JPH10128622A - 放電加工装置 - Google Patents
放電加工装置Info
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- JPH10128622A JPH10128622A JP22646697A JP22646697A JPH10128622A JP H10128622 A JPH10128622 A JP H10128622A JP 22646697 A JP22646697 A JP 22646697A JP 22646697 A JP22646697 A JP 22646697A JP H10128622 A JPH10128622 A JP H10128622A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微粉末濃度を最適な濃度に管理する放電加工
装置を提供する。 【解決手段】 第１加工液と第２加工液の切り換えの工
程をカウンタＮでカウントし、カウント数がｎ回未満の
場合、制御装置Ｃは加工液の切り換えの工程をさらに行
なう。そして、ｎ回以上になった場合、微粉末追加装置
１０２によりタンク５１４中の第２加工液に微粉末５１
５の追加混入をする。例えば、１回の加工液の切り換え
の工程においてｍ（ｇ）の微粉末が流出する場合、ｍ×
ｎ（ｇ）の微粉末を追加混入する。
装置を提供する。 【解決手段】 第１加工液と第２加工液の切り換えの工
程をカウンタＮでカウントし、カウント数がｎ回未満の
場合、制御装置Ｃは加工液の切り換えの工程をさらに行
なう。そして、ｎ回以上になった場合、微粉末追加装置
１０２によりタンク５１４中の第２加工液に微粉末５１
５の追加混入をする。例えば、１回の加工液の切り換え
の工程においてｍ（ｇ）の微粉末が流出する場合、ｍ×
ｎ（ｇ）の微粉末を追加混入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、放電加工装置に
関し、さらに詳しくは、加工液に金属または半導体の微
粉末を混入した加工液による放電加工に関するものであ
る。
関し、さらに詳しくは、加工液に金属または半導体の微
粉末を混入した加工液による放電加工に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の放電加工装置の一例の要
部構成図である。この放電加工装置５００において、５
０１は、加工槽である。５０６は、第１加工液の排出バ
ルブであり，５０７は前記第１加工液の汚液タンクであ
る。５０８は、放電加工時に発生する加工スラッジであ
り，５０９は、前記加工スラッジ５０８を取り除くため
のフィルタである。５１０は、第１加工液の清液タンク
であり，５１１は、第１加工液の供給バルブである。５
１２は、クーラであり，該クーラ５１２を通過して加工
槽５０１に第１加工液が供給される。
部構成図である。この放電加工装置５００において、５
０１は、加工槽である。５０６は、第１加工液の排出バ
ルブであり，５０７は前記第１加工液の汚液タンクであ
る。５０８は、放電加工時に発生する加工スラッジであ
り，５０９は、前記加工スラッジ５０８を取り除くため
のフィルタである。５１０は、第１加工液の清液タンク
であり，５１１は、第１加工液の供給バルブである。５
１２は、クーラであり，該クーラ５１２を通過して加工
槽５０１に第１加工液が供給される。
【０００３】５１３は、第２加工液の排出バルブであ
り，５１４は、第２加工液のタンクである。５１５は、
前記第２加工液中に含まれる金属または半導体の微分末
である。５１６は、第２加工液の供給バルブであり，ク
ーラ５１２を通過して加工槽５０１に第２加工液が供給
される。Ｃ’は、制御装置であり，上記のシステムを制
御する。
り，５１４は、第２加工液のタンクである。５１５は、
前記第２加工液中に含まれる金属または半導体の微分末
である。５１６は、第２加工液の供給バルブであり，ク
ーラ５１２を通過して加工槽５０１に第２加工液が供給
される。Ｃ’は、制御装置であり，上記のシステムを制
御する。
【０００４】図６は、放電加工装置５００の加工槽５０
