JP2005223341A - スレッショルド電圧調節が可能な電子素子の製造方法とこれに使用されるイオン注入器調節器及びイオン注入システム - Google Patents
スレッショルド電圧調節が可能な電子素子の製造方法とこれに使用されるイオン注入器調節器及びイオン注入システム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後(S3)、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する(S5)。
【選択図】 図1
Description
ジャンクションコンタクトプラグイオン注入ドーズ =((0.5×前述したゲート電極の実計測臨界ディメンション(nm))−67.3)×E12
イオン注入レシピを調整する段階(図1のS3)と同時に又はその後にウェーハ10上にジャンクションコンタクトホール形成工程が進行される(図1のS4)。
12:STI領域
21:ゲート絶縁膜
22:ポリシリコン膜
23:シリサイド膜
25:ゲート電極
Claims (27)
- (a)ウェーハ上に形成されたゲート電極の臨界ディメンションを計測する段階と、
(b)前記計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する段階と、
(c)前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用して前記ジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する段階と、
を含むことを特徴とする電子素子の製造方法。 - 前記段階(b)は、ターゲットの臨界ディメンションと前記計測された臨界ディメンションとの差異により発生するスレッショルド電圧変動を補償することができるように前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する段階であることを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピは、調整されたイオン注入ドーズを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記臨界ディメンションは、前記ゲート電極線幅の臨界ディメンションであることを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記段階(a)は、前記ウェーハ上にゲート電極を形成する段階と、
前記ウェーハ上に複数の計測位置を設定する段階と、
前記各計測位置別に二つ以上の隣接するゲート電極の臨界ディメンションをそれぞれ測定した後、平均値を求めて各計測位置別の臨界ディメンションを求める段階と、
前記各計測位置別に得られた臨界ディメンション値を平均して最終臨界ディメンションを求める段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - 前記各計測位置別臨界ディメンションを求める段階は、
前記各計測位置別に四つの隣接するゲート電極の臨界ディメンションをそれぞれ測定する段階と、
前記測定された四つのゲート電極の臨界ディメンションを平均する段階と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の電子素子の製造方法。 - 前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピは、製造明細範囲内で発生可能な臨界ディメンションの最大変移値を所定間隔に均分した後、区間別にスレッショルド電圧を補償することができるように予め定量化された離散的なイオン注入レシピセットから選択されたことを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピは、ターゲットの臨界ディメンションと同一なスレッショルド電圧を得させることができる数学的モデルに前記計測された臨界ディメンションを変数として入力して得られた出力値であることを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記数学的モデルは、
ジャンクションコンタクトプラグイオン注入ドーズ=((0.5×前記ゲート電極の実計測臨界ディメンション(nm))−67.3)×E12で表示される方程式であることを特徴とする請求項8に記載の電子素子の製造方法。 - 前記段階(a)は、前記ゲート電極の臨界ディメンションを計測する計測装置により遂行され、
前記段階(b)は、前記計測装置の計測値を使用して前記トランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整するイオン注入器調節器により遂行されること
を特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - 前記段階(c)は、
前記ウェーハ内にトランジスタのジャンクション領域を形成する段階と、
前記ジャンクション領域が形成された結果物の全面に絶縁膜を形成する段階と、
前記ジャンクション領域を露出させるコンタクトホールを前記絶縁膜内に形成する段階と、
前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用して前記コンタクトホールにより露出された前記ジャンクション領域にジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - 前記段階(c)は、
前記ゲート電極の側壁にスペーサを形成し、前記ウェーハ内にトランジスタのジャンクション領域を形成する段階と、
結果物の全面に絶縁膜を形成する段階と、
前記スペーサにより自己整列され、前記ジャンクション領域を露出させる自己整列コンタクトホールを前記絶縁膜内に形成する段階と、
前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用して前記自己整列コンタクトホールにより露出された前記ジャンクション領域にジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - 前記ゲート電極は、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、FRAM、MRAM、PRAM又はこれらの組合より成ったメモリセルのゲート電極であること
を特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - ウェーハ上に形成されたゲート電極の臨界ディメンション値を計測する測定装置と、
前記計測臨界ディメンション値に基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する手段と、
前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピにより修正された動作命令をイオン注入器に伝達する伝達手段と、
を含むことを特徴とするイオン注入器調節器。 - 前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する手段は、ターゲットの臨界ディメンションと前記計測された臨界ディメンションとの差異により発生するスレッショルド電圧変動を補償することができるように前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する手段であることを特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。
- 前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピは、調整されたイオン注入ドーズを含むことを特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。
- 前記臨界ディメンションは、前記ゲート電極線幅の臨界ディメンションであることを特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。
- 前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する手段は、
計測装置で前記ウェーハ上に設定された複数の計測位置別に二つ以上の隣接するゲート電極の臨界ディメンションを測定した値が入力される手段と、
前記各計測位置別に測定された前記二つ以上の計測された臨界ディメンションの平均値を求めた後、前記各計測位置別に得られた臨界ディメンション値を平均して前記ウェーハ上に形成された前記ゲート電極の最終臨界ディメンションを求める第1の演算手段と、
前記最終臨界ディメンションと前記ゲート電極のターゲットの臨界ディメンションの差異を求める第2の演算手段と、
製造明細範囲内で発生可能な臨界ディメンションの最大変移値を所定間隔に均分した後、区間別にスレッショルド電圧を補償することができるように予め定量化された離散的なイオン注入レシピセットから前記調整されたイオン注入レシピを選択する選択手段と、
を含むことを特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。 - 前記ジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整する手段は、
計測装置で前記ウェーハ上に設定された複数の計測位置別に二つ以上の隣接するゲート電極の臨界ディメンションを測定した値が入力される手段と、
前記各計測位置別に測定された前記二つ以上の計測された臨界ディメンションの平均値を求めた後、前記各計測位置別に得られた臨界ディメンション値を平均して前記ウェーハ上に形成された前記ゲート電極の最終臨界ディメンションを求める第1の演算手段と、
前記最終臨界ディメンションを変数として使用し、前記ゲート電極のターゲットの臨界ディメンションと同一なスレッショルド電圧を得させることができる数学的モデルより成った第2の演算手段と、
を含むことを特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。 - 前記ゲート電極は、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、FRAM、MRAM、PRAM又はこれらの組合より成ったメモリセルのゲート電極であること
を特徴とする請求項14に記載のイオン注入器調節器。 - ウェーハ上に形成されたゲート電極の臨界ディメンション値を計測する測定装置と、
前記計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整して調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピによる動作命令をイオン注入器に伝達するイオン注入器調節器と、
前記イオン注入器調節器の前記動作命令に応じてジャンクションコンタクトプラグイオン注入を行うイオン注入器と、
を含むことを特徴とするイオン注入システム。 - 前記イオン注入器調節器は、ターゲットの臨界ディメンションと前記計測された臨界ディメンションとの差異により発生するスレッショルド電圧変動を補償することができるように前記イオン注入レシピを調整することを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。
- 前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピは、調整されたイオン注入ドーズを含むことを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。
- 前記臨界ディメンションは、前記ゲート電極線幅の臨界ディメンションであることを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入器調節器は、
前記ウェーハ上に設定された複数の計測位置別に二つ以上の隣接するゲート電極の臨界ディメンションを測定した値が入力される手段と、
前記各計測位置別に測定された前記二つ以上の計測された臨界ディメンションの平均値を求めた後、前記各計測位置別に得られた臨界ディメンション値を平均して前記ウェーハ上に形成された前記ゲート電極の最終臨界ディメンションを求める第1の演算手段と、
前記最終臨界ディメンションと前記ゲート電極のターゲットの臨界ディメンションの差異を求める第2の演算手段と、
製造明細範囲内で発生可能な臨界ディメンションの最大変移値を所定間隔に均分した後、区間別にスレッショルド電圧を補償することができるように予め定量化された離散的なイオン注入レシピセットから前記調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを選択する選択手段と、
を含むことを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。 - 前記イオン注入器調節器は、
計測装置で前記ウェーハ上に設定された複数の計測位置別に二つ以上の隣接するゲート電極の臨界ディメンションを測定した値が入力される手段と、
前記各計測位置別に測定された前記二つ以上の計測された臨界ディメンションの平均値を求めた後、前記各計測位置別に得られた臨界ディメンション値を平均して前記ウェーハ上に形成された前記ゲート電極の最終臨界ディメンションを求める第1の演算手段と、
前記最終臨界ディメンションを変数として使用し、前記ゲート電極のターゲットの臨界ディメンションと同一なスレッショルド電圧を得させることができる数学的モデルより成った第2の演算手段と、
を含むことを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。 - 前記ゲート電極は、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、FRAM、MRAM、PRAM又はこれらの組合より成ったメモリセルのゲート電極であることを特徴とする請求項21に記載のイオン注入システム。
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