JPH1014250A - 寄生ダイオードを通して流れる電流を減少させるための多重個別ケルビンエミッタ接続 - Google Patents
寄生ダイオードを通して流れる電流を減少させるための多重個別ケルビンエミッタ接続Info
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- JPH1014250A JPH1014250A JP9071368A JP7136897A JPH1014250A JP H1014250 A JPH1014250 A JP H1014250A JP 9071368 A JP9071368 A JP 9071368A JP 7136897 A JP7136897 A JP 7136897A JP H1014250 A JPH1014250 A JP H1014250A
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- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モータコントローラ回路において、上部レー
ルと底部レールに沿って配置された複数のトランジスタ
を駆動する集積回路の寄生ダイオードＤS1を流れる電流
を減少させる。 【解決手段】 集積回路の底部レールのスイッチングト
ランジスタが個別に、ケルビンエミッタ接続を備える。
更に、プリント回路基板上にＣＯＭ端子からケルビンエ
ミッタまで個別のトレースを設ける。かかる構成によ
り、寄生インダクタンスを減少させ、寄生ダイオードＤ
S1を流れる電流を減少させることができる。 更に又、
小抵抗を各ケルビンエミッタ接続と直列に接続すること
により、さらに電流を減少させることができる。
ルと底部レールに沿って配置された複数のトランジスタ
を駆動する集積回路の寄生ダイオードＤS1を流れる電流
を減少させる。 【解決手段】 集積回路の底部レールのスイッチングト
ランジスタが個別に、ケルビンエミッタ接続を備える。
更に、プリント回路基板上にＣＯＭ端子からケルビンエ
ミッタまで個別のトレースを設ける。かかる構成によ
り、寄生インダクタンスを減少させ、寄生ダイオードＤ
S1を流れる電流を減少させることができる。 更に又、
小抵抗を各ケルビンエミッタ接続と直列に接続すること
により、さらに電流を減少させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モータ等の負荷を
駆動するためのインバータ回路に関し、より詳しくは、
寄生ダイオードを通して流れる電流を減少させる、改良
されたインバータ回路に関する。
駆動するためのインバータ回路に関し、より詳しくは、
寄生ダイオードを通して流れる電流を減少させる、改良
されたインバータ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、モータコントローラのための典
型的な集積回路の一部の構成を示しており、参照符号
Ａ、Ｂ及びＣは底部レールのＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴス
イッチングトランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6を駆動するドラ
イバを表す。この種の集積回路は、通常唯一つの端子即
ち共通点への出力ピン（ＣＯＭピン）を有するので、通
常の仕様では、全ての素子エミッタを共通点に接続する
とともにこの共通点をＣＯＭ端子に接続する。この仕様
は、しかしながら、以下の如き問題を生ずる。
型的な集積回路の一部の構成を示しており、参照符号
Ａ、Ｂ及びＣは底部レールのＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴス
イッチングトランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6を駆動するドラ
イバを表す。この種の集積回路は、通常唯一つの端子即
ち共通点への出力ピン（ＣＯＭピン）を有するので、通
常の仕様では、全ての素子エミッタを共通点に接続する
とともにこの共通点をＣＯＭ端子に接続する。この仕様
は、しかしながら、以下の如き問題を生ずる。
【０００３】上部レール上のスイッチングトランジスタ
（例えば、図１のＱ8）がオフしたときに、対応するロ
ーサイド（ＬＯＷ ＳＩＤＥ）スイッチングトランジス
タを横切って接続されたダイオード即ち図１のＤ2に散
出すべき出力電流が発生される。実際には、回路基板上
での有限の接続長さの故に、図１に参照符号Ｌ2、Ｌ4、
Ｌ6、Ｌ14、Ｌ16等で示すように浮遊インダクタンスが
存在する。これらの浮遊インダクタンスは、数十ナノヘ
ンリイのオーダである。ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴのスイ
ッチングによって惹起される高いターンオフｄｉ／ｄｔ
ｓ（これは１０００Ａ／μｓを越える）と結合される。
これらの浮遊インダクタンスは、Ｖｓピンに電圧を発生
し、その電圧はＣＯＭに関して−ｖｅ極性を有する数十
ボルトに達する。この電圧はＶBとＣＯＭの間にある寄
生ダイオードＤS1を前進方向に付勢し、その結果、ＣＯ
ＭからＶBに寄生ダイオードＤS1を介して流れる電流を
惹起する。この電流は、制御不可能な状態で流れ、集積
回路の論理の誤動作、及至はサイリスタ作動による集積
回路チップのラッチアップを惹起する。
（例えば、図１のＱ8）がオフしたときに、対応するロ
ーサイド（ＬＯＷ ＳＩＤＥ）スイッチングトランジス
タを横切って接続されたダイオード即ち図１のＤ2に散
出すべき出力電流が発生される。実際には、回路基板上
での有限の接続長さの故に、図１に参照符号Ｌ2、Ｌ4、
Ｌ6、Ｌ14、Ｌ16等で示すように浮遊インダクタンスが
存在する。これらの浮遊インダクタンスは、数十ナノヘ
ンリイのオーダである。ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴのスイ
ッチングによって惹起される高いターンオフｄｉ／ｄｔ
ｓ（これは１０００Ａ／μｓを越える）と結合される。
これらの浮遊インダクタンスは、Ｖｓピンに電圧を発生