１の上面図である。５０２は、電極である。５０４は、
テーブルであり，該テーブル５０４上にワーク５０３が
固定される。５５１，５５２は、加工槽５０１内に対向
して配置された加工液噴射装置である。５１７は、沈澱
物である。
１の上面図である。５０２は、電極である。５０４は、
テーブルであり，該テーブル５０４上にワーク５０３が
固定される。５５１，５５２は、加工槽５０１内に対向
して配置された加工液噴射装置である。５１７は、沈澱
物である。
【０００５】図７は、放電加工装置５００の加工槽５０
１の断面図である。５１８は、ワーク５０３上の沈澱物
である。５１９は、電極５０２上の沈澱物である。
１の断面図である。５１８は、ワーク５０３上の沈澱物
である。５１９は、電極５０２上の沈澱物である。
【０００６】つぎに、上記放電加工装置５００の動作に
ついて説明する。第１加工液と、金属または半導体の微
粉末５１５を含む第２加工液とを順に切り換えて放電加
工を行う。まず、第１加工液は、加工槽５０１より排出
バルブ５０６を通って汚液タンク５０７に排出される。
放電加工時に発生し第１加工液と共に排出されたスラッ
ジ５０８は、フィルタ５０９で濾過される。
ついて説明する。第１加工液と、金属または半導体の微
粉末５１５を含む第２加工液とを順に切り換えて放電加
工を行う。まず、第１加工液は、加工槽５０１より排出
バルブ５０６を通って汚液タンク５０７に排出される。
放電加工時に発生し第１加工液と共に排出されたスラッ
ジ５０８は、フィルタ５０９で濾過される。
【０００７】濾過された第１加工液は、清液タンク５１
０に溜まり、さらに、清液タンク５１０から供給バルブ
５１１を通り，クーラ５１２で温度調整され，再び加工
槽５０１に供給される。
０に溜まり、さらに、清液タンク５１０から供給バルブ
５１１を通り，クーラ５１２で温度調整され，再び加工
槽５０１に供給される。
【０００８】つぎに、微粉末５１５を含む第２加工液
は、加工槽５０１より排出バルブ５１３を通ってタンク
５１４に排出される。例えば、微粉末５１５はシリコン
である。そして、第２加工液はバルブ５１６を通り，ク
ーラ５１２で温度調整され，再び加工槽５０１に供給さ
れる。
は、加工槽５０１より排出バルブ５１３を通ってタンク
５１４に排出される。例えば、微粉末５１５はシリコン
である。そして、第２加工液はバルブ５１６を通り，ク
ーラ５１２で温度調整され，再び加工槽５０１に供給さ
れる。
【０００９】加工槽５０１内では、放電加工により発生
したスラッジ５０８を洗い流すために、加工液噴射装置
５５１，５５２から第１加工液が噴射される。同様に、
第２加工液は、微粉末５１５を攪拌または洗浄するため
に、加工液噴射装置５５１，５５２より噴射される。
したスラッジ５０８を洗い流すために、加工液噴射装置
５５１，５５２から第１加工液が噴射される。同様に、
第２加工液は、微粉末５１５を攪拌または洗浄するため
に、加工液噴射装置５５１，５５２より噴射される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の放
電加工装置５００では、微粉末５１５を含んだ第２加工
液から第１加工液に切り換える時、微粉末５１５が第１
加工液側に流出する。このため、第２加工液の微粉末濃
度は徐々に低下する問題点がある。なお、微粉末混入放
電加工において、微粉末濃度が低下すると、面あらさが
悪くなるため、微粉末濃度を所望の濃度に管理すること
が要求される。
電加工装置５００では、微粉末５１５を含んだ第２加工
液から第１加工液に切り換える時、微粉末５１５が第１
加工液側に流出する。このため、第２加工液の微粉末濃
度は徐々に低下する問題点がある。なお、微粉末混入放
電加工において、微粉末濃度が低下すると、面あらさが
悪くなるため、微粉末濃度を所望の濃度に管理すること
が要求される。
【００１１】そこで、この発明の目的は、微粉末濃度を
最適な濃度に管理することが出来る放電加工装置を提供
することにある。
最適な濃度に管理することが出来る放電加工装置を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の放電加工装置
は、金属または半導体の微粉末を混入した加工液と，混
入していない加工液とを順に切り換え、前記金属または
半導体の微粉末を混入した加工液から前記混入していな
い加工液に切り換えるごとに前記金属または半導体の微
粉末を混入した加工液中の金属または半導体の微粉末の
含有量がｍずつ減少する放電加工する装置において、前
記金属または半導体の微粉末を混入した加工液から前記
混入していない加工液に切り換えた回数を記憶する切換
回数記憶手段と、前記記憶された回数が所望の回数ｎ回
になった場合、加工液に前記金属または半導体の微粉末
を当初の含有量となるようにｍ×ｎ追加混入して微粉末
の濃度を保持する微粉末濃度保持手段を具備することを
特徴とするものである。
は、金属または半導体の微粉末を混入した加工液と，混
入していない加工液とを順に切り換え、前記金属または
半導体の微粉末を混入した加工液から前記混入していな
い加工液に切り換えるごとに前記金属または半導体の微
粉末を混入した加工液中の金属または半導体の微粉末の
含有量がｍずつ減少する放電加工する装置において、前
記金属または半導体の微粉末を混入した加工液から前記
混入していない加工液に切り換えた回数を記憶する切換
回数記憶手段と、前記記憶された回数が所望の回数ｎ回
になった場合、加工液に前記金属または半導体の微粉末
を当初の含有量となるようにｍ×ｎ追加混入して微粉末
の濃度を保持する微粉末濃度保持手段を具備することを
特徴とするものである。
【００１３】この発明の放電加工装置では、金属または
半導体の微粉末を混入した加工液から混入していない加
工液に切り換えるごとに前記金属または半導体の微粉末
を混入した加工液中の金属または半導体の微粉末の含有
量がｍずつ減少する場合、前記金属または半導体の微粉
末を混入した加工液から混入していない加工液に切り換
えた回数を記憶する切換回数記憶手段と、前記記憶され
た回数が所望の回数ｎ回になった場合、加工液に前記金
属または半導体の微粉末を当初の含有量となるようにｍ
×ｎ追加混入して微粉末の濃度を保持する微粉末濃度保
持手段を設けた。このため、微粉末濃度を最適な濃度に
管理可能である。
半導体の微粉末を混入した加工液から混入していない加
工液に切り換えるごとに前記金属または半導体の微粉末
を混入した加工液中の金属または半導体の微粉末の含有
量がｍずつ減少する場合、前記金属または半導体の微粉
末を混入した加工液から混入していない加工液に切り換
えた回数を記憶する切換回数記憶手段と、前記記憶され
た回数が所望の回数ｎ回になった場合、加工液に前記金
属または半導体の微粉末を当初の含有量となるようにｍ
×ｎ追加混入して微粉末の濃度を保持する微粉末濃度保
持手段を設けた。このため、微粉末濃度を最適な濃度に
管理可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図に示すこの発明の実施の
形態によりこの発明をさらに説明する。なお、これによ
りこの発明が限定されるものではない。図１は、この発
明の放電加工装置１００の加工槽の上面図である。図２
は、放電加工装置１００の加工槽の断面図である。
形態によりこの発明をさらに説明する。なお、これによ
りこの発明が限定されるものではない。図１は、この発
明の放電加工装置１００の加工槽の上面図である。図２
は、放電加工装置１００の加工槽の断面図である。
【００１５】１１，１２，１３は、高さ方向に３段に設
けた第１の加工液噴射装置であり，１４，１５，１６
は、第１の加工液噴射装置１１，１２，１３へ加工液を
供給する供給バルブである。同様に、２１，２２，２３
は、高さ方向に３段に設けた第２の加工液噴射装置であ
り，２４，２５，２６は、第２の加工液噴射装置２１，
２２，２３へ加工液を供給する供給バルブである。
けた第１の加工液噴射装置であり，１４，１５，１６
は、第１の加工液噴射装置１１，１２，１３へ加工液を
供給する供給バルブである。同様に、２１，２２，２３
は、高さ方向に３段に設けた第２の加工液噴射装置であ
り，２４，２５，２６は、第２の加工液噴射装置２１，
２２，２３へ加工液を供給する供給バルブである。
【００１６】さらに同様に、３１，３２，３３は、高さ
方向に３段に設けた第３の加工液噴射装置であり，３
４，３５，３６は、第３の加工液噴射装置３１，３２，
３３へ加工液を供給する供給バルブである。
方向に３段に設けた第３の加工液噴射装置であり，３
４，３５，３６は、第３の加工液噴射装置３１，３２，
３３へ加工液を供給する供給バルブである。
【００１７】なお、上記各加工液噴射装置には、図に示
すように、加工液の広がりを抑え沈澱を防ぐのに有効な
ため、加工液放出部分に短いパイプを付けるのが好まし
い。また、第３の加工液噴射装置３１，３２，３３への
加工液の供給位置は、Ｋ付近に溜まりがちな沈澱物を除
くのに有効なため、図に示すように各加工液噴射装置の
中央が好ましい。
すように、加工液の広がりを抑え沈澱を防ぐのに有効な
ため、加工液放出部分に短いパイプを付けるのが好まし
い。また、第３の加工液噴射装置３１，３２，３３への
加工液の供給位置は、Ｋ付近に溜まりがちな沈澱物を除
くのに有効なため、図に示すように各加工液噴射装置の
中央が好ましい。
【００１８】上記の各供給バルブは、制御装置Ｃにより
制御される。例えば、沈澱を防ぐのに有効なため、供給
バルブ１４，１５，１６と供給バルブ２４，２５，２６
は交互に開き，供給バルブ３４，３５，３６は常時開い
ているという制御が好ましい。
制御される。例えば、沈澱を防ぐのに有効なため、供給
バルブ１４，１５，１６と供給バルブ２４，２５，２６
は交互に開き，供給バルブ３４，３５，３６は常時開い
ているという制御が好ましい。
【００１９】つぎに、４１，４２，４３は、加工槽１内
の液面高さを検出する液面センサであり，バイパス１１
２の所定の高さごとに３段に設置されている。
の液面高さを検出する液面センサであり，バイパス１１
２の所定の高さごとに３段に設置されている。
【００２０】なお、この実施の形態では加工液噴射装
置，供給バルブ，液面センサは各３段としたが、何段と
してもよいのは言うまでもない。
置，供給バルブ，液面センサは各３段としたが、何段と
してもよいのは言うまでもない。
【００２１】つぎに、動作について説明する。テーブル
５０４上に所望の高さのワーク５０３が設置され，加工
液を所望の液面高さまで加工槽に注入する。図２におい
ては、中段の加工液噴射装置１２，２２，３２までが加
工液中にある。上記の場合、バイパス１１２に設置され
た液面センサ４２，４３により液面高さが検出される。
この検出結果に基づき制御装置Ｃがバルブ１５，１６，
２５，２６，３５，３６を開き，加工液をかき混ぜるよ
うにする。これによって、電極５０２やワーク５０３上
の沈澱物の発生が大幅に抑えられる。
５０４上に所望の高さのワーク５０３が設置され，加工
液を所望の液面高さまで加工槽に注入する。図２におい
ては、中段の加工液噴射装置１２，２２，３２までが加
工液中にある。上記の場合、バイパス１１２に設置され
た液面センサ４２，４３により液面高さが検出される。
この検出結果に基づき制御装置Ｃがバルブ１５，１６，
２５，２６，３５，３６を開き，加工液をかき混ぜるよ
うにする。これによって、電極５０２やワーク５０３上
の沈澱物の発生が大幅に抑えられる。
【００２２】なお、上段の加工液噴射装置１１，２１，
３１から加工液を噴射すると、加工液が飛散する。この
ために、加工液中の加工液噴射装置からのみ加工液を噴
出する。
３１から加工液を噴射すると、加工液が飛散する。この
ために、加工液中の加工液噴射装置からのみ加工液を噴
出する。
【００２３】液面センサとしては、フロートタイプも考
えられるが、微粉末５１５を混入した第２の加工液の時
に、フロート上に微粉末５１５が沈澱・付着し信頼性に
劣る。静電容量型の場合、液面センサとバイパスとの対
向面積が大きい方が信頼性（ＳＮ比）が高いので、バイ
パス径を太くするとか、角柱にすることが大いに効果が
ある。また、液面センサの取付高さであるが、対応する
加工液噴射装置の高さより少し高い方が加工液の飛散が
抑えられるので良い。
えられるが、微粉末５１５を混入した第２の加工液の時
に、フロート上に微粉末５１５が沈澱・付着し信頼性に
