JPH10163080A - 半導体製造システム - Google Patents
半導体製造システムInfo
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- JPH10163080A JPH10163080A JP31630096A JP31630096A JPH10163080A JP H10163080 A JPH10163080 A JP H10163080A JP 31630096 A JP31630096 A JP 31630096A JP 31630096 A JP31630096 A JP 31630096A JP H10163080 A JPH10163080 A JP H10163080A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性のばらつきを少なくし、高品質の半導体
製品を歩留まりよく、安定に製造する。 【解決手段】 デバイス特性の相関を表す評価関数を作
成する評価関数作成装置150と、製造ラインの工程デー
タを収集する工程データ収集装置120と、工程データを
もとに評価パラメータを計算する評価パラメータ計算装
置130と、評価関数を用いて評価パラメータの変動に対
応する各デバイス特性をそれぞれ解析し次工程の製造条
件の候補を計算するデバイス特性解析装置140と、製造
条件の候補の中から次工程の製造条件を最適化する次工
程製造条件制御装置160と、最適化した次工程の製造条
件を製造ラインに指示する製造条件指示装置170とから
構成される。
製品を歩留まりよく、安定に製造する。 【解決手段】 デバイス特性の相関を表す評価関数を作
成する評価関数作成装置150と、製造ラインの工程デー
タを収集する工程データ収集装置120と、工程データを
もとに評価パラメータを計算する評価パラメータ計算装
置130と、評価関数を用いて評価パラメータの変動に対
応する各デバイス特性をそれぞれ解析し次工程の製造条
件の候補を計算するデバイス特性解析装置140と、製造
条件の候補の中から次工程の製造条件を最適化する次工
程製造条件制御装置160と、最適化した次工程の製造条
件を製造ラインに指示する製造条件指示装置170とから
構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造システ
ムに関するものである。
ムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造装置は、図５に示し
たように複数の加工装置や検査装置から構成され、それ
らの装置を予め決められた製造条件で稼働させていた。
図５において、半導体ウエハ１は加工装置２に入り、様
々な処理が施され、検査装置３にて測定、検査が行われ
る。このとき、加工装置が行う処理は、予め設定された
レシピ４と呼ばれる製造条件通りに遂行される。
たように複数の加工装置や検査装置から構成され、それ
らの装置を予め決められた製造条件で稼働させていた。
図５において、半導体ウエハ１は加工装置２に入り、様
々な処理が施され、検査装置３にて測定、検査が行われ
る。このとき、加工装置が行う処理は、予め設定された
レシピ４と呼ばれる製造条件通りに遂行される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、加工装置２の処理がばらつき、予定通り
の処理がウエハ１になされなかった場合、製造途中にて
ウエハ１を廃棄したり、ウエハ１上に作られる半導体製
品の性能が低下するといった問題がある。
来の構成では、加工装置２の処理がばらつき、予定通り
の処理がウエハ１になされなかった場合、製造途中にて
ウエハ１を廃棄したり、ウエハ１上に作られる半導体製
品の性能が低下するといった問題がある。
【０００４】また、加工装置２の処理がばらついたと
き、次工程の製造条件をシミュレーションを用いて計算
する方法も考えられるが、シミュレーションの計算に多
くの時間を要して製造ラインの進捗が遅れるという問題
がある。
き、次工程の製造条件をシミュレーションを用いて計算
