JPH10150159A - メモリ容量を増大する方法および装置 - Google Patents

メモリ容量を増大する方法および装置

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JPH10150159A
JPH10150159A JP9298140A JP29814097A JPH10150159A JP H10150159 A JPH10150159 A JP H10150159A JP 9298140 A JP9298140 A JP 9298140A JP 29814097 A JP29814097 A JP 29814097A JP H10150159 A JPH10150159 A JP H10150159A
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ロバート・ダブリュー・ヌーナン
Jeffery L Hooten
ジェフリー・エル・フーテン
Christian H Post
クリスチャン・エイチ・ポスト
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 既存のコンピュータ・システムの空間的制約
内でＤＲＡＭの密度を最大に高める。 【解決手段】 メモリ・モジュールは、第１部分２４と
第２部分２６とを備え、第１部分２４は、コンピュータ
・システムのハウジングに設けられた実装部であるベー
ス１２に直接マウントされる第１の辺２８を有し、第２
部分２６は、第１部分２４の両側に延在し、第１部分２
４よりも小さく形成されている。第２部分２６が第１部
分２４の上方に形成されていないので、ハウジングの高
さを増大することなく、メモリチップを多数搭載でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に言えば、
メモリ・モジュールに関し、更に特定すれば、本発明
は、メモリ密度を最大に高めるメモリ・モジュール形状
係数(form factor)に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ・システムの進化の一面と
して、オペレーティング・システムおよびソフトウエア
が一層メモリ集約的(memory-intensive)になってきたこ
とが上げられる。実際、このな傾向は非常に顕著であ
り、メモリ業界は、その要求に対応し続けるために、供
給および開発という双方の観点から、時間的に非常に厳
しい状況となっている。ダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ（ＤＲＡＭ）半導体チップは、メモリ・シ
ステムにおいて用いられている主要な構成要素である。
ＤＲＡＭは、通常、サイズが０．８〜０．３ミクロンの
範囲の相補型金属酸化物シリコン技術を用いて作成され
るが、これよりも一層小さなサイズが主流となりつつあ
る。
【０００３】ＤＲＡＭの小型化が進むに連れて、その高
密度化が急速に進んでいる。例えば、数年前では、１Ｍ
ｂおよび４ＭｂのＤＲＡＭチップが標準的であったが、
今日では、１６Ｍｂチップが標準であり、６４Ｍｂチッ
プが出現し、更に２５６Ｍｂおよび１Ｇｂチップが開発
され製造されている。また、ＤＲＡＭのパッケージ技術
も進化している。数年前では、メモリは、ピンおよびス
ルーホールによりパッケージ化されていた。今日、表面
実装技術が一般的に用いられるようになり、小型輪郭集
積回路（ＳＯＩＣ：small outline integrated circui
t）、薄型小型輪郭パッケージ（ＴＳＯＰ：thin small
outlinepackage）、および同様の構造が、最も一般的と
なっている。メモリ・モジュールは少なくとも２つの機
能を果たしている。その機能の１つは、ＤＲＡＭをシス
テム・バス組織との互換性を保つ、即ち、システム設計
者のプロセッサ・バス・サイズと一致させる、という要
望を反映させることである。第２に、メモリ・モジュー
ルはアップグレード(upgrade)を容易にすることであ
る。
【０００４】今日、メモリ・モジュールは、次にあげる
４つ基本的な形式で供給されている。 （１）１バイト・モジュール（３０ピン・シングル・イ
ン・ライン・メモリ・モジュール（ＳＩＭＭ） （２）４バイト・モジュール（７２ピンＳＩＭＭまたは
７２ピン小型輪郭デュアル・イン・ライン・メモリ・モ
ジュール（ＳＯＤＩＭＭ） （３）８バイト・モジュール（１６８ピンＤＩＭＭ） （４）カスタム・モジュール（例えば、ＨＰ９０００ワ
ークステーション・メモリ） ＳＩＭＭは、１９７０年代中頃に、Wangが、Wangの「オ
フィス・アシスタント」ワード・プロセッサのコネクタ
供給者であるMolexと共に最初に開発したものである。
ＳＩＭＭは、通常３０接点または７２接点を有し、「カ
ード」の両側において同一であるのに対し、ＤＩＭＭは
２列（デュアル）の接点を有し、カードの各辺に１列ず
つ配されている。ピンを追加することにより、コンピュ
ータは、通常のＳＩＭＭによる３２ビットまたは１６ビ
ットの転送の代わりに、一度に６４ビットの情報をＤＩ
ＭＭから読み取ることができる。ＳＯＤＩＭＭは７２ピ
ンを有し、これらを比較的コンパクトにまとめているの
で、携帯用機器におけるメモリ拡張に特に適している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した開発の全てを
もってしても、未だ、既存のコンピュータ・システムの
限られた空間内において、ＤＲＡＭ密度を最大に高める
ための方法および装置をいち早く開発し続けることが必
要な状況が続いている。これは、メモリ・モジュールの
形状を操作することによって試みたりしているが、この
場合には、システム設計者は、モジュールの高さを高く
していた。多くのシステムでは、かかるモジュールに可
能な高さに関して限度があり、これにより、この手法の
有用性が制限される。これまで、メモリ・モジュールの
高さを過度に高くしないようにして多くのシステムに組
み込めるようにその形状を設計することによって、シス
テムにおけるＤＲＡＭ密度の最大化を図る方法を積極的
に考慮してなく、これは、従来技術の欠点であり欠陥で
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した従来
技術の問題点および欠陥の克服を目的とし、該目的を達
成できるメモリ・モジュールを含むシステムを提供す
る。このメモリ・モジュールは、システムの実装部に直
接接続する第１の辺を有する第１部分が形成され、第１
の辺は第１の長さを有する。前記メモリ・モジュールに
は第２の辺を有する第２部分も形成されており、第２の
辺は第２の長さを有し、第２の長さは第１の長さよりも
大きい。本発明の好適実施例では、第２の辺は第１の辺
を越えて二方向に延びることにより、「Ｔ字形状」を形
成する。本発明の代替実施例では、第２の辺は、円弧の
ような、非直線要素を規定する。
【０００７】また、本発明は、システムにおいてメモリ
容量を増大する方法も提供する。この方法は、モジュー
ルにそのコネクタ・フットプリントを越えて延びる領域
を提供するステップと、このモジュールにメモリ素子を
実装し、モジュールのコネクタ・フットプリントを越え
る領域に、メモリの少なくとも一部を配するようにする
ステップと、メモリが実装されたメモリ・モジュールを
システムに接続するステップとを含む。したがって、本
発明の目的は、既存のコンピュータ・システムの空間の
制約内でＤＲＡＭの密度を最大に高めるための簡単な方
法および装置を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、メモリ・モジュール
の新しい形状を導入し、メモリを使用するシステム内に
おいて、メモリを配置可能とする選択の自由度を高める
ことである。本発明の一層完全な理解は、添付図面と共
に以下の詳細な説明を参照することによって得ることが
できよう。
【０００９】
【発明の実施の形態】これより図面を参照しながら、本
発明について説明するが、全ての図にわたって、同様の
または類似する要素には同一の参照番号を付してあり、
図示する種々の要素は必ずしも同じ拡縮比で描かれてい
る訳でない。図１には、本発明の好適実施例がメモリ・
モジュール１０の形状で示されている。メモリ・モジュ
ール１０は、図１では、スロット１２に実装され、保持
アーム１４、１６によって、コンピュータ・システム２
０内の基板１８上に保持されたものとして示されてい
る。図１におけるコンピュータ・システム２０は、ハウ
ジング２２として図示されており、部分的に切除してモ
ジュール１０を示すようにしてある。この図では従来技
術として既知の構成の内、本発明の技術思想の説明に不
用な部分については、その詳細を示していない。例え
ば、ハウジング２２は、部分的に内部構成要素に容易に
アクセス可能に形成されているが、そのための部品は図
示していない。更に、コンピュータ・システム２０は通
常、プロセッサ、電源、ハード・ディスク・ドライブ、
およびその他の従来からの構成要素も備えているが、そ
のような構成要素も図示していない。
【００１０】本発明は、メモリ・モジュールの形状をそ
の要旨とするものであるので、モジュール１０の動作に
直接影響を及ぼさないシステム２０の態様、またはモジ
ュール１０の動作には直接関与しないシステム２０の態
様の中で、本発明の明確化または説明に役立たないと思
われるものについては図示していない。一般的な事実と
して、従来のコンピュータ・システムは、通常、メモリ
・モジュールの実装のためにスロットおよび保持アーム
を含む。本発明の教示によるメモリ・モジュールは、か
かる「従来技術」のスロットおよびアームによって容易
に挿入可能でありかつ保持可能なものである。
【００１１】図１には、本発明の注記すべき態様が示さ
れている。即ち、その態様とは、モジュール１０がハウ
ジング２２の範囲内に容易に収容できることである。よ
り具体的に説明すると、図１において、ハウジング２２
は高さ「ｈ」を有するものとして見ることができる。一
方、メモリ・モジュール１０は、それがスロット１２に
直立した状態で、高さ「ｍ」を有する。「ｍ」は「ｈ」
よりも明らかに小さい。コンピュータ・システムにおい
て、非常に小さい高さ「ｈ」を有するノートブック型コ
ンピュータの開発に関係する限りにおいて、従来のメモ
リ素子のためのメモリ・モジュールの「占有領域(real
estate)」即ち空間は増々狭くなっていく。当業者には
周知のように、従来のメモリ・モジュールは矩形状であ
り、モジュールのベースの長さは、モジュールが挿入さ
れる従来のスロットのサイズに固定されている。したが
って、メモリ素子との関連において、メモリ素子の数を
増やしたい場合、従来のメモリ素子では、その高さを高
くしなければならない。ここでも再度、ハウジング２２
の高さ「ｈ」の値が、このようなメモリ素子の拡張を制
限してしまう。ノートブック・コンピュータおよびサブ
ノートブック・コンピュータの場合、「ｈ」は非常に小
さい場合があり、当該システム内のメモリ密度量を著し
く制限することになる。
【００１２】次に図２を参照すると、該図にはメモリ・
モジュール１０が更に詳細に示されている。メモリ・モ
ジュール１０は、第１部分２４および第２部分２６を備
えることにより、高さの増大を過度に制限することな
く、従来技術のメモリ・モジュールに対して、占有領域
量の拡張を図っている。第１部分は、それが矩形状であ
る点で、従来のメモリ・モジュールと同様であり、ベー
ス２８は、それが挿入されるスロット１２と長さが等し
くなっている。しかしながら、第２部分２６は、従来技
術からの劇的な発想の展開を意味するものである。第２
部分は、辺３０、３２を越えて突出し、事実上の「広い
Ｔ字型」要素を形成する。この「Ｔ字型」要素の２カ所
の突出部分、即ち、部分３４、３６は、メモリ素子を容
易に実装可能な領域を構成するが、これらの領域は、第
１部分２４の上に大きく突出してメモリ・モジュール１
０の高さを増大するようにはなっていない。
【００１３】図２には、アーム１４、１６も一層詳細に
示されている。アーム１４、１６は、スロット１２の各
端部に回転自在に取り付けられている。モジュールがス
ロット１２に入っていない場合、アーム１４、１６の上
側部分はスロット１２から遠ざかるように傾斜する。メ
モリ・モジュール、例えば、モジュール１０がスロット
１２に挿入される場合、挿入されるにしたがって、モジ
ュールのベース２８がアームの底面部分を押してスロッ
トから遠ざけることにより、アームの上側部分を揺動さ
せてスロット及びモジュール内に入れ、多数の公知の方
法のいずれかでアームの上側部分にモジュールと相互作
用させることにより、モジュール１０のスロット１２と
の整合およびモジュール１０のスロット１２における保
持が容易に行われる。
【００１４】次に図３を参照すると、本発明の教示によ
るメモリ・モジュールの別の形状が図示されている。こ
の実施例は、単一の突出部分３４のみを有し、第２の突
出部分３６は有さない点で、図１および図２の実施例と
は異なる。しかしながら、この形状のモジュールも、メ
モリ素子の実装のために追加の占有領域を提供し、しか
も、この追加占有領域は、モジュールの高さを事実上増
大させてない。
【００１５】図４には、本発明の教示によるメモリ・モ
ジュールの更に別の形状が示されている。この図では、
第２部分の上縁が直線ではなく、実際には円弧状となっ
ているので、このモジュールは「Ｔ字状」ではないこと
がわかる。広い意味では、単純に言えば、本発明は、単
に直接高さを増大させる以外の手段で占有領域の拡張を
図った、メモリ・モジュールの形状を提供するものであ
る。図４の実施例では、両側および上側の双方に占有領
域の増大が得られ、従来技術による教示のみの場合のよ
うに、高さの増大によってのみ占有面積の拡張が計られ
ているものではない。
【００１６】図５には、本発明の更に別の実施例が示さ
れている。この実施例は、第２部分２６が部分的に第１
部分２４とは異なる平面にある（実際、第２部分は３つ
の平面にあり、第１部分２４の平面はその内の１つに過
ぎない）点が、前述の実施例とは異なる。この実施例で
は、前述の実施例のように「平坦」ではないが、高さの
増大を必要とすることなく、メモリ素子の実装のための
占有領域の大幅な拡張が得られる。また、状況によって
は、制約を受ける空間に可能な最良の使用法となる。
【００１７】本発明について別の見方をすると、本発明
は、そのコネクタ・フットプリントを越えて延びる領域
を有するメモリ・モジュールから構成されると言うこと
ができる。方法的に表現すると、本発明は、メモリ素子
をかかるモジュール上に実装し、モジュールのコネクタ
・フットプリントを越えて延びる領域に、メモリの少な
くとも一部を配置するような場合、およびかかるメモリ
・モジュールをコンピュータ・システムに接続する場合
に実行される。
【００１８】これまでの説明を基にして、当業者は、本
発明がメモリ・モジュールの新しい形状を効果的に導入
し、更に、既存のコンピュータ・システムの空間上の制
約の中で、ＤＲＡＭ密度を最大限高めるための簡単な方
法および装置の実現を理解することができるであろう。
当業者は、本発明の利点が、ＳＯＩＣ（小型プラスティ
ック・デュアル・イン・ライン・パッケージ。通常「ガ
ル・ウイング」状足部を有し、表面実装用に設計され
た）や、ＳＯＪ（「小型輪郭Ｊ字状折り曲げ」、即ち、
Ｊ字状に折り曲げられたリードを有するＳＯＩＣパッケ
ージ）の使用による最大化が可能であることを容易に認
めると共に、評価するであろう。「小型輪郭」パッケー
ジの場合、これらはモジュール上で占める貴重な占有領
域が少なくて済む。また、当業者は、本発明は、モジュ
ールの設計者に提供する、モジュール上におけるバッフ
ァメモリの配置に関する選択肢を格段に増やし、その結
果利用可能な占有領域量も拡大することも容易に理解
し、評価するであろう。
【００１９】尚、本発明の方法および装置の好適実施例
について添付図面に示し、先の詳細な説明に記載してき
たが、本発明はここに開示した実施例に限定される訳で
はなく、特許請求の範囲に記載され規定される本発明の
精神から逸脱することなく、多数の再構成、変更および
代用も可能であることは理解されよう。例えば、ここに
図示し説明した好適実施例は、「高さ」に制限がある場
合について論じたが、これらは、より正確に言えば、
「長さ」の制限と呼ぶべき制限がある、「起立」以外の
姿勢でシステム内に配置される可能性もあることも理解
されよう。更に他の姿勢も可能である。更に、コンピュ
ータ・システムの発展により、メモリ・モジュール用空
間が一層狭められるという事実があり、かかるモジュー
ルは、単に一方向だけでなく、二方向以上に効果的な拡
張が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の教示によるメモリ・モジュールを搭載
した、コンピュータ・ハウジングの一部切り欠き簡略
図。
【図２】図１のメモリ・モジュールの平面図。
【図３】本発明の教示によるメモリ・モジュールの代替
実施例を示す平面図。
【図４】本発明の教示によるメモリ・モジュールの別の
代替実施例を示す平面図。
【図５】本発明の教示によるメモリ・モジュールのさら
に別の代替実施例を示す斜視図。
【符号の説明】
１０ メモリ・モジュール １２ スロット １４，１６ 保持アーム １８ 基板 ２０ コンピュータ・システム ２２ ハウジング ２４ 第１部分 ２６ 第２部分 ２８ ベース ３０，３２ 辺 ３４，３６ 突出部分
フロントページの続き (71)出願人 591030868 20555 Ｓｔａｔｅ Ｈｉｇｈｗａｙ 249，Ｈｏｕｓｔｏｎ，Ｔｅｘａｓ 77070，Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏ ｆ Ａｍｅｒｉｃａ (72)発明者 ジェフリー・エル・フーテン アメリカ合衆国テキサス州77379，スプリ ング，リッチフィールド・レーン 7602 (72)発明者 クリスチャン・エイチ・ポスト アメリカ合衆国テキサス州77379，スプリ ング，メモリアル・クリーク・ドライブ 9023

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 メモリ・モジュールを含むシステムであ
    って、 前記システム内の実装部に直接接続する第１の長さの第
    １の辺を有する第１部分と、 前記第１の長さよりも長い第２の長さの第２の辺を有す
    る第２部分とからなることを特徴とするシステム。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のシステムにおいて、前記
    第２の辺は、全体的に前記第１の辺と平行であり、前記
    第２の辺は少なくとも一方の方向において前記第１の辺
    を越えて延びることを特徴とするシステム。
  3. 【請求項３】 請求項２記載のシステムにおいて、前記
    第２の辺は、二方向において前記第１の辺を越えて延
    び、これにより「Ｔ字形状」を形成することを特徴とす
    るシステム。
  4. 【請求項４】 請求項１記載のシステムにおいて、前記
    第２の辺は非直線要素を規定することを特徴とするシス
    テム。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のシステムにおいて、前記
    第２の辺は円弧を規定することを特徴とするシステム。
  6. 【請求項６】 システムにおけるメモリ容量を増大させ
    る方法であって、 モジュールに、そのコネクタ・フットプリントを越えて
    延びる領域を与えるステップと、 前記モジュール上にメモリ素子を実装し、メモリの少な
    くとも一部を、前記モジュールのコネクタ・フットプリ
    ントを越えて延びる領域内に配置するステップと、 前記メモリを実装したメモリ・モジュールを前記システ
    ムに接続するステップとからなることを特徴とする方
    法。
  7. 【請求項７】 メモリ・モジュールであって、 ベース部分と、 前記ベース部分を越えて延びるメモリ実装部分とからな
    ることを特徴とするメモリ・モジュール。
  8. 【請求項８】 請求項７記載のメモリ・モジュールにお
    いて、前記ベース部分は、コンピュータ・システムに接
    続するように構成されていることを特徴とするメモリ・
    モジュール。
  9. 【請求項９】 請求項７記載のメモリ・モジュールにお
    いて、前記メモリ実装部分は、ほぼ同一平面において、
    前記ベース部分を越えて延びることを特徴とするメモリ
    ・モジュール。
  10. 【請求項１０】 請求項７記載のメモリ・モジュールに
    おいて、前記メモリ実装部分は、前記ベース部分を、異
    なる平面において、越えて延びることを特徴とするメモ
    リ・モジュール。
JP9298140A 1996-10-31 1997-10-30 メモリ容量を増大する方法および装置 Pending JPH10150159A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US741699 1996-10-31
US08/741,699 US6310782B1 (en) 1996-10-31 1996-10-31 Apparatus for maximizing memory density within existing computer system form factors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10150159A true JPH10150159A (ja) 1998-06-02

Family

ID=24981807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9298140A Pending JPH10150159A (ja) 1996-10-31 1997-10-30 メモリ容量を増大する方法および装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6310782B1 (ja)
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