劣る。静電容量型の場合、液面センサとバイパスとの対
向面積が大きい方が信頼性（ＳＮ比）が高いので、バイ
パス径を太くするとか、角柱にすることが大いに効果が
ある。また、液面センサの取付高さであるが、対応する
加工液噴射装置の高さより少し高い方が加工液の飛散が
抑えられるので良い。
【００２４】さらに、液面センサの検出結果に応じて供
給バルブを制御するに当たっては、加工液中にある加工
液噴射装置を左右交互に、例えば、バルブ１４，１５が
開いている時にはバルブ２４，２５を閉めるという制御
が好ましい。くわえて、若干沈澱したスラッジ５０８や
微粉末５１５を洗い流す場合、加工液を交互に噴射しな
がら排出することが好ましい。この時、加工液の飛散を
抑えるため、低下していく液面を液面センサ４１，４
２，４３で逐次検出し，順に供給バルブを閉めていくこ
とが好ましい。
給バルブを制御するに当たっては、加工液中にある加工
液噴射装置を左右交互に、例えば、バルブ１４，１５が
開いている時にはバルブ２４，２５を閉めるという制御
が好ましい。くわえて、若干沈澱したスラッジ５０８や
微粉末５１５を洗い流す場合、加工液を交互に噴射しな
がら排出することが好ましい。この時、加工液の飛散を
抑えるため、低下していく液面を液面センサ４１，４
２，４３で逐次検出し，順に供給バルブを閉めていくこ
とが好ましい。
【００２５】つぎに、発明者が実験した結果、微粉末の
混入量を測定するのに公知技術である濃度計・濁度計
（光式、超音波式等）では、粉末混入放電加工で用いる
ような数ｇ／リットル〜数１０ｇ／リットルという高濃
度は測定できなかった。また、微粉末５１５を含む第２
加工液自身の比重を測定することを試みたが、加工液の
熱膨張率が大きく，温度測定をしながら重さをはかるた
め、大変手間がかかる。そこで、簡便で安価に微粉末濃
度を保持するため以下のような装置とした。
混入量を測定するのに公知技術である濃度計・濁度計
（光式、超音波式等）では、粉末混入放電加工で用いる
ような数ｇ／リットル〜数１０ｇ／リットルという高濃
度は測定できなかった。また、微粉末５１５を含む第２
加工液自身の比重を測定することを試みたが、加工液の
熱膨張率が大きく，温度測定をしながら重さをはかるた
め、大変手間がかかる。そこで、簡便で安価に微粉末濃
度を保持するため以下のような装置とした。
【００２６】図３は、この発明の放電加工装置１００の
要部構成図である。この放電加工装置１００において、
１０１は、加工槽である。１０２は、微粉末追加装置で
ある。５０６は、第１加工液の排出バルブであり，５０
７は前記第１加工液の汚液タンクである。５０８は、放
電加工時に発生する加工スラッジであり，５０９は、前
記加工スラッジ５０８を取り除くためのフィルタであ
る。５１０は、第１加工液の清液タンクであり，５１１
は、第１加工液の供給バルブである。５１２は、クーラ
であり，該クーラ５１２を通過して加工槽１０１に第１
加工液が供給される。
要部構成図である。この放電加工装置１００において、
１０１は、加工槽である。１０２は、微粉末追加装置で
ある。５０６は、第１加工液の排出バルブであり，５０
７は前記第１加工液の汚液タンクである。５０８は、放
電加工時に発生する加工スラッジであり，５０９は、前
記加工スラッジ５０８を取り除くためのフィルタであ
る。５１０は、第１加工液の清液タンクであり，５１１
は、第１加工液の供給バルブである。５１２は、クーラ
であり，該クーラ５１２を通過して加工槽１０１に第１
加工液が供給される。
【００２７】５１３は、第２加工液の排出バルブであ
り，５１４は、第２加工液のタンクである。５１５は、
前記第２加工液中に含まれる金属または半導体の微分末
である。５１６は、第２加工液の供給バルブであり，ク
ーラ５１２を通過して加工槽１０１に第２加工液が供給
される。
り，５１４は、第２加工液のタンクである。５１５は、
前記第２加工液中に含まれる金属または半導体の微分末
である。５１６は、第２加工液の供給バルブであり，ク
ーラ５１２を通過して加工槽１０１に第２加工液が供給
される。
【００２８】Ｃは、制御装置であり，上記のシステムを
制御する。Ｎは、カウンタであり，上記の第２加工液か
ら第１加工液への切換回数をカウントする。
制御する。Ｎは、カウンタであり，上記の第２加工液か
ら第１加工液への切換回数をカウントする。
【００２９】つぎに、上記放電加工装置１００の動作に
ついて説明する。金属または半導体の微粉末５１５を含
まない第１加工液と、前記微粉末５１５を含む第２加工
液とを順に切り換えつつ放電加工を行う。
ついて説明する。金属または半導体の微粉末５１５を含
まない第１加工液と、前記微粉末５１５を含む第２加工
液とを順に切り換えつつ放電加工を行う。
【００３０】まず、微粉末５１５を含まない第１加工液
は、加工槽１０１より排出バルブ５０６を通って汚液タ
ンク５０７に排出される。そして、放電加工時に発生し
たスラッジ５０８は、フィルタ５０９で濾過される。つ
ぎに、前記濾過された第１加工液は、清液タンク５１０
に溜まる。さらに、前記濾過された第１加工液は、清液
タンク５１０から供給バルブ５１１を通り，クーラ５１
２で温度調整され，再び加工槽１０１に供給される。
は、加工槽１０１より排出バルブ５０６を通って汚液タ
ンク５０７に排出される。そして、放電加工時に発生し
たスラッジ５０８は、フィルタ５０９で濾過される。つ
ぎに、前記濾過された第１加工液は、清液タンク５１０
に溜まる。さらに、前記濾過された第１加工液は、清液
タンク５１０から供給バルブ５１１を通り，クーラ５１
２で温度調整され，再び加工槽１０１に供給される。
【００３１】つぎに、微粉末５１５を含む第２加工液
は、加工槽１０１より排出バルブ５１３を通ってタンク
５１４に排出される。例えば、微粉末１５はシリコンで
ある。そして、第２加工液はバルブ５１６を通り，クー
ラ５１２で温度調整され，再び加工槽１０１に供給され
る。
は、加工槽１０１より排出バルブ５１３を通ってタンク
５１４に排出される。例えば、微粉末１５はシリコンで
ある。そして、第２加工液はバルブ５１６を通り，クー
ラ５１２で温度調整され，再び加工槽１０１に供給され
る。
【００３２】図４は、放電加工装置１００の微粉末濃度
を保持する微粉末濃度保持手段の動作を示すフローチャ
ートである。ステップ４１では、上記の切り換えの工程
をカウンタＮでカウントして記憶する。ステップ４２で
は、前記カウント数が、例えばｎ回未満の場合、制御装
置Ｃは上記加工液の切り換えの工程をさらに行なう。そ
して、ｎ回以上になった場合、ステップ４３に進む。ス
テップ４３では、微粉末濃度の低下を表示し、微粉末追
加装置１０２によりタンク５１４中の第２加工液に微粉
末５１５の追加混入をする。例えば、１回の加工液の切
り換えの工程においてｍ（ｇ）の微粉末が流出する場
合、ｍ×ｎ（ｇ）の微粉末を追加混入する。
を保持する微粉末濃度保持手段の動作を示すフローチャ
ートである。ステップ４１では、上記の切り換えの工程
をカウンタＮでカウントして記憶する。ステップ４２で
は、前記カウント数が、例えばｎ回未満の場合、制御装
置Ｃは上記加工液の切り換えの工程をさらに行なう。そ
して、ｎ回以上になった場合、ステップ４３に進む。ス
テップ４３では、微粉末濃度の低下を表示し、微粉末追
加装置１０２によりタンク５１４中の第２加工液に微粉
末５１５の追加混入をする。例えば、１回の加工液の切
り換えの工程においてｍ（ｇ）の微粉末が流出する場
合、ｍ×ｎ（ｇ）の微粉末を追加混入する。
【００３３】ステップ４４では、微粉末５１５の追加混
入が終了して第２加工液の微粉末濃度が規定値になった
ため、加工液の切り換え工程のカウンタＮをリセットす
る。
入が終了して第２加工液の微粉末濃度が規定値になった
ため、加工液の切り換え工程のカウンタＮをリセットす
る。
【００３４】以上の放電加工装置１００によれば、沈澱
物を効率的に取り除くことができる。さらに、簡単で安
価に微粉末濃度を最適な濃度に管理可能である。
物を効率的に取り除くことができる。さらに、簡単で安
価に微粉末濃度を最適な濃度に管理可能である。
【００３５】
【発明の効果】この発明の放電加工装置によれば、加工
液を常に適正状態に維持できるため、製品の品質を向上
できる。
液を常に適正状態に維持できるため、製品の品質を向上
できる。
【図１】この発明の一実施例である放電加工装置の加工
槽の上面図である。
槽の上面図である。
【図２】図１の加工槽の断面図である。
【図３】 この発明の一実施例の放電加工装置の要部構
成図である。
成図である。
【図４】 図３の放電加工装置の微粉末濃度を保持する
微粉末濃度保持手段の動作を示すフローチャートであ
る。
微粉末濃度保持手段の動作を示すフローチャートであ
る。
【図５】 従来の放電加工装置の一例の要部構成図であ
る。
る。
【図６】 図５の放電加工装置の加工槽の上面図であ
る。
る。
【図７】 図５の放電加工装置の加工槽の断面図であ
る。
る。
１００ 放電加工装置、１０１ 加工槽、１０２ 微粉
末追加装置、１１〜１３ 加工液噴射装置、１４〜１６
供給バルブ、２１〜２３ 加工液噴射装置、２４〜２
６ 供給バルブ、３１〜３３ 加工液噴射装置、３４〜
３６ 供給バルブ、４１〜４３ 液面センサ、Ｃ 制御
装置、Ｎ カウンタ。
末追加装置、１１〜１３ 加工液噴射装置、１４〜１６
供給バルブ、２１〜２３ 加工液噴射装置、２４〜２
６ 供給バルブ、３１〜３３ 加工液噴射装置、３４〜
３６ 供給バルブ、４１〜４３ 液面センサ、Ｃ 制御
装置、Ｎ カウンタ。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属または半導体の微粉末を混入した加
工液と，混入していない加工液とを順に切り換え、前記
金属または半導体の微粉末を混入した加工液から前記混
入していない加工液に切り換えるごとに前記金属または
半導体の微粉末を混入した加工液中の金属または半導体
の微粉末の含有量がｍずつ減少する放電加工する装置に
おいて、 前記金属または半導体の微粉末を混入した加工液から前
記混入していない加工液に切り換えた回数を記憶する切
換回数記憶手段と、前記記憶された回数が所望の回数ｎ
回になった場合、加工液に前記金属または半導体の微粉
末を当初の含有量となるようにｍ×ｎ追加混入して微粉
末の濃度を保持する微粉末濃度保持手段を具備すること
を特徴とする放電加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22646697A JP2790140B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22646697A JP2790140B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電加工装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4217758A Division JP2720720B2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | 放電加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10128622A true JPH10128622A (ja) | 1998-05-19 |
| JP2790140B2 JP2790140B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=16845549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22646697A Expired - Fee Related JP2790140B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790140B2 (ja) |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP22646697A patent/JP2790140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790140B2 (ja) | 1998-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |