JPH10141870A - 処理炉の温度監視装置 - Google Patents
処理炉の温度監視装置Info
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- JPH10141870A JPH10141870A JP30873396A JP30873396A JPH10141870A JP H10141870 A JPH10141870 A JP H10141870A JP 30873396 A JP30873396 A JP 30873396A JP 30873396 A JP30873396 A JP 30873396A JP H10141870 A JPH10141870 A JP H10141870A
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- sampling
- time
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ装置の処理炉等において熱伝
対等の取付不良等に起因した温度異常を速やかに検知で
きる温度監視装置を提供する。 【解決手段】 ヒータの加熱時間に対する処理炉の適正
な昇温特性を記憶装置等に予め記憶させて保持し、セン
サの検出温度（モニタ温度）を所定のサンプリング周期
で取り込み、個々の取込時において前回取り込んだ検出
温度と今回取り込んだ検出温度との差を算出し、この差
が適正な昇温特性から導かれる値域から外れていた場合
を異常の発生と判断し、ブザーの鳴動等で異常の発生を
報知するように構成した。
対等の取付不良等に起因した温度異常を速やかに検知で
きる温度監視装置を提供する。 【解決手段】 ヒータの加熱時間に対する処理炉の適正
な昇温特性を記憶装置等に予め記憶させて保持し、セン
サの検出温度（モニタ温度）を所定のサンプリング周期
で取り込み、個々の取込時において前回取り込んだ検出
温度と今回取り込んだ検出温度との差を算出し、この差
が適正な昇温特性から導かれる値域から外れていた場合
を異常の発生と判断し、ブザーの鳴動等で異常の発生を
報知するように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＬＣＤプラズマ
ＣＶＤ処理装置などに適用される処理炉の温度監視装
置、詳しくは、処理炉の適正な昇温特性を予めメモリな
どに格納し、この昇温特性上の温度と処理炉の検知温度
を所定周期で比較して異常の発生の有無を判定する温度
監視装置に関する。
ＣＶＤ処理装置などに適用される処理炉の温度監視装
置、詳しくは、処理炉の適正な昇温特性を予めメモリな
どに格納し、この昇温特性上の温度と処理炉の検知温度
を所定周期で比較して異常の発生の有無を判定する温度
監視装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造のウェハプロセス、例
えば、エッチング、洗浄、成膜等においては処理炉の温
度を所定温度に制御する。このため、半導体製造装置、
例えば、ＬＣＤプラズマＣＶＤ装置においては、処理に
際して処理炉内をヒータにより加熱して処理炉内温度を
所定の温度に昇温させるとともに、また、処理内の温度
を監視する温度監視装置を設けて温度異常の発生を監視
することが行われている。
えば、エッチング、洗浄、成膜等においては処理炉の温
度を所定温度に制御する。このため、半導体製造装置、
例えば、ＬＣＤプラズマＣＶＤ装置においては、処理に
際して処理炉内をヒータにより加熱して処理炉内温度を
所定の温度に昇温させるとともに、また、処理内の温度
を監視する温度監視装置を設けて温度異常の発生を監視
することが行われている。
【０００３】従来、上述したＬＣＤプラズマＣＶＤ装置
としては、図３，４に示すようなものが知られる。図３
において、１０は処理炉であり、処理炉１０内には上側
と下側にヒータ１１，１２が、下側のヒータ１２上にサ
セプタ１３が、上側のヒータ１１の下方に電極１４が設
けられる。ヒータ１１，１２は後述する温度制御器に接
続されて制御され、サセプタ１３は炉壁等を経て接地さ
れ、また、電極１４は図外のＲＦ電源に接続される。な
お、図示しないが、処理炉１０には反応ガスを供給する
ガス管、処理炉１０内を排気する排気管が設けられる。
としては、図３，４に示すようなものが知られる。図３
において、１０は処理炉であり、処理炉１０内には上側
