JPH10171130A - フォトレジスト剥離液 - Google Patents
フォトレジスト剥離液Info
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- JPH10171130A JPH10171130A JP32987296A JP32987296A JPH10171130A JP H10171130 A JPH10171130 A JP H10171130A JP 32987296 A JP32987296 A JP 32987296A JP 32987296 A JP32987296 A JP 32987296A JP H10171130 A JPH10171130 A JP H10171130A
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- JP
- Japan
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- carbon atoms
- alkyl
- ring
- alkyl ester
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- Detergent Compositions (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の技術の課題に照らしてより優れたレジ
スト剥離液が得られ、特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止とを両立さ
せ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定なフォ
トレジスト剥離液を得ることができる。 【解決手段】 （ａ）有機アミン及び（ｂ）特定の含窒
素化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト剥
離液。
スト剥離液が得られ、特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止とを両立さ
せ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定なフォ
トレジスト剥離液を得ることができる。 【解決手段】 （ａ）有機アミン及び（ｂ）特定の含窒
素化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト剥
離液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路などの
製造において、基板からフォトレジストや基板上に形成
された残渣を除くのに用いる新規なレジスト剥離液に関
するものである。更に詳細には、本発明は、レジスト除
去性やエッチングポリマーの除去性に優れ、更に下地材
質の腐食が少く、保存安定性にも優れたレジスト剥離液
に関する。
製造において、基板からフォトレジストや基板上に形成
された残渣を除くのに用いる新規なレジスト剥離液に関
するものである。更に詳細には、本発明は、レジスト除
去性やエッチングポリマーの除去性に優れ、更に下地材
質の腐食が少く、保存安定性にも優れたレジスト剥離液
に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体マイクロ回路を製造する場合、通常
フォトレジストを用いた加工を行う。即ち、先ず下地と
して絶縁層や配線層の材質となる二酸化シリコンやアル
ミニウム等の層を基板上に形成させ、その上にフォトレ
ジスト層を塗布して露光、現像によりレジストパターン
を形成させ、次いでこれをマスクにして下地のエッチン
グ操作を行って、下地層に所定の回路パターンを転写す
る。この後不要となったフォトレジストパターンは取り
除く必要があるが、これには、フォトレジスト剥離液を
用いて行う方法と、基板表面を酸素含有プラズマに曝し
てレジストを灰化除去する方法とがある。
フォトレジストを用いた加工を行う。即ち、先ず下地と
して絶縁層や配線層の材質となる二酸化シリコンやアル
ミニウム等の層を基板上に形成させ、その上にフォトレ
ジスト層を塗布して露光、現像によりレジストパターン
を形成させ、次いでこれをマスクにして下地のエッチン
グ操作を行って、下地層に所定の回路パターンを転写す
る。この後不要となったフォトレジストパターンは取り
除く必要があるが、これには、フォトレジスト剥離液を
用いて行う方法と、基板表面を酸素含有プラズマに曝し
てレジストを灰化除去する方法とがある。
【０００３】このような目的に用いるレジスト剥離液と
して、多くの組成物が提案されてきた。例えば米国特許
第４，６１７，２５１号に記載されたような極性有機溶
剤とアルカノールアミンの混合物等が、その代表的なも
のである。しかしこのような従来の剥離液では、下地を
ドライエッチングした際にパターン側壁などに生じるエ
ッチングポリマーを完全に取り除くことができないとい
う問題があった。また剥離処理の液温度を高めるなどし
てエッチングポリマーを除く条件を見いだしたとして
も、下地材質の腐食を避けられないという問題があっ
た。更にレジストを除くために灰化処理を行うと、この
エッチングポリマーは金属酸化物等の物質となって基板
上に残り、上記剥離液でますます取り除き難くなること
が分かっている。このようなエッチングポリマーの形成
機構とその除去の必要性については、１９９１年のＳＰ
ＩＥマイクロリソグラフィーシンポジウムでＪｏｈｎ
Ｗ Ｃｏｂｕｍによって「プラズマエッチング及び反応
性エッチング」という標題で発表されている。
して、多くの組成物が提案されてきた。例えば米国特許
第４，６１７，２５１号に記載されたような極性有機溶
剤とアルカノールアミンの混合物等が、その代表的なも
のである。しかしこのような従来の剥離液では、下地を
ドライエッチングした際にパターン側壁などに生じるエ
ッチングポリマーを完全に取り除くことができないとい
う問題があった。また剥離処理の液温度を高めるなどし
てエッチングポリマーを除く条件を見いだしたとして
も、下地材質の腐食を避けられないという問題があっ
た。更にレジストを除くために灰化処理を行うと、この
エッチングポリマーは金属酸化物等の物質となって基板
上に残り、上記剥離液でますます取り除き難くなること
が分かっている。このようなエッチングポリマーの形成
機構とその除去の必要性については、１９９１年のＳＰ
ＩＥマイクロリソグラフィーシンポジウムでＪｏｈｎ
Ｗ Ｃｏｂｕｍによって「プラズマエッチング及び反応
性エッチング」という標題で発表されている。
【０００４】これらの問題を取り除くために、エッチン
