JPH10153766A - 液晶表示モジュールのシールド構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構造で組立て作業を容易にし、小型軽
量化、コスト低減および妨害電波の抑制を図る。 【解決手段】 ＳＴＮ液晶パネル３の背面に設けた導光
板１９と、回路搭載基板４，６，１１と、金属ケース２
１とを有するＭＬＡモジュールにおいて、導光板背面の
シールド板２０と金属ケース２１との間に基板を配設し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数走査線同時駆
動方式の単純マトリクス型液晶表示モジュールに関し、
特にその電磁妨害を軽減するためのシールド構造に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ノートブック型パソコン等は、キーボー
ド等の入力装置を有するパソコン本体と、このパソコン
本体に対し開閉可能に装着され、液晶表示パネルを有す
る液晶表示モジュールとにより構成される。この液晶表
示モジュールは、一対のガラス基板内に液晶を封入した
液晶セルを備える液晶パネルと、この液晶パネルの背面
に設けた導光板からなるバックライトユニットと、液晶
駆動用のドライバおよび電源回路等を搭載した基板等を
フレーム内に装着した構成である。

【０００３】このような液晶表示モジュールとして、Ｓ
ＴＮ液晶を用いた単純マトリクス方式のＳＴＮモジュー
ルおよびＴＮ液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方
式のＴＦＴモジュールが実用化されている。

【０００４】従来一般のＳＴＮモジュールにおいては、
画像表示のための液晶駆動用入力データ信号の周波数が
低いため（通常２〜４ＭＨｚ程度）、周辺機器等の外部
に対する電磁妨害電波は小さく、したがって、周囲に対
する電磁妨害対策の必要はほとんどなかった。

【０００５】一方、カラーＳＴＮ液晶パネルの駆動方法
として、同時に複数の走査線を選択しながら液晶の各画
素に電圧を印加するアクティブ駆動法が、本出願人等に
より開発が進められている（日経エレクトロニクス １
９９４年９月２６日第６１８号）。この複数走査線同時
選択方式のアクティブ駆動法（以下ＭＬＡ：Ｍｕｌｔｉ
Ｌｉｎｅ Ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇという）を用いれ
ば、ＳＴＮ液晶パネルのコントラスト比を高めるととも
に応答速度を高めることができる。コントラスト比が上
がれば、画質が向上しカラー表示の色純度が高められ
る。また、応答速度が速まれば、従来のＳＴＮモジュー
ルではできなかった動画像の表示が可能になる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＭＬＡ方式を実現するためには、一般にＴＦＴモジ
ュールの画像表示制御信号として用いられているディジ
タルＲＧＢ信号をＭＬＡ方式に適合した画像制御信号に
変換する専用のインターフェイス制御回路（ＩＣ）が必
要になる。このようなＭＬＡインターフェイス制御回路
を用いた場合、その入力データ信号の周波数は、ＴＦＴ
インターフェイス信号と同等の高い周波数（ほぼ４０Ｍ
Ｈｚ）であるため、周辺機器への電磁妨害電波の漏洩が
問題となる。

【０００７】前述のように、従来のＳＴＮ液晶モジュー
ルにおいては、入力データ信号周波数が低く電磁妨害電
波がほとんど問題とならなかったため、同じＳＴＮ液晶
を用いるＭＬＡ方式の液晶モジュールにおいても、この
ような電磁妨害電波については有効な対策手段が開発さ
れていない。

【０００８】一方、液晶モジュール以外の各種電子機器
においては、このような電磁妨害電波に対し種々の対策
が講じられている。第１の対策手段として、電子機器全
体あるいは妨害電波発生部などを金属製のケースに収納
して妨害電波をシールドする方法が取られている。第２
の対策手段として、電子機器内の各回路基板からリード
線等を用いてシャーシなどに接続させて接地ラインを形
成し妨害電波を低減させる方法が取られている。さら
に、基板上の接地パターン面積を大きくする方法が考え
られる。