と下側にヒータ１１，１２が、下側のヒータ１２上にサ
セプタ１３が、上側のヒータ１１の下方に電極１４が設
けられる。ヒータ１１，１２は後述する温度制御器に接
続されて制御され、サセプタ１３は炉壁等を経て接地さ
れ、また、電極１４は図外のＲＦ電源に接続される。な
お、図示しないが、処理炉１０には反応ガスを供給する
ガス管、処理炉１０内を排気する排気管が設けられる。
【０００４】また、図４に示すように、処理炉１０内に
は処理炉１０内の温度を検出する熱伝対等のセンサ２１
が設けられ、センサ２１が温度調節器２２に接続され
る。温度調節器２２は、制御部２３と接続され、センサ
２１の検知出力を基にモニタ温度信号を制御部２３に出
力し、また、制御部２２から入力する設定温度信号とセ
ンサ２１が出力するモニタ温度信号を基にヒータ１１，
１２を制御する。制御部２２は、後述するように、昇温
タイマを内蔵し、プログラムを実行して処理炉１０内の
温度を監視する。なお、図４中、２４は上述したガス管
が連絡するガス供給部、２５は排気管が連絡する排気部
である。
は処理炉１０内の温度を検出する熱伝対等のセンサ２１
が設けられ、センサ２１が温度調節器２２に接続され
る。温度調節器２２は、制御部２３と接続され、センサ
２１の検知出力を基にモニタ温度信号を制御部２３に出
力し、また、制御部２２から入力する設定温度信号とセ
ンサ２１が出力するモニタ温度信号を基にヒータ１１，
１２を制御する。制御部２２は、後述するように、昇温
タイマを内蔵し、プログラムを実行して処理炉１０内の
温度を監視する。なお、図４中、２４は上述したガス管
が連絡するガス供給部、２５は排気管が連絡する排気部
である。
【０００５】そして、制御部２３は、昇温タイマを内蔵
し、設定された設定温度信号を図５のフローチャートに
従い処理して以上の発生の有無を判定する。すなわち、
ステップＳ１において設定温度転送処理を行って設定温
度信号を温度調節器２２に出力し、ステップＳ２におい
て昇温タイマをセットして加熱時間の上限時間を設定す
る。
し、設定された設定温度信号を図５のフローチャートに
従い処理して以上の発生の有無を判定する。すなわち、
ステップＳ１において設定温度転送処理を行って設定温
度信号を温度調節器２２に出力し、ステップＳ２におい
て昇温タイマをセットして加熱時間の上限時間を設定す
る。
【０００６】次に、ステップＳ３において、モニタ温度
が設定温度以上か否かを判断し、モニタ温度が設定温度
以上であれば処理を終了し、また、モニタ温度が設定温
度に満たなければステップＳ４で昇温タイマの設定時間
が満了したか否かを判断する。このステップＳ４におい
ては、昇温タイマの設定時間が満了していないと判断さ
れればステップＳ３からの処理を繰り返し実行し、ま
た、昇温タイマの設定時間が満了していればステップＳ
５でエラーフラグを設定する。そして、このエラーフラ
グが設定されると、ブザーの鳴動やモニタへのエラー表
示等の異常報知処理を行って異常の発生を報知する。
が設定温度以上か否かを判断し、モニタ温度が設定温度
以上であれば処理を終了し、また、モニタ温度が設定温
度に満たなければステップＳ４で昇温タイマの設定時間
が満了したか否かを判断する。このステップＳ４におい
ては、昇温タイマの設定時間が満了していないと判断さ
れればステップＳ３からの処理を繰り返し実行し、ま
た、昇温タイマの設定時間が満了していればステップＳ
５でエラーフラグを設定する。そして、このエラーフラ
グが設定されると、ブザーの鳴動やモニタへのエラー表
示等の異常報知処理を行って異常の発生を報知する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプラズマＣＶＤ装置にあっては、昇温タイマの
設定時間が満了した時のモニタ温度の大小により異常の
発生を検知、すなわち、昇温タイマの設定時間が満了し
た時の炉内温度が設定温度に満たない場合を異常と判定
するため、異常の発生を判定するまでに相当の時間を要
するという問題があった。特に、プラズマＣＶＤ装置等
の温度異常は多くの場合が対処の容易な原因、例えば、
熱伝対の位置ずれ等に起因するため、上述の問題の解決
が強く要望されていた。この発明は、上記問題に鑑みな
されたもので、プラズマＣＶＤ装置等において異常の発
生を短時間で判定することができる温度監視装置を提供
することを目的とする。
た従来のプラズマＣＶＤ装置にあっては、昇温タイマの
設定時間が満了した時のモニタ温度の大小により異常の
発生を検知、すなわち、昇温タイマの設定時間が満了し
た時の炉内温度が設定温度に満たない場合を異常と判定
するため、異常の発生を判定するまでに相当の時間を要
するという問題があった。特に、プラズマＣＶＤ装置等
の温度異常は多くの場合が対処の容易な原因、例えば、
熱伝対の位置ずれ等に起因するため、上述の問題の解決
が強く要望されていた。この発明は、上記問題に鑑みな
されたもので、プラズマＣＶＤ装置等において異常の発
生を短時間で判定することができる温度監視装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、ヒータにより加熱される処理炉の温度
をセンサにより検出し、該センサの検知温度に基づき前
記処理炉内の温度を監視する処理炉の温度監視装置にお
いて、ヒータ加熱時間に対する処理炉の適正昇温特性を
格納した基準特性記憶手段と、前記センサの検知出力を
所定のサンプリング周期で取り込む信号取込手段と、該
信号取込手段により取り込まれた前記センサの検知温度
と前記出力基準特性記憶手段に格納された適正昇温特性
とを比較して異常の発生の有無を判定する異常判定手段
とを設けた。
め、この発明は、ヒータにより加熱される処理炉の温度
をセンサにより検出し、該センサの検知温度に基づき前
記処理炉内の温度を監視する処理炉の温度監視装置にお
いて、ヒータ加熱時間に対する処理炉の適正昇温特性を
格納した基準特性記憶手段と、前記センサの検知出力を
所定のサンプリング周期で取り込む信号取込手段と、該
信号取込手段により取り込まれた前記センサの検知温度
と前記出力基準特性記憶手段に格納された適正昇温特性
とを比較して異常の発生の有無を判定する異常判定手段
とを設けた。
【０００９】この発明は、上述したプラズマＣＶＤ装
置、また、エピタキシャル成長装置等の半導体製造のウ
ェハプロセスに用いられる種々の装置に適用され、セン
サは周知の熱伝対等で代表される。基準特性記憶手段
は、周知の半導体メモリ装置や磁気記録装置等から構成
され、加熱時間に対する処理炉の昇温特性を連続データ
として、あるいは、個々のサンプリング周期に対するサ
ンプリング周期における上昇（変化）温度を表すデータ
テーブル形式等で昇温特性を格納する。
置、また、エピタキシャル成長装置等の半導体製造のウ
ェハプロセスに用いられる種々の装置に適用され、セン
サは周知の熱伝対等で代表される。基準特性記憶手段
は、周知の半導体メモリ装置や磁気記録装置等から構成
され、加熱時間に対する処理炉の昇温特性を連続データ
として、あるいは、個々のサンプリング周期に対するサ
ンプリング周期における上昇（変化）温度を表すデータ
テーブル形式等で昇温特性を格納する。
【００１０】信号取込手段と異常判定手段は周知のマク
ロプロセッサを有する制御装置等（上述した制御部）か
ら構成される。望ましい態様としては、信号取込手段
は、１サイクルにおけるサンプリング周期を調節可能
に、例えば、加熱初期と加熱終期におけるサンプリング
周期をそれぞれ異ならせる態様に構成される。検知温度
記憶手段は、適正昇温特性上の温度と取り込まれた検知
温度（検知温度）とを比較し、検知温度が適正昇温特性
により定まる所定の温度域内にある場合を正常、この所
定の温度域から外れた場合を異常と判定する。
ロプロセッサを有する制御装置等（上述した制御部）か
ら構成される。望ましい態様としては、信号取込手段
は、１サイクルにおけるサンプリング周期を調節可能
に、例えば、加熱初期と加熱終期におけるサンプリング
周期をそれぞれ異ならせる態様に構成される。検知温度
記憶手段は、適正昇温特性上の温度と取り込まれた検知
温度（検知温度）とを比較し、検知温度が適正昇温特性
により定まる所定の温度域内にある場合を正常、この所
定の温度域から外れた場合を異常と判定する。
【００１１】すなわち、この異常判定手段は、基準特性
記憶手段が適正昇温特性をヒータ加熱時間に対して連続
した温度データとして記憶する場合は、検知温度がその
取込時の適正昇温特性上の温度に対して所定の値域から
外れる時を異常と判定する。また、この異常判定手段
は、基準特性記憶手段がサンプリング周期における温度
上昇値をデータテーブル形式で記憶する場合は、前回取
込時の検知温度を更新可能に記憶し、前回取込時の検知
温度と今回取込時の検知温度との温度差を算出し、この
温度差が基準特性記憶手段に記憶された温度上昇値に対
して所定の値域から外れる場合を異常と判定する。
記憶手段が適正昇温特性をヒータ加熱時間に対して連続
した温度データとして記憶する場合は、検知温度がその
取込時の適正昇温特性上の温度に対して所定の値域から
外れる時を異常と判定する。また、この異常判定手段
は、基準特性記憶手段がサンプリング周期における温度
上昇値をデータテーブル形式で記憶する場合は、前回取
込時の検知温度を更新可能に記憶し、前回取込時の検知
温度と今回取込時の検知温度との温度差を算出し、この
温度差が基準特性記憶手段に記憶された温度上昇値に対
して所定の値域から外れる場合を異常と判定する。
【００１２】この発明にかかる処理炉の温度監視装置
は、監視期間として経験的に定められた期間あるいは規
定の目標温度に到達するまでの期間が設定され、この監
視期間において、センサにより検出された検知温度を所
定のサンプリング周期で取り込み、個々の取込時におい
て適正昇温特性上の温度と比較して異常を判定する。す
なわち、取り込まれた検知温度が適正昇温特性上の温度
から外れていた場合や前回取込時から今回取込時までの
検知温度の上昇幅が適正温度特性から外れていた場合を
異常の発生と判定する。このため、各サンプリング周期
毎に異常の発生を判定でき、その判定時間を短くでき
る。
は、監視期間として経験的に定められた期間あるいは規
定の目標温度に到達するまでの期間が設定され、この監
視期間において、センサにより検出された検知温度を所
定のサンプリング周期で取り込み、個々の取込時におい
て適正昇温特性上の温度と比較して異常を判定する。す
なわち、取り込まれた検知温度が適正昇温特性上の温度
から外れていた場合や前回取込時から今回取込時までの
検知温度の上昇幅が適正温度特性から外れていた場合を
異常の発生と判定する。このため、各サンプリング周期
毎に異常の発生を判定でき、その判定時間を短くでき
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１および図２はこの発明の一
の実施の形態にかかる処理炉の温度監視装置を示し、図
１が制御処理を示すフローチャート、図２が処理炉の昇
温特性を示すグラフである。なお、この実施の形態は前
述した図３，４と同一の構成であるため、前述した従来
の温度監視装置と同一の部分には同一の番号を付して図
示と説明を割愛する。
面を参照して説明する。図１および図２はこの発明の一
の実施の形態にかかる処理炉の温度監視装置を示し、図
１が制御処理を示すフローチャート、図２が処理炉の昇
温特性を示すグラフである。なお、この実施の形態は前
述した図３，４と同一の構成であるため、前述した従来
の温度監視装置と同一の部分には同一の番号を付して図
示と説明を割愛する。
【００１４】この実施の形態にあっては、制御部２３が
ゲート回路および記憶装置を備え、ゲート回路がＭＰＵ
等に制御されて前述したモニタ温度信号を温度調節器２
２から所定のサンプリング周期で取り込み、また、記憶
装置に適正温度上昇値Ｔｓを記録する。この適正温度上
昇値Ｔｓは、正常な状態において各サンプリング周期に
処理炉内の温度が上昇する値域を示す。
ゲート回路および記憶装置を備え、ゲート回路がＭＰＵ
等に制御されて前述したモニタ温度信号を温度調節器２
２から所定のサンプリング周期で取り込み、また、記憶
装置に適正温度上昇値Ｔｓを記録する。この適正温度上
昇値Ｔｓは、正常な状態において各サンプリング周期に
処理炉内の温度が上昇する値域を示す。
【００１５】なお、上記記憶装置には、正常状態におけ
る処理炉内の温度の昇温特性が線形特性であれば適正温
度上昇値Ｔｓとして単一の値を格納すれば足りるが、昇
温特性が非線形特性であれば個々のサンプリング周期に
応じて個々のサンプリング周期により特定される値、す
なわち、１回目からｎ回目までのサンプリング時にそれ
ぞれ異なる値をデータテーブル形式で格納することが望
ましく、また、昇温特性をグラフ形式で格納することも
可能である。
る処理炉内の温度の昇温特性が線形特性であれば適正温
度上昇値Ｔｓとして単一の値を格納すれば足りるが、昇
温特性が非線形特性であれば個々のサンプリング周期に
応じて個々のサンプリング周期により特定される値、す
なわち、１回目からｎ回目までのサンプリング時にそれ
ぞれ異なる値をデータテーブル形式で格納することが望
ましく、また、昇温特性をグラフ形式で格納することも
可能である。