する方法も考えられるが、シミュレーションの計算に多
くの時間を要して製造ラインの進捗が遅れるという問題
がある。
【０００５】また、加工装置２の処理がばらついたと
き、すべてのデバイス特性を同時に最適化する次工程の
製造条件を計算することが困難であるという問題もあっ
た。
き、すべてのデバイス特性を同時に最適化する次工程の
製造条件を計算することが困難であるという問題もあっ
た。
【０００６】さらには、ロット単位でばらつきが大き
く、次工程の製造条件を変更してデバイス特性の品質を
上げることが困難であるという問題もあった。
く、次工程の製造条件を変更してデバイス特性の品質を
上げることが困難であるという問題もあった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、高品質の半導体製品を歩留まりよく、安定に製造
できる半導体製造システムを提供することを目的とす
る。
ので、高品質の半導体製品を歩留まりよく、安定に製造
できる半導体製造システムを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の半導体製造システムは、予めプロセスパラ
メータとデバイス特性の相関を表す評価関数を作成する
評価関数作成装置と、製造ラインの加工装置の処理デー
タや検査装置の測定データなどの工程データを収集する
工程データ収集装置と、前記工程データをもとに製造工
程管理に用いる評価パラメータを計算する評価パラメー
タ計算装置と、前記評価関数を用いて前記評価パラメー
タの変動に対応する各デバイス特性をそれぞれ解析し次
工程の製造条件の候補を計算するデバイス特性解析装置
と、前記製造条件の候補の中から半導体製品のすべての
デバイス特性の規格を満足するように次工程の製造条件
を最適化する次工程製造条件制御装置と、最適化した前
記次工程の製造条件を次工程の加工装置および検査装置
に指示する製造条件指示装置とを備えた構成とする。
に、本発明の半導体製造システムは、予めプロセスパラ
メータとデバイス特性の相関を表す評価関数を作成する
評価関数作成装置と、製造ラインの加工装置の処理デー
タや検査装置の測定データなどの工程データを収集する
工程データ収集装置と、前記工程データをもとに製造工
程管理に用いる評価パラメータを計算する評価パラメー
タ計算装置と、前記評価関数を用いて前記評価パラメー
タの変動に対応する各デバイス特性をそれぞれ解析し次
工程の製造条件の候補を計算するデバイス特性解析装置
と、前記製造条件の候補の中から半導体製品のすべての
デバイス特性の規格を満足するように次工程の製造条件
を最適化する次工程製造条件制御装置と、最適化した前
記次工程の製造条件を次工程の加工装置および検査装置
に指示する製造条件指示装置とを備えた構成とする。
【０００９】上記構成によれば、半導体製品の特性ばら
つきが小さくなり、高品質の半導体製品を歩留まりよ
く、安定して製造することができる。
つきが小さくなり、高品質の半導体製品を歩留まりよ
く、安定して製造することができる。
【００１０】また、上記半導体製造システムにおいて、
評価関数作成装置は、レスポンスサーフェス法を用いて
評価関数を計算する機能を有する構成とする。これによ
り、評価パラメータの変動に対応するデバイス特性の解
析を短時間に計算することができる。
評価関数作成装置は、レスポンスサーフェス法を用いて
評価関数を計算する機能を有する構成とする。これによ
り、評価パラメータの変動に対応するデバイス特性の解
析を短時間に計算することができる。
【００１１】また次工程製造条件制御装置は、ファジー
推論を用いて次工程の製造条件を最適化する機能を有す
る構成とする。これにより、評価パラメータの変動が影
響を及ぼすすべてのデバイス特性を最適化することがで
きる。
推論を用いて次工程の製造条件を最適化する機能を有す
る構成とする。これにより、評価パラメータの変動が影
響を及ぼすすべてのデバイス特性を最適化することがで
きる。
【００１２】さらに、評価パラメータ計算装置は、工程
毎にウエハ面内のばらつき分布を解析し、評価パラメー
タとしてばらつきの中心値を計算する機能を有する構成
とする。これにより、次工程の製造条件を変更してデバ
イス特性の品質をウエハ面内ばらつきまで向上させるこ
とができる。
毎にウエハ面内のばらつき分布を解析し、評価パラメー
タとしてばらつきの中心値を計算する機能を有する構成
とする。これにより、次工程の製造条件を変更してデバ
イス特性の品質をウエハ面内ばらつきまで向上させるこ
とができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施の形態におけるデバイス特性解析装置をブロック図
で示したものである。図１において、110は製造工程フ
ロー、120は工程データ収集装置、130は評価パラメータ
計算装置、140はデバイス特性解析装置、150は評価関数
作成装置、160は次工程製造条件制御装置、170は製造条
件指示装置である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施の形態におけるデバイス特性解析装置をブロック図
で示したものである。図１において、110は製造工程フ
ロー、120は工程データ収集装置、130は評価パラメータ
計算装置、140はデバイス特性解析装置、150は評価関数
作成装置、160は次工程製造条件制御装置、170は製造条
件指示装置である。
【００１４】次に、本実施の形態における動作を説明す
る。評価関数作成装置150で、プロセス、デバイス、回
路などの各種シミュレーションの計算結果と、ＴＥＧや
実験などの測定データを元にして、レスポンスサーフェ
ス法によりデバイス特性の相関を表す評価関数(レスポ
ンスサーフェス関数)を予め作成しておく。
る。評価関数作成装置150で、プロセス、デバイス、回
路などの各種シミュレーションの計算結果と、ＴＥＧや
実験などの測定データを元にして、レスポンスサーフェ
ス法によりデバイス特性の相関を表す評価関数(レスポ
ンスサーフェス関数)を予め作成しておく。
【００１５】そこでまず、工程データ収集装置120で、
製造工程フロー110の工程Ａの加工装置や検査装置にて
ウエハ毎に実測した工程データを収集する。
製造工程フロー110の工程Ａの加工装置や検査装置にて
ウエハ毎に実測した工程データを収集する。
【００１６】次に、評価パラメータ計算装置130で、収
集した工程データからウエハ毎のばらつきの中心値を計
算する。
集した工程データからウエハ毎のばらつきの中心値を計
算する。
【００１７】次いで、デバイス特性解析装置140で、評
価関数(レスポンスサーフェス関数)による次工程製造条
件の候補群を解析する。
価関数(レスポンスサーフェス関数)による次工程製造条
件の候補群を解析する。
【００１８】図２は、デバイス特性解析装置140の処理
手順を示したものである。ここで、工程Ａはゲート形成
工程、工程ＢはＬＤＤ注入工程、工程ＣはＴＥＯＳ成膜
工程とする。
手順を示したものである。ここで、工程Ａはゲート形成
工程、工程ＢはＬＤＤ注入工程、工程ＣはＴＥＯＳ成膜
工程とする。
【００１９】評価関数作成装置150により、予めＰＳ寸
法(ゲート長)、ＬＤＤ注入量を変数とするドレイン電流
特性の評価関数(レスポンスサーフェス関数)が作成され
ている。
法(ゲート長)、ＬＤＤ注入量を変数とするドレイン電流
特性の評価関数(レスポンスサーフェス関数)が作成され
ている。
【００２０】ドレイン電流の特性目標値Ｉds0はＰＳ寸
法(ゲート長)、ＬＤＤ注入量がともに規格目標値(Ｌ
g0、Ｄldd0)の時に実現し、評価関数(レスポンスサーフ
ェス関数)面上の特性目標曲線上の点Ａに位置する。
法(ゲート長)、ＬＤＤ注入量がともに規格目標値(Ｌ
g0、Ｄldd0)の時に実現し、評価関数(レスポンスサーフ
ェス関数)面上の特性目標曲線上の点Ａに位置する。
【００２１】まず、評価パラメータ計算装置130から受
け取ったＰＳ寸法(ゲート長)の中心値Ｌgが規格目標値
Ｌg0からΔＬgだけ変動すると、評価関数(レスポンスサ
ーフェス関数)面上の特性目標曲線上の点Ａは、ＬＤＤ
注入量を規格目標値Ｄldd0に固定したまま評価関数(レ
スポンスサーフェス関数)面上の特性変動曲線上の点Ｂ
へと移動する。その時、ドレイン電流は、特性目標値Ｉ
ds0からＩdsへと変動する。
け取ったＰＳ寸法(ゲート長)の中心値Ｌgが規格目標値
Ｌg0からΔＬgだけ変動すると、評価関数(レスポンスサ
ーフェス関数)面上の特性目標曲線上の点Ａは、ＬＤＤ
注入量を規格目標値Ｄldd0に固定したまま評価関数(レ
スポンスサーフェス関数)面上の特性変動曲線上の点Ｂ
へと移動する。その時、ドレイン電流は、特性目標値Ｉ
ds0からＩdsへと変動する。
【００２２】次に、ドレイン電流特性をＩdsから特性目
標値Ｉds0へ戻すために、ＰＳ寸法(ゲート長)をＬgに固
定したまま評価関数(レスポンスサーフェス関数)面上の
特性変動曲線上の点Ｂを特性目標曲線上の点Ｃに移動す
る。
標値Ｉds0へ戻すために、ＰＳ寸法(ゲート長)をＬgに固
定したまま評価関数(レスポンスサーフェス関数)面上の
特性変動曲線上の点Ｂを特性目標曲線上の点Ｃに移動す
る。
【００２３】次に、特性目標曲線上の点Ｃに対応するＬ
ＤＤ注入量ＤlddＩdsをグラフより計算する。
ＤＤ注入量ＤlddＩdsをグラフより計算する。
【００２４】同様にして、ＴＥＯＳ成膜条件ＴteosＩds
を計算する。
を計算する。
【００２５】以上のように、評価関数(レスポンスサー
フェス関数)を用いて、評価パラメータの変動つまりプ
ロセスの変動に対応するデバイス特性を高速に解析し、
次工程の製造条件の候補群を計算する。
フェス関数)を用いて、評価パラメータの変動つまりプ
ロセスの変動に対応するデバイス特性を高速に解析し、
次工程の製造条件の候補群を計算する。
【００２６】次に、次工程製造条件制御装置160で、フ
ァジー推論による次工程の製造条件を最適化する。
ァジー推論による次工程の製造条件を最適化する。
【００２７】図３は、その次工程製造条件制御装置160
の処理手順を示したものである。ここで、工程Ａはゲー
ト形成工程、工程ＢはＬＤＤ注入工程、工程ＣはＴＥＯ
Ｓ成膜工程とする。
の処理手順を示したものである。ここで、工程Ａはゲー
ト形成工程、工程ＢはＬＤＤ注入工程、工程ＣはＴＥＯ
Ｓ成膜工程とする。
【００２８】製造条件を変数とする歩留まり分布をメン
バシップ関数とする。まず、デバイス特性解析装置140
で計算した次工程の製造条件の候補(ＬＤＤ注入量Ｄldd
Ｉds、ＤlddＶt、…)に対応する複数のデバイス特性(ド
レイン電流、しきい電圧、…)のメンバシップ関数を同
じ座標系に表現する。
バシップ関数とする。まず、デバイス特性解析装置140
で計算した次工程の製造条件の候補(ＬＤＤ注入量Ｄldd
Ｉds、ＤlddＶt、…)に対応する複数のデバイス特性(ド
レイン電流、しきい電圧、…)のメンバシップ関数を同
じ座標系に表現する。
【００２９】次に、各メンバシップ関数の重なり合った
多角形(斜線部分)の面積の重心Ｄldd´を計算し、最適
なＬＤＤ注入量とする。
多角形(斜線部分)の面積の重心Ｄldd´を計算し、最適
なＬＤＤ注入量とする。
【００３０】同様にして、ＴＥＯＳ成膜条件Ｔteos´を
計算する。
計算する。
【００３１】以上のように、ファジー推論を用いて容易
に複数デバイス特性を同時に最適化する次工程の製造条
件を計算する。
に複数デバイス特性を同時に最適化する次工程の製造条
件を計算する。
【００３２】次に、製造条件指示装置170で、次工程製
造条件制御装置160で計算した次工程の最適な製造条件
を製造工程フロー110の工程Ｂ、Ｃに指示する。
造条件制御装置160で計算した次工程の最適な製造条件
を製造工程フロー110の工程Ｂ、Ｃに指示する。
【００３３】ここで、製造条件の指示の手段としては、
製造ラインの工程管理端末に表示して作業者が行った
り、装置のレシピの設定を自動的に行ったりする。
製造ラインの工程管理端末に表示して作業者が行った
り、装置のレシピの設定を自動的に行ったりする。
【００３４】以上の動作によるプロセスのばらつきとデ
バイス特性のばらつきの関係を図４を用いて説明する。
バイス特性のばらつきの関係を図４を用いて説明する。
【００３５】図４において、410はウエハＮo.１のＰＳ
寸法、412はウエハＮo.２のＰＳ寸法、414はウエハＮo.
50のＰＳ寸法の各ばらつき、420はウエハＮo.１のＬＤ
Ｄ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜条件)、422はウエハＮ
o.２のＬＤＤ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜条件)、424
はウエハＮo.50のＬＤＤ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜
条件)、430はウエハＮo.１のドレイン電流特性、432は
ウエハＮo.２のドレイン電流特性、434はウエハＮo.50
のドレイン電流特性の各ばらつきである。
寸法、412はウエハＮo.２のＰＳ寸法、414はウエハＮo.
50のＰＳ寸法の各ばらつき、420はウエハＮo.１のＬＤ
Ｄ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜条件)、422はウエハＮ
o.２のＬＤＤ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜条件)、424
はウエハＮo.50のＬＤＤ注入量(あるいはＴＥＯＳ成膜
条件)、430はウエハＮo.１のドレイン電流特性、432は
ウエハＮo.２のドレイン電流特性、434はウエハＮo.50
のドレイン電流特性の各ばらつきである。
【００３６】まず、ウエハＮo.１はＰＳ寸法ばらつき41
0の中心値が規格目標値に等しいので、次工程(ＬＤＤ注
入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件420も規格目標値通り
に指示することで、ドレイン電流特性は特性目標値のま
わりにウエハ面内ばらつきに相当するばらつきとなる。
0の中心値が規格目標値に等しいので、次工程(ＬＤＤ注
入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件420も規格目標値通り
に指示することで、ドレイン電流特性は特性目標値のま
わりにウエハ面内ばらつきに相当するばらつきとなる。
【００３７】次に、ウエハＮo.２はＰＳ寸法ばらつき41
2の中心値が規格目標値よりも大きいので、次工程(ＬＤ
Ｄ注入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件422を規格目標値
より小さく指示することで、ドレイン電流特性はウエハ
Ｎo.１と同じように特性目標値のまわりにウエハ面内ば
らつきに相当するばらつきとなる。
2の中心値が規格目標値よりも大きいので、次工程(ＬＤ
Ｄ注入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件422を規格目標値
より小さく指示することで、ドレイン電流特性はウエハ
Ｎo.１と同じように特性目標値のまわりにウエハ面内ば
らつきに相当するばらつきとなる。
【００３８】次に、ウエハＮo.50はＰＳ寸法ばらつき41
4の中心値が規格目標値よりも小さいので、次工程(ＬＤ
Ｄ注入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件424を規格目標値
より大きく指示することで、ドレイン電流特性はウエハ
Ｎo.１と同じように特性目標値のまわりにウエハ面内ば
らつきに相当するばらつきとなる。
4の中心値が規格目標値よりも小さいので、次工程(ＬＤ
Ｄ注入、ＴＥＯＳ成膜工程)の製造条件424を規格目標値
より大きく指示することで、ドレイン電流特性はウエハ
Ｎo.１と同じように特性目標値のまわりにウエハ面内ば
らつきに相当するばらつきとなる。
【００３９】しきい電圧も上記と同様な関係である。
【００４０】このようにして、ある工程(例えばゲート
形成工程)が変動した時、つまりＰＳ寸法が変動した
時、複数のデバイス特性(例えばドレイン電流、しきい
電圧など)の変動を相殺し、特性目標値に戻すように、
次工程(例えばＬＤＤ注入、ＴＥＯＳ成膜など)の製造条
件を制御することで、半導体製品のデバイス特性のばら
つきを小さくし、高品質の半導体製品を歩留まりよく安
定して製造することができる。
形成工程)が変動した時、つまりＰＳ寸法が変動した
時、複数のデバイス特性(例えばドレイン電流、しきい
電圧など)の変動を相殺し、特性目標値に戻すように、
次工程(例えばＬＤＤ注入、ＴＥＯＳ成膜など)の製造条
件を制御することで、半導体製品のデバイス特性のばら
つきを小さくし、高品質の半導体製品を歩留まりよく安
定して製造することができる。
【００４１】なお、上記実施の形態では、評価関数の作
成にレスポンスサーフェス法を用いたが、ニューラルネ
ットワーク、ファジー推論、エキスパートシステム、人
工知能を単独あるいは組み合わせて用いても、同様の効
果が得られることは言うまでもない。
成にレスポンスサーフェス法を用いたが、ニューラルネ
ットワーク、ファジー推論、エキスパートシステム、人
工知能を単独あるいは組み合わせて用いても、同様の効
果が得られることは言うまでもない。
【００４２】また、次工程の製造条件の最適化にファジ
ー推論を用いたが、ニューラルネットワーク、エキスパ
ートシステム、人工知能を単独あるいは組み合わせて用
いても、これまた同様の効果が得られる。
ー推論を用いたが、ニューラルネットワーク、エキスパ
ートシステム、人工知能を単独あるいは組み合わせて用
いても、これまた同様の効果が得られる。
【００４３】また、次工程の製造条件を計算するのに、
レスポンスサーフェス法による評価関数とファジー推論
を組み合わせて用いたが、次工程の製造条件を計算した
結果を知識ベースに蓄積し、ニューラルネットワーク、
ファジー推論、エキスパートシステム、人工知能を単独
あるいは組み合わせて用いても、同様の効果が得られる
ことは言うまでもない。
レスポンスサーフェス法による評価関数とファジー推論
を組み合わせて用いたが、次工程の製造条件を計算した
結果を知識ベースに蓄積し、ニューラルネットワーク、
ファジー推論、エキスパートシステム、人工知能を単独
あるいは組み合わせて用いても、同様の効果が得られる
ことは言うまでもない。
【００４４】さらに、評価パラメータに工程のウエハ面
内ばらつきの中心値を用いたが、工程毎のウエハ面内ば
らつき分布は異なるので、ウエハ面内ばらつきの平均
値、最頻値、中央値などの他の各種統計パラメータを工
程毎に変更しても同様の結果が得られる。
内ばらつきの中心値を用いたが、工程毎のウエハ面内ば
らつき分布は異なるので、ウエハ面内ばらつきの平均
値、最頻値、中央値などの他の各種統計パラメータを工
程毎に変更しても同様の結果が得られる。
【００４５】本願発明は、上記実施の形態に限られるも
のではない。
のではない。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
予めプロセスパラメータとデバイス特性の相関を表す評
価関数を作成する評価関数作成装置と、製造ラインの加
工装置の処理データや検査装置の測定データなどの工程
データを収集する工程データ収集装置と、前記工程デー
タをもとに製造工程管理に用いる評価パラメータを計算
する評価パラメータ計算装置と、前記評価関数を用いて
前記評価パラメータの変動に対応する各デバイス特性を
それぞれ解析し次工程の製造条件の候補を計算するデバ
イス特性解析装置と、前記製造条件の候補の中から半導
体製品のすべてのデバイス特性の規格を満足するように
次工程の製造条件を最適化する次工程製造条件制御装置
と、最適化した前記次工程の製造条件を次工程の加工装
置および検査装置に指示する製造条件指示装置とを備え
ることにより、半導体製品の特性ばらつきが小さくな
り、高品質の半導体製品を歩留まりよく、安定して製造
することができる。
予めプロセスパラメータとデバイス特性の相関を表す評
価関数を作成する評価関数作成装置と、製造ラインの加
工装置の処理データや検査装置の測定データなどの工程
データを収集する工程データ収集装置と、前記工程デー
タをもとに製造工程管理に用いる評価パラメータを計算
する評価パラメータ計算装置と、前記評価関数を用いて
前記評価パラメータの変動に対応する各デバイス特性を
それぞれ解析し次工程の製造条件の候補を計算するデバ
イス特性解析装置と、前記製造条件の候補の中から半導
体製品のすべてのデバイス特性の規格を満足するように
次工程の製造条件を最適化する次工程製造条件制御装置
と、最適化した前記次工程の製造条件を次工程の加工装
置および検査装置に指示する製造条件指示装置とを備え
ることにより、半導体製品の特性ばらつきが小さくな
り、高品質の半導体製品を歩留まりよく、安定して製造
することができる。
【００４７】また、上記半導体製造システムにおいて、
評価関数作成装置が、レスポンスサーフェス法を用いて
評価関数を計算する機能を有することにより、評価パラ
メータの変動に対応するデバイス特性の解析を短時間に
計算することができる。
評価関数作成装置が、レスポンスサーフェス法を用いて
評価関数を計算する機能を有することにより、評価パラ
メータの変動に対応するデバイス特性の解析を短時間に
計算することができる。
【００４８】また次工程製造条件制御装置が、ファジー
推論を用いて次工程の製造条件を最適化する機能を有す
ることにより、評価パラメータの変動が影響を及ぼすす
べてのデバイス特性を最適化することができる。
推論を用いて次工程の製造条件を最適化する機能を有す
ることにより、評価パラメータの変動が影響を及ぼすす
べてのデバイス特性を最適化することができる。
【００４９】さらに、評価パラメータ計算装置が、工程
毎にウエハ面内のばらつき分布を解析し、評価パラメー
タとしてばらつきの中心値を計算する機能を有すること
により、次工程の製造条件を変更してデバイス特性の品
質をウエハ面内ばらつきまで向上させることができる、
等の効果を奏する。
毎にウエハ面内のばらつき分布を解析し、評価パラメー
タとしてばらつきの中心値を計算する機能を有すること
により、次工程の製造条件を変更してデバイス特性の品
質をウエハ面内ばらつきまで向上させることができる、
等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態における半導体製造シス
テムのブロック図である。
テムのブロック図である。
【図２】同実施の形態におけるデバイス特性解析装置の
処理手順を説明する図である。
処理手順を説明する図である。
【図３】同実施の形態における次工程製造条件制御装置
の処理手順を説明する図である。
の処理手順を説明する図である。
【図４】同実施の形態におけるプロセスのばらつきとデ
バイス特性のばらつきの関係図である。
バイス特性のばらつきの関係図である。
【図５】従来例の半導体製造システムのブロック図であ
る。
る。
110…製造工程フロー、 120…工程データ収集装置、
130…評価パラメータ計算装置、 140…デバイス特性解
析装置、 150…評価関数作成装置、 160…次工程製造
条件制御装置、 170…製造条件指示装置。
130…評価パラメータ計算装置、 140…デバイス特性解
析装置、 150…評価関数作成装置、 160…次工程製造
条件制御装置、 170…製造条件指示装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 浩嗣 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 予めプロセスパラメータとデバイス特性
の相関を表す評価関数を作成する評価関数作成装置と、
製造ラインの加工装置の処理データや検査装置の測定デ
ータなどの工程データを収集する工程データ収集装置
と、前記工程データをもとに製造工程管理に用いる評価
パラメータを計算する評価パラメータ計算装置と、前記
評価関数を用いて前記評価パラメータの変動に対応する
各デバイス特性をそれぞれ解析し次工程の製造条件の候
補を計算するデバイス特性解析装置と、前記製造条件の
候補の中から半導体製品のすべてのデバイス特性の規格
を満足するように次工程の製造条件を最適化する次工程
製造条件制御装置と、最適化した前記次工程の製造条件
を次工程の加工装置および検査装置に指示する製造条件
指示装置とを備えていることを特徴とする半導体製造シ
ステム。 - 【請求項２】 評価関数作成装置は、レスポンスサーフ
ェス法を用いて評価関数を計算する機能を有することを
特徴とする請求項１記載の半導体製造システム。 - 【請求項３】 次工程製造条件制御装置は、ファジー推
論を用いて次工程の製造条件を最適化する機能を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造システム。 - 【請求項４】 評価パラメータ計算装置は、工程毎にウ
エハ面内のばらつき分布を解析し、評価パラメータとし
てばらつきの中心値を計算する機能を有することを特徴
とする請求項１記載の半導体製造システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31630096A JPH10163080A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体製造システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31630096A JPH10163080A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体製造システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163080A true JPH10163080A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18075594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31630096A Pending JPH10163080A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体製造システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163080A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-11-27 JP JP31630096A patent/JPH10163080A/ja active Pending
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