【０００９】しかしながら、このような他の電子機器に
対し従来行なわれていた妨害電波シールド対策手段を単
にそのままＭＬＡ液晶表示モジュールに適用しようとし
た場合、前記第１の金属ケースを追加して用いる方法で
は、モジュール全体の重量および寸法が大きくなって、
小型軽量化の要請を満足させることができず、また組立
て工程数の増加により作業が繁雑になり設計負担の増大
および材料コストの上昇等の問題が起こる。また、前記
第２のリード線を用いて接地ラインを形成する方法で
は、配線構造や部品配置が複雑になり、組立て作業が繁
雑あるいは非常に面倒でやりにくくなり、製造コストの
上昇を来す。また、接地パターン面積を大きくしようと
しても、ＭＬＡ液晶モジュールの基板や部品実装状態に
対応した接地パターンの有効なデータはなく、最適なパ
ターン形状を得るためには多くの試行錯誤を経て膨大な
人力と時間を必要とし、有効なシールド構造の実現には
困難を伴っていた。

【００１０】本発明は上記の点を考慮し、簡単な構造で
組立て作業が容易にでき、小型軽量化およびコスト低減
が図られるとともに妨害電波を効果的に抑制できるＭＬ
Ａ液晶表示モジュールの提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、ＳＴＮ液晶パネルの背面に設けた導光
板と、液晶駆動に必要な回路を搭載した基板と、金属ケ
ースとを有する複数走査線同時駆動方式のＳＴＮ液晶表
示モジュールにおいて、前記導光板の背面にシールド板
を設け、このシールド板と前記金属ケースとの間に前記
基板を配設したことを特徴とする液晶表示モジュールの
シールド構造を提供する。

【００１２】この構成によれば、電磁妨害電波を発生す
る制御回路等の基板は、シールド板と金属ケースの間に
挟まれてその両面がシールドされるため、簡単な構造で
効果的に周囲に対する妨害電波の発散を抑制できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
前記基板の接地パターン上に複数のバネ性を有する金属
端子を設け、この金属端子を前記金属ケースに弾発的に
接触させるとともに、前記シールド板を切り起こして複
数のカシメ片を形成し、このカシメ片を前記基板側にか
しめることにより、このカシメ片を介して前記基板の接
地パターンとシールド板とを接続させたことを特徴とし
ている。

【００１４】この構成によれば、複数のバネ性金属端子
を介して基板と金属ケースとが弾発的に接触するために
簡単な構成で確実な接地ラインが形成され、また、シー
ルド板に設けたカシメ片により基板が確実に位置決めか
つ固定されるとともに接地パターンと導通してシールド
作用が得られる。

【００１５】さらに好ましい実施の形態においては、前
記基板は多層配線構造の基板であり、この基板上に、Ｔ
ＦＴインターフェイス信号を複数走査線同時駆動式のＳ
ＴＮインターフェイス信号に変換するための制御ＩＣを
搭載し、この制御ＩＣの少なくともデータ入力ラインの
配線パターンは、この制御ＩＣの内側の基板上に形成さ
れ、この制御ＩＣの内側から基板の内部配線層に接続さ
れたことを特徴としている。

【００１６】この構成によれば、電磁妨害電波を発生す
る制御ＩＣの入力配線パターンがこの制御ＩＣの内側の
基板上に形成されるため、制御ＩＣ自体にシールドされ
て外部への妨害電波発散が防止される。

【００１７】さらに好ましい実施の形態においては、前
記基板の前記制御ＩＣ搭載面におけるこの制御ＩＣ下側
の接地パターンの面積を制御ＩＣのモールド樹脂（上
面）の面積の３０％以上、好ましくは３５％以上とす
る。さらに、この基板の前記制御ＩＣ搭載面の反対側の
面の面積の９５％以上を接地パターンとすることが好ま
しい。

【００１８】この構成によれば、制御ＩＣ下側領域のう
ちほぼ７０％が配線パターン形成領域となり、残りの面
積が全て接地パターンとして導体で覆われ、またこの部
品搭載面の反対側は約５％がスルーホールのランドパタ
ーン等で使用され、残りの約９５％が接地パターンとし
て導体で覆われる。したがって、配線ライン等のバター
ン形成部以外は全て接地パターンで覆われてシールドさ
れるため、電磁妨害電波の外部への発散が効果的に抑制
される。

【００１９】別の好ましい実施の形態においては、前記
制御ＩＣからの出力信号は、ＴＦＴインターフェイス信
号の周波数の１／ｎ（ｎ：整数）の周波数であることを
特徴としている。

【００２０】この構成によれば、制御ＩＣからの出力信
号の周波数が、入力信号（ＴＦＴインターフェイス信
号）の周波数の例えば１／２になるため、周波数の低下
により妨害電波の発生が低減される。

【００２１】

【実施例】図１は、本発明の実施例に係るＭＬＡモジュ
ールの組立て状態のパネル背面図である。このモジュー
ル１は、矩形のフレーム２に組込まれたＳＴＮ液晶セル
からなる液晶パネル３の背面側に、バス基板４と、ロウ
基板６と、インターフェイス基板８と、メイン基板１１
とを設けた構成である。実際には、後述のように、液晶
パネル３の背面にシールド板（図２の参照番号２０で示
す）を設けその背面に各基板が配設される。

【００２２】バス基板４は、フレーム２の上下の横辺に
沿って上側および下側にそれぞれ設けられる。これは、
液晶パネル３を上下２分割して各々独立駆動するデュア
ルスキャン方式を用いるためである。

【００２３】各バス基板４上には、ＴＣＰからなる複数
のカラムドライバ５およびコンデンサ（図示を省略す
る）が搭載される。上側のバス基板４のほぼ中央部に
は、フレキシブルケーブルからなるインターフェイスコ
ネクタ（以下Ｉ／Ｆコネクタという）の端部が半田接合
される。また下側のバス基板４のほぼ中央部には、同じ
くフレキシブルケーブルからなるＩ／Ｆコネクタ１４の
端部が半田接合される。これらのＩ／Ｆコネクタ１４、
１５の他端部はそれぞれメイン基板１１にコネクタ接続
される。

【００２４】ロウ基板６はフレーム２の一方の縦辺に沿
って設けられ、ＴＣＰからなる複数のロウドライバ７お
よびコンデンサ（図示を省略する）が搭載される。この
ロウ基板６の下端部よりの位置にはフレキシブルケーブ
ルからなるＩ／Ｆコネクタ１８の端部が半田接合され
る。このＩ／Ｆコネクタ１８の他端部はメイン基板１１
にコネクタ接続される。

【００２５】これらのバス基板４およびロウ基板６は、
ＴＣＰのフレキシブルテープをフレームの内側に折返す
ことにより、矩形の形状を有する液晶パネル３の背面側
の各辺の縁部に配設される。これらのＴＣＰと液晶パネ
ル３の配線パターンとの接続は異方性導電膜を介して行
なわれ、ＴＣＰと各ロウ基板およびバス基板との配線接
続は半田付けにより行なわれる。

【００２６】インターフェイス基板８は、ロウ基板６の
外側に縦方向に設けられる。このインターフェイス基板
８上には、入力コネクタ９および電源回路を構成するＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ１０が搭載される。

【００２７】このＤＣ−ＤＣコンバータ１０は、実際に
は、このインターフェイス基板８上のほぼ全体に実装さ
れた、トランス、トランジスタ、ＩＣ、抵抗およびコン
デンサ等からなり、本体側から入力された例えば３．３
Ｖの電源電圧をモジュール駆動に必要な例えば±３０Ｖ
の電源電圧に変圧し、この電源電圧をＩ／Ｆコネクタ１
６を介してメイン基板１１に供給するものである。

【００２８】このＩ／Ｆコネクタ１６は、フレキシブル
ケーブルからなり、その一端がインターフェイス基板８
に半田接合され、他端がメイン基板１１にコネクタ接続
される。

【００２９】インターフェイス基板８の入力コネクタ９
を介して、本体側からＴＦＴインターフェイス信号（Ｒ
ＧＢディジタル信号）および３．３Ｖのロジック電圧が
入力される。このＲＧＢ信号は、Ｉ／Ｆコネクタ１７を
介してメイン基板１１に送られる。このＩ／Ｆコネクタ
１７は、前述のＩ／Ｆコネクタ１６と同様に、フレキシ
ブルケーブルからなり、その一端がインターフェイス基
板８に半田接合され、他端がメイン基板１１にコネクタ
接続される。