グポリマー除去能力を有するフォトレジスト剥離液組成
物が新たに提案された。特開平５−４５８９４号公報に
は有機極性溶媒とアミンに特定の腐食抑制剤を添加した
組成物が、特開平６−２６６１１９号公報には酸化及び
還元電位を有する求核アミン化合物と有機溶剤と水、更
にキレート剤を併用した組成物が、特開平７−２１９２
４１号公報には有機溶剤と求核性アミンに腐食防止剤と
して特定の還元性化合物を添加した組成物が、特開平７
−１２０９３７号公報には含窒素有機ヒドロキシ化合物
とフェノール誘導体、更にトリアゾールや有機溶剤を併
用した組成物が、また特開平７−２７１０５７号公報に
はジエチルヒドロキシルアミンとアミノアルコール化合
物、及び水と有機溶剤を併用した組成物が、それぞれこ
のような目的に好適に使用できるものとして開示されて
いる。しかしこれらの組成物についても、エッチングポ
リマーの除去性と下地の腐食防止能とが高いレベルで両
立しなかったり、組成物の保存安定性が劣っていたり、
また完全なエッチングポリマー除去のためには液温を高
める必要があるので、処理中に剥離液の成分が揮発して
使用中に性能が変化したり、環境保全上好ましくない等
の問題があったりして、いずれも充分なものではなかっ
た。
グポリマー除去能力を有するフォトレジスト剥離液組成
物が新たに提案された。特開平５−４５８９４号公報に
は有機極性溶媒とアミンに特定の腐食抑制剤を添加した
組成物が、特開平６−２６６１１９号公報には酸化及び
還元電位を有する求核アミン化合物と有機溶剤と水、更
にキレート剤を併用した組成物が、特開平７−２１９２
４１号公報には有機溶剤と求核性アミンに腐食防止剤と
して特定の還元性化合物を添加した組成物が、特開平７
−１２０９３７号公報には含窒素有機ヒドロキシ化合物
とフェノール誘導体、更にトリアゾールや有機溶剤を併
用した組成物が、また特開平７−２７１０５７号公報に
はジエチルヒドロキシルアミンとアミノアルコール化合
物、及び水と有機溶剤を併用した組成物が、それぞれこ
のような目的に好適に使用できるものとして開示されて
いる。しかしこれらの組成物についても、エッチングポ
リマーの除去性と下地の腐食防止能とが高いレベルで両
立しなかったり、組成物の保存安定性が劣っていたり、
また完全なエッチングポリマー除去のためには液温を高
める必要があるので、処理中に剥離液の成分が揮発して
使用中に性能が変化したり、環境保全上好ましくない等
の問題があったりして、いずれも充分なものではなかっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、上記の課題に照らしてより優れたレジスト剥離液を
提供することにある。特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止性とを両立
させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定な剥
離液を提供することにある。
は、上記の課題に照らしてより優れたレジスト剥離液を
提供することにある。特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止性とを両立
させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定な剥
離液を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記構成に
より達成された。 （１）（ａ）有機アミン及び（ｂ）下記［一般式Ｉ］で
表される含窒素化合物を含有することを特徴とするレジ
スト剥離液。
より達成された。 （１）（ａ）有機アミン及び（ｂ）下記［一般式Ｉ］で
表される含窒素化合物を含有することを特徴とするレジ
スト剥離液。
【０００７】
【化４】
【０００８】Ｒ1、Ｒ2：同一または互いに異なる置換基
でＨもしくはアルキル基、アリール基、アラルキル基、
スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、アミド基、
アシル基、カルボキシル基のアルキルエステル（炭素原
子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエステル（炭素
原子数１〜３）もしくは環形成基を示し、Ｒ3〜Ｒ8：同
一または互いに異なる置換基でＨもしくはアルキル基、
アリール基、アラルキル基、スルホン酸基、アミノ基、
カルボキシル基、アミド基、アシル基、カルボキシル基
のアルキルエステル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸
基のアルキルエステル（炭素原子数１〜３）を示し、Ｒ
1はＲ2と飽和脂肪環を形成することができ、Ｒ5〜Ｒ8は
さらなる置換基アミノ基、アミド基を有することがで
き、Ｒ5〜Ｒ8がさらなる置換基アミノ基、アミド基を有
さない場合、化合物中の全炭素原子数は１１以上であ
る。
でＨもしくはアルキル基、アリール基、アラルキル基、
スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、アミド基、
アシル基、カルボキシル基のアルキルエステル（炭素原
子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエステル（炭素
原子数１〜３）もしくは環形成基を示し、Ｒ3〜Ｒ8：同
一または互いに異なる置換基でＨもしくはアルキル基、
アリール基、アラルキル基、スルホン酸基、アミノ基、
カルボキシル基、アミド基、アシル基、カルボキシル基
のアルキルエステル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸
基のアルキルエステル（炭素原子数１〜３）を示し、Ｒ
1はＲ2と飽和脂肪環を形成することができ、Ｒ5〜Ｒ8は
さらなる置換基アミノ基、アミド基を有することがで
き、Ｒ5〜Ｒ8がさらなる置換基アミノ基、アミド基を有
さない場合、化合物中の全炭素原子数は１１以上であ
る。
【０００９】（２）（ａ）有機アミン及び（ｂ）下記
［一般式II］で表される含窒素化合物を含有することを
特徴とするレジスト剥離液。
［一般式II］で表される含窒素化合物を含有することを
特徴とするレジスト剥離液。
【００１０】
【化５】
【００１１】Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ11〜Ｒ14：同一または互い
に異なる置換基でＨもしくはアルキル基、アリール基、
アラルキル基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル
基、アミド基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエ
ステル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキル
エステル（炭素原子数１〜３）もしくは環形成基を示
し、Ｒ9 とＲ10、Ｒ9とＲ11もしくはＲ12、Ｒ10とＲ13
もしくはＲ14はそれぞれ同一または互いに異なるＮを含
む複素環、もしくは芳香環を形成することができ、化合
物中の全窒素原子数が２の場合は、全炭素原子数は１１
以上である。
に異なる置換基でＨもしくはアルキル基、アリール基、
アラルキル基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル
基、アミド基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエ
ステル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキル
エステル（炭素原子数１〜３）もしくは環形成基を示
し、Ｒ9 とＲ10、Ｒ9とＲ11もしくはＲ12、Ｒ10とＲ13
もしくはＲ14はそれぞれ同一または互いに異なるＮを含
む複素環、もしくは芳香環を形成することができ、化合
物中の全窒素原子数が２の場合は、全炭素原子数は１１
以上である。
【００１２】（３）（ａ）有機アミン及び（ｂ）下記
［一般式III ］で表されるジピリジン化合物を含有する
ことを特徴とするレジスト剥離液。
［一般式III ］で表されるジピリジン化合物を含有する
ことを特徴とするレジスト剥離液。
【００１３】
【化６】
【００１４】Ｒ15、Ｒ16：Ｈもしくは環形成基を示し、
Ｒ17、Ｒ18：Ｈもしくはアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、
アミド基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエステ
ル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエス
テル（炭素原子数１〜３）を示し、Ｒ15とＲ16は芳香環
を形成することができる。
Ｒ17、Ｒ18：Ｈもしくはアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、
アミド基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエステ
ル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエス
テル（炭素原子数１〜３）を示し、Ｒ15とＲ16は芳香環
を形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。 〔成分（ｂ）〕一般式Ｉ、一般式II及び一般式III のＲ
1 〜Ｒ14、Ｒ17、Ｒ18において、アルキル基としては、
直鎖状でも、分岐状でもよくメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基
等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、トル
イル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ナフチ
ル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル
基、フェネチル基等が挙げられる。アミド基としては、
アセトアミド基、スルフォンアミド基等が挙げられる。
アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオ
ニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。カルボキシル基
のアルキルエステル（Ｃ1 〜Ｃ3 ）としては、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカル
ボニル基等が挙げられる。スルホン酸基のアルキルエス
テル（Ｃ1 〜Ｃ3 ）としては、メトキシスルホニル基、
エトキシスルホニル基、プロポキシスルホニル基等が挙
げられる。
する。 〔成分（ｂ）〕一般式Ｉ、一般式II及び一般式III のＲ
1 〜Ｒ14、Ｒ17、Ｒ18において、アルキル基としては、
直鎖状でも、分岐状でもよくメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基
等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、トル
イル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ナフチ
ル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル
基、フェネチル基等が挙げられる。アミド基としては、
アセトアミド基、スルフォンアミド基等が挙げられる。
アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオ
ニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。カルボキシル基
のアルキルエステル（Ｃ1 〜Ｃ3 ）としては、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカル
ボニル基等が挙げられる。スルホン酸基のアルキルエス
テル（Ｃ1 〜Ｃ3 ）としては、メトキシスルホニル基、
エトキシスルホニル基、プロポキシスルホニル基等が挙
げられる。
【００１６】また、一般式ＩのＲ1 とＲ2 が形成する飽
和脂肪環としては、シクロヘキサン環、シクロペンチル
環等が挙げられる。一般式IIのＲ9 とＲ10、Ｒ9 とＲ11
もしくはＲ12、Ｒ10とＲ13もしくはＲ14が形成する窒素
含有複素環としては、ピリジン環、プリン環、ピリジン
環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環等が
挙げられる。一般式IIのＲ9 とＲ10、Ｒ9 とＲ11もしく
はＲ12、Ｒ10とＲ13もしくはＲ14が形成する芳香環、及
び一般式III のＲ15とＲ16が形成する芳香環としては、
ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アント
ラセン環等が挙げられる。なお、一般式Ｉ、一般式II及
び一般式III のＲ1 〜Ｒ18の置換基は、更なる置換基を
有していてもよく、その更なる置換基としては、Ｒ1 〜