し、その電圧はＣＯＭに関して−ｖｅ極性を有する数十
ボルトに達する。この電圧はＶBとＣＯＭの間にある寄
生ダイオードＤS1を前進方向に付勢し、その結果、ＣＯ
ＭからＶBに寄生ダイオードＤS1を介して流れる電流を
惹起する。この電流は、制御不可能な状態で流れ、集積
回路の論理の誤動作、及至はサイリスタ作動による集積
回路チップのラッチアップを惹起する。
【０００４】
【発明の要旨】したがって、本発明の目的は、スイッチ
ングトランジスタを破壊するような集積回路内の制御不
能な電流に対する保護を図ることができるスイッチング
トランジスタのための改善されたドライバ回路を提供す
ることである。本発明のいま一つの目的は、簡単な方法
で製造することができる、上記型式の回路を提供するこ
とである。本発明の上記目的および他の目的は、集積ド
ライバ回路と上記レールおよび底部レールに沿って配列
された複数のスイッチングトランジスタとからなるイン
バータ回路によって達成される。底部レールスイッチン
グトランジスタは、寄生インダクタンスを減少させるた
め、集積回路の共通端子への個別のケルビンエミッタ接
続を備えている。更に、プリント回路基板上には、ＣＯ
Ｍ端子からケルビンエミッタに至る個別のトレースが設
けられる。更に又、小抵抗（２、３オーム）が各ケルビ
ンエミッタ接続と直列に設けられる。本発明の他の特徴
および利点は、添付の図面を参照した本発明の実施例の
説明から明らかになるであろう。
ングトランジスタを破壊するような集積回路内の制御不
能な電流に対する保護を図ることができるスイッチング
トランジスタのための改善されたドライバ回路を提供す
ることである。本発明のいま一つの目的は、簡単な方法
で製造することができる、上記型式の回路を提供するこ
とである。本発明の上記目的および他の目的は、集積ド
ライバ回路と上記レールおよび底部レールに沿って配列
された複数のスイッチングトランジスタとからなるイン
バータ回路によって達成される。底部レールスイッチン
グトランジスタは、寄生インダクタンスを減少させるた
め、集積回路の共通端子への個別のケルビンエミッタ接
続を備えている。更に、プリント回路基板上には、ＣＯ
Ｍ端子からケルビンエミッタに至る個別のトレースが設
けられる。更に又、小抵抗（２、３オーム）が各ケルビ
ンエミッタ接続と直列に設けられる。本発明の他の特徴
および利点は、添付の図面を参照した本発明の実施例の
説明から明らかになるであろう。
【０００５】
【実施例の詳細な説明】上記の問題即ち集積回路（Ｉ
Ｃ）ドライバ１２の寄生ダイオードＤS1を介して流れる
電流は、以下の回路および配置構成の基準を利用するこ
とによって減少させることができる。 １．図２に示されるように、底部レールのスイッチング
トランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6は、集積回路のＣＯＭ端子
への個別のケルビンエミッタ接続を備える。これによ
り、エミッタリードの寄生インダクタンスＬ2、Ｌ4、Ｌ
6を大幅に減少させる（典型的には、サブナノヘンリイ
程度）。実際、このことは、共通点もしくはダイオード
のアノードからの個別の接続によって達成される。かく
して、第１の基準は、ローサイド側の３個のＩＧＢＴの
各々への接続にある。素子にできるだけ接近してトレー
スを接続することで、ドライバ回路の大電流経路に見ら
れるような寄生インダクタンスを減少させる。 ２．図１に図式的に示されるような単一の共用トレース
とは異なり、個別のトレース１４、１６、１８をプリン
ト回路基板上ＣＯＭ端子２０からケルビンエミッタに設
けられる。即ち、第２の基準は、３個のトレースを結合
する位置を考えることにある。プリント回路基板上でこ
れらのトレースを分離することによって、各ゲートドラ
イブのインピーダンスをドライバＩＣの直前まで分離す
る。 ３．小抵抗（数オーム、例えば１〜１０オーム）Ｒ2、
Ｒ4、Ｒ6が各ケルビンエミッタ接続と直列に設けられ
る。これは、寄生ダイオードと直列の抵抗を増大させ、
これによって、寄生ダイオードを流れる電流を減少さ
せ、誤作動の閾値を増大することができる。
Ｃ）ドライバ１２の寄生ダイオードＤS1を介して流れる
電流は、以下の回路および配置構成の基準を利用するこ
とによって減少させることができる。 １．図２に示されるように、底部レールのスイッチング
トランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6は、集積回路のＣＯＭ端子
への個別のケルビンエミッタ接続を備える。これによ
り、エミッタリードの寄生インダクタンスＬ2、Ｌ4、Ｌ
6を大幅に減少させる（典型的には、サブナノヘンリイ
程度）。実際、このことは、共通点もしくはダイオード
のアノードからの個別の接続によって達成される。かく
して、第１の基準は、ローサイド側の３個のＩＧＢＴの
各々への接続にある。素子にできるだけ接近してトレー
スを接続することで、ドライバ回路の大電流経路に見ら
れるような寄生インダクタンスを減少させる。 ２．図１に図式的に示されるような単一の共用トレース
とは異なり、個別のトレース１４、１６、１８をプリン
ト回路基板上ＣＯＭ端子２０からケルビンエミッタに設
けられる。即ち、第２の基準は、３個のトレースを結合
する位置を考えることにある。プリント回路基板上でこ
れらのトレースを分離することによって、各ゲートドラ
イブのインピーダンスをドライバＩＣの直前まで分離す
る。 ３．小抵抗（数オーム、例えば１〜１０オーム）Ｒ2、
Ｒ4、Ｒ6が各ケルビンエミッタ接続と直列に設けられ
る。これは、寄生ダイオードと直列の抵抗を増大させ、
これによって、寄生ダイオードを流れる電流を減少さ
せ、誤作動の閾値を増大することができる。
【０００６】図２は、上部レールトランジスタＱ3と底
部レールトランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6を示す。本発明の
上記した構成および利点は、上部レールおよび／又は底
部レールトランジスタのみを駆動する回路にも適用しう
ることはいうまでもない。 本発明の特定の実施例に関
連して本発明を説明したが、種々の変形や修正および他
の用途は、当業者にとって明らかであろう。したがっ
て、本発明は詳細な説明の記述に限定されるものではな
く、特許請求の範囲によってのみ解釈されるべきであ
る。
部レールトランジスタＱ2、Ｑ4、Ｑ6を示す。本発明の
上記した構成および利点は、上部レールおよび／又は底
部レールトランジスタのみを駆動する回路にも適用しう
ることはいうまでもない。 本発明の特定の実施例に関
連して本発明を説明したが、種々の変形や修正および他
の用途は、当業者にとって明らかであろう。したがっ
て、本発明は詳細な説明の記述に限定されるものではな
く、特許請求の範囲によってのみ解釈されるべきであ
る。
【図１】 モータコントローラの典型的な集積回路の一
部の回路ダイヤグラムである。
部の回路ダイヤグラムである。
【図２】 底部レールのスイッチングトランジスタのた
めの、多重個別ケルビンエミッタ接続を備えた本発明の
回路ダイヤグラムである。
めの、多重個別ケルビンエミッタ接続を備えた本発明の
回路ダイヤグラムである。
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…ドライバ ＤS1…寄生ドライバ Ｑ2、Ｑ4、Ｑ6…底部レールスイッチングトランジスタ Ｑ8…上部レールスイッチングトランジスタ １４、１６、１８…個別トレース Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6…小抵抗 ２０…ＣＯＭ端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 タイラー・フュアー アメリカ合衆国90254カリフォルニア州ヘ ルモサ・ビーチ、トゥエンティセブンス・ ストリート133番
Claims (6)
- 【請求項１】 上部レールと底部レールと底部レールに
沿って配置された少なくとも１つのトランジスタと、 底部レールの少なくとも１つのスイッチングトランジス
タに結合され、該スイッチングトランジスタをオン、オ
フする集積回路ドライバとを備え、該集積回路ドライバ
は少なくとも１つの寄生ダイオードを備えるとともに底
部レールバスに接続されており、 底部レールの各々において、少なくとも１つのスイッチ
ングトランジスタは各寄生インダクタンスを伴ってお
り、 底部レールにおける少なくとも１つのスイッチングトラ
ンジスタは少なくとも１つの底部レールスイッチングト
ランジスタに伴われた寄生インダクタンスを減少するた
め個別のケルビンエミッタ接続を備えている、負荷を駆
動するための駆動回路。 - 【請求項２】 底部レールに沿って配置された少なくと
も１つのトランジスタと上部レールに沿って配置された
少なくとも１つのトランジスタを含む複数のスイッチン
グトランジスタを有する、請求項１に記載の駆動回路。 - 【請求項３】 集積回路ドライバは上部レールに配置さ
れた少なくとも１つのスイッチングトランジスタに結合
されてこれをオンオフする、請求項２に記載の駆動回
路。 - 【請求項４】 上記集積回路とスイッチングトランジス
タが搭載されたプリント回路基板をさらに備え、上記集
積回路ドライバはＣＯＭ端子を備えるとともに、上記Ｃ
ＯＭ端子からケルビンエミッタ接続までをトレースする
個別の回路基板を含む、請求項３記載の駆動回路。 - 【請求項５】 各ケルビンエミッタ接続と直列に接続さ
れた２、３オーム程度の各小抵抗をさらに備える、請求
項１記載の駆動回路。 - 【請求項６】 各ケルビンエミッタ接続と直列に接続さ
れた２、３オーム程度の各小抵抗をさらに備える、請求
項４記載の駆動回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US1402296P | 1996-03-25 | 1996-03-25 | |
| US60/014022 | 1996-03-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1014250A true JPH1014250A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=21763077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071368A Abandoned JPH1014250A (ja) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | 寄生ダイオードを通して流れる電流を減少させるための多重個別ケルビンエミッタ接続 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5838185A (ja) |
| JP (1) | JPH1014250A (ja) |
| DE (1) | DE19709233A1 (ja) |
| FR (1) | FR2747248B1 (ja) |
| GB (1) | GB2311669B (ja) |
| IT (1) | IT1290577B1 (ja) |
| SG (1) | SG66357A1 (ja) |
| TW (1) | TW319910B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252333A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2006254583A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG66453A1 (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-20 | Int Rectifier Corp | Resistor in series with bootstrap diode for monolithic gate device |
| DE10043921A1 (de) * | 2000-09-06 | 2002-03-21 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung |
| EP2690773B1 (en) * | 2012-07-25 | 2015-11-18 | Dialog Semiconductor GmbH | Bypass for on-chip voltage regulator |
| CN116073634A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-05 | 华为数字能源技术有限公司 | 光伏逆变器、直流变换电路和逆变电路 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3420535C2 (de) * | 1984-06-01 | 1986-04-30 | Anton Piller GmbH & Co KG, 3360 Osterode | Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung |
| JP2560436Y2 (ja) * | 1989-08-23 | 1998-01-21 | 株式会社東海理化電機製作所 | モータ駆動回路 |
| US5170337A (en) * | 1992-01-29 | 1992-12-08 | General Electric Company | Low-inductance package for multiple paralleled devices operating at high frequency |
| US5544038A (en) * | 1992-09-21 | 1996-08-06 | General Electric Company | Synchronous rectifier package for high-efficiency operation |
| DE69316128T2 (de) * | 1992-10-02 | 1998-06-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Treiberschaltung für Sperrwandler mit brückenangeordneten Schalttransistoren |
| EP0609528A1 (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Motorola, Inc. | Low inductance semiconductor package |
| US5373201A (en) * | 1993-02-02 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Power transistor |
| US5495154A (en) * | 1993-04-29 | 1996-02-27 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for Kelvin current sensing in a multi-phase driver for a polyphase DC motor |
| EP0666703A1 (en) * | 1994-02-08 | 1995-08-09 | HUANG, Wen-Liang | Power transistor driving circuit of electromagnetic induction heating device |
-
1997
- 1997-02-03 US US08/794,658 patent/US5838185A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-06 DE DE19709233A patent/DE19709233A1/de not_active Ceased
- 1997-03-07 IT IT97MI000507A patent/IT1290577B1/it active IP Right Grant
- 1997-03-12 SG SG1997000699A patent/SG66357A1/en unknown
- 1997-03-19 TW TW086103431A patent/TW319910B/zh active
- 1997-03-21 GB GB9705901A patent/GB2311669B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-24 FR FR9703556A patent/FR2747248B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-25 JP JP9071368A patent/JPH1014250A/ja not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252333A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP4531276B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2010-08-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2006254583A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITMI970507A1 (it) | 1998-09-07 |
| GB2311669A (en) | 1997-10-01 |
| TW319910B (ja) | 1997-11-11 |
| DE19709233A1 (de) | 1997-10-30 |
| FR2747248B1 (fr) | 2000-05-05 |
| IT1290577B1 (it) | 1998-12-10 |
| GB2311669B (en) | 2000-05-10 |
| FR2747248A1 (fr) | 1997-10-10 |
| GB9705901D0 (en) | 1997-05-07 |
| US5838185A (en) | 1998-11-17 |
| SG66357A1 (en) | 1999-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20051027 |