【００３０】下側のバス基板４に隣接して液晶パネル３
の背面にメイン基板１１が配設される。このメイン基板
１１上には、３線接続の表示画面輝度調整ボリューム用
コネクタ１２およびＭＬＡコントローラ１３が搭載され
る。このＭＬＡコントローラ１３は、ＭＬＡ用のインタ
ーフェイス制御回路であり、好ましくは半導体技術によ
り製造されたワンチップのモノリシックＩＣにより構成
される。

【００３１】このＭＬＡコントローラ１３は、ＴＦＴモ
ジュール入力信号と等しいディジタルＲＧＢ信号を受取
って、適当なデータ処理を施し、一旦制御回路内部のメ
モリに書込み、これを書込んだときとは別の順序で読み
出して、所定の直交変換を行なってＭＬＡ駆動に適合し
たフォーマットに変換してそれぞれ、ロウドライバおよ
びカラムドライバへＭＬＡデータ出力として転送するた
めの、チップ上にメモリを内蔵した高機能なデータ演算
制御回路である。

【００３２】このようなＭＬＡコントローラに入力され
るＴＦＴインターフェイスのディジタルＲＧＢ信号は、
１８ビット、４０ＭＨｚであり、出力信号は３６ビッ
ト、２０ＭＨｚに変調される。このようにＭＬＡコント
ローラの出力信号のビット数を増やし周波数を低下させ
ることにより、内部配線等に対するノイズの低減や外部
機器に対する電磁輻射妨害（ＥＭＩ）の軽減が図られ
る。

【００３３】図２は、上記実施例に係るＭＬＡモジュー
ルの分解斜視図である。液晶パネル３の背面に導光板１
９が装着され、その裏面にシールド板２０を介して裏カ
バー２１が装着される。図は構成を明瞭にするために、
前記バス基板４、ロウ基板６がパネル背面側に折返さ
れ、メイン基板１１およびインターフェイス基板８がフ
レーム内側に配設され、導光板１９およびシールド板２
０がその上側に描かれているが、実際に組立てる場合に
は、バス基板４およびロウ基板６をパネル外側に開いた
状態で、パネル３の背面に導光板１９およびシールド板
２０を装着し、このシールド板２０の上に（背面側に）
バス基板４およびロウ基板６を折返して重ねるとともに
メイン基板１１およびインターフェイス基板８を装着す
る。

【００３４】したがって、導光板１９の背面のシールド
板２０と裏カバー２１の間に、バス基板４、ロウ基板
６、メイン基板１１およびインターフェイス基板８のＩ
／Ｆコネクタ１６、１７が配設された構造になる。

【００３５】図３は、このような構造のＭＬＡモジュー
ルの組立て状態の断面図である。外枠を構成するモジュ
ール本体ケース２５内に液晶パネル３が装着され、その
背面に導光板１９が設けられる。導光板１９は、図示し
たように、液晶パネル３側の表面を平面とし裏面側を斜
面とするくさび形状であって、裏側の斜面に沿ってシー
ルド板２０が設けられる。

【００３６】このくさび形状の導光板１９の厚肉側の端
部に冷陰極蛍光管２６が設けられる。シールド板２０の
背面にＴＣＰのフレキシブルテープ５ａを折返して各バ
ス基板４が装着される。各カラムドライバ５はＬＳＩか
らなり、ＴＣＰのフレキシブルテープ５ａを介して液晶
パネル３の各画素の電極に接続される。図示していない
が、ロウ基板６（図１）についても同様にＴＣＰのフレ
キシブルテープを折返した構成である。

【００３７】メイン基板１１は、下側（図では左側）の
バス基板４に隣接して、くさび形状の導光板１９の肉厚
の薄い部分の背面に装着される。このように、くさび形
状の導光板１９の薄い部分にメイン基板１１を装着する
ことにより、導光板背面のスペースを有効に利用してモ
ジュールの厚さ（ｌ₃）を増加させることなく、メイン
基板１１をコンパクトにモジュール内に装着できる。

【００３８】このようなメイン基板１１、バス基板４お
よびロウ基板６の背面側を覆ってＳＵＳ等の金属製裏カ
バー２１が装着される。これらの基板４、６、１１に形
成した接地パターンは、後述のように、シールド板２０
に形成した複数のカシメ片および各基板上に接合した複
数のシールド端子を介して、シールド板２０および裏カ
バー２１と導通して本発明のシールド構造を形成する。

【００３９】図４〜図６に上記実施例に係るシールド板
の詳細を示す。図４はシールド板の平面図、図５は図４
のＡ部およびＢ部の矢視図、図６はカシメ片の形状説明
図である。

【００４０】このシールド板２０は、例えば厚さ０．３
ｍｍのアルミ合金からなり、表面を絶縁樹脂フィルムの
ラミネートによりコーティングしたものである。シール
ド板２０の上縁左端部および下縁の両端部には、このシ
ールド板２０を導光板１９や裏カバー２１とともにネジ
により共締めして組立て固定するための取付け片６１、
６２、６３が設けられる。これらの取付け片６１、６
２、６３には絶縁樹脂フィルムはコーティングされな
い。

【００４１】このシールド板２０の上縁部の左右２箇所
および右側縁の２箇所には、図６（Ａ）に示す形状のカ
シメ片６０ａ〜６０ｄが切り起こして形成される。これ
らのうちカシメ片６０ａおよび６０ｂは、上側のバス基
板４（図１）に係合し、組立て時にラジオペンチ等によ
りこのバス基板上に折り曲げてかしめられ、基板の接地
パターンに接続されるとともに、このバス基板を位置決
め固定する。また、カシメ片６０ｃおよび６０ｄは、ロ
ウ基板６（図１）に係合し、組立て時にこのロウ基板上
に折り曲げてかしめられ、基板の接地パターンに接続さ
れるとともにこのロウ基板を位置決め固定する。

【００４２】シールド板２０の右側縁にはさらに、図６
（Ｃ）に示す形状のカシメ片６０ｅ，６０ｆが形成され
る。これらのカシメ片６０ｅ，６０ｆは、内側に折返し
て上記カシメ片６０ｃ、６０ｄとともにロウ基板を保持
するためのものである。

【００４３】シールド板２０の下部には、図６（Ｂ）あ
るいは（Ｄ）に示すように、係合片７１を片側または両
側に有する形状のカシメ片６０ｇ〜６０ｋが、図５に示
すような配置形状で、メイン基板のほぼ周囲に沿って形
成される。カシメ片６０ｇ、６０ｈ、６０ｉ（図５
（Ｂ）参照）は、その係合片７１をメイン基板の上辺部
上に折曲げられてメイン基板を位置決めするとともにそ
の接地パターンに接続される。

【００４４】また、カシメ片６０ｊ、６０ｋ（図５
（Ａ）参照）は、メイン基板とバス基板との間に位置
し、係合片７１を各基板上それぞれの方向に折り曲げら
れて各基板の接地パターンに接続される。このようなカ
シメ片６０ａ〜６０ｋは、各基板に対し複数箇所、それ
ぞれの基板に対し偏らない位置に各基板上の接地パター
ンからの抵抗がほぼ均一となるように分散して設けられ
る。なお、シールド板２０にはさらにメイン基板の左端
部の位置に、輝度調整ボリュームコネクタ１２（図１）
のケーブル固定用のカシメ片６０’が形成される。

【００４５】図７は、このようなシールド板２０の背面
に配設されたバス基板４、ロウ基板６およびメイン基板
１１のそれぞれに設けたバネ性を有する金属性のシール
ド端子６４の配置を示す。図８は、シールド端子６４の
形状および作用の説明図であり、（Ａ）は正面図、
（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は側面図、（Ｄ）は使用状態の
正面図、（Ｅ）は別の形状のシールド端子の正面図であ
る。

【００４６】このようなシールド端子６４は、各基板の
接地パターン上に半田接合され、裏カバー２１を装着す
ることにより、図８（Ｄ）または（Ｅ）に示すように、
裏カバー２１に押圧されて弾発的に変形し、基板の接地
パターンと裏カバーとを導通させる。このようなシール
ド端子６４は、各基板それぞれに対し複数個各基板面全
体にわたって適度に分散して設けられる。図の例では、
各バス基板４にそれぞれ４個づつ、ロウ基板６に３個、
メイン基板１１に４個のシールド端子６４が、各基板上
にほぼ均一に分散して配置されている。

【００４７】このように、各基板上に設けるシールド端
子６４および前述のシールド板２０のカシメ片６０ａ〜
６０ｋを、各基板に対し複数個偏らない位置にほぼ均一
に分散させて設けることにより、シールド板２０および
裏カバー２１の間に挟まれて装着されたバス基板４、ロ
ウ基板６およびメイン基板１１は、各基板上における位
置によらず基板全体に対し、ほぼ均一な状態でアース接
続され、均一で信頼性の高いシールド構造が得られる。

【００４８】一方、インターフェイス基板８に対して
は、その入力コネクタ９（図１）の両端部外側近傍に設
けた取付けビス孔（図示しない）の周辺に接地パターン
を形成し、かつビス孔はスルーホールとして裏カバー２
１にビス止めを行なうことにより、インターフェイス基
板８の接地パターンを裏カバー２１に接続させている。
これにより、インターフェイス基板のシールド効果が得
られる。

【００４９】図９は、ＭＬＡコントローラ１３を搭載し
たメイン基板１１の部品搭載面の配線パターン形状を示
す。図９（Ａ）は、ＭＬＡコントローラ搭載部分のパタ
ーンを示し、同図（Ｂ）は同じ部分の部品搭載レイアウ
トを示す。また、図１０は、メイン基板１１の裏面の導
体パターンを示す。

【００５０】メイン基板１１は、例えば６層の多層配線
構造であり、その部品搭載面のパターンが図９（Ａ）の
黒塗り部分で示される。このメイン基板１１には（Ｂ）
図に示すようにＭＬＡコントローラ１３とともに各種電
子部品６７が配設される。図中１６ｃ、１７ｃおよび１
８ｃは、それぞれＩ／Ｆコネクタ１６、１７、１８（図
１）を受けるコネクタ端子の位置を示す。（Ａ）図に示
すように、各電子部品６７に対応して、その入出力信号
配線パターンとして、部品リード端子（図示しない）を
接合するためのランドパターン６８と、これに連続する
ラインパターン６９およびその端部の内層パターンに接
続するためのスルーホールパターン７０が形成される。

【００５１】このような信号配線パターンの形成部分以
外の領域はほぼ接地パターン６５で占められる。この接
地パターン６５の面積は、この例では基板の部品実装面
全体の面積に対し約３０％である。このように、信号配
線パターン以外の部分を全て接地パターン６５で覆うこ
とにより、内層配線のシールド効果が高められるととも
に接地抵抗が小さくなりアース接続の信頼性が高まる。

【００５２】本実施例では、ＭＬＡコントローラ１３の
入出力ラインは、ほとんどがこのＭＬＡコントローラ１
３の内側（部品の下側）に形成される。すなわち、この
ＭＬＡコントローラ１３の入出力ライン、少なくともそ
の入力側（図では部品の上辺側）ラインは、部品端子か
ら基板のランドパターンを介して部品内側に引き出され
たラインパターンに接続され、さらに部品下側の位置に
形成したスルーホールを介して内層パターンに接続され
る。

【００５３】このように、ＭＬＡコントローラの入出力
ラインをＭＬＡコントローラ自体の内側に設けることに
より、このＭＬＡコントローラ自体がシールド材となっ
て、入出力ラインからの電磁妨害電波の外部への発散が
抑制される。この場合、ＭＬＡコントローラ１３へのＴ
ＦＴインターフェイスによるディジタルＲＧＢ信号の入
力ラインは、前述のように、電磁妨害電波の発生が問題
となる４０ＭＨｚの高い周波数の信号であるため、この
ＲＧＢ信号の入力ラインをＭＬＡコントローラ１３の下
側に形成することにより、電磁妨害電波の発生が有効に
抑制される。

【００５４】図１０は、メイン基板１１の裏面（部品搭
載面の反対側の面）の導体パターンを示す図である。図
示したように、メイン基板の裏面は大部分（ほぼ９５％
以上）が接地パターン６５で覆われる。この接地パター
ン６５内には、信号配線のスルーホール等を形成するた
めのパターン非形成部６６が散在して設けられ、このパ
ターン非形成部６６内に内層パターンと導通するスルー
ホール端部（図示しない）が接地パターン６５と分離し
て露出する。このようなスルーホール等を形成するため
に必要な僅かな部分を除く基板裏面の大部分を接地パタ
ーン６５で覆うことにより、内層パターンのシールド効
果が高められ、外部への電磁妨害電波の発散が抑制され
る。

【００５５】図１１から図１８は、上記実施例に係るＭ
ＬＡモジュールの漏洩電波の電界強度と従来構造のモジ
ュールの漏洩電波の電界強度を比較したグラフである。
これらのグラフは、日本におけるＥＭＩ（電磁妨害）規
制であるＶＣＣＩの規制の第２種装置に対する漏洩電波
の電界強度の規定に基づいて、この規定に基づく３ｍの
測定距離で水平方向および垂直方向の漏洩電波の強度を
実測した結果を示すものである。

【００５６】測定条件は、ＲＢ １００ｋＨｚ、ＶＢ
１００ｋＨｚ、ＳＷＴ ０．５sec、ＡＴＴ １０ｄＢ
で行ない、各グラフの縦軸は漏洩電波の電界強度（ｄＢ
μＶ／ｍ）を示し、横軸は周波数を示す。このＶＣＣＩ
の規定によれば、測定距離が３ｍの場合、３０〜２３０
ＭＨｚの周波数では４０ｄＢμＶ／ｍ以下、２３０〜１
０００ＭＨｚの周波数では４７ｄＢμＶ／ｍ以下である
ことが要求される。この規制値を各グラフ中に太線で示
す。

【００５７】図１１から図１４は、２０〜３２０ＭＨｚ
の周波数領域の測定結果であり、図１１および図１２は
それぞれ従来構造の水平方向および垂直方向の測定結果
であり、図１３および図１４はそれぞれ本発明構造の水
平方向および垂直方向の測定結果を示す。グラフから分
かるように、従来構造（図１１、図１２）では水平、垂
直方向とも漏洩電波が大きく、規制値のラインを越えて
いるが、本発明構造（図１３、図１４）では、漏洩電波
はいずれも規制値のラインより低く抑えられている。

【００５８】図１５から図１８は、３００〜１０００Ｍ
Ｈｚの周波数領域の測定結果であり、図１５および図１
６はそれぞれ従来構造の水平方向および垂直方向の測定
結果であり、図１７および図１８はそれぞれ本発明構造
の水平方向および垂直方向の測定結果を示す。グラフか
ら分かるように、従来構造（図１５、図１６）では水
平、垂直方向とも漏洩電波が大きく、局部的に規制値の
ラインを越えているが、本発明構造（図１７、図１８）
では、漏洩電波はいずれも規制値のラインより低く抑え
られ、この例では特に３００〜５００ＭＨｚの周波数で
効果的に漏洩電波が低下している。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、電磁妨害電波を発生する制御回路等の基板は、シー
ルド板と金属ケースの間に挟まれてその両面がシールド
されるため、簡単な構造で組立ても容易にでき、効果的
に周囲に対する妨害電波の発散を抑制してＥＭＩの低減
が図られる小型軽量の液晶モジュールが低コストで実現
できる。

【００６０】また、前記基板の接地パターン上に複数の
バネ性を有する金属端子を適度に分散させて設け、この
金属端子を前記金属ケースに弾発的に接触させるととも
に、前記シールド板を切り起こして複数のカシメ片をこ
れも適度に分散させて形成し、このカシメ片を前記基板
側にかしめることにより、このカシメ片を介して前記基
板の接地パターンとシールド板とを接続させた構成を用
いれば、複数のバネ性金属端子を介して基板と金属ケー
スとが弾発的に接触するために簡単な構成で確実な接地
ラインが形成され、また、シールド板に設けたカシメ片
により基板が確実に位置決めかつ固定されるとともに接
地パターンと導通してシールド作用が得られ、さらに効
果的にＥＭＩの低減が図られる。

【００６１】また、電磁妨害電波を発生するＴＦＴイン
ターフェイス信号が入力される制御ＩＣ部品の入力配線
パターンをこのＩＣ部品の内側の基板上に形成すること
により、入力信号ラインがＩＣ部品自体にシールドされ
て外部への妨害電波発散が有効に防止される。

【００６２】また、基板の両面を配線ラインやスルーホ
ール等のバターン形成に必要な部分以外は全て接地パタ
ーンで覆うことにより、基板全体の大部分が接地パター
ンで覆われてシールドされるため、電磁妨害電波の外部
への発散が効果的に抑制される。

【００６３】さらに、前記制御ＩＣ部品からの出力信号
を、ＴＦＴインターフェイス信号の周波数の１／ｎ
（ｎ：整数）の周波数とすることにより、制御ＩＣ部品
からの出力信号の周波数が、入力信号（ＴＦＴインター
フェイス信号）の周波数の例えば１／２になるため、周
波数の低下により妨害電波の発生が低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例に係るＭＬＡモジュールの内
部基板の配置状態を示す平面図。

【図２】 図１のモジュールの分解斜視図。

【図３】 図１のモジュールの断面図。

【図４】 図１のモジュールのシールド板の平面図。

【図５】 図４のＡ方向およびＢ方向の矢視図。

【図６】 図４のシールド板のカシメ片の形状説明図。

【図７】 本発明に係る基板に設置するシールド端子の
配置説明図。

【図８】 図７のシールド端子の形状および作用説明
図。

【図９】 図１のモジュールのメイン基板の部品実装面
のパターン説明図。

【図１０】 図９のメイン基板の裏面側のパターン説明
図。

【図１１】 従来構造のモジュールの低周波数側（２０
〜３２０ＭＨｚ）の水平方向漏洩電波のグラフ。

【図１２】 従来構造のモジュールの低周波数側（２０
〜３２０ＭＨｚ）の垂直方向漏洩電波のグラフ。

【図１３】 本発明構造のモジュールの低周波数側（２
０〜３２０ＭＨｚ）の水平方向漏洩電波のグラフ。

【図１４】 本発明構造のモジュールの低周波数側（２
０〜３２０ＭＨｚ）の垂直方向漏洩電波のグラフ。

【図１５】 従来構造のモジュールの高周波数側（３０
０〜１０００ＭＨｚ）の水平方向漏洩電波のグラフ。

【図１６】 従来構造のモジュールの高周波数側（３０
０〜１０００ＭＨｚ）の垂直方向漏洩電波のグラフ。

【図１７】 本発明構造のモジュールの高周波数側（３
００〜１０００ＭＨｚ）の水平方向漏洩電波のグラフ。

【図１８】 本発明構造のモジュールの高周波数側（３
００〜１０００ＭＨｚ）の垂直方向漏洩電波のグラフ。

【符号の説明】

１：ＭＬＡモジュール、３：液晶パネル、４：バス基
板、６：ロウ基板、８：インターフェイス基板、１１：
メイン基板、１３：ＭＬＡコントローラ、１４，１５，
１６，１７，１８：Ｉ／Ｆコネクタ、１９：導光板、２
０：シールド板、２１：裏カバー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中沢 聡 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 山口 泰生 東京都文京区湯島３丁目14番９号 オプト レックス株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＳＴＮ液晶パネルの背面に設けた導光板
   と、液晶駆動回路を搭載した基板と、金属ケースとを有
   する複数走査線同時駆動方式のＳＴＮ液晶表示モジュー
   ルのシールド構造であって、 前記導光板の背面にシールド板を設け、このシールド板
   と前記金属ケースとの間に前記基板を配設した液晶表示
   モジュールのシールド構造。
2. 【請求項２】前記基板の接地パターンと前記金属ケース
   を電気的に接続させるとともに、 前記基板の接地パターンとシールド板とを電気的に接続
   させた請求項１に記載の液晶表示モジュールのシールド
   構造。
3. 【請求項３】前記基板は多層配線構造の基板であり、 この基板上に、ＴＦＴインターフェイス信号を複数走査
   線同時駆動方式のＳＴＮインターフェイス信号に変換す
   るための制御ＩＣを搭載し、 この制御ＩＣの少なくともデータ入力ラインの配線パタ
   ーンは、この制御ＩＣの内側（部品の下側）の基板上に
   形成され、この制御ＩＣの内側から基板の内部配線層に
   接続された請求項１または２に記載の液晶表示モジュー
   ルのシールド構造。
4. 【請求項４】前記制御ＩＣからの出力信号は、ＴＦＴイ
   ンターフェイス信号の周波数の１／ｎ（ｎ：整数）の周
   波数である請求項３に記載の液晶表示モジュールのシー
   ルド構造。