JPH10135272A - フリップチップ実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装方法Info
- Publication number
- JPH10135272A JPH10135272A JP8288078A JP28807896A JPH10135272A JP H10135272 A JPH10135272 A JP H10135272A JP 8288078 A JP8288078 A JP 8288078A JP 28807896 A JP28807896 A JP 28807896A JP H10135272 A JPH10135272 A JP H10135272A
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- JP
- Japan
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- flip
- flip chip
- chip bonding
- semiconductor device
- bump
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ接合用基板の電極部に半田メ
ッキを施すことなしに、簡単に実装することのできるフ
リップチップ実装方法を提供する。 【解決手段】 フリップチップ接合用基板１に半導体装
置４をフリップチップ実装するフリップチップ実装方法
であって、フリップチップ接合用基板１の電極部２にス
タッドバンプにより低融点の半田バンプ７を形成し、半
導体装置４の電極部５にスタッドバンプにより高融点の
金属バンプ６を形成し、金属バンプ６に半田バンプ７を
位置合わせするようにして半導体装置４をフリップチッ
プ接合用基板１に搭載し、リフローにより半田バンプ７
を溶融し接合するようにした。
ッキを施すことなしに、簡単に実装することのできるフ
リップチップ実装方法を提供する。 【解決手段】 フリップチップ接合用基板１に半導体装
置４をフリップチップ実装するフリップチップ実装方法
であって、フリップチップ接合用基板１の電極部２にス
タッドバンプにより低融点の半田バンプ７を形成し、半
導体装置４の電極部５にスタッドバンプにより高融点の
金属バンプ６を形成し、金属バンプ６に半田バンプ７を
位置合わせするようにして半導体装置４をフリップチッ
プ接合用基板１に搭載し、リフローにより半田バンプ７
を溶融し接合するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ接
合用基板に半導体装置をフリップチップ実装するフリッ
プチップ実装方法に関するものである。
合用基板に半導体装置をフリップチップ実装するフリッ
プチップ実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フリップチップ接合用基板に半導
体装置をフリップチップ実装する場合、図２に示すよう
に、フリップチップ接合用基板１の電極部２に５０μｍ
程度の半田メッキ３を施し、半導体装置４のＡｌ電極５
にはスタッドバンプにより金バンプ６を形成し、フリッ
プチップ接合用基板１の電極部２と半導体装置４のＡｌ
電極５とを対向させ、位置合わせした上で、リフローに
よりフリップチップ接合用基板１の半田メッキ３を溶融
させ接合している。
体装置をフリップチップ実装する場合、図２に示すよう
に、フリップチップ接合用基板１の電極部２に５０μｍ
程度の半田メッキ３を施し、半導体装置４のＡｌ電極５
にはスタッドバンプにより金バンプ６を形成し、フリッ
プチップ接合用基板１の電極部２と半導体装置４のＡｌ
電極５とを対向させ、位置合わせした上で、リフローに
よりフリップチップ接合用基板１の半田メッキ３を溶融
させ接合している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなフリップチップ実装方法においては、フリップチ
ップ接合用基板１の電極部２に施す５０μｍ程度の半田
メッキ３の形成に多くの時間を要するという問題があっ
た。
ようなフリップチップ実装方法においては、フリップチ
ップ接合用基板１の電極部２に施す５０μｍ程度の半田
メッキ３の形成に多くの時間を要するという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、フリップチップ接合用
基板の電極部に半田メッキを施すことなしに、簡単に実
装することのできるフリップチップ実装方法を提供する
ことにある。
あり、その目的とするところは、フリップチップ接合用
基板の電極部に半田メッキを施すことなしに、簡単に実
装することのできるフリップチップ実装方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
フリップチップ接合用基板に半導体装置をフリップチッ
プ実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリ
ップチップ接合用基板の電極部にスタッドバンプにより
低融点の半田バンプを形成し、前記半導体装置の電極部
にスタッドバンプにより高融点の金属バンプを形成し、
該金属バンプに半田バンプを位置合わせするようにして
前記半導体装置を前記フリップチップ接合用基板に搭載
し、リフローにより前記半田バンプを溶融し接合するよ
うにしたことを特徴とするものである。
フリップチップ接合用基板に半導体装置をフリップチッ
プ実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリ
ップチップ接合用基板の電極部にスタッドバンプにより
低融点の半田バンプを形成し、前記半導体装置の電極部
にスタッドバンプにより高融点の金属バンプを形成し、
該金属バンプに半田バンプを位置合わせするようにして
前記半導体装置を前記フリップチップ接合用基板に搭載
し、リフローにより前記半田バンプを溶融し接合するよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係るフリップチップ実装方法を示す模式図であ
る。まず、図１（ａ）に示すように、半導体装置４のＡ
ｌ電極５上に、スタッドバンプにより金や高融点半田等
の高融点金属のバンプ６を形成する。ここで、スタッド
バンプによるバンプ形成方法とは、高融点金属のワイヤ
８をＡｌ電極５上にボンディングし、その近傍に再度ボ
ンディングし、ワイヤを横に引っ張って引きちぎること
によりバンプ６を形成する方法である。
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係るフリップチップ実装方法を示す模式図であ
る。まず、図１（ａ）に示すように、半導体装置４のＡ
ｌ電極５上に、スタッドバンプにより金や高融点半田等
の高融点金属のバンプ６を形成する。ここで、スタッド
バンプによるバンプ形成方法とは、高融点金属のワイヤ
８をＡｌ電極５上にボンディングし、その近傍に再度ボ
ンディングし、ワイヤを横に引っ張って引きちぎること
によりバンプ６を形成する方法である。
【０００７】次に、図１（ｂ）に示すように、フリップ
チップ接合用基板１上に形成された銅やニッケル等によ
る電極２に、タッドバンプにより低融点の共晶半田バン
プ７を形成する。この場合も、共晶半田ワイヤ９を上述
と同様にスタッドバンプにより共晶半田バンプ７を形成
するのである。
チップ接合用基板１上に形成された銅やニッケル等によ
る電極２に、タッドバンプにより低融点の共晶半田バン
プ７を形成する。この場合も、共晶半田ワイヤ９を上述
と同様にスタッドバンプにより共晶半田バンプ７を形成
するのである。
【０００８】次に、図１（ｃ）に示すように、半導体装
置４の上下を逆にして高融点金属のバンプ６とフリップ
チップ接合用基板１の共晶半田バンプ７とが対向するよ
うにして位置合わせした上で、リフローにより共晶半田
バンプ７を溶融させ、図１（ｄ）のように、高融点金属
のバンプ６と接合させるのである。このようにして、フ
リップチップ接合用基板１への半導体装置４のフリップ
チップ実装が完了するのである。
置４の上下を逆にして高融点金属のバンプ６とフリップ
チップ接合用基板１の共晶半田バンプ７とが対向するよ
うにして位置合わせした上で、リフローにより共晶半田
バンプ７を溶融させ、図１（ｄ）のように、高融点金属
のバンプ６と接合させるのである。このようにして、フ
リップチップ接合用基板１への半導体装置４のフリップ
チップ実装が完了するのである。
【０００９】本実施形態のフリップチップ実装方法によ
れば、フリップチップ接合用基板１の電極２への半田メ
ッキをする必要がなくなり、スタッドバンプによる半田
バンプ７の搭載で良いので、容易にフリップチップ実装
が行えるようになった。また、半導体装置４のＡｌ電極
５のバンプ６に高融点の金属を使用しているので、フリ
ップチップ接合時に溶融せず、半導体装置４とフリップ
チップ接合用基板１とのギャップを制御することが可能
となる。
れば、フリップチップ接合用基板１の電極２への半田メ
ッキをする必要がなくなり、スタッドバンプによる半田
バンプ７の搭載で良いので、容易にフリップチップ実装
が行えるようになった。また、半導体装置４のＡｌ電極
５のバンプ６に高融点の金属を使用しているので、フリ
ップチップ接合時に溶融せず、半導体装置４とフリップ
チップ接合用基板１とのギャップを制御することが可能
となる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、フリップチップ接合用基板に半導体装置をフリップ
チップ実装するフリップチップ実装方法であって、前記
フリップチップ接合用基板の電極部にスタッドバンプに
より低融点の半田バンプを形成し、前記半導体装置の電
極部にスタッドバンプにより高融点の金属バンプを形成
し、該金属バンプに半田バンプを位置合わせするように
して前記半導体装置を前記フリップチップ接合用基板に
搭載し、リフローにより前記半田バンプを溶融し接合す
るようにしたので、フリップチップ接合用基板の電極部
に半田メッキを施すことなしに、容易に実装することの
できるフリップチップ実装方法が提供できた。
ば、フリップチップ接合用基板に半導体装置をフリップ
チップ実装するフリップチップ実装方法であって、前記
フリップチップ接合用基板の電極部にスタッドバンプに
より低融点の半田バンプを形成し、前記半導体装置の電
極部にスタッドバンプにより高融点の金属バンプを形成
し、該金属バンプに半田バンプを位置合わせするように
して前記半導体装置を前記フリップチップ接合用基板に
搭載し、リフローにより前記半田バンプを溶融し接合す
るようにしたので、フリップチップ接合用基板の電極部
に半田メッキを施すことなしに、容易に実装することの
できるフリップチップ実装方法が提供できた。
【図１】本発明の一実施形態に係るフリップチップ実装
方法を示す模式図である。
方法を示す模式図である。
【図２】従来のフリップチップ実装方法を示す模式図で
ある。
ある。
１ フリップチップ接合用基板 ２ 電極 ３ 半田メッキ ４ 半導体装置 ５ Ａｌ電極 ６ 高融点金属のバンプ ７ 共晶半田バンプ ８ 高融点金属ワイヤ ９ 共晶半田ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 フリップチップ接合用基板に半導体装置
をフリップチップ実装するフリップチップ実装方法であ
って、前記フリップチップ接合用基板の電極部にスタッ
ドバンプにより低融点の半田バンプを形成し、前記半導
体装置の電極部にスタッドバンプにより高融点の金属バ
ンプを形成し、該金属バンプに半田バンプを位置合わせ
するようにして前記半導体装置を前記フリップチップ接
合用基板に搭載し、リフローにより前記半田バンプを溶
融し接合するようにしたことを特徴とするフリップチッ
プ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288078A JPH10135272A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | フリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288078A JPH10135272A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | フリップチップ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135272A true JPH10135272A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17725520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8288078A Pending JPH10135272A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | フリップチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091888A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-17 | Stats Chippac Inc | 基板に取り付けられたスタッドバンプを伴う、フリップチップパッケージング用の可融性入出力相互接続システムおよび方法 |
| US7707716B2 (en) | 2006-05-10 | 2010-05-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing build-up printed circuit board |
| WO2012165321A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッド、部材間通電構造の製造方法及び部材間通電構造 |
| US9847309B2 (en) | 2006-09-22 | 2017-12-19 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure between semiconductor die and substrate |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8288078A patent/JPH10135272A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7707716B2 (en) | 2006-05-10 | 2010-05-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing build-up printed circuit board |
| JP2008091888A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-17 | Stats Chippac Inc | 基板に取り付けられたスタッドバンプを伴う、フリップチップパッケージング用の可融性入出力相互接続システムおよび方法 |
| KR101380712B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2014-04-04 | 스태츠 칩팩 아이엔씨. | 퓨즈형 ｉ／ｏ 상호연결 시스템 및 기판 장착 스터드범프를포함하는 플립칩 패키징 방법 |
| US9847309B2 (en) | 2006-09-22 | 2017-12-19 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure between semiconductor die and substrate |
| WO2012165321A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッド、部材間通電構造の製造方法及び部材間通電構造 |
| JPWO2012165321A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッド、部材間通電構造の製造方法及び部材間通電構造 |
| US9039131B2 (en) | 2011-05-27 | 2015-05-26 | Konica Minolta, Inc. | Method for producing inkjet head, inkjet head, method for producing inter-member electrification structure, and inter-member electrification structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011113 |