JP2010140966A - 基板の帯電除去装置及び帯電除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に帯電した電荷を除去する帯電除去装置であって、
基板が供給される処理槽1と、基板の被処理面の電位レベルを検出する表面電位計31と、表面電位計が検出する基板の被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を選択する制御装置20と、液体及び制御装置によって選択された気体が供給されこれら液体と気体によって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給するナノバブル発生器11を具備する。
【選択図】 図1
Description
上記基板が供給される処理槽と、
上記基板の被処理面の電位レベルを検出する電位検出手段と、
この電位検出手段が検出する上記基板の被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を供給可能とする気体選択手段と
液体及び上記気体選択手段によって選択された気体が供給されこれら液体と気体とによって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給する処理液供給手段と
を具備したことを特徴とする基板の帯電除去装置にある。
処理槽に基板を供給する工程と、
上記基板の被処理面の電位レベルを検出する工程と、
検出された上記被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を選択する工程と、
液体及び選択された上記気体によって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給し上記微細気泡のもつ電荷によって上記被処理面に帯電した電荷を消失させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の帯電除去方法にある。
図1は基板Wの処理装置兼用の帯電防止装置を示す。この帯電防止装置は処理槽1を備えている。この処理槽1の内部には回転テーブル2が設けられ、この回転テーブル2は処理槽1の下方に設けられた第1の回転駆動源3によって回転駆動されるようになっている。
まず、基板Wを洗浄処理する場合には、処理槽1の回転テーブル2上に基板Wを供給載置する。ついで、第1の回転駆動源3を作動させて回転テーブル2を回転させ、さらに第2の回転駆動源28を作動させて水平アーム25を揺動させる。
このようにして、基板Wのデバイス面を洗浄処理すると、そのデバイス面には、洗浄液Lとの摩擦力によって静電気が帯電し、その静電気によって微粒子の付着や微細パターンの損傷を招く虞がある。
Claims (3)
- 基板に帯電した電荷を除去する帯電除去装置であって、
上記基板が供給される処理槽と、
上記基板の被処理面の電位レベルを検出する電位検出手段と、
この電位検出手段が検出する上記基板の被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を供給可能とする気体選択手段と
液体及び上記気体選択手段によって選択された気体が供給されこれら液体と気体とによって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給する処理液供給手段と
を具備したことを特徴とする基板の帯電除去装置。 - 上記微細気泡はマイナスの電荷にプラスの電荷が静電結合されていることを特徴とする請求項1記載の基板の帯電除去装置。
- 基板に帯電した電荷を除去する帯電除去方法であって、
処理槽に基板を供給する工程と、
上記基板の被処理面の電位レベルを検出する工程と、
検出された上記被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を選択する工程と、
液体及び選択された上記気体によって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給し上記微細気泡のもつ電荷によって上記被処理面に帯電した電荷を消失させる工程と
を具備したことを特徴とする基板の帯電除去方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170032984A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
US10219670B2 (en) | 2014-09-05 | 2019-03-05 | Tennant Company | Systems and methods for supplying treatment liquids having nanobubbles |
JP2019067984A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
KR20200029244A (ko) * | 2018-09-10 | 2020-03-18 | (주)신우에이엔티 | 나노 버블을 이용한 기판 세정 장치 |
WO2021085577A1 (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | キヤノン株式会社 | ウルトラファインバブル生成方法、ウルトラファインバブル含有液の製造装置および製造方法 |
JP7242228B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-03-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2023228776A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7399783B2 (ja) | 2020-04-30 | 2023-12-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、および、学習済モデル |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004121962A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノバブルの利用方法及び装置 |
JP2007253120A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 超音波洗浄方法 |
JP2007317821A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008171956A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
JP2008251756A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004121962A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノバブルの利用方法及び装置 |
JP2007253120A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 超音波洗浄方法 |
JP2007317821A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008171956A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
JP2008251756A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10219670B2 (en) | 2014-09-05 | 2019-03-05 | Tennant Company | Systems and methods for supplying treatment liquids having nanobubbles |
US20170032984A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
JP2019067984A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
KR20200029244A (ko) * | 2018-09-10 | 2020-03-18 | (주)신우에이엔티 | 나노 버블을 이용한 기판 세정 장치 |
KR102090975B1 (ko) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | (주)신우에이엔티 | 나노 버블을 이용한 기판 세정 장치 |
JP7242228B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-03-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2021085577A1 (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | キヤノン株式会社 | ウルトラファインバブル生成方法、ウルトラファインバブル含有液の製造装置および製造方法 |
JP7399783B2 (ja) | 2020-04-30 | 2023-12-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、および、学習済モデル |
WO2023228776A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
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