JPH1015651A - ビレット鋳片の偏析制御方法 - Google Patents
ビレット鋳片の偏析制御方法Info
- Publication number
- JPH1015651A JPH1015651A JP17264896A JP17264896A JPH1015651A JP H1015651 A JPH1015651 A JP H1015651A JP 17264896 A JP17264896 A JP 17264896A JP 17264896 A JP17264896 A JP 17264896A JP H1015651 A JPH1015651 A JP H1015651A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビレット鋳片の中心部の偏析を良好に制御
し、等軸晶の成長を促進する偏析制御方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ビレット連続鋳造工程において、鋳型の
表面温度を２００℃以下に下げることにより結晶の核を
生成させ、微細な等軸晶の成長を促進することにより、
偏析を等軸晶間に微細に分散させる。
し、等軸晶の成長を促進する偏析制御方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ビレット連続鋳造工程において、鋳型の
表面温度を２００℃以下に下げることにより結晶の核を
生成させ、微細な等軸晶の成長を促進することにより、
偏析を等軸晶間に微細に分散させる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、連続鋳造工程にお
けるビレット鋳片の偏析制御方法に関する。
けるビレット鋳片の偏析制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、特定組成の溶鋼を
特定条件で電磁攪拌して鋳造し、表層部分のＣとＳの負
偏析度とコア部のＣとＳの偏析度を特定した連鋳片を形
成することにより、表面品質が良好でコア部の被削性に
すぐれた棒線用ブルーム・ビレットを連続鋳造する、特
公平７−１６７６３号公報「棒線用ブルーム・ビレット
の連続鋳造法」が知られている。
特定条件で電磁攪拌して鋳造し、表層部分のＣとＳの負
偏析度とコア部のＣとＳの偏析度を特定した連鋳片を形
成することにより、表面品質が良好でコア部の被削性に
すぐれた棒線用ブルーム・ビレットを連続鋳造する、特
公平７−１６７６３号公報「棒線用ブルーム・ビレット
の連続鋳造法」が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】連続鋳造法により鋳片
を製造する場合、偏析の低減方法としては、電磁攪拌に
よる組織微細化、凝固末期の軽圧下による濃化溶鋼の集
積防止、鋳造時の凝固組織の等軸晶化がある。しかし、
ビレットのように小断面の鋳片を製造する設備の場合、
鋳造断面に比べて電磁石が大きくなってしまうため、電
磁攪拌を行った場合に電磁力が作用する範囲のみに流動
が起こり、他の部分と不均一な組織となることがあっ
た。また、鋳型に電磁攪拌装置を設置することは、設備
制約上困難を伴うことが多い。さらに、ビレットは最終
製品に形状が近いため、凝固末期に軽圧下を行うと形状
が変化してしまい、製品として供することが困難にな
る。また、鋳片の凝固組織を等軸晶に制御することは、
従来の連鋳機では困難を伴うため、ビレット鋳造では偏
析を制御することは難しかった。
を製造する場合、偏析の低減方法としては、電磁攪拌に
よる組織微細化、凝固末期の軽圧下による濃化溶鋼の集
積防止、鋳造時の凝固組織の等軸晶化がある。しかし、
ビレットのように小断面の鋳片を製造する設備の場合、
鋳造断面に比べて電磁石が大きくなってしまうため、電
磁攪拌を行った場合に電磁力が作用する範囲のみに流動
が起こり、他の部分と不均一な組織となることがあっ
た。また、鋳型に電磁攪拌装置を設置することは、設備
制約上困難を伴うことが多い。さらに、ビレットは最終
製品に形状が近いため、凝固末期に軽圧下を行うと形状
が変化してしまい、製品として供することが困難にな
る。また、鋳片の凝固組織を等軸晶に制御することは、
従来の連鋳機では困難を伴うため、ビレット鋳造では偏
析を制御することは難しかった。
【０００４】本発明は、上記のようにビレットの偏析を
制御するために付加的な装置を設置することは困難を伴
うため、操業上の条件により改善する手段を検討した結
果、完成したものである。即ち、本発明の目的は、ビレ
ットの特に中心部の偏析を精度高く制御することにあ
る。
制御するために付加的な装置を設置することは困難を伴
うため、操業上の条件により改善する手段を検討した結
果、完成したものである。即ち、本発明の目的は、ビレ
ットの特に中心部の偏析を精度高く制御することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、ビレッ
ト連続鋳造工程において、鋳型の表面温度を２００℃以
下に下げることにより結晶の核を生成させ、微細な等軸
晶の成長を促進することにより、偏析を等軸晶間に微細
に分散させることを特徴とするビレット鋳片の偏析制御
方法にある。
ト連続鋳造工程において、鋳型の表面温度を２００℃以
下に下げることにより結晶の核を生成させ、微細な等軸
晶の成長を促進することにより、偏析を等軸晶間に微細
に分散させることを特徴とするビレット鋳片の偏析制御
方法にある。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明の詳細を説明する。図
１は、鋳型表面温度と等軸晶率（但し、等軸晶率とは、
鋳片断面積中の等軸晶が観察される面積の比率をいう）
との関連を示すもので、両者には相関があり、鋳型温度
が低いほど等軸晶率は増加する。しかし、図２に示すよ
うに、鋳型表面温度を通常の３５０℃近傍より低くして
いくと、鋳片表面に割れやへこみ等の欠陥が生じ易くな
る。
１は、鋳型表面温度と等軸晶率（但し、等軸晶率とは、
鋳片断面積中の等軸晶が観察される面積の比率をいう）
との関連を示すもので、両者には相関があり、鋳型温度
が低いほど等軸晶率は増加する。しかし、図２に示すよ
うに、鋳型表面温度を通常の３５０℃近傍より低くして
いくと、鋳片表面に割れやへこみ等の欠陥が生じ易くな
る。
【０００７】このように従来では鋳型表面温度は、欠陥
の発生を考慮して大体３００℃以下にはできないものと
考えられていたが、本発明者らの実験によると、３００
℃以下でも場合によっては表面欠陥がある程度抑制し得
る範囲が存在することを見いだした。即ち、図２による
と、表面疵発生率は２５０℃未満あたりでピークとなる
が、２００℃以下になると逆に下がり始めている。ま
た、鋳型表面温度を２００℃以下にすることにより、図
１から明らかなように、等軸晶率は９０％以上となる。
したがって、本発明においては、鋳型表面温度を十分低
くし、２００℃以下にすることにより、結晶の核を生成
させ、微細な等軸晶の成長を促進することにより、偏析
を等軸晶間に微細に分散させることができるのである。
の発生を考慮して大体３００℃以下にはできないものと
考えられていたが、本発明者らの実験によると、３００
℃以下でも場合によっては表面欠陥がある程度抑制し得
る範囲が存在することを見いだした。即ち、図２による
と、表面疵発生率は２５０℃未満あたりでピークとなる
が、２００℃以下になると逆に下がり始めている。ま
た、鋳型表面温度を２００℃以下にすることにより、図
１から明らかなように、等軸晶率は９０％以上となる。
したがって、本発明においては、鋳型表面温度を十分低
くし、２００℃以下にすることにより、結晶の核を生成
させ、微細な等軸晶の成長を促進することにより、偏析
を等軸晶間に微細に分散させることができるのである。
【０００８】なお、鋳型表面温度を２００℃に下げるこ
とにより表面欠陥は増加するが、表面研削等の精整作業
工程で充分問題のない程度まで低減することが可能であ
る。中心偏析の場合には後工程で救済することが不可能
であるために、本発明の如く鋳型表面温度を下げて中心
偏析を低減することが有効である。
とにより表面欠陥は増加するが、表面研削等の精整作業
工程で充分問題のない程度まで低減することが可能であ
る。中心偏析の場合には後工程で救済することが不可能
であるために、本発明の如く鋳型表面温度を下げて中心
偏析を低減することが有効である。
【０００９】また、鋳型表面温度の下限としては、モー
ルドに添加する潤滑用パウダーが一旦溶解後鋳型表面に
付着してできる固着層が、安定に形成される温度が１５
０℃以上であることを考慮して、１５０℃とすることが
望ましい。
ルドに添加する潤滑用パウダーが一旦溶解後鋳型表面に
付着してできる固着層が、安定に形成される温度が１５
０℃以上であることを考慮して、１５０℃とすることが
望ましい。
【００１０】
【実施例】重量比で０．８％のＣを含む鋼をビレット連
続鋳造機にて、鋳型温度を変えて製造した。鋳片断面は
一片１２５mmの正方形、鋳造速度は２．０m/min 一定と
し、鋳型表面温度を２００℃と３００℃に変化させた。
得られた鋳片の断面凝固組織を観察した結果、２００℃
の場合には均一な等軸晶がほぼ１００％得られたのに対
し、３００℃で鋳造した場合は、等軸晶率が２０％であ
り、柱状晶の形成もみられた。また、それぞれの鋳片を
通常の工程で５．５mmφまで圧延後、伸線した結果、鋳
型表面温度３００℃で鋳造した方が、伸線加工限界歪で
１０％低下した。
続鋳造機にて、鋳型温度を変えて製造した。鋳片断面は
一片１２５mmの正方形、鋳造速度は２．０m/min 一定と
し、鋳型表面温度を２００℃と３００℃に変化させた。
得られた鋳片の断面凝固組織を観察した結果、２００℃
の場合には均一な等軸晶がほぼ１００％得られたのに対
し、３００℃で鋳造した場合は、等軸晶率が２０％であ
り、柱状晶の形成もみられた。また、それぞれの鋳片を
通常の工程で５．５mmφまで圧延後、伸線した結果、鋳
型表面温度３００℃で鋳造した方が、伸線加工限界歪で
１０％低下した。
【００１１】以上のように鋳型表面温度を従来の３００
℃から２００℃に低下させた結果、伸線限界が向上し偏
析に起因する伸線時の断線不良率が約５％低下したこと
が確認できた。なお、表面疵の発生率は、２００℃、３
００℃共に約１０％であった。
℃から２００℃に低下させた結果、伸線限界が向上し偏
析に起因する伸線時の断線不良率が約５％低下したこと
が確認できた。なお、表面疵の発生率は、２００℃、３
００℃共に約１０％であった。
【００１２】
【発明の効果】上記した本発明の偏析制御方法によれ
ば、微細な等軸晶の成長が大幅に促進され、ビレット中
心部の偏析が低減されかつ良好な状態となり、しかも伸
線時の断線発生も減少することができた。
ば、微細な等軸晶の成長が大幅に促進され、ビレット中
心部の偏析が低減されかつ良好な状態となり、しかも伸
線時の断線発生も減少することができた。
【図１】鋳型表面温度と鋳片の等軸晶率の関係を示す図
である。
である。
【図２】鋳型表面温度と鋳片表面疵発生率の関係を示す
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ビレット連続鋳造工程において、鋳型の
表面温度を２００℃以下に下げることにより結晶の核を
生成させ、微細な等軸晶の成長を促進することにより、
偏析を等軸晶間に微細に分散させることを特徴とするビ
レット鋳片の偏析制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17264896A JPH1015651A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ビレット鋳片の偏析制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17264896A JPH1015651A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ビレット鋳片の偏析制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1015651A true JPH1015651A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15945791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17264896A Withdrawn JPH1015651A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ビレット鋳片の偏析制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1015651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097672B2 (en) | 2002-07-18 | 2006-08-29 | Araco Kabushiki Kaisha | Metal separator for fuel cell and bonding method there of |
-
1996
- 1996-07-02 JP JP17264896A patent/JPH1015651A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097672B2 (en) | 2002-07-18 | 2006-08-29 | Araco Kabushiki Kaisha | Metal separator for fuel cell and bonding method there of |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |