JPH10167807A - ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法Info
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- JPH10167807A JPH10167807A JP8328412A JP32841296A JPH10167807A JP H10167807 A JPH10167807 A JP H10167807A JP 8328412 A JP8328412 A JP 8328412A JP 32841296 A JP32841296 A JP 32841296A JP H10167807 A JPH10167807 A JP H10167807A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特殊な組織構造を有し、高性能で高機能性を
有したＭｇＯ複合セラミックスを提供する。 【解決手段】 粒子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を
有するＭｇＯマトリックスの結晶粒内及び粒界に、粒子
径１．０μｍ以下のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子１〜２０
重量％を分散させたＭｇＯ複合セラミックス。ＭｇＯと
Ｓｃ、Ｙ又はＬａの金属粉末或いは金属酸化物粉末とを
混合して成形した後、１５００℃以上の温度で焼結す
る。 【効果】 セラミックスの最小構成単位である結晶粒の
複合化で、ＭｇＯセラミックスの物理的性質の改善を図
る。ＭｇＯの粒内及び粒界にＬａ粒子等を分散させるこ
とでＭｇＯと分散粒子との粒界に残留応力が生じ、クラ
ック先端をピニングしたりディフレクションすることで
クラック先端の伝播を防止する。
有したＭｇＯ複合セラミックスを提供する。 【解決手段】 粒子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を
有するＭｇＯマトリックスの結晶粒内及び粒界に、粒子
径１．０μｍ以下のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子１〜２０
重量％を分散させたＭｇＯ複合セラミックス。ＭｇＯと
Ｓｃ、Ｙ又はＬａの金属粉末或いは金属酸化物粉末とを
混合して成形した後、１５００℃以上の温度で焼結す
る。 【効果】 セラミックスの最小構成単位である結晶粒の
複合化で、ＭｇＯセラミックスの物理的性質の改善を図
る。ＭｇＯの粒内及び粒界にＬａ粒子等を分散させるこ
とでＭｇＯと分散粒子との粒界に残留応力が生じ、クラ
ック先端をピニングしたりディフレクションすることで
クラック先端の伝播を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特殊構造のＭｇＯ
複合セラミックス及びその製法に関する。詳しくは、特
殊な組織構造を有し、高性能で高機能性を有したＭｇＯ
複合セラミックス及びその製造方法に関する。
複合セラミックス及びその製法に関する。詳しくは、特
殊な組織構造を有し、高性能で高機能性を有したＭｇＯ
複合セラミックス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭｇＯは優れた耐熱性、耐食性、電気絶
縁性を有するが、強度、破壊靭性値、耐熱衝撃性に乏し
く、構造材料として使用するには不十分である。また、
ターゲットなどの成膜材料としては、絶縁性が評価のポ
イントとなる場合があり、焼結体の密度、純度、組織構
造（粒界、粒内）が影響する。
縁性を有するが、強度、破壊靭性値、耐熱衝撃性に乏し
く、構造材料として使用するには不十分である。また、
ターゲットなどの成膜材料としては、絶縁性が評価のポ
イントとなる場合があり、焼結体の密度、純度、組織構
造（粒界、粒内）が影響する。
【０００３】そこで、従来、ＭｇＯやＡｌ2 Ｏ3 などの
酸化物セラミックスの物理的性質（強度、破壊靭性値
等）の欠点を、分散粒子の複合化により改善しようとす
る研究がなされてきた。しかしながら、それらの研究の
多くはミクロンレベルの複合化が中心であり、その特性
改善には限界があった。これらの研究では、分散粒子の
複合化に伴う破壊靭性の向上は、当該分散粒子がマトリ
ックスの粒界に偏在するために生じるクラック偏向に起
因していると報告されている。
酸化物セラミックスの物理的性質（強度、破壊靭性値
等）の欠点を、分散粒子の複合化により改善しようとす
る研究がなされてきた。しかしながら、それらの研究の
多くはミクロンレベルの複合化が中心であり、その特性
改善には限界があった。これらの研究では、分散粒子の
複合化に伴う破壊靭性の向上は、当該分散粒子がマトリ
ックスの粒界に偏在するために生じるクラック偏向に起
因していると報告されている。
【０００４】なお、アルミナのようなセラミックス焼結
体は、異方性粒子でマトリックスが形成されており、そ
の粒子境界で隣接粒子の熱膨張差により歪みが発生し、
このために、粒界が破壊源となり、強度低下の原因とな
ることは周知である。
体は、異方性粒子でマトリックスが形成されており、そ
の粒子境界で隣接粒子の熱膨張差により歪みが発生し、
このために、粒界が破壊源となり、強度低下の原因とな
ることは周知である。
【０００５】このように、分散粒子の複合化では、マト
リックスの粒界に分散した粒子が、クラックの進展を阻
止し、このため、破壊靭性の向上が期待される。
リックスの粒界に分散した粒子が、クラックの進展を阻
止し、このため、破壊靭性の向上が期待される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の複合化では、破壊の発生源である粒界の欠陥は改善
されず、その欠点は残存しているため、破壊強度等の大
きな向上は望めなかった。
来の複合化では、破壊の発生源である粒界の欠陥は改善
されず、その欠点は残存しているため、破壊強度等の大
きな向上は望めなかった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決し、Ｍ
ｇＯマトリックス中に、分散粒子を複合化することによ
り、ＭｇＯの特性を改善し、構造セラミックス及び機能
セラミックスとして高性能の複合セラミックスを提供す
ること、即ち、例えば、通常の耐熱材料、電子セラミッ
クス材料においては、それほど結晶を成長させなくて
も、耐熱衝撃性が得られ、また、使用時の破壊特性が著
しく改善されるＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方
法を提供することを目的とする。
ｇＯマトリックス中に、分散粒子を複合化することによ
り、ＭｇＯの特性を改善し、構造セラミックス及び機能
セラミックスとして高性能の複合セラミックスを提供す
ること、即ち、例えば、通常の耐熱材料、電子セラミッ
クス材料においては、それほど結晶を成長させなくて
も、耐熱衝撃性が得られ、また、使用時の破壊特性が著
しく改善されるＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＭｇＯ複合セラ
ミックスは、粒子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を有
するＭｇＯマトリックスの結晶粒内及び粒界に、粒子径
１．０μｍ以下のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子１〜２０重
量％を分散させたことを特徴とする。
ミックスは、粒子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を有
するＭｇＯマトリックスの結晶粒内及び粒界に、粒子径
１．０μｍ以下のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子１〜２０重
量％を分散させたことを特徴とする。
【０００９】本発明のＭｇＯ複合セラミックスは、Ｍｇ
Ｏマトリックス中にＳｃ、Ｙ又はＬａ微粒子を分散させ
るという、ナノメーター・オーダーの複合化、即ち、セ
ラミックスの最小構成単位である結晶粒の複合化を行う
ことにより、ＭｇＯセラミックスの物理的性質の改善を
図るものである。即ち、本発明では、ＭｇＯ結晶粒内及
び粒界にＬａ微粒子等を分散させることで、ＭｇＯとＬ
ａ微粒子等との粒界に残留応力を生じさせる。この残留
応力により、隣接する粒子の粒界に圧縮応力場を生じさ
せる。そして、伝播しようとするクラック先端をピニン
グないしシーリングしたり、ディフレクションすること
により、クラック先端の伝播を防止する。
Ｏマトリックス中にＳｃ、Ｙ又はＬａ微粒子を分散させ
るという、ナノメーター・オーダーの複合化、即ち、セ
ラミックスの最小構成単位である結晶粒の複合化を行う
ことにより、ＭｇＯセラミックスの物理的性質の改善を
図るものである。即ち、本発明では、ＭｇＯ結晶粒内及
び粒界にＬａ微粒子等を分散させることで、ＭｇＯとＬ
ａ微粒子等との粒界に残留応力を生じさせる。この残留
応力により、隣接する粒子の粒界に圧縮応力場を生じさ
せる。そして、伝播しようとするクラック先端をピニン
グないしシーリングしたり、ディフレクションすること
により、クラック先端の伝播を防止する。
【００１０】なお、上記作用効果を得る点で、本発明に
おけるマトリックスＭｇＯは、焼結工程で厳密に焼結さ
れる必要があり、この粒子内に分散相のＬａなどが均一
に分散されることが必要である。更に、焼結過程で分散
粒子の一部はマトリックス粒子内に取り込まれるもので
なければならない。本発明に係るＳｃ，Ｙ，Ｌａはこの
ような条件を十分に満たす、ＭｇＯマトリックスの分散
粒子として最適なものである。
おけるマトリックスＭｇＯは、焼結工程で厳密に焼結さ
れる必要があり、この粒子内に分散相のＬａなどが均一
に分散されることが必要である。更に、焼結過程で分散
粒子の一部はマトリックス粒子内に取り込まれるもので
なければならない。本発明に係るＳｃ，Ｙ，Ｌａはこの
ような条件を十分に満たす、ＭｇＯマトリックスの分散
粒子として最適なものである。
【００１１】本発明において、分散粒子のＳｃ、Ｙ又は
Ｌａの出発原料は、各々、Ｓｃ金属粉末、Ｙ金属粉末又
はＬａ金属粉末、或いはそれらの酸化物を用いることが
できる。
Ｌａの出発原料は、各々、Ｓｃ金属粉末、Ｙ金属粉末又
はＬａ金属粉末、或いはそれらの酸化物を用いることが
できる。
【００１２】このような本発明のＭｇＯ複合セラミック
スは、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａの金属粉末とを混合し
て成形した後、或いは、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａの金
属酸化物粉末とを混合して成形し、成形体を水素雰囲気
中、７５０〜８５０℃で還元処理した後、１５００℃以
上の温度で焼結する本発明のＭｇＯ複合セラミックスの
製造方法により製造される。
スは、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａの金属粉末とを混合し
て成形した後、或いは、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａの金
属酸化物粉末とを混合して成形し、成形体を水素雰囲気
中、７５０〜８５０℃で還元処理した後、１５００℃以
上の温度で焼結する本発明のＭｇＯ複合セラミックスの
製造方法により製造される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】本発明のＭｇＯ複合セラミックスは、マト
リックスとしてＭｇＯを用い、分散粒子として元素周期
律表３ａ族の中から選ばれるＳｃ、Ｙ又はＬａ微粒子を
用いること、そして、焼結体のＭｇＯ結晶粒子径が０．
５〜１００μｍであり、分散粒子の粒子径が１μｍ以下
であり、その割合が１〜２０重量％であることが特徴で
ある。
リックスとしてＭｇＯを用い、分散粒子として元素周期
律表３ａ族の中から選ばれるＳｃ、Ｙ又はＬａ微粒子を
用いること、そして、焼結体のＭｇＯ結晶粒子径が０．
５〜１００μｍであり、分散粒子の粒子径が１μｍ以下
であり、その割合が１〜２０重量％であることが特徴で
ある。
【００１５】なお、本発明において、Ｌａ等の分散粒子
の割合は、ＭｇＯと分散粒子との合計に対する内割の割
合である。
の割合は、ＭｇＯと分散粒子との合計に対する内割の割
合である。
【００１６】本発明の複合セラミックスのＭｇＯマトリ
ックスの結晶粒子の粒子径を０．５〜１００μｍとする
理由は、この範囲が、組織制御が可能で強度が大幅に高
くなるためであり、分散粒子の粒子径を１．０μｍ以下
にする理由は、ＭｇＯマトリックス結晶粒内に取り込ま
れるのに適した粒度範囲であるためである。
ックスの結晶粒子の粒子径を０．５〜１００μｍとする
理由は、この範囲が、組織制御が可能で強度が大幅に高
くなるためであり、分散粒子の粒子径を１．０μｍ以下
にする理由は、ＭｇＯマトリックス結晶粒内に取り込ま
れるのに適した粒度範囲であるためである。
【００１７】また、Ｓｃ、Ｙ又はＬａの割合を１〜２０
重量％とする理由は、２０重量％を超えると、特にＳ
ｃ、Ｙ又はＬａの出発原料として酸化物を用いた場合に
は、水素雰囲気での還元処理が不十分で固溶体を生成し
易くなり、金属粉末を用いた場合には、材料組織の制御
が困難となり、強度などの特性がバラツキ、材料の信頼
性がなくなり、いずれの場合も不適当であることによ
る。Ｓｃ、Ｙ又はＬａの割合が、１〜２０重量％の範囲
であれば、マトリックス中に分散粒子が均一に取り込ま
れた組織が制御でき、特性も向上する。
重量％とする理由は、２０重量％を超えると、特にＳ
ｃ、Ｙ又はＬａの出発原料として酸化物を用いた場合に
は、水素雰囲気での還元処理が不十分で固溶体を生成し
易くなり、金属粉末を用いた場合には、材料組織の制御
が困難となり、強度などの特性がバラツキ、材料の信頼
性がなくなり、いずれの場合も不適当であることによ
る。Ｓｃ、Ｙ又はＬａの割合が、１〜２０重量％の範囲
であれば、マトリックス中に分散粒子が均一に取り込ま
れた組織が制御でき、特性も向上する。
【００１８】このＳｃ、Ｙ又はＬａの出発原料として
は、Ｓｃ金属粉末、Ｙ金属粉末又はＬａ金属粉末、或い
は、Ｓｃ2 Ｏ3 等のＳｃ酸化物粉末、Ｙ2 Ｏ3 等のＹ酸
化物粉末、又はＬａ2 Ｏ3 等のＬａ酸化物粉末を用いる
ことができる。
は、Ｓｃ金属粉末、Ｙ金属粉末又はＬａ金属粉末、或い
は、Ｓｃ2 Ｏ3 等のＳｃ酸化物粉末、Ｙ2 Ｏ3 等のＹ酸
化物粉末、又はＬａ2 Ｏ3 等のＬａ酸化物粉末を用いる
ことができる。
【００１９】このような本発明のＭｇＯ複合セラミック
スは、本発明の方法に従って、好ましくは、粒子径５μ
ｍ以下のＭｇＯ粉末及び粒子径１μｍ以下のＳｃ金属粉
末、Ｙ金属粉末、Ｌａ金属粉末、あるいはその酸化物粉
末を混合して所定形状に成形した後、１５００℃以上、
特に１６００〜１６５０℃で常圧焼結することにより製
造される。
スは、本発明の方法に従って、好ましくは、粒子径５μ
ｍ以下のＭｇＯ粉末及び粒子径１μｍ以下のＳｃ金属粉
末、Ｙ金属粉末、Ｌａ金属粉末、あるいはその酸化物粉
末を混合して所定形状に成形した後、１５００℃以上、
特に１６００〜１６５０℃で常圧焼結することにより製
造される。
【００２０】原料として用いるＭｇＯ粉末の粒子径を５
μｍ以下とする理由は、焼結し易いためであり、また分
散粒子の粒子径を１．０μｍ以下とする理由は、粒子径
が１μｍを超えるとマイクロクラックが発生すること、
粒子径１μｍ以下であればマトリックス粒内に分散粒子
が取り込まれ易いこと、そして、残留応力がある限界以
上になってもマイクロクラックが発生しない範囲である
こと等である。
μｍ以下とする理由は、焼結し易いためであり、また分
散粒子の粒子径を１．０μｍ以下とする理由は、粒子径
が１μｍを超えるとマイクロクラックが発生すること、
粒子径１μｍ以下であればマトリックス粒内に分散粒子
が取り込まれ易いこと、そして、残留応力がある限界以
上になってもマイクロクラックが発生しない範囲である
こと等である。
【００２１】なお、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａの出発原料として酸
化物粉末を用いた場合には、焼結に先立ち、水素雰囲気
中、７５０〜８５０℃で還元処理して酸素を除去する。
化物粉末を用いた場合には、焼結に先立ち、水素雰囲気
中、７５０〜８５０℃で還元処理して酸素を除去する。
【００２２】本発明において、焼結温度が１５００℃未
満であると十分な緻密化が図れず、高特性の焼結体が得
られない。焼結は、真空又は不活性雰囲気で常圧焼結、
常圧焼結＋ＨＩＰ（熱間等方圧プレス）処理、或いは、
ホットプレス焼結にて行うのが好ましい。
満であると十分な緻密化が図れず、高特性の焼結体が得
られない。焼結は、真空又は不活性雰囲気で常圧焼結、
常圧焼結＋ＨＩＰ（熱間等方圧プレス）処理、或いは、
ホットプレス焼結にて行うのが好ましい。
【００２３】本発明のＭｇＯ複合セラミックスは、耐熱
材料、耐食材料、電子セラミックス・ターゲット材料
等、各種高性能、高機能性セラミックス材料などに特に
好適である。
材料、耐食材料、電子セラミックス・ターゲット材料
等、各種高性能、高機能性セラミックス材料などに特に
好適である。
【００２４】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２５】実施例１〜１０，比較例１〜５ ＭｇＯ粉末（赤穂化成社製３Ｎ、平均粒径０．２μｍ）
と、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 （三菱マテリアル社製：３
２５メッシュパス品を撹拌ミルで予め粉砕）又はＹ2 Ｏ
3 （信越化学社製、平均粒径０．２μｍ）を表１記載の
配合割合で、エタノールを分散媒として、撹拌ミルで２
時間湿式混合した（ただし、比較例５ではＭｇＯ粉末の
み）。これを充分に乾燥した後に、ボールミルで混合解
砕した。実施例２〜４，６〜８及び１０と比較例３，４
では、得られた混合粉末を黒鉛ダイス（内径φ６０ｍ
ｍ）に充填し、１ＭＰａに予備圧縮した後、水素雰囲気
中、８００℃で５時間還元処理し、その後、誘導加熱式
焼結炉（富士電波工業社製）にてアルゴン雰囲気中でホ
ットプレス焼結した。焼結条件は、１５００℃まで昇温
させた後、１時間保持とし、プレス圧は３０ＭＰａとし
た。
と、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 （三菱マテリアル社製：３
２５メッシュパス品を撹拌ミルで予め粉砕）又はＹ2 Ｏ
3 （信越化学社製、平均粒径０．２μｍ）を表１記載の
配合割合で、エタノールを分散媒として、撹拌ミルで２
時間湿式混合した（ただし、比較例５ではＭｇＯ粉末の
み）。これを充分に乾燥した後に、ボールミルで混合解
砕した。実施例２〜４，６〜８及び１０と比較例３，４
では、得られた混合粉末を黒鉛ダイス（内径φ６０ｍ
ｍ）に充填し、１ＭＰａに予備圧縮した後、水素雰囲気
中、８００℃で５時間還元処理し、その後、誘導加熱式
焼結炉（富士電波工業社製）にてアルゴン雰囲気中でホ
ットプレス焼結した。焼結条件は、１５００℃まで昇温
させた後、１時間保持とし、プレス圧は３０ＭＰａとし
た。
【００２６】また、比較例１，２では水素雰囲気中での
還元処理を行わずに、上記と同様の条件でホットプレス
焼結した。
還元処理を行わずに、上記と同様の条件でホットプレス
焼結した。
【００２７】また、実施例１，５，９及び比較例５で
は、前記のように調製した混合粉末を水素雰囲気中、８
００℃で４時間還元処理した後、この混合粉末を金型
（内径φ６０ｍｍで厚さ７ｍｍ）に充填し、７５ｋｇ／
ｃｍ2 で一軸加圧成形した後、１５００ｋｇ／ｃｍ2 で
ＣＩＰ成形し、得られた成形体を焼結炉（富士電波工業
社製）に入れ、水素雰囲気中、８００℃で１時間還元処
理した後、アルゴン雰囲気中１３５０℃で１時間保持
し、１６５０℃で３時間常圧焼結した。
は、前記のように調製した混合粉末を水素雰囲気中、８
００℃で４時間還元処理した後、この混合粉末を金型
（内径φ６０ｍｍで厚さ７ｍｍ）に充填し、７５ｋｇ／
ｃｍ2 で一軸加圧成形した後、１５００ｋｇ／ｃｍ2 で
ＣＩＰ成形し、得られた成形体を焼結炉（富士電波工業
社製）に入れ、水素雰囲気中、８００℃で１時間還元処
理した後、アルゴン雰囲気中１３５０℃で１時間保持
し、１６５０℃で３時間常圧焼結した。
【００２８】得られたＭｇＯ焼結体は、切り出し、研削
・研摩加工して、ＪＩＳ Ｒ１６０１に準じた３×４×
４０ｍｍの３点曲げ試験片の大きさとし、密度、破壊強
度を調べた。その結果を表１に示す。なお、密度はトル
エン中、アルキメデス法で測定した。破壊強度は３点曲
げ試験により測定した。
・研摩加工して、ＪＩＳ Ｒ１６０１に準じた３×４×
４０ｍｍの３点曲げ試験片の大きさとし、密度、破壊強
度を調べた。その結果を表１に示す。なお、密度はトル
エン中、アルキメデス法で測定した。破壊強度は３点曲
げ試験により測定した。
【００２９】なお、実施例１〜１０のものについて、結
晶組織をＳＥＭ観察により調べたところ、いずれも、粒
子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を有するＭｇＯマト
リックスの結晶粒内及び粒界に、粒子径１．０μｍ以下
のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子が均一に分散していた。
晶組織をＳＥＭ観察により調べたところ、いずれも、粒
子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を有するＭｇＯマト
リックスの結晶粒内及び粒界に、粒子径１．０μｍ以下
のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子が均一に分散していた。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１より明らかなように、本発明のＭｇＯ
複合セラミックスは、Ｓｃ、Ｙ又はＬａの分散粒子がＭ
ｇＯ結晶粒内及び粒界に分散した組織を有しており、曲
げ強度は単相材料の約２倍まで向上し、高密度で特性の
バラツキも少ない。しかも、このような高性能なＭｇＯ
複合セラミックスを、ホットプレス焼結だけでなく、常
圧焼結でも安価に製造することができる。
複合セラミックスは、Ｓｃ、Ｙ又はＬａの分散粒子がＭ
ｇＯ結晶粒内及び粒界に分散した組織を有しており、曲
げ強度は単相材料の約２倍まで向上し、高密度で特性の
バラツキも少ない。しかも、このような高性能なＭｇＯ
複合セラミックスを、ホットプレス焼結だけでなく、常
圧焼結でも安価に製造することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＭｇＯ複合
セラミックス及びその製造方法によれば、ＭｇＯセラミ
ックスの破壊靭性、耐熱衝撃性、曲げ強度等の機械的特
性が著しく改善され、各種構造セラミックス材料又は機
能セラミックス材料として有用な高特性ＭｇＯ複合セラ
ミックスが提供される。
セラミックス及びその製造方法によれば、ＭｇＯセラミ
ックスの破壊靭性、耐熱衝撃性、曲げ強度等の機械的特
性が著しく改善され、各種構造セラミックス材料又は機
能セラミックス材料として有用な高特性ＭｇＯ複合セラ
ミックスが提供される。
Claims (4)
- 【請求項１】 粒子径０．５〜１００μｍの結晶粒子を
有するＭｇＯマトリックスの結晶粒内及び粒界に、粒子
径１．０μｍ以下のＳｃ、Ｙ又はＬａの微粒子１〜２０
重量％を分散させたことを特徴とするＭｇＯ複合セラミ
ックス。 - 【請求項２】 請求項１に記載のセラミックスにおい
て、Ｓｃ、Ｙ又はＬａの出発原料は、各々、Ｓｃ金属粉
末、Ｙ金属粉末又はＬａ金属粉末、或いはそれらの酸化
物であることを特徴とするＭｇＯ複合セラミックス。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＭｇＯ複合セラミック
スを製造する方法であって、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａ
の金属粉末とを混合して成形した後、１５００℃以上の
温度で焼結することを特徴とするＭｇＯ複合セラミック
スの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のＭｇＯ複合セラミック
スを製造する方法において、ＭｇＯとＳｃ、Ｙ又はＬａ
の金属酸化物粉末とを混合して成形した後、水素雰囲気
中、７５０〜８５０℃で還元処理し、その後、１５００
℃以上の温度で焼結することを特徴とするＭｇＯ複合セ
ラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32841296A JP3223822B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32841296A JP3223822B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167807A true JPH10167807A (ja) | 1998-06-23 |
| JP3223822B2 JP3223822B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=18209982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32841296A Expired - Fee Related JP3223822B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223822B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1672667A2 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-21 | Samsung SDI Co., Ltd. | Plasma display panel including protective layer and method of forming the protective layer |
| US20140144775A1 (en) * | 2011-07-01 | 2014-05-29 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | MgO TARGET FOR SPUTTERING |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP32841296A patent/JP3223822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3223822B2 (ja) | 2001-10-29 |
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