【００１６】この実施の形態にあっては、図１に示すフ
ローチャートの処理を実行して処理炉内の温度を管理す
る。すなわち、先ず、ステップＰ１において異常監視終
了温度Ｔｆ設定値転送処理を行う。このステップＰ１に
おいては、監視処理を行う温度範囲の上限値Ｔｆを異常
監視終了温度として温度調節器２２に出力する。続くス
テップＰ２においては、現在モニタ温度取得処理を行
い、温度調節器２２からモニタ温度Ｔを取り込む。
ローチャートの処理を実行して処理炉内の温度を管理す
る。すなわち、先ず、ステップＰ１において異常監視終
了温度Ｔｆ設定値転送処理を行う。このステップＰ１に
おいては、監視処理を行う温度範囲の上限値Ｔｆを異常
監視終了温度として温度調節器２２に出力する。続くス
テップＰ２においては、現在モニタ温度取得処理を行
い、温度調節器２２からモニタ温度Ｔを取り込む。
【００１７】次に、ステップＰ３においては、当該サン
プリング時におけるサンプリングタイマをセットしてサ
ンプリング周期τを設定する。すなわち、このステップ
Ｐ３では、加熱開始から時間ｔ1が経過した１回目のサ
ンプリング時であればサンプリング周期としてτ1を設
定し、加熱開始から時間ｔnが経過したｎ回目のサンプ
リング時であればサンプリング周期としてτnを設定す
る。そして、ステップＰ４においては、取得したモニタ
温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆ以上か否かを判定し、モ
ニタ温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆ以上であれば処理を
終了し、モニタ温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆに満たな
ければステップＰ５の処理を行う。
プリング時におけるサンプリングタイマをセットしてサ
ンプリング周期τを設定する。すなわち、このステップ
Ｐ３では、加熱開始から時間ｔ1が経過した１回目のサ
ンプリング時であればサンプリング周期としてτ1を設
定し、加熱開始から時間ｔnが経過したｎ回目のサンプ
リング時であればサンプリング周期としてτnを設定す
る。そして、ステップＰ４においては、取得したモニタ
温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆ以上か否かを判定し、モ
ニタ温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆ以上であれば処理を
終了し、モニタ温度Ｔが異常監視終了温度Ｔｆに満たな
ければステップＰ５の処理を行う。
【００１８】ステップＰ５においては、サンプリングタ
イマがタイムアップしているか否かを、すなわち、設定
したサンプリング周期τが経過したか否かを判定し、タ
イムアップしていなければステップＰ４からの処理を繰
り返して行い、タイムアップしていればステップＰ６の
処理を行う。ステップＰ６においては、温度変化量算出
処理、すなわち、前回サンプリング時のモニタ温度Ｔｋ
−１と今回サンプリング時のモニタ温度Ｔｋとの温度差
ΔＴを演算し、また、今回サンプリング時のモニタ温度
Ｔｋを次回のサンプリング時の処理に備えて記憶する。
イマがタイムアップしているか否かを、すなわち、設定
したサンプリング周期τが経過したか否かを判定し、タ
イムアップしていなければステップＰ４からの処理を繰
り返して行い、タイムアップしていればステップＰ６の
処理を行う。ステップＰ６においては、温度変化量算出
処理、すなわち、前回サンプリング時のモニタ温度Ｔｋ
−１と今回サンプリング時のモニタ温度Ｔｋとの温度差
ΔＴを演算し、また、今回サンプリング時のモニタ温度
Ｔｋを次回のサンプリング時の処理に備えて記憶する。
【００１９】次に、ステップＰ７において、ステップＰ
６で算出された温度差ΔＴと適正温度上昇値Δを比較
し、これらの差（絶対値）Ｃが所定値を超える場合にス
テップＰ８でエラーフラグを設定し、差Ｃが所定値以下
の場合はステップＰ２に戻り次のサンプリングに付いて
の処理を行う。
６で算出された温度差ΔＴと適正温度上昇値Δを比較
し、これらの差（絶対値）Ｃが所定値を超える場合にス
テップＰ８でエラーフラグを設定し、差Ｃが所定値以下
の場合はステップＰ２に戻り次のサンプリングに付いて
の処理を行う。
【００２０】すなわち、この実施の形態にあっては、図
２に示すように、加熱開始時から炉内温度が異常監視終
了温度Ｔｆに到達するまでの期間においてｎ回のサンプ
リングを行って各サンプリング時にモニタ温度Ｔを取り
込み、各サンプリング時においてサンプリング周期τの
モニタ温度Ｔの上昇値ΔＴを適正温度上昇値Δと比較し
て上昇値ΔＴと適正温度上昇値Δとの差Ｃが設定値を超
える場合を異常と判定する。このため、炉内温度が異常
監視終了温度Ｔｆに到達する前に各サンプリング時にお
いて異常を判定でき、異常の判定を速やかに行える。
２に示すように、加熱開始時から炉内温度が異常監視終
了温度Ｔｆに到達するまでの期間においてｎ回のサンプ
リングを行って各サンプリング時にモニタ温度Ｔを取り
込み、各サンプリング時においてサンプリング周期τの
モニタ温度Ｔの上昇値ΔＴを適正温度上昇値Δと比較し
て上昇値ΔＴと適正温度上昇値Δとの差Ｃが設定値を超
える場合を異常と判定する。このため、炉内温度が異常
監視終了温度Ｔｆに到達する前に各サンプリング時にお
いて異常を判定でき、異常の判定を速やかに行える。
【００２１】特に、この実施の形態は、加熱開始時から
の経過時間に応じてサンプリング周期τを変えるため、
経験的に知得した異常の発生の傾向等に応じた監視を行
え、異常の発生をより短時間で確実に判定することがで
きる。
の経過時間に応じてサンプリング周期τを変えるため、
経験的に知得した異常の発生の傾向等に応じた監視を行
え、異常の発生をより短時間で確実に判定することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
処理炉の温度監視装置によれば、センサにより検出され
た炉内温度を所定のサンプリング周期で取り込み、各サ
ンプリング時において検出された炉内温度を予め記録さ
れた適正昇温特性上の温度と比較し、異なる場合を異常
の発生と判定する。このため、個々のサンプリング時に
おいて異常の発生を判定でき、異常の発生を速やかに知
ることができる。
処理炉の温度監視装置によれば、センサにより検出され
た炉内温度を所定のサンプリング周期で取り込み、各サ
ンプリング時において検出された炉内温度を予め記録さ
れた適正昇温特性上の温度と比較し、異なる場合を異常
の発生と判定する。このため、個々のサンプリング時に
おいて異常の発生を判定でき、異常の発生を速やかに知
ることができる。
【図１】この発明の一の実施の形態にかかる処理炉の温
度監視装置の制御処理を示すフローチャートである。
度監視装置の制御処理を示すフローチャートである。
【図２】同温度監視装置の作用を説明するグラフであ
る。
る。
【図３】同温度監視装置の要部の構造を示す模式断面図
である。
である。
【図４】同温度監視装置のブロック図である。
【図５】従来の処理炉の温度監視装置の制御処理を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
１０ 処理炉 １１ ヒータ １２ ヒータ １３ サセプタ １４ 電極 ２１ センサ ２２ 温度調節器 ２３ 制御部（基準特性記憶手段、信号取込手段、異
常判定手段）
常判定手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒータにより加熱される処理炉の温度を
センサにより検出し、該センサの検知温度に基づき前記
処理炉内の温度を監視する処理炉の温度監視装置におい
て、 ヒータ加熱時間に対する処理炉の適正昇温特性を格納し
た基準特性記憶手段と、前記センサの検知出力を所定の
サンプリング周期で取り込む信号取込手段と、該信号取
込手段により取り込まれた前記センサの検知温度と前記
出力基準特性記憶手段に格納された適正昇温特性とを比
較して異常の発生の有無を判定する異常判定手段とを備
えることを特徴とする処理炉の温度監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30873396A JPH10141870A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 処理炉の温度監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30873396A JPH10141870A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 処理炉の温度監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10141870A true JPH10141870A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17984638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30873396A Pending JPH10141870A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 処理炉の温度監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10141870A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525842A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プログラム可能な処理パラメータを備えたウエハ処理リアクタシステム及びその操作方法 |
| JP2003508935A (ja) * | 1999-09-09 | 2003-03-04 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ほぼリアルタイムの欠陥検出をａｐｃフレームワークに統合するための方法および装置 |
| KR100395697B1 (ko) * | 2001-04-07 | 2003-08-25 | (주)지우텍 | 반도체 공정 파라미터를 이용한 반도체 공정 장비 제어 방법 |
| JP2010245218A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014185787A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toyota Motor Corp | 炉内処理製品の品質管理方法及び炉内処理装置 |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP30873396A patent/JPH10141870A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525842A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プログラム可能な処理パラメータを備えたウエハ処理リアクタシステム及びその操作方法 |
| JP4789323B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2011-10-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プログラム可能な処理パラメータを備えたウエハ処理リアクタシステム及びその操作方法 |
| JP2003508935A (ja) * | 1999-09-09 | 2003-03-04 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ほぼリアルタイムの欠陥検出をａｐｃフレームワークに統合するための方法および装置 |
| JP4768942B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2011-09-07 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ほぼリアルタイムの欠陥検出をａｐｃフレームワークに統合するための方法および装置 |
| KR100395697B1 (ko) * | 2001-04-07 | 2003-08-25 | (주)지우텍 | 반도체 공정 파라미터를 이용한 반도체 공정 장비 제어 방법 |
| JP2010245218A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014185787A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toyota Motor Corp | 炉内処理製品の品質管理方法及び炉内処理装置 |
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