Ｒ18と同様のものを挙げることができる。
和脂肪環としては、シクロヘキサン環、シクロペンチル
環等が挙げられる。一般式IIのＲ9 とＲ10、Ｒ9 とＲ11
もしくはＲ12、Ｒ10とＲ13もしくはＲ14が形成する窒素
含有複素環としては、ピリジン環、プリン環、ピリジン
環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環等が
挙げられる。一般式IIのＲ9 とＲ10、Ｒ9 とＲ11もしく
はＲ12、Ｒ10とＲ13もしくはＲ14が形成する芳香環、及
び一般式III のＲ15とＲ16が形成する芳香環としては、
ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アント
ラセン環等が挙げられる。なお、一般式Ｉ、一般式II及
び一般式III のＲ1 〜Ｒ18の置換基は、更なる置換基を
有していてもよく、その更なる置換基としては、Ｒ1 〜
Ｒ18と同様のものを挙げることができる。
【００１７】一般式Ｉ、一般式II及び一般式III で表さ
れる化合物の具体例を以下に示す。この中でも特にトラ
ンス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−４酢酸、トリエチレンテトラミン及び１，
１０−フェナントロリンが好ましい。
れる化合物の具体例を以下に示す。この中でも特にトラ
ンス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−４酢酸、トリエチレンテトラミン及び１，
１０−フェナントロリンが好ましい。
【００１８】
【化７】
【００１９】なお、本発明の剥離液に用いられる、成分
（ｂ）の含窒素化合物は、１種単独でもよく、また、２
種以上の組み合わせから成ってもよい。
（ｂ）の含窒素化合物は、１種単独でもよく、また、２
種以上の組み合わせから成ってもよい。
【００２０】〔成分（ａ）〕有機アミンとしては、従
来、レジスト剥離液に用いられるものであれば、いずれ
のものでも用いることができる。有機アミンとしては、
好ましくは下記一般式(IV)で示される化合物が挙げられ
る。
来、レジスト剥離液に用いられるものであれば、いずれ
のものでも用いることができる。有機アミンとしては、
好ましくは下記一般式(IV)で示される化合物が挙げられ
る。
【００２１】
【化８】
【００２２】式(IV)中、Ｒ19はエチル基、−Ｃ2 Ｈ4 Ｏ
Ｈ、フェニル基又は−ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3 であ
り、Ｒ20は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、アル
カノール又はフェニールであり、Ｒ21は水素原子、炭素
数１〜３のアルキル基又は−Ｃ 2 Ｈ4 ＯＨである。Ｒ19
とＲ20は窒素原子とともに５員環ないし６員環を形成し
てもよい。ここで、炭素数１〜３のアルキル基は前記と
同義である。アルカノールとしては、エタノール基、プ
ロパノール基等が挙げられる。Ｒ19とＲ20が窒素原子と
ともに形成する５員環ないし６員環としては２−ピロリ
ドン環、ピロリジン環、ピロール環等が挙げられる。
Ｈ、フェニル基又は−ＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ3 であ
り、Ｒ20は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、アル
カノール又はフェニールであり、Ｒ21は水素原子、炭素
数１〜３のアルキル基又は−Ｃ 2 Ｈ4 ＯＨである。Ｒ19
とＲ20は窒素原子とともに５員環ないし６員環を形成し
てもよい。ここで、炭素数１〜３のアルキル基は前記と
同義である。アルカノールとしては、エタノール基、プ
ロパノール基等が挙げられる。Ｒ19とＲ20が窒素原子と
ともに形成する５員環ないし６員環としては２−ピロリ
ドン環、ピロリジン環、ピロール環等が挙げられる。
【００２３】好ましい有機アミンとしては、モノエタノ
ールアミン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチ
ルアミン、モルホリン、１−アミノ−２−プロパノー
ル、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、３−メト
キシプロピルアミン、２−アミノ−ピコリンが挙げられ
る。
ールアミン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチ
ルアミン、モルホリン、１−アミノ−２−プロパノー
ル、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、３−メト
キシプロピルアミン、２−アミノ−ピコリンが挙げられ
る。
【００２４】本発明に用いる各成分の配合比について
は、レジスト剥離液全重量に対して、（ａ）成分７０〜
９９．９重量％、好ましくは８５〜９５重量％、（ｂ）
成分０．１〜３０重量％、好ましくは５〜１５重量％で
ある。
は、レジスト剥離液全重量に対して、（ａ）成分７０〜
９９．９重量％、好ましくは８５〜９５重量％、（ｂ）
成分０．１〜３０重量％、好ましくは５〜１５重量％で
ある。
【００２５】また、本発明の剥離液は、（ａ）、（ｂ）
成分以外に水を含んでいてもよい。水の混合によりエッ
チングポリマーの除去性がより良好となる。水の含量と
しては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜３０重量
％、好ましくは５〜２０重量％である。
成分以外に水を含んでいてもよい。水の混合によりエッ
チングポリマーの除去性がより良好となる。水の含量と
しては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜３０重量
％、好ましくは５〜２０重量％である。
【００２６】また、本発明の剥離液は、（ａ）、（ｂ）
成分以外に有機溶剤を含んでいてもよい。有機溶剤の混
合によりレジスト剥離性がより良好になる。このような
有機溶剤は、通常、レジスト剥離に用いられるものであ
れば、いずれのものでも用いることができる。好ましい
具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピ
ロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−ヒドロキ
シエチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジ
メチルフォルムアミド等が挙げられる。有機溶剤の含量
としては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜８０重
量％、好ましくは４０〜７０重量％である。
成分以外に有機溶剤を含んでいてもよい。有機溶剤の混
合によりレジスト剥離性がより良好になる。このような
有機溶剤は、通常、レジスト剥離に用いられるものであ
れば、いずれのものでも用いることができる。好ましい
具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピ
ロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−ヒドロキ
シエチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジ
メチルフォルムアミド等が挙げられる。有機溶剤の含量
としては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜８０重
量％、好ましくは４０〜７０重量％である。
【００２７】また、本発明の剥離液は、本発明の効果に
悪影響を及ぼさない限り、水、有機溶剤を同時に含むこ
とができる。これにより良好なレジスト剥離性とエッチ
ングポリマー除去性を両立させることが可能である。水
の含量としては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜
３０重量％、好ましくは５〜２０重量％である。有機溶
剤の含量としては、レジスト剥離液の全重量に対して１
〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％である。
悪影響を及ぼさない限り、水、有機溶剤を同時に含むこ
とができる。これにより良好なレジスト剥離性とエッチ
ングポリマー除去性を両立させることが可能である。水
の含量としては、レジスト剥離液の全重量に対して１〜
３０重量％、好ましくは５〜２０重量％である。有機溶
剤の含量としては、レジスト剥離液の全重量に対して１
〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％である。
【００２８】本発明の組成物には、従来技術でエッチン
グポリマーの除去や腐食の防止に有効とされた種々の化
合物を併用することができる。特に特開平６−２６６１
１９号に記載されたヒドロキシルアミンなど求核性アミ
ノ化合物や、カテコールなどキレート剤、特開平５−４
５８９４号に記載されたヒドロキシルキノリンなどの腐
食防止剤、更に特開平７−２１９２４１号に記載された
ヒドラジン誘導体やオキシム類、芳香族ヒドロキシル化
合物などの腐食防止剤などは、本発明の組成物に併用す
ることができる。また本発明の組成物とこれら化合物の
組み合わせを任意に選ぶことで、高価な原材料の使用量
をできるだけ少なく抑えて必要な性能を発揮させるよう
に設計することもできる。
グポリマーの除去や腐食の防止に有効とされた種々の化
合物を併用することができる。特に特開平６−２６６１
１９号に記載されたヒドロキシルアミンなど求核性アミ
ノ化合物や、カテコールなどキレート剤、特開平５−４
５８９４号に記載されたヒドロキシルキノリンなどの腐
食防止剤、更に特開平７−２１９２４１号に記載された
ヒドラジン誘導体やオキシム類、芳香族ヒドロキシル化
合物などの腐食防止剤などは、本発明の組成物に併用す
ることができる。また本発明の組成物とこれら化合物の
組み合わせを任意に選ぶことで、高価な原材料の使用量
をできるだけ少なく抑えて必要な性能を発揮させるよう
に設計することもできる。
【００２９】本発明において、本発明の効果に悪影響を
及ぼさない限り、いかなる非イオン系界面活性剤をも含
有可能であり、一般的にその含有量は全量に対して０．
１〜２重量％の範囲である。
及ぼさない限り、いかなる非イオン系界面活性剤をも含
有可能であり、一般的にその含有量は全量に対して０．
１〜２重量％の範囲である。
【００３０】本発明の剥離液を用いることによって、基
板上に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタ
ン、タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地
をエッチングするのに用いたレジストパターンを容易に
剥離することができる。特に、下地の腐食を起こさず
に、比較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去す
ることが可能である。また、保存安定性にも優れたレジ
スト剥離液を得ることができる。
板上に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタ
ン、タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地
をエッチングするのに用いたレジストパターンを容易に
剥離することができる。特に、下地の腐食を起こさず
に、比較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去す
ることが可能である。また、保存安定性にも優れたレジ
スト剥離液を得ることができる。
【００３１】
【実施例】以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 〔実施例−１〕シリコンウェーハ上にスパッター装置を
用いてＡl −Ｓi −Ｃu 合金の皮膜を形成させた。富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社のポジ型フォト
レジスト、ＦＨ−６４００を１μｍの厚みでこの上に塗
布し、常法に従って縮小投影露光装置を使いラインアン
ドスペースパターンのレジスト像を形成させた。次にこ
のレジスト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜
を反応性イオンエッチング装置でエッチングした。次い
で不要となったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレ
ジストアッシング装置で灰化除去した。
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 〔実施例−１〕シリコンウェーハ上にスパッター装置を
用いてＡl −Ｓi −Ｃu 合金の皮膜を形成させた。富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社のポジ型フォト
レジスト、ＦＨ−６４００を１μｍの厚みでこの上に塗
布し、常法に従って縮小投影露光装置を使いラインアン
ドスペースパターンのレジスト像を形成させた。次にこ
のレジスト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜
を反応性イオンエッチング装置でエッチングした。次い
で不要となったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレ
ジストアッシング装置で灰化除去した。
【００３２】このウェーハ表面を走査型電子顕微鏡で観
察したところ、エッチングによって形成されたＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕパターンの表面、及び側壁にエッチングポリマ
ーに由来する灰化残査が残っていることが認められた。
そこで、本発明になる各剥離液（表−１に記載の試料１
〜１１）を４０℃〜８０℃に加温してこのウェーハを浸
漬、次いで流下する純水でウェーハを２０分間洗浄し
た。ウェーハを再び走査型電子顕微鏡で観察して、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕパターンの表面と側壁に残った残査の除去
程度（８０℃での残渣除去性）、除去の可能な下限温
度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパターンが腐食を受けて細っ
た程度（下地の腐食程度）を記録した。評価基準を下記
に示す。
察したところ、エッチングによって形成されたＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕパターンの表面、及び側壁にエッチングポリマ
ーに由来する灰化残査が残っていることが認められた。
そこで、本発明になる各剥離液（表−１に記載の試料１
〜１１）を４０℃〜８０℃に加温してこのウェーハを浸
漬、次いで流下する純水でウェーハを２０分間洗浄し
た。ウェーハを再び走査型電子顕微鏡で観察して、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕパターンの表面と側壁に残った残査の除去
程度（８０℃での残渣除去性）、除去の可能な下限温
度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパターンが腐食を受けて細っ
た程度（下地の腐食程度）を記録した。評価基準を下記
に示す。
【００３３】残渣除去性は、残渣なしを◎、残渣が僅か
に有る場合を○、残渣があり、実用上問題有る場合を
△、残渣が全く除去されていない場合を×とした。下地
の腐食程度は、腐食なしを◎、腐食が僅かに有る場合を
○、腐食があり、実用上問題有る場合を△、ひどい腐食
が有る場合を×とした。更に、液の保存安定性を試験す
るために、各剥離液試料１リットルを１リットルのビー
カーに入れ、空気中に開放したまま７０℃に保って１昼
夜放置した。その後残渣の除去性能と腐食の程度に変化
がないかを上記と同様にして調べた。性能に全く変化が
認められなかった場合を◎、除去性または腐食が僅かに
劣化した場合を○、同じ条件では使えない程度に劣化し
た場合を△、いかなる条件でも使用が不可能なほど劣化
した場合を×とした。結果を表−１に示す。
に有る場合を○、残渣があり、実用上問題有る場合を
△、残渣が全く除去されていない場合を×とした。下地
の腐食程度は、腐食なしを◎、腐食が僅かに有る場合を
○、腐食があり、実用上問題有る場合を△、ひどい腐食
が有る場合を×とした。更に、液の保存安定性を試験す
るために、各剥離液試料１リットルを１リットルのビー
カーに入れ、空気中に開放したまま７０℃に保って１昼
夜放置した。その後残渣の除去性能と腐食の程度に変化
がないかを上記と同様にして調べた。性能に全く変化が
認められなかった場合を◎、除去性または腐食が僅かに
劣化した場合を○、同じ条件では使えない程度に劣化し
た場合を△、いかなる条件でも使用が不可能なほど劣化
した場合を×とした。結果を表−１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表−１の結果から、本発明のレジスト剥離
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れて
いた。
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れて
いた。
【００３６】〔比較例−１〕比較のために表−２に示す
各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−１と同様に
して試験、評価した。結果を表−２に示す。
各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−１と同様に
して試験、評価した。結果を表−２に示す。
【００３７】
【表２】
【００３８】表−２の結果から、比較用のレジスト剥離
液は、残渣除去性が優れていたが、除去可能温度が高く
なったり、基板が腐食されてしまったり、保存安定性が
劣っていた。
液は、残渣除去性が優れていたが、除去可能温度が高く
なったり、基板が腐食されてしまったり、保存安定性が
劣っていた。
【００３９】〔実施例−２〕実施例−１と同様の皮膜上
に同様にしてレジスト像を形成させた。次にこのレジス
ト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜を反応性
イオンエッチング装置でエッチングした。次いで不要と
なったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレジストア
ッシング装置でその厚みの約８０％が除かれるまで灰化
除去した。次に本発明になる各剥離液（表−３に記載の
試料１〜６）を４０℃〜８０℃に加温し、その中にこの
ウェーハを浸漬して残ったレジスト膜を剥離除去した。
更に流下する純水でウェーハを２０分間洗浄した。この
ウェーハ表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト残
りの有無（レジスト除去性）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕパター
ンの表面の残査の灰化除去程度（残渣除去性）、除去の
可能な下限温度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパターンが腐食
を受けて細った程度（下地の腐食程度）を記録した。ま
た、実施例−１と同様にして液の保存安定性を試験し
た。結果を表−３に示す。レジスト除去性は、レジスト
が完全に剥離した場合を◎、わずかにレジスト剥離残り
がある場合を○、剥離残りがあり、実用上問題有る場合
を△、レジストが全く除去されていない場合を×とし
た。他の評価は実施例１と同様である。
に同様にしてレジスト像を形成させた。次にこのレジス
ト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜を反応性
イオンエッチング装置でエッチングした。次いで不要と
なったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレジストア
ッシング装置でその厚みの約８０％が除かれるまで灰化
除去した。次に本発明になる各剥離液（表−３に記載の
試料１〜６）を４０℃〜８０℃に加温し、その中にこの
ウェーハを浸漬して残ったレジスト膜を剥離除去した。
更に流下する純水でウェーハを２０分間洗浄した。この
ウェーハ表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト残
りの有無（レジスト除去性）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕパター
ンの表面の残査の灰化除去程度（残渣除去性）、除去の
可能な下限温度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパターンが腐食
を受けて細った程度（下地の腐食程度）を記録した。ま
た、実施例−１と同様にして液の保存安定性を試験し
た。結果を表−３に示す。レジスト除去性は、レジスト
が完全に剥離した場合を◎、わずかにレジスト剥離残り
がある場合を○、剥離残りがあり、実用上問題有る場合
を△、レジストが全く除去されていない場合を×とし
た。他の評価は実施例１と同様である。
【００４０】
【表３】
【００４１】表−３の結果から、本発明のレジスト剥離
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れ、
且つレジスト除去性にも優れていた。
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れ、
且つレジスト除去性にも優れていた。
【００４２】〔比較例−２〕比較のために表−４に記載
の各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−２と同様
にして試験、評価した。結果を表−４に示す。
の各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−２と同様
にして試験、評価した。結果を表−４に示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】表−４の結果から、比較用のレジスト剥離
液は、残渣除去性が優れ除去可能温度も比較的低いが、
基板腐食性及び保存安定性のいずれかにおいて、不十分
なものであった。
液は、残渣除去性が優れ除去可能温度も比較的低いが、
基板腐食性及び保存安定性のいずれかにおいて、不十分
なものであった。
【００４５】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離液により、基板上
に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタン、
タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地をエ
ッチングするのに用いたレジストパターンを容易に剥離
することができる。特に、下地の腐食を起こさずに、比
較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去すること
が可能である。また、保存安定性にも優れたレジスト剥
離液を得ることができる。
に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタン、
タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地をエ
ッチングするのに用いたレジストパターンを容易に剥離
することができる。特に、下地の腐食を起こさずに、比
較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去すること
が可能である。また、保存安定性にも優れたレジスト剥
離液を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小久保 忠嘉 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士ハ ントエレクトロニクステクノロジー株式会 社内
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）有機アミン及び（ｂ）下記［一般
式Ｉ］で表される含窒素化合物を含有することを特徴と
するレジスト剥離液。 【化１】 Ｒ1 、Ｒ2 ：同一または互いに異なる置換基でＨもしく
はアルキル基、アリール基、アラルキル基、スルホン酸
基、アミノ基、カルボキシル基、アミド基、アシル基、
カルボキシル基のアルキルエステル（炭素原子数１〜
３）、スルホン酸基のアルキルエステル（炭素原子数１
〜３）もしくは環形成基を示し、 Ｒ3 〜Ｒ8 ：同一または互いに異なる置換基でＨもしく
はアルキル基、アリール基、アラルキル基、スルホン酸
基、アミノ基、カルボキシル基、アミド基、アシル基、
カルボキシル基のアルキルエステル（炭素原子数１〜
３）、スルホン酸基のアルキルエステル（炭素原子数１
〜３）を示し、 Ｒ1はＲ2と飽和脂肪環を形成することができ、 Ｒ5〜Ｒ8はさらなる置換基アミノ基、アミド基を有する
ことができ、 Ｒ5〜Ｒ8がさらなる置換基アミノ基、アミド基を有さな
い場合、化合物中の全炭素原子数は１１以上である。 - 【請求項２】 （ａ）有機アミン及び（ｂ）下記［一般
式II］で表される含窒素化合物を含有することを特徴と
するレジスト剥離液。 【化２】 Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ11〜Ｒ14：同一または互いに異なる置換
基でＨもしくはアルキル基、アリール基、アラルキル
基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、アミド
基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエステル（炭
素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエステル
（炭素原子数１〜３）もしくは環形成基を示し、 Ｒ9 とＲ10、Ｒ9 とＲ11もしくはＲ12、Ｒ10とＲ13もし
くはＲ14はそれぞれ同一または互いに異なるＮを含む複
素環、もしくは芳香環を形成することができ、 化合物中の全窒素原子数が２の場合は、全炭素原子数は
１１以上である。 - 【請求項３】 （ａ）有機アミン及び（ｂ）下記［一般
式III ］で表されるジピリジン化合物を含有することを
特徴とするレジスト剥離液。 【化３】 Ｒ15、Ｒ16：Ｈもしくは環形成基を示し、 Ｒ17、Ｒ18：Ｈもしくはアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、スルホン酸基、アミノ基、カルボキシル基、
アミド基、アシル基、カルボキシル基のアルキルエステ
ル（炭素原子数１〜３）、スルホン酸基のアルキルエス
テル（炭素原子数１〜３）を示し、 Ｒ15とＲ16は芳香環を形成することができる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32987296A JPH10171130A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | フォトレジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32987296A JPH10171130A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | フォトレジスト剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10171130A true JPH10171130A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18226193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32987296A Withdrawn JPH10171130A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | フォトレジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10171130A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015480A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| WO2001071429A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Mallinckrodt Inc. | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates |
| WO2002001300A1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Nec Corporation | Composition d'agent de demontage |
| JP2003015323A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| SG127840A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-29 | Epoch Material Co Ltd | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing |
| JP2010019978A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP32987296A patent/JPH10171130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015480A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| WO2001071429A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Mallinckrodt Inc. | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates |
| JP2003528353A (ja) * | 2000-03-20 | 2003-09-24 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | 超小型回路基板からナトリウム含有材料を除去するための方法および組成物 |
| KR100876067B1 (ko) * | 2000-03-20 | 2008-12-26 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 집적회로 표면으로의 나트륨 흡착 억제 방법 및 조성물 |
| JP4671575B2 (ja) * | 2000-03-20 | 2011-04-20 | アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 超小型回路基板からナトリウム含有材料を除去するための方法および組成物 |
| WO2002001300A1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Nec Corporation | Composition d'agent de demontage |
| US6992050B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-01-31 | Nec Corporation | Stripping agent composition and method of stripping |
| JP2003015323A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| SG127840A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-29 | Epoch Material Co Ltd | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing |
| JP2010019978A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |