JPH10144862A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH10144862A
JPH10144862A JP8300101A JP30010196A JPH10144862A JP H10144862 A JPH10144862 A JP H10144862A JP 8300101 A JP8300101 A JP 8300101A JP 30010196 A JP30010196 A JP 30010196A JP H10144862 A JPH10144862 A JP H10144862A
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alignment
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一久 田島
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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造期間の短縮、集積度の向上、小型化、及び
適応範囲の拡大をはかる。 【解決手段】複数種類のカスタム回路に対し汎用性のあ
る基本機能,共通機能を備えた共通基本回路11、及び
複数のバンプ電極14から成るオプション接続部15が
形成されたマザーチップ1に、共通基本回路11に対す
る各種変更を盛り込んだオプション回路、及び複数のバ
ンプ電極21から成る接続部が形成されたオプションチ
ップ2を、複数のバンプ電極14及び複数のバンプ電極
21を互い対応接続して搭載する。マザーチップ1及び
オプションチップ2は別々に製作することができ、ま
た、オプション搭載部15の領域にも共通基本回路11
が形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特にユーザの要求を盛り込んだカスタム回路部分を
含む半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ユーザの要求を盛り込んだカスタム回路
部分を含む半導体集積回路は、1枚のチップ上に、多く
のカスタム回路部分に対し共通な、基本的な回路部分
と、個々のユーザ向けのカスタム回路部分とを形成する
場合が多い。
【0003】このような半導体集積回路の従来の第1の
例のチップのレイアウト図を図5に示す。
【0004】この半導体集積回路は、1枚の半導体基板
の所定の領域に、複数種類のカスタム回路に対し汎用性
のある所定の基本機能,共通機能を備えた共通基本回路
11aと、この共通基本回路11aの領域外の所定の領
域に共通基本回路11aの所定の部分に対する仕様変
更,機能変更,機能追加等を含む各種変更を盛り込んだ
カスタム回路20と、半導体基板の周辺部に、共通基本
回路11a及びカスタム回路20と外部回路とを接続す
る複数の電極パッド12とが形成された集積回路チップ
10を有する構成となっている。
【0005】このような半導体集積回路を製造する場
合、製造期間(TAT)を短縮するため、カスタム回路
20を除く部分は予め製作しておき、カスタム回路20
部分は、受注に応じて、ユーザの要求を盛り込んで後工
程で作り込む方法をとっていた。こうすることにより、
後工程で作り込まれるカスタム回路20部分は集積回路
チップ10全体に比べると小さいので、受注から納品ま
での製造期間、集積回路チップ10全体の製造期間を短
縮することができる。
【0006】また、開発期間が短かく、かつ多品種小量
生産に対応できるカスタム型の半導体集積回路として、
特開平4−199742号公報記載の例がある。この公
報を参照して作成した従来の半導体集積回路の第2の例
のレイアウト図及び部分拡大側面図を図6(a),
(b)に示す。
【0007】この半導体集積回路は、基板の周辺部分及
びその内側の所定の位置に設けられた複数の電極パッド
31、及びこれら複数の電極パッドと接続しユーザの要
求に応じて配線経路や配線・電極パッド間の接続等が決
定されるカスタム化された配線を備えたモジュール基板
30と、このモジュール基板の内側の電極パッド31と
接続してモジュール基板30に搭載され集積回路全体を
構成する複数のチップ40とを有する構成となってい
る。
【0008】この半導体集積回路のモジュール基板30
は、複数の配線が平行して走る配線層を複数層、各層間
の配線が互いに交差するように形成し、これら各層間の
配線及び配線・電極パッド間の接続を、書込回路により
ユーザの要求に応じて完成するようになっており、搭載
されるチップ40の内容に応じて、配線経路、配線と周
辺の電極パッド31との間の接続、配線と内側(チップ
40を搭載接続する)の電極パッド31との接続を決定
することができる。また、複数のチップ40それぞれは
平行して設計,製作することができる。従って、多品種
少量生産であっても、開発期間、製造期間を短かくする
ことができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路は、第1の例では、カスタム回路20部分以外
を予め製作しておき、カスタム回路20部分は受注後、
後工程で作り込む構造となっているので、後工程で作り
込む部分が小さく、受注から納品までの製造期間、集積
回路チップ10全体の製造期間を短縮することができる
が、カスタム回路20部分以外の部分の製作と、カスタ
ム回路20部分の製作とが時間的に完全にシリアルにな
るため、製造期間の短縮には限界があり、更なる製造期
間の短縮が困難であるという問題点と、カスタム回路2
0の形成領域が限定されるため、カスタム化に対する適
応範囲が狭いという問題点がある。
【0010】また、第2の例では、モジュール基板30
はその製造後でも配線及び電極パッド31をチップ40
の内容に合わせて決定することができるので、開発期間
が短かく、かつ多品種少量生産に対応できるが、モジュ
ール基板30は汎用性を高めるために実際に使用しない
配線が多くその面積が大きくなるという問題点と、モジ
ュール基板30には配線及び電極パッド31並びにこれ
らの接続制御のための書込回路のみが設けられていて集
積回路本来の回路はチップ40にのみ形成されていて配
線と集積回路とが別々の基板となるため、全体が大型化
し、集積度が低いという欠点と、微細化が進み隣接する
電極パッド31間の間隔が狭くなると、モジュール基板
30の電極パッド31とチップ40の電極パッド41と
の位置を正確に合て接続する必要があるが、その位置合
せ(アライメント)のための手段がないため、電極パッ
ド31,41間の誤接続や隣接する電極パッド同志が短
絡する不具合が発生しやすいという問題点と、チップ4
0が電極パッド31,41の接続のみでモジュール基板
30に搭載されているため、チップ40に力(ストレ
ス)が加わったとき破損しやすいという問題点がある。
【0011】本発明の目的は、第1に、集積度の向上及
び小型化をはかると共に製造期間を短縮し、かつカスタ
ム化に対する適応範囲を拡大することができ、第2に、
微細化進展時の誤接続や短絡事故の発生を防止すると共
にチップに対するストレス印加時の破損を防止すること
ができる半導体集積回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、複数種類のカスタム回路に対し汎用性のある所定の
基本機能,共通機能を備えた共通基本回路、及びこの共
通基本回路と接続し所定の位置に設けられた複数の第1
の接続端子を含むオプション接続部が形成されたマザー
チップに、前記共通基本回路の所定の部分に対する仕様
変更,機能変更,機能付加を含む各種変更を盛り込んだ
カスタム回路部分のオプション回路、及び前記オプショ
ン接続部の複数の第1の接続端子それぞれと対応する複
数の第2の接続端子を含む接続部が形成されたオプショ
ンチップを、前記複数の第1の接続端子及び複数の第2
の接続端子を対応接続して搭載して成る構成を有してい
る。また、複数の第1及び第2の接続端子をバンプ電極
として構成される。
【0013】また、マザーチップとオプションとの間
に、複数の第1及び第2の接続端子の隣接する接続端子
間の間隙確保用、並びにマザーチップ及びオプションチ
ップに加えられる衝撃に対する強度強化用の保護・緩衝
層を設けて構成され、更に、マザーチップ及びオプショ
ンの第1,第2の接続端子間の位置に対するアライメン
ト手段を設けて構成される。
【0014】また、アライメント手段を、オプションチ
ップの所定の位置に所定の間隔で一列に配置された所定
の太さの複数の第1のアライメント用端子と、これら複
数の第1のアライメント用端子それぞれと対応するマザ
ーチップの位置に前記複数の第1のアライメント用端子
とは異なる太さ異なる間隔で一列に配置された複数の第
2のアライメント用端子とを備え、前記複数の第1及び
第2のアライメント用端子それぞれの対応するものどう
しの導通状態を確認してアライメントを行うショートノ
ギスアライメントシステムとして構成され、更にまた、
アライメント手段を、マザーチップ及びオプションチッ
プのうちの一方に設けられ先端が先細となるような傾斜
を持つ第1のアライメント用端子と、前記マザーチップ
及びオプションチップのうちの他方に設けられ前記第1
のアライメント用端子を挿入する挿入孔をもちこの挿入
孔が開口部で広くなるような傾斜を持つ第2のアライメ
ント用端子とを含むセルフアライメント構造として構成
される。
【0015】また、マザーチップのオプション搭載部の
近傍に、前記オプション搭載部にオプションチップが搭
載されていないときには前記マザーチップ単体でこのマ
ザーチップ内の共通基本回路が持つ機能をはたす接続状
態とし、前記オプション搭載部に前記オプションチップ
が搭載されているときには、前記共通基本回路及びオプ
ションチップのオプション回路を結合した状態の機能を
はたす接続状態とする接続切換回路を設けて構成され
る。
【0016】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
【0017】図1(a),(b)は本発明の第1の実施
の形態を示す平面図及び部分拡大側面図である。
【0018】この第1の実施の形態は、半導体基板の所
定の領域に複数種類のカスタム回路に対し汎用性のある
所定の基本操作,共通機能を備えた共通基本回路11、
この共通基本回路11と接続し上記半導体基板の周辺部
分に設けられた複数の電極パッド12、及び共通基本回
路11と接続して上記半導体基板の所定の位置に設けら
れた複数のバンプ電極14を含むオプション接続部15
が形成されたマザーチップ1に、共通基本回路11の所
定の部分に対する仕様変更,機能変形,機能追加等を含
む各種変更を盛り込んだカスタム回路部分のオプション
回路(図示省略)、及びオプション接続部15の複数の
バンプ電極14それぞれと対応する複数のバンプ電極2
1を含む接続部が形成されたオプションチップ2を、複
数のバンプ電極14と複数のバンプ電極21とを互いに
対応接続して搭載した構成となっている。
【0019】なお、マザーチップ1の接続切換回路13
は、オプションチップ2が搭載されていない状態ではマ
ザーチップ1単体で所定の機能をはたす接続状態となっ
ており、オプションチップ2が搭載されている状態で
は、オプションチップ2の機能とマザーチップ1の機能
とが結合した状態を作り出すような接続状態となるよう
に、接続状態を切換える機能をもっている。なお、この
接続状態の切換えは、ヒューズ素子の切断,非切断によ
り行うことができる。
【0020】また、カスタム化は、共通基本回路11の
限定された所定の部分、所定の信号等に対する仕様変
更、機能変更、機能追加等が多いので、これらの各種変
更に対する共通基本回路11とオプションチップ2のカ
スタム回路部分との間で授受する信号の種類はある程度
限定される。従って、オプション搭載部15及びオプシ
ョンチップ2に形成されるバンプ電極14,21の数や
配置は、複数種類のカスタム回路部分(従ってオプショ
ンチップ2)に対し共通にすることができる。
【0021】マザーチップ1は、複数種類のオプション
チップ2に対し共通であり、しかも接続切断回路13に
よって単独で機能確認、検査等ができるので、受注前に
予め製作及び検査をしておくことができる。また、オプ
ションチップ2の種類も限定されるので、これら種類の
オプションチップ2をマザーチップ1とは別工程で予め
製作しておくができ、ユーザのニーズに応じて製作済み
のオプションチップ2を選択してマザーチップ1に搭載
し、接続切換回路13によりマザーチップ1及びオプシ
ョンチップ2間の信号の授受を可能にし、カスタム化し
た半導体集積回路とすることができる。また、新たなカ
スタム化でも、オプションチップ2の製作で対応でき
る。従って、受注から納品までの製造期間を、従来の第
1の例より大幅に短縮することができる。また、オプシ
ョンチップ2の面積に対する制約が小さいので、カスタ
ム化に対する適応範囲を広くすることができる。
【0022】また、マザーチップ1のオプション搭載部
15の領域にも共通基本回路11を形成することができ
るので、従来の第1及び第2の例より集積度を向上させ
ることができ、また小型化することができる。
【0023】図2(a),(b)は本発明の第2の実施
の形態を示すオプションチップを搭載した部分の平面図
及び側面図である。
【0024】この第2の実施の形態は、マザーチップ1
とオプションチップ2との間に、互いに接続するバンプ
電極14,21が、隣接するものどうしで接触し短絡事
故を起さないようにその間隙を確保するためと、オプシ
ョンチップ2やマザーチップ1に外部から衝撃(力)が
加えられたときにこれらオプションチップ2及びマザー
チップ1が破損しないようにするために、保護緩衝層3
を設けたものである。
【0025】保護緩衝層3は、オプションチップ2及び
マザーチップ1の少なくとも一方に、(ポリ)イミド・
低誘電率レジストのPGMA/PMMA樹脂を使用し、
バンプ電極を露出するためにリソグラフィ技術を用いて
形成する。
【0026】図3(a),(b)は本発明の第3の実施
の形態を示すショートノギスアライメント部分の原理説
明用模式図及びショートノギス部の配置図である。
【0027】微細化が進展し隣接するバンプ電極(1
4,21)間が狭くなると、マザーチップ1に搭載する
オプションチップ2の搭載位置精度を高くする必要があ
る。また、マザーチップ1とオプションチップ2との間
の間隙は狭いので、互いに対応するバンプ電極14,2
1が正しい位置で接続されているかどうかを確認するこ
とができない。
【0028】そこで、ノギスの原理を応用し、例えば図
3(a)のような寸法で複数のアライメント用端子1
6,22をマザーチップ1及びオプションチップ2に配
置した複数のショートノギス部23x,23yを設け、
互いに対応するアライメント用端子16,22間の導通
があるかどうかをセンサ4及び電源Eにより確認するこ
とにより、オプションチップ2の正確な搭載位置を決定
する。対応するアライメント用端子間全てに導通がある
とき、正確な位置となる。
【0029】アライメント用端子16,22は、その高
さをバンプ電極14,21によりわずかに高くし、対応
するアライメント用端子16,22が軽く接触する状態
ではバンプ電極14,21は接触しないようにしておい
てこれらの間の導通を確認し、正確な位置が決ったと
き、対応するアライメント用端子16,22を強く接触
させることにより(多少の変形は問題ない)、対応する
バンプ電極14,21どうしを接触させる。こうするこ
とにより、正確な位置で対応するバンプ電極14,21
どうしを接続することができる。
【0030】図4(a),(b)は本発明の第4の実施
の形態を示すセルフアライメント構造の側面図及びアラ
イメント用端子部分の拡大側面図である。
【0031】このセルフアライメント構造は、オプショ
ンチップ2側に、その高さがバンプ電極21より高く、
先端が先細となるような傾斜を持つアライメント用端子
24が設けられ、マザーチップ1側に、その高さがバン
プ電極14より高く、アライメント用端子24を挿入す
る挿入孔をもちこの挿入孔が開口部で広くなるような傾
斜を持つアライメント用端子17が設けられた構成とな
っている。このような構造,構成とすることにより、ア
ライメント用端子24をアライメント用端子17の挿入
孔に挿入するだけで、マザーチップ1及びオプションチ
ップ2の対応する位置を正確に、かつ容易に決定するこ
とができる。従って、このようなアライメント用端子1
7,24を複数箇所設けることにより、マザーチップ1
に対するオプションチップ2の搭載位置を正確に、かつ
容易に決定することができる。
【0032】なお、第2〜第4の実施の形態は、これら
を組合て適用することができる。また、オプションチッ
プ2及び対応するオプション搭載部15は1つに限定さ
れるものではなく、複数設けることもできる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数種類
のカスタム回路に対し汎用性のある基本機能,共通機能
を備えた共通基本回路、及びオプション接続部が形成さ
れたマザーチップと、共通基本回路に対する各種変更を
盛り込んだオプション回路及び接続部が形成されたオプ
ションチップとを別々に製作し、オプションチップをマ
ザーチップに搭載する構成とすることにより、マザーチ
ップ及びオプションチップを共に予め製作しておくこと
ができ、また新たなオプション化でもオプションチップ
の製作で対応できるので、受注から納品までの製造期間
を短縮することができ、かつ、従来の第2の例のような
使用しない配線、パッド等はなく、オプション搭載部に
も共通基本回路を形成して2階建て構造とすることがで
きるので、集積度が向上し小型化することができ、ま
た、オプションチップの面積に対する制約が小さいの
で、カスタム化に対する適応範囲を拡大することができ
る効果がある。
【0034】また、マザーチップとオプションチップと
の間には保護緩衝層を設けた構成とすることにより、微
細化が進展しても誤接続や隣接端子間の短絡事故の発
生、及びチップに対する衝撃,ストレス印加時のチップ
の破損を防止することができる効果があり、アライメン
ト手段を設けた構成とすることにより、微細化が進展し
てもオプションチップをマザーチップの正しい位置に正
確に搭載できて誤接続、短絡事故等の発生を防止するこ
とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す平面図及び部
分拡大側面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示すオプションチ
ップを搭載した部分の平面図及び側面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態を示すショートノギ
スアライメント部分の原理説明用模式図及びショートノ
ギス部の配置図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態を示すセルフアライ
メント構造の側面図及びアライメント端子部分の拡大側
面図である。
【図5】従来の半導体集積回路の第1の例を示す平面図
である。
【図6】従来の半導体集積回路の第2の例を示す平面図
及び部分拡大側面図である。
【符号の説明】
1 マザーチップ 2 オプションチップ 3 保護緩衝層 10 集積回路チップ 11,11a 共通基本回路 12 電極パッド 13 接続切換回路 14 バンプ電極 15 オプション搭載部 16,17 アライメント用端子 20 カスタム回路 21 バンプ電極 22 アライメント用端子 23x,23y ショートノギス部 24 アライメント用端子 30 モジュール基板 31 電極パッド 32 配線 33 導電性接着剤 40 チップ 41 電極パッド 42 バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/822

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数種類のカスタム回路に対し汎用性の
    ある所定の基本機能,共通機能を備えた共通基本回路、
    及びこの共通基本回路と接続し所定の位置に設けられた
    複数の第1の接続端子を含むオプション接続部が形成さ
    れたマザーチップに、前記共通基本回路の所定の部分に
    対する仕様変更,機能変更,機能付加を含む各種変更を
    盛り込んだカスタム回路部分のオプション回路、及び前
    記オプション接続部の複数の第1の接続端子それぞれと
    対応する複数の第2の接続端子を含む接続部が形成され
    たオプションチップを、前記複数の第1の接続端子及び
    複数の第2の接続端子を対応接続して搭載して成ること
    を特徴とする導体集積回路。
  2. 【請求項2】 複数の第1及び第2の接続端子をバンプ
    電極とした請求項1記載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 マザーチップとオプションとの間に、複
    数の第1及び第2の接続端子の隣接する接続端子間の間
    隙確保用、並びにマザーチップ及びオプションチップに
    加えられる衝撃に対する強度強化用の保護・緩衝層を設
    けた請求項1記載の半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 マザーチップ及びオプションの第1,第
    2の接続端子間の位置に対するアライメント手段を設け
    た請求項1記載の半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 アライメント手段を、オプションチップ
    の所定の位置に所定の間隔で一列に配置された所定の太
    さの複数の第1のアライメント用端子と、これら複数の
    第1のアライメント用端子それぞれと対応するマザーチ
    ップの位置に前記複数の第1のアライメント用端子とは
    異なる太さ異なる間隔で一列に配置された複数の第2の
    アライメント用端子とを備え、前記複数の第1及び第2
    のアライメント用端子それぞれの対応するものどうしの
    導通状態を確認してアライメントを行うショートノギス
    アライメントシステムとした請求項4記載の半導体集積
    回路。
  6. 【請求項6】 アライメント手段を、マザーチップ及び
    オプションチップのうちの一方に設けられ先端が先細と
    なるような傾斜を持つ第1のアライメント用端子と、前
    記マザーチップ及びオプションチップのうちの他方に設
    けられ前記第1のアライメント用端子を挿入する挿入孔
    をもちこの挿入孔が開口部で広くなるような傾斜を持つ
    第2のアライメント用端子とを含むセルフアライメント
    構造とした請求項4記載の半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 マザーチップのオプション搭載部の近傍
    に、前記オプション搭載部にオプションチップが搭載さ
    れていないときには前記マザーチップ単体でこのマザー
    チップ内の共通基本回路が持つ機能をはたす接続状態と
    し、前記オプション搭載部に前記オプションチップが搭
    載されているときには、前記共通基本回路及びオプショ
    ンチップのオプション回路を結合した状態の機能をはた
    す接続状態とする接続切換回路を設けた請求項1記載の
    半導体集積回路。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002082540A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Fujitsu Limited Dispositif a semi-conducteurs, son procede de fabrication et substrat semi-conducteur connexe
US6944073B2 (en) 2002-12-02 2005-09-13 Rohm Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JP2007180900A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Seiko Epson Corp 水晶発振器及びその製造方法
US7307349B2 (en) 1999-02-24 2007-12-11 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device of chip-on-chip structure, assembling process therefor, and semiconductor chip to be bonded to solid surface
JP2011508451A (ja) * 2007-12-28 2011-03-10 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 収容部を有する三次元半導体ダイ構造及び方法
WO2014065038A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
US8981574B2 (en) 2012-12-20 2015-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000039853A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-06 Infineon Technologies Ag Vertikal integrierte halbleiteranordnung
US6838766B2 (en) 2000-03-21 2005-01-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
EP1328015A3 (de) * 2002-01-11 2003-12-03 Hesse & Knipps GmbH Verfahren zum Flip-Chip-Bonden
EP1765724B1 (en) * 2004-07-08 2013-12-18 International Business Machines Corporation Method for improving alignment precision of parts in mems
WO2007024774A2 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Vora Madhukar B Apparatus and methods for high-density chip connectivity
US7745301B2 (en) 2005-08-22 2010-06-29 Terapede, Llc Methods and apparatus for high-density chip connectivity
US8957511B2 (en) 2005-08-22 2015-02-17 Madhukar B. Vora Apparatus and methods for high-density chip connectivity
TWI307406B (en) * 2006-07-06 2009-03-11 Au Optronics Corp Misalignment detection devices
US20110186899A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Polymer Vision Limited Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch
US9055701B2 (en) * 2013-03-13 2015-06-09 International Business Machines Corporation Method and system for improving alignment precision of parts in MEMS
JP6189181B2 (ja) 2013-11-06 2017-08-30 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6219155B2 (ja) 2013-12-13 2017-10-25 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131554A (ja) * 1985-12-03 1987-06-13 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH07112041B2 (ja) * 1986-12-03 1995-11-29 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US5243208A (en) * 1987-05-27 1993-09-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a gate array with a ram and by-pass signal lines which interconnect a logic section and I/O unit circuit of the gate array
EP0304263A3 (en) * 1987-08-17 1990-09-12 Lsi Logic Corporation Semiconductor chip assembly
JPH0750759B2 (ja) * 1988-07-01 1995-05-31 シャープ株式会社 半導体装置
US4871921A (en) * 1988-08-09 1989-10-03 Honeywell Inc. Detector array assembly having bonding means joining first and second surfaces except where detectors are disposed
AU637874B2 (en) * 1990-01-23 1993-06-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Substrate for packaging a semiconductor device
DE69117891T2 (de) * 1990-11-20 1996-07-25 Sumitomo Electric Industries Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen
US5432708A (en) * 1992-10-08 1995-07-11 Aptix Corporation Multichip module integrated circuit device having maximum input/output capability
US5541814A (en) * 1993-10-08 1996-07-30 Quick Technologies Ltd. Personalizable multi-chip carrier including removable fuses
TW520816U (en) * 1995-04-24 2003-02-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JPH0927529A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Sony Corp 位置合わせ検出用半導体装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307349B2 (en) 1999-02-24 2007-12-11 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device of chip-on-chip structure, assembling process therefor, and semiconductor chip to be bonded to solid surface
WO2002082540A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Fujitsu Limited Dispositif a semi-conducteurs, son procede de fabrication et substrat semi-conducteur connexe
US6972487B2 (en) 2001-03-30 2005-12-06 Fujitsu Limited Multi chip package structure having a plurality of semiconductor chips mounted in the same package
US6944073B2 (en) 2002-12-02 2005-09-13 Rohm Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
CN100354978C (zh) * 2002-12-02 2007-12-12 罗姆股份有限公司 半导体集成电路器件
JP2007180900A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Seiko Epson Corp 水晶発振器及びその製造方法
JP2011508451A (ja) * 2007-12-28 2011-03-10 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 収容部を有する三次元半導体ダイ構造及び方法
WO2014065038A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
US8981574B2 (en) 2012-12-20 2015-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package
US9633973B2 (en) 2012-12-20 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package

Also Published As

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US6037666A (en) 2000-03-14
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EP0841700A3 (en) 1998-12-02
EP0841700A2 (en) 1998-05-13
KR19980042497A (ko) 1998-08-17

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