁性樹脂積層
部の形成とリード側面間の間隙部への埋め込みを同時に
行い、絶縁性樹脂の乾燥及び剥離性部材の取外し後に、
絶縁性樹脂積層部に所定の開口部を設ける手順で行うこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載のリードフレームの製造
方法において、（ｂ）の絶縁性樹脂積層部を形成する工
程、及び（ｃ）の絶縁性樹脂を略埋め込む工程を、所定
厚さのフィルム状樹脂をリードフレームの基材の主面側
に位置合わせした後、リードフレームの基材の主面側及
び各リード側面間の間隙部に、熱圧接及び加圧圧入する
ことにより、絶縁性樹脂積層部と埋め込み部を同時形成
し、その後に絶縁性樹脂積層部に所定の開口部を設ける
手順で行うことを特徴とするリードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150063A JP3976311B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150063A JP3976311B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347494A true JP2003347494A (ja) | 2003-12-05 |
| JP3976311B2 JP3976311B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=29768006
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002150063A Expired - Fee Related JP3976311B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | リードフレームの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3976311B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2100981A2 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-16 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Copper alloy sheet and QFN package |
| KR101025775B1 (ko) | 2007-12-10 | 2011-04-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
| JP2019012854A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-01-24 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
| JP2022173569A (ja) * | 2016-09-26 | 2022-11-18 | 株式会社アムコー・テクノロジー・ジャパン | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-05-24 JP JP2002150063A patent/JP3976311B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101025775B1 (ko) | 2007-12-10 | 2011-04-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
| EP2100981A2 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-16 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Copper alloy sheet and QFN package |
| US7928541B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-04-19 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy sheet and QFN package |
| JP2022173569A (ja) * | 2016-09-26 | 2022-11-18 | 株式会社アムコー・テクノロジー・ジャパン | 半導体装置 |
| JP7419474B2 (ja) | 2016-09-26 | 2024-01-22 | 株式会社アムコー・テクノロジー・ジャパン | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2019012854A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-01-24 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置 |
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| JP3976311B2 (ja) | 2007-09-19 |
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