JPH10163324A

JPH10163324A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10163324A
Application number: JP32001696A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Yoshihara; 秀一吉原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-11-29
Filing date: 1996-11-29
Publication date: 1998-06-19

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒューズ上に形成される絶縁膜の全体の厚さ
が大きくなってエッチングのばらつきが大きくなるよう
な場合でも、ヒューズ上の残膜の厚さを所定の厚さとす
ることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ヒューズ１２を覆うように、第１絶縁膜
１４を所定の厚さＴに形成し、配線層のうち最も下層の
配線層の形成と同時に、第１絶縁膜１４の上にアルミニ
ウムで成るストッパー層１５を形成する。このストッパ
ー層１５の上に、第２絶縁膜１６、第３絶縁膜１７及び
パッシベーション膜１８を形成する。そして、絶縁膜を
被エッチング材料とするエッチングにより第２絶縁膜１
６、第３絶縁膜１７及びパッシベーション膜１８のヒュ
ーズ上の部分１６ａ、１７ａ、１８ａを除去した後、ア
ルミニウムを被エッチング材料とするエッチングにより
ストッパー層１５のヒューズ１２上の部分１５ａを除去
して、第１絶縁膜１４のヒューズ１２上の部分１４ａの
みを、ヒューズ１２上に残す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】メモリーＩＣは、複数のメモリーセルか
ら成るが、そのメモリーセルの１個所でも欠陥がある
と、メモリーＩＣの全体が不良品となる。そのため、正
規のメモリーセル以外に予備のメモリーセルを設けて、
欠陥メモリーセルを予備のメモリーセルに置換し、数少
ない欠陥メモリセルのためにメモリーＩＣが不良品とな
ることを防止している。このメモリーセルの置換は、回
路内に配設されたヒューズを切断することにより行われ
る。すなわち、欠陥メモリーセルのデコーダ及びセンス
アンプに接続するヒューズを切断して欠陥メモリーセル
を切り離し、かつ予備デコーダ内に配設される予備メモ
リーセルのドレインとなるトランジスタのヒューズを切
断して、欠陥メモリーセルの代わりに予備メモリーセル
が駆動するようにしている。なお、このヒューズの切断
は、レーザーによる方法が多く用いられている。

【０００３】図６のＡで示されるように、ヒューズ１の
上方には、例えばＳｉＯ₂ などの絶縁膜２、３、４や、
例えばプラズマシリコン窒化膜（以下、Ｐ−ＳｉＮと記
載する）などでなるパッシベーション膜５が堆積してい
る。ヒューズ１の上方にあるこれらの絶縁膜２、３、４
及びパッシベーション膜５が厚すぎると、ヒューズ１が
レーザーで切断できない。そこで、従来は、ヒューズ１
の大きさと整合する開口部９ａを有するレジスト９をパ
ッシベーション膜５の上に形成して、パッシベーション
膜５と絶縁膜２、３、４との選択比の高いエッチング
（例えばＣＦ₄ ＋Ｏ₂ のドライエッチング）でパッシベ
ーション膜５を除去した後、絶縁膜２、３、４をエッチ
ングして、図６のＢで示されるように、ヒューズ１の上
方に適切な厚さＴ’の残膜部２ａを生成していた。なお
逆に、残膜部２ａの厚さＴ’が薄すぎると、レーザーで
ヒューズ１を切断する際に、ヒューズ１を構成している
金属が飛び散り、図示しない隣のヒューズなどに悪影響
を与える恐れがある。そこで、残膜の厚さは所定の厚
さ、例えば２００〜１２００ｎｍ程度にされていた。

【０００４】しかしながら、今後、高集化・高密化が進
むと、デバイスによっては、ヒューズ１上に堆積する絶
縁膜の厚さ（図６のＡにおいては絶縁膜２、３、４の合
計の厚さＬ）が４μｍ以上となることがある。従来の技
術においては、絶縁膜２、３、４は、一度のエッチング
で除去されるため、エッチングの精度のばらつきを±１
５％（現在、この値以下のばらつきは許容されている）
としても、厚さが４μｍ以上となると、その残膜部２’
のばらつきは、±６００ｎｍと大きくなる。従って、残
膜部２’の厚さＴ’を、２００ｎｍ〜１２００ｎｍ程度
の適当な厚さとすることができない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑みてなされ、ヒューズの上方に堆積する残膜が厚く
なったとしても、ヒューズ上の残膜の厚さを適当な厚さ
とすることのできる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、複数層
（例えば、実施例の１４、１６、１７、１８：以下、同
様）からなる絶縁膜をエッチングにより除去して、ヒュ
ーズ（１２）上にある前記絶縁膜の厚さを所定の厚さ
（Ｔ）とする半導体装置の製造方法において、前記ヒュ
ーズ（１２）上にある前記絶縁膜の下層部（１４）を前
記所定の厚さ（Ｔ）に形成し、該下層部（１４）の直上
方に、該絶縁膜とのエッチングの選択比が高い膜でなる
ストッパー層（１５）を形成させ、前記絶縁膜を最上層
部（１８）まで形成した後に、該ストッパー層（１５）
より上方にある前記絶縁膜（１６ａ、１７ａ、１８ａ）
をエッチングにより除去し、その後、前記ヒューズ（１
２）上にある前記ストッパー層（１５ａ）をエッチング
により除去することを特徴とする半導体装置の製造方
法、によって解決される。

【０００７】このような成膜方法によって、ヒューズ上
の絶縁膜の膜厚が厚く形成されるに伴って、エッチング
のばらつきが大きくなる場合でも、ヒューズ上に残すべ
き絶縁膜の厚さを所定の厚さとすることができる。

【０００８】又、以上の課題は、複数層（例えば、実施
例の１４、１６、１７’、１８’：以下、同様）からな
る絶縁膜をエッチングにより除去して、ヒューズ（１
２）上にある前記絶縁膜の厚さを所定の厚さ（Ｔ）とす
る半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ（１
２）上にある前記絶縁膜の下層部（１４）を所定の厚さ
（Ｔ）に形成し、該下層部（１４）の直上方に、該絶縁
膜とのエッチングの選択比が高い膜でなるストッパー層
（１５）を形成させ、該ストッパー層（１５）の上に前
記絶縁膜の中間層部（１６、１７’）を堆積させ、該中
間層部（１６、１７’）のコンタクトホールを形成する
際のエッチングと同時に、ヒューズ（１２）上の該中間
層部（１６ａ、１７ａ’）を除去し、該中間層部（１
６、１７’）の上に前記絶縁膜の上層部（１８’）を堆
積させ、前記ヒューズ（１２）上の該上層部（１８
ａ’）をエッチングで除去した後、前記ヒューズ（１
２）上にある前記ストッパー層（１５ａ）をエッチング
により除去することを特徴とする半導体装置の製造方
法、によって解決される。

【０００９】このような成膜方法によって、ヒューズ上
の絶縁膜の膜厚が厚く形成されるとしても、ヒューズ上
に残す絶縁膜の厚さを所定の厚さとすることができる。
加えて、絶縁膜を堆積させた後にエッチングする絶縁膜
は上層部だけであるので、ヒューズ上に残す絶縁膜の厚
さを所定の厚さとする際のエッチングの時間を短縮する
ことができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】ヒューズ上に形成される絶縁膜の
うち、下層部を所定の厚さに形成し、そのすぐ上方にス
トッパー層（これは絶縁膜のエッチングを行うときは下
地材料となり、被エッチング材料として除去される際に
は絶縁膜を下地材料とする層）を形成した後、絶縁膜を
最上層部まで形成する。その後、絶縁膜のみをエッチン
グして除去するが、このエッチングはストッパー層との
選択比が高いので、ストッパー層はほとんど除去されず
に、絶縁膜のみが除去される。次に、絶縁膜との選択比
が高いエッチングによりストッパー層のみを除去するの
で、ストッパー層の下に形成されている絶縁膜はほとん
ど除去されない。従って、エッチングのばらつきによる
残膜の厚さの誤差はほとんどなく、ヒューズ上の残膜を
所定の厚さとすることができる。

【００１１】又、ヒューズ上に形成される絶縁膜のう
ち、下層部を所定の厚さに形成し、そのすぐ上方にスト
ッパー層を形成した後、更に絶縁膜の中間層部を堆積す
る。この絶縁膜のコンタクトホールを形成する際に、同
時に、この絶縁膜のヒューズ上に堆積している部分を除
去する。このとき、中間層部の下には、ストッパー層が
形成されているので、ストッパー層の上面まで完全に絶
縁膜をエッチングすることができる。すなわち、中間層
部の絶縁膜のコンタクトホールの形成と同一の工程で、
ヒューズ上の中間層部の絶縁膜を除去することができ
る。その後、上層部を形成し、この上層部をエッチング
によって除去するが、このエッチングは絶縁膜とストッ
パー層との選択比が高いので、ストッパー層はほとんど
除去されずに、絶縁膜の上層部のみが除去される。この
とき、除去される膜は上層部のみであるので、エッチン
グの時間を短縮することができる。次に、絶縁膜との選
択比が高いエッチングによりストッパー層を除去するの
で、ストッパー層の下の絶縁膜はほとんど除去されずに
残る。従って、ストッパー層の下の絶縁膜はそのまま残
り、ヒューズ上の残膜を所定の厚さとすることができ
る。

【００１２】なお、絶縁膜を最上層部まで形成した後、
又は上層部を形成した後、絶縁膜のみを除去する際に
は、ボンディングパッド上のパッシベーション膜を除去
する工程と同時に行えば、従来の工程に、ストッパー層
をエッチングするという工程のみを追加すればよいだけ
であるので、工程数を大巾に増加させることなく、所定
の厚さの残膜が常に得られる。また、ストッパー層を、
最も下に形成される配線層の形成と同一の工程で作成す
れば、従来の工程数を増やすことなく、ヒューズ上にス
トッパー層を形成することができる。なお、アルミニウ
ムのエッチングは絶縁膜との選択比が極めて高いので、
ストッパー層としてアルミニウム配線を用いるのが最も
よい。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１４】まず、第１実施例について図１又は図２を
参照して説明する。

【００１５】図１のＡで示すように、基板１１上に、ヒ
ューズ１２を形成する。このヒューズ１２は、ポリサイ
ド構造をしており、すなわちポリシリコン１２ａの上に
チタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂ ）１２ｂを重ねた構造を
している。ヒューズ１２の周囲には、側壁酸化膜１３が
形成されているが、これは公知のように、基板１１上に
形成される図示しないＭＯＳ等のＬＤＤ領域を定める際
のマスクとなる絶縁膜の形成と同時に形成された絶縁膜
である。更に、ヒューズ１２上には、第１絶縁層１４が
堆積している。この第１絶縁層１４は、例えばＰＳＧ
（燐を含んだＳｉＯ₂ ）で成り、この第１絶縁層１４の
ヒューズ１２上の部分１４ａの膜厚Ｔは約２００〜１２
００ｎｍ程度となっている。

【００１６】次に、第１絶縁層１４の上に、第１の配線
層を形成するアルミニウム層を均一に堆積させる。そし
て、従来のレチクルを変更し、このアルミニウム層がヒ
ューズ１２上に残るように、すなわち図において１５ａ
で示される部分が残るように、フォトレジスト２５を形
成する。そして、図１のＢに示されるように、エッチン
グによりアルミニウム層を残すことによってストッパー
層１５を形成する。なお本実施例では、このストッパー
層１５は、ヒューズ１２の大きさより大きめに形成され
ている。その後、図１のＣに示されるように、このスト
ッパー層１５の上に、例えばＰＳＧなどでなる第２絶縁
層１６を堆積させ、多層配線の断線不良防止のために、
この第２絶縁層１６の表面を公知の方法により平坦化
し、パターンを形成する。

【００１７】次に、第２絶縁層１６の上に、第２の配線
層となる図示しないアルミニウム層を形成し、このアル
ミニウム層をパターニングした後（ヒューズ１２上の第
２の配線層は除去される）、その上に、例えばＰＳＧ等
の絶縁膜でなる第３絶縁層１７を形成し、その表面を平
坦化する。そして、第３絶縁層１７をパターニングした
後（ヒューズ１２上には第３絶縁膜１７が残る）、図示
しない第３の配線層となるアルミニウム層を堆積させて
パターン形成し（ヒューズ１２上の第３の配線層は除去
される）、その上に、例えばＰ−ＳｉＮの絶縁膜でなる
パッシベージョン層１８を均一に堆積させる。従って、
図２のＡに示すように、ヒューズ１２上には、第１絶縁
層１４、ストッパー層１５、第２絶縁層１６、第３絶縁
層１７、パッシベーション層１８が形成される。

【００１８】そして、パッシベージョン層１８の図示し
ないボンディングパッドにある部分と、ヒューズ１２上
にある絶縁膜とを除去するパターンを有するフォトレジ
スト２１をパッシベーション層１８の上に形成する。そ
して、酸化膜エッチャーで公知のガスを用いてエッチン
グを行う。このとき、酸化膜エッチャーで用いられるガ
スは、（どのガスを用いても）ストッパー層１５の材料
であるアルミニウムとの選択性が高いため、ストッパー
層１５は全くエッチングされない。従って、ストッパー
層１５より上方にある絶縁膜、すなわち第２絶縁層１
６、第３絶縁層１７、パッシベージョン層１８のヒュー
ズ１２上の部分、すなわち図２のＡにおける１６ａ、１
７ａ、１８ａの部分が完全に除去され、図２のＢの状態
となる。

【００１９】次に、アルミニウムエッチャーで、例えば
ＢＣｌ₃ ＋Ｃｌ₂ のガスを用いたドライエッチングを行
う。すると、図２のＣで示すように、ストッパー層１５
のヒューズ１２上の部分１５ａがエッチングされる。こ
のときのエッチングは、アルミニウムと、下地材料とな
る第１絶縁層１４との選択性が高いので、第１絶縁層１
４は、ほとんどエッチングされずに残る。従って、ヒュ
ーズ１２上の絶縁膜は第１絶縁層１４の厚さ、すなわち
所定の厚さＴとなる。そして最後に、フォトレジスト２
１を除去する。

【００２０】本実施例では、第１絶縁層１４のヒューズ
１２のすぐ上に形成されている部分１４ａは、ほとんど
エッチングされずに残るので、ヒューズ１２上の残膜
は、第１絶縁層１４の膜厚とほぼ等しく、従ってヒュー
ズ１２上の残膜を所定の膜厚にすることができる。

【００２１】次に、本発明の第２実施例について図１、
図３乃至図５を参照して説明するが、上記第１実施例と
同様な部分については、同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。

【００２２】図１のＡに示すように、上記第１実施例と
同様に、基板１１上にヒューズ１２を形成し、その上に
第１絶縁層１４を、ヒューズ１２を覆うように形成す
る。そして、第１絶縁層１４の上にアルミニウム配線形
成時と同時に形成されるストッパー層１５、その上に第
２絶縁層１６を堆積させ、第２絶縁層１６の表面を平坦
化して図１のＣの状態とする。その後、図３のＡで示さ
れるようにコンタクトホールを形成するレチクルを、ヒ
ューズ１２上にもコンタクトホールが形成されるように
（すなわちヒューズ１２上の部分が除去されるように）
変更して、フォトレジスト２６を形成する。そして、公
知のガスを用いてドライエッチングを行っって、第２絶
縁層１６を所定のパターンに形成した後、フォトレジス
ト２６を除去する。すなわち、コンタクトホールの形成
と同時に、図１のＣで示した第２絶縁層１６のヒューズ
１２上の部分１６ａを除去して、開口部１６ｂを形成す
る。なお、このときのエッチングはアルミニウムとの選
択比が高いので、ストッパー層１５はほとんどエッチン
グされずに残る。

【００２３】そして、図３のＢで示すように、第２の配
線層であるアルミニウム層２２を均一に堆積させ、所定
のパターンを形成する。この際、ヒューズ１２上のアル
ミニム層２２は、ほとんど除去されるが、本実施例で
は、アルミニウム層２２は開口部１６ｂ内にも形成され
るので、すなわち段差部分にもにアルミニム層２２が堆
積するため、開口１６ｂの側壁についたアルミニウム層
２２は完全には除去されず、図３のＣで示すように、ア
ルミニウム側壁部２２ａが残る。次に、第２絶縁層１６
の上に、第３絶縁層１７’を均一に堆積させ、断線不良
防止のために平坦化を行う。そして、第３絶縁層１７’
のコンタクトホールを形成するレチクルを、ヒューズ１
２上にもコンタクトホールが形成されるように、すなわ
ちヒューズ１２上の部分が除去されるように変更して、
すなわちヒューズ１２上に図４のＡに示すようなフォト
レジスト２７を形成する。そして、公知のガスを用いた
ドライエッチングを行っって、第３絶縁層１７’のコン
タクトホールの形成と同時に、図４のＢに示すように、
第３絶縁層１７’のヒューズ１２上の部分１７ａ’を除
去して、開口部１７ｂ’を形成する。

【００２４】更に、第３配線層であるアルミニウム層を
堆積させた後、パターニングする。すると、第２のアル
ミニウム層２２と同様に、図４のＣに示すように、開口
部１７ｂ’の内周にアルミニウム側壁部２３ａが残る。
この上に、パッシベージョン層１８’を均一に形成し、
この層１８’の図示しないボンディングパッド上の部分
を除去する際に用いるレチクルに、パッシベージョン層
１８’のヒューズ１２上の部分も除去するような変更を
加えて、パッシベーション層１８’の上にフォトレジス
ト２８を形成する（図５のＡ）。そして、図５のＢに示
すように、例えばＣＦ₄ ＋Ｏ₂ を用いたエッチングによ
り、図示しないボンディングパッド上にあるパッシベー
ション層１８’及びパッシベーション層１８’のヒュー
ズ１２上の部分１８ａ’を除去する。このときに用いら
れるエッチングは、アルミニウム層との選択比が高いの
で、ヒューズ１２上のストッパー層１５ａは全く除去さ
れない。なお、本実施例では、パッシベーション層１
８’は開口部１６ｂ、１７ｂ’に形成されていたため、
開口部１６ｂ、１７ｂ’にパッシベーション層１８’の
一部１８ｂ’が残る。

【００２５】次に、上記第１実施例と同様に、アルミニ
ウムエッチャーでストッパー層１５のエッチングを行
い、ヒューズ１２上のストッパー層１５を除去する。こ
のときのエッチングは、第１絶縁層１４との選択比が高
いので、ストッパー層１５のヒューズ１２上にある部分
１５ａが除去されても、そのストッパー層１５の下に形
成されている第１絶縁層１４は、ほとんどエッチングさ
れることがない。従って、ヒューズ１２上には、第１絶
縁層１４の部分１４ａがほぼそのままの厚さで残る。す
なわちヒューズ１２上には所定の厚みＴの絶縁膜が形成
される。

【００２６】本実施例では、上記実施例と同様に、ヒュ
ーズ１２上に、所定の厚さの絶縁膜の層を形成し、その
すぐ上に、最も下層に形成される配線材料のアルミニウ
ムからなるストッパー層を形成し、この層より上方に形
成される絶縁膜の層を、ストッパー層と選択比の高いエ
ッチングにより除去した後、ストッパー層を除去するの
で、ストッパー層より下に形成された絶縁膜のみがヒュ
ーズ１２上に残る。すなわち、ヒューズ１２上に、所定
の厚さの残膜を形成することができる。

【００２７】加えて、本実施例では、配線層間膜である
絶縁膜１６、１７’のコンタクトホールを形成するとき
に、同時に、絶縁膜１６、１７’のヒューズ１２上に形
成される部分１６ａ’、１７ａ’を除去するようにし
た。そのため、配線層が形成し終わった後、ヒューズ１
２の上にはパッシベーション層１８だけしか形成されて
おらず、ボンディングパッド上に形成されているパッシ
ベーション層１８’を除去する際には、ヒューズ１２の
上も、パッシベーション層の絶縁膜のみを除去すればよ
い。従って、ヒューズ１２上の絶縁膜を除去するための
エッチング時間を短縮することができる。

【００２８】以上、本発明の各実施例について説明した
が、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００２９】例えば、本実施例では、ストッパー層とし
て、配線と同じ材質でなるアルミニウムを用いたが、絶
縁膜との選択比が高い材料でなれば、他の材質、例えば
Ｍｏなどを用いてもよい。しかし、アルミニウムは、絶
縁膜との選択比が極めて高いので、アルミニウムを用い
るのが最もよい。また、エッチングに用いたガスは上記
に記載したものに限定されることなく、アルミニウムと
絶縁膜との選択比が高くできるものであれば、何でも適
用できる。

【００３０】更に、本実施例では、ヒューズ１２上とス
トッパー層１５との間に形成されている絶縁膜は１つの
層でなるようにしたが、ヒューズ上からストッパー層１
５までに形成される絶縁膜の厚さが所定の厚さに形成で
きるのであれば、複数層からなるようにしてもよい。

【００３１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ヒ
ューズ上に堆積する絶縁膜の厚さが大きくなっても、確
実に、ヒューズ上には、所定の厚さの残膜を形成するこ
とができる。更に、ヒューズ上に形成される絶縁膜にコ
ンタクトホールを形成する際に、ヒューズ上の絶縁膜も
エッチングにより除去すれば、ヒューズ上に形成される
すべての絶縁膜を形成した後に、ヒューズ上の絶縁膜を
除去するためのエッチングの時間を短縮することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１、第２実施例による未完の半導体
装置の主要部を示す正面断面図であり、Ａはヒューズ上
に絶縁膜の下層を形成した第１工程を示し、Ｂはストッ
パー層を形成した第２工程を示し、Ｃはストッパー層の
上に１つの中間層を形成した第３工程を示す。

【図２】本発明の第１実施例による未完の半導体装置の
主要部を示す正面断面図であり、Ａは絶縁膜の最上層ま
で形成した第４工程を示し、Ｂはヒューズ上にあるスト
ッパー層より上方の絶縁膜をエッチングした第５工程を
示し、Ｃはヒューズ上にあるストッパー層をエッチング
した第６工程を示す。

【図３】本発明の第２実施例による未完の半導体装置の
主要部を示す正面断面図であり、Ａはヒューズ上の中間
層を除去した第４工程を示し、Ｂは該中間層の上方に第
２の配線層を形成した第５工程を示し、Ｃは第５工程で
形成した第２の配線層をパターニングした第６工程を示
す。

【図４】本発明の第２実施例による未完の半導体装置の
主要部を示す正面断面図であり、Ａは第２の配線層の上
に形成される中間層を形成した第７工程を示し、Ｂはヒ
ューズ上の該中間層を除去した第８工程を示し、Ｃは該
中間層の上方に第３の配線層を形成してパターニングし
た第９工程を示す。

【図５】本発明の第２実施例による未完の半導体装置の
主要部を示す正面断面図であり、Ａは絶縁膜の上層部で
あるパッシベーション膜を形成した第１０工程を示し、
Ｂはヒューズ上にあるパッシベーション膜を除去した第
１１工程を示し、Ｃはヒューズ上にあるストッパー層を
除去した第１２工程を示す。

【図６】従来例による未完の半導体装置の主要部を示す
正面断面図であり、Ａはヒューズ上の絶縁膜を最上層部
まで形成した状態を示し、Ｂはヒューズ上の絶縁膜を所
定の厚さ残して除去した状態を示している。

【符号の説明】

１２……ヒューズ、１４……第１絶縁膜、１４ａ……ヒ
ューズ上の部分、１５……ストッパー層、１５ａ……ヒ
ューズ上の部分、１６……第２絶縁膜、１６ａ……ヒュ
ーズ上の部分、１６ｂ……開口部、１７、１７’……第
３絶縁膜、１７ａ、１７ａ’……ヒューズ上の部分、１
７ｂ’……開口部、１８、１８’……パッシベーション
膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数層からなる絶縁膜をエッチングによ
り除去して、ヒューズ上にある前記絶縁膜の厚さを所定の厚さとする
半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ上にある前記絶縁膜の下層部を前記所定の
厚さに形成し、該下層部の直上方に、該絶縁膜とのエッチングの選択比
が高い膜でなるストッパー層を形成させ、前記絶縁膜を最上層部まで形成した後に、該ストッパー層より上方にある前記絶縁膜をエッチング
により除去し、その後、前記ヒューズ上にある前記ストッパー層をエッ
チングにより除去することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項２】前記最上層部がパッシベーション膜であ
り、前記ストッパー層より上方にある絶縁膜が、ボンディン
グパッド上に形成されている前記パッシベーション膜の
除去と同時に、除去されることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】複数層からなる絶縁膜をエッチングによ
り除去して、ヒューズ上にある前記絶縁膜の厚さを所定の厚さとする
半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ上にある前記絶縁膜の下層部を所定の厚さ
に形成し、該下層部の直上方に、該絶縁膜とのエッチングの選択比
が高い膜でなるストッパー層を形成させ、該ストッパー層の上に前記絶縁膜の中間層部を堆積さ
せ、該中間層部のコンタクトホールを形成する際のエッチン
グと同時に、前記ヒューズ上の該中間層部を除去し、該中間層部の上に前記絶縁膜の上層部を堆積させ、前記ヒューズ上の該上層部をエッチングで除去した後、前記ヒューズ上にある前記ストッパー層をエッチングに
より除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記上層部がパッシベーション膜であ
り、該上層部が、ボンディングパッド上に形成されている前
記パッシベーション膜の除去と同時に、除去されること
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記ストッパー層が、前記下層部の上に
形成される配線層の形成と同時に、形成されることを特
徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項６】前記ストッパー層がアルミニウムでなる
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方
法。