JPH1012693A - 処理ユニット及び処理ユニット構築体 - Google Patents

処理ユニット及び処理ユニット構築体

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JPH1012693A
JPH1012693A JP8161517A JP16151796A JPH1012693A JP H1012693 A JPH1012693 A JP H1012693A JP 8161517 A JP8161517 A JP 8161517A JP 16151796 A JP16151796 A JP 16151796A JP H1012693 A JPH1012693 A JP H1012693A
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進 岡野
Yasuji Ueda
康爾 上田
Taiichiro Aoki
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハやガラス基板等の板状被処理
物に対し一連の処理を行う従来の装置は横方向に場所を
占有してしまう。 【解決手段】 処理装置構築体1は複数の処理ユニット
2…を横方法に連設して構成され、各処理ユニット2…
の最上部に搬送部3を設け、この搬送部3内に設けたシ
ャトル(SH)等の搬送装置によって隣接する処理ユニ
ット間での板状被処理物の受け渡しを可能としている。
処理ユニット2は処理ブロック4,4とこれら処理ブロ
ック4,4間に配置される移し換えロボット(R)とか
ら構成され、更に各処理ユニット2…は処理装置構築体
1に対して増減が可能となるように互いに独立してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハやガラス
基板等に一連の処理を施す処理ユニットと、この処理ユ
ニットを集合した処理装置構築体に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハに集積回路を形成したり
ガラス基板にTFT等の素子を形成するには、多くの工
程を必要とする。例えば、基板表面にエキシマレジスト
膜を形成する工程の一例を挙げると、デハイドレーショ
ンベーク、BARC(ボトム・アンチ・リフレクション
・コーティング)塗布、ベーク、レジスト前処理、レジ
スト塗布、プリベーク、露光、露光後ベーク(PE
B)、現像及びポストベークの工程を経るようにしてい
る。
【0003】上記の如き工程を連続して行うため、従来
にあっては各工程を行う装置を水平方向に離間してライ
ン状に工程順に配列している。尚、ラインの形状として
は直線状に限らず、工場の形状に合せてL型或いは矩形
等の場合もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体ウェーハやガラス基板等の処理装置は、横方向に
設備を連続しており、占有面積が大きくなる。また従来
の処理装置にあっては、工程を省略する場合や、新たな
工程を追加する場合に、処理装置の一部を取り除いた
り、他の装置を以前からある装置につなげることが困難
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る処理ユニットは、半導体ウェーハやガラス基
板等の板状被処理物に対し一連の処理を行うものであっ
て、この処理ユニットは処理ブロックと移し換えロボッ
トとから構成され、前記処理ブロックは複数の処理装置
を上下方向に段積み重ねてなり、また前記移し換えロボ
ットは前記各段の処理装置の位置で停止可能な昇降体
と、前記各段の処理装置に対し板状被処理物を出し入れ
すべく前記昇降体に設けられたアームとを備えたものと
した。
【0006】また本発明に係る別の処理ユニットは、半
導体ウェーハやガラス基板等の板状被処理物に対し一連
の処理を行うものであって、この処理ユニットは一対の
処理ブロックと、この一対の処理ブロックの間に配置さ
れる移し換えロボットとから構成され、前記処理ブロッ
クは複数の処理装置を上下方向に段積み重ねてなり、ま
た前記移し換えロボットは前記各段の処理装置の位置で
停止可能な昇降体と、前記各段の処理装置に対し板状被
処理物を出し入れすべく前記昇降体に設けられたアーム
と、このアームを水平面内で旋回せしめる旋回機構とを
備えたものとした。
【0007】また本発明に係る処理装置構築体は、前記
した処理ユニットを連設して構成され、各処理ユニット
は処理装置構築体に対して増減が可能となるように互い
に独立し、また隣接する処理ユニット間での板状被処理
物の受け渡しが可能となるように配置した。
【0008】尚、処理ユニット間での板状被処理物の受
け渡しを行う搬送装置については、例えば各処理ユニッ
トの最上部に組み込む。このような構成とすることで、
複数のユニットを連設しやすくなる。
【0009】更に前記処理装置構築体の一側部に、イン
デクサーユニットを配置することが可能である。このイ
ンデクサーユニットはインデックスブロックと移し換え
ロボットとから構成され、インデックスブロックは板状
被処理物を収納するカセットを上下方向に離間して保持
し、また前記移し換えロボットは前記各段のカセットの
収納位置で停止可能な昇降体と、前記カセットに対し板
状被処理物を出し入れすべく前記昇降体に設けられるア
ームとを備えている。
【0010】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係る処理装置構築体
の一例を示す全体斜視図、図2は同処理装置構築体の平
面図、図3は同処理装置構築体の一部を構成する処理ユ
ニットの移し換えロボットの斜視図、図4は同移し換え
ロボットの下部の断面図である。
【0011】処理装置構築体1は複数の処理ユニット2
…を横方法に連設して構成され、各処理ユニット2…は
処理装置構築体1に対して増減が可能となるように互い
に独立している。
【0012】また隣接する処理ユニット2…間での半導
体ウェーハやガラス基板等の板状被処理物の受け渡しが
可能となるように、各処理ユニット2…の最上部に搬送
部3を設け、この搬送部3内に設けたシャトル(SH)
等の搬送装置によって隣接する処理ユニット間での板状
被処理物の受け渡しを可能としている。尚、搬送部3内
においては板状被処理物のアライメントを行う機構も設
けている。
【0013】前記処理ユニット2は処理ブロック4,4
とこれら処理ブロック4,4間に配置される移し換えロ
ボット(R)とから構成され、前記処理ブロックは例え
ば、回転カップ式塗布装置(RC)、オープンカップ式
塗布装置(SC)、減圧乾燥器(VD)、クールプレー
ト(CP)、ホットプレート(HP)、裏面洗浄装置
(BR)、アドヒージョン装置(AD)、紫外線照射装
置(UV)、エアプロセッサー(AP)、現像装置(D
EV)、露光後ベーク装置(PB)等の処理装置を段積
み重ねて構成される。
【0014】上記各処理装置は縦寸法と横寸法が同一
で、段積み重ねた場合に1つの直方体を構成する。尚、
処理装置の厚さ(上下方向寸法)については各処理装置
毎に異なる。また、処理装置構築体1の一側にはインタ
ーフェイスユニット5とこのインターフェイスユニット
5を介して被処理物が送り込まれる露光装置6を配置し
ている。
【0015】また、移し換えロボット(R)は各処理ブ
ロックの処理装置の位置で停止可能な昇降体10と、前
記各段の処理装置に対し板状被処理物を出し入れすべく
前記昇降体10に設けられたアーム11,11とを備え
ている。このアーム11,11はシリンダユニット1
2,12によって互いに反対方向に伸縮し、その先端に
は板状被処理物の周囲を保持するハンド13を備えてい
る。
【0016】昇降体10は天板14と底板15間に設け
たガイドロッド16,16に係合し、底板15上に設け
たモータ17の駆動で走行するチェーン18にて上下方
向に移動可能とされている。
【0017】また、底板15は別のモータ19にて水平
面内で180°回転可能とされ、この回転により前記ア
ーム11,11の位置が入れ替わる構成になっている。
【0018】ところで、移し換えロボット(R)の下部
の構造は、図4に示すようにボックス20内に収納さ
れ、このボックス20内は仕切り壁21にて上部空間2
2,中間部空間23及び下部空間24に分けられ、中間
部空間23からエアを導入し、チェーン18に付着した
微細なゴミを上部空間22または下部空間24から回収
し、複数の処理装置が積み重なっている箇所にゴミを持
ち込まないようにしている。
【0019】次に具体的な処理装置構築体の構成例を図
5乃至図9に基づいて説明する。ここで、図5は下地反
射防止膜形成、レジスト塗布及び現像工程を行う処理装
置構築体の展開的平面図、図6は図5のa−a方向から
見た処理ユニットの正面図、図7は図5のb−b方向か
ら見た処理ユニットの正面図、図8は図5のc−c方向
から見た処理ユニットの正面図、図9は図5のd−d方
向から見た処理ユニットの正面図である。
【0020】図5に示す処理装置構築体はインデックス
用の処理ユニット2A、下地層として板状被処理物表面
に反射防止膜を塗布する処理ユニット2B、反射防止膜
の上にレジストを塗布する処理ユニット2C、露光後の
レジスト膜を現像する処理ユニット2Dから構成され
る。
【0021】インデックス用の処理ユニット2Aは移し
換えロボット(R1)の両側に、処理ブロックの代わり
にカセット台30…を昇降可能に設けている。これらカ
セット台30…は他のカセット台とは独立して昇降動で
き、また各カセット31の向きを90°変えることがで
きる構造となっている。
【0022】そして、インデックス用の処理ユニット2
Aの動作は、先ずカセット台30を工場内の自動搬送機
の搬送レベルに合わせ、自動搬送機からカセット31を
カセット台30上に受け取り、ロボット(R1)が取り
出すことができる方向にカセット31をターンさせ、ロ
ボット(R1)にてカセット31からウェーハ等の板状
被処理物を取り出す。この後、ロボット(R1)から板
状被処理物を搬送部3に移し、この搬送部3内に設けた
シャトル(SH)等の搬送装置によって隣接する処理ユ
ニット2Bの搬送部に送り込む。
【0023】処理ユニット2Bの搬送部に送り込まれた
被処理物は、処理ユニット2Bの移し換えロボット(R
2)によってホットプレート(HP1)、(HP2)に
送られてデハイドレーションベークを施され、被処理物
に含まれる水分が除去され、この後クールプレート(C
P1)で温度調整され、回転塗布装置(RC1)によっ
て反射防止用の塗布液が塗布され、減圧乾燥装置(VD
1)である程度乾燥され、オープンカップ式洗浄装置
(SC1)にてエッジリンスがなされ、この後ホットプ
レート(HP3)、(HP4)、(HP5)を通過する
間にベークされ、更にクールプレート(CP2)で温度
調整される。この後、移し換えロボット(R2)、シャ
トル(SH2)によって処理ユニット2Cに反射防止膜
が形成された被処理物が送り込まれる。
【0024】処理ユニット2Cの搬送部に送り込まれた
被処理物は、移し換えロボット(R3)にて紫外線照射
装置(UV1)、アドヒージョン装置(AD1)及びク
ールプレート(CP4)に順次送り込まれてレジスト前
処理が行われる。次いで、レジスト前処理が済んだ被処
理物は回転塗布装置(RC2)によってレジスト塗布液
が塗布され、減圧乾燥装置(VD2)である程度乾燥さ
れ、オープンカップ式洗浄装置(SC2)にてバックサ
イドリンスがなされ、この後ホットプレート(HP
6)、(HP7)にてベークされ、更にクールプレート
(CP3)で温度調整される。この後、移し換えロボッ
ト(R3)、シャトル(SH1)によって処理ユニット
2Dにレジスト膜が形成された被処理物が送り込まれ
る。
【0025】処理ユニット2Dの搬送部に送り込まれた
被処理物は、移し換えロボット(R4)にて露光機のイ
ンターフェイスに送られ、このインターフェイスを介し
て露光機に送られ、露光機で露光が施される。
【0026】露光が施された被処理物は再び処理ユニッ
ト2Dに戻され、この処理ユニット2Dの移し換えロボ
ット(R4)にて露光後ベーク装置(PB1)又は(P
B2)に送られて露光後ベークがなされ、この後クール
プレート(CP5)、(CP6)で温度調整され、更に
現像装置(DEV1)、(DEV2)で現像され、ホッ
トプレート(HP8)、(HP9)にてポストベークさ
れた後、更にクールプレート(CP7)、(CP8)で
温度調整され、各処理ユニット2A〜2Dの一側側のシ
ャトル(SH2)にてインデックス用の処理ユニット2
Aに戻され、更に処理ユニット2A内の所定のカセット
31内に収納される。
【0027】図10は下地反射防止膜形成、レジスト塗
布、表面反射防止膜形成及び現像工程を行う処理装置構
築体の展開的平面図であり、この処理装置構築体にあっ
ては、レジストを塗布する処理ユニット2Cと露光後の
レジスト膜を現像する処理ユニット2Dとの間に、レジ
スト膜の表面に反射防止膜を形成する処理ユニット2E
を配置している。
【0028】処理ユニット2A〜2Dの作用については
前記実施例と同様であるので説明を省略し、処理ユニッ
ト2Eの作用を以下に説明する。即ち、処理ユニット2
Eのシャトル(SH1)を介して移し換えロボット(R
4)に受け渡された被処理物はクールプレート(CP
9)で温度調整された後、回転塗布装置(RC3)によ
って反射防止膜用塗布液が塗布され、減圧乾燥装置(V
D3)である程度乾燥され、オープンカップ式洗浄装置
(SC3)にてバックサイドリンスがなされ、この後ホ
ットプレート(HP10)、(HP11)にてベークさ
れ、更にクールプレート(CP10)で温度調整され
る。
【0029】この後、レジスト膜の表面に反射防止膜が
形成された被処理物は、処理ユニット2Dの移し換えロ
ボット(R5)を介してインターフェイス及び露光機に
送られ、露光が済んだ被処理物は再び処理ユニット2D
に戻されて前記と同様に現像がなされる。
【0030】図11はレジスト塗布及び現像工程を行う
処理装置構築体の展開的平面図であり、この処理装置構
築体にあっては標準的なレジスト塗布・現像を行うもの
であり、前記の処理装置構築体から、下地反射防止膜を
形成する処理ユニット2B及び表面反射防止膜を形成す
る処理ユニット2Eを除去している。
【0031】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
半導体ウェーハやガラス基板等の板状被処理物に対し一
連の処理を行う処理ユニット及びこの処理ユニットを連
設して構成される処理装置として、基本的には上下方向
に単一の処理を行う処理ブロックを重ねて構成したの
で、空間の有効利用が図れる。
【0032】また、複数の処理ブロックを重ねて構成し
た処理ユニットの全体形状を、所定寸法に定めること
で、処理ユニット同士の増減が可能となり、一連の処理
を行う処理装置の構築が容易に行える。
【0033】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理装置構築体の一例の全体斜視
【図2】同処理装置構築体の平面図
【図3】同処理装置構築体の一部を構成する処理ユニッ
トの移し換えロボットの斜視図
【図4】同移し換えロボットの下部の断面図
【図5】下地反射防止膜形成、レジスト塗布及び現像工
程を行う処理装置構築体の展開的平面図
【図6】図5のa−a方向から見た処理ユニットの正面
【図7】図5のb−b方向から見た処理ユニットの正面
【図8】図5のc−c方向から見た処理ユニットの正面
【図9】図5のd−d方向から見た処理ユニットの正面
【図10】下地反射防止膜形成、レジスト塗布、表面反
射防止膜形成及び現像工程を行う処理装置構築体の展開
的平面図
【図11】レジスト塗布及び現像工程を行う処理装置構
築体の展開的平面図
【符号の説明】
1…処理装置構築体、2,2A,2B,2C,2D,2
E…処理ユニット、3…搬送部、4…処理ブロック、5
…インターフェイスユニット、6…露光装置、10…昇
降体、11…アーム、18…チェーン、R,R1,R
2,R3,R4,R5…移し換えロボット、RC…回転
カップ式塗布装置、SC…オープンカップ式塗布装置、
VD…減圧乾燥器、CP…クールプレート、HP…ホッ
トプレート、AD…アドヒージョン装置、UV…紫外線
照射装置、DEV…現像装置、SH…シャトル、PB…
露光後ベーク装置、AP…エアプロセッサー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 泰一郎 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェーハやガラス基板等の板状被
    処理物に対し一連の処理を行う処理ユニットであって、
    この処理ユニットは処理ブロックと移し換えロボットと
    から構成され、前記処理ブロックは複数の処理装置を上
    下方向に段積み重ねてなり、また前記移し換えロボット
    は前記各段の処理装置の位置で停止可能な昇降体と、前
    記各段の処理装置に対し板状被処理物を出し入れすべく
    前記昇降体に設けられたアームとを備えていることを特
    徴とする処理ユニット。
  2. 【請求項2】 半導体ウェーハやガラス基板等の板状被
    処理物に対し一連の処理を行う処理ユニットであって、
    この処理ユニットは一対の処理ブロックと、この一対の
    処理ブロックの間に配置される移し換えロボットとから
    構成され、前記処理ブロックは複数の処理装置を上下方
    向に段積み重ねてなり、また前記移し換えロボットは前
    記各段の処理装置の位置で停止可能な昇降体と、前記各
    段の処理装置に対し板状被処理物を出し入れすべく前記
    昇降体に設けられたアームと、このアームを水平面内で
    旋回せしめる旋回機構とを備えていることを特徴とする
    処理ユニット。
  3. 【請求項3】 半導体ウェーハやガラス基板等の板状被
    処理物に対し一連の処理を行う処理装置構築体であっ
    て、この処理装置構築体は請求項1または請求項2に記
    載の処理ユニットを連設して構成され、各処理ユニット
    は処理装置構築体に対して増減が可能となるように互い
    に独立し、また隣接する処理ユニット間での板状被処理
    物の受け渡しが可能となるように配置されていることを
    特徴とする処理装置構築体。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の処理装置構築体におい
    て、前記各処理ユニットの最上部に、隣接する処理ユニ
    ット間での板状被処理物の受け渡しを行う搬送装置が組
    み込まれていることを特徴とする処理装置構築体。
  5. 【請求項5】 請求項3または請求項4に記載の処理装
    置構築体において、この処理装置構築体の一側部にはイ
    ンデクサーユニットが配置され、このインデクサーユニ
    ットはインデックスブロックと移し換えロボットとから
    構成され、前記インデックスブロックは板状被処理物を
    収納するカセットを上下方向に離間して保持し、また前
    記移し換えロボットは前記各段のカセットの収納位置で
    停止可能な昇降体と、前記カセットに対し板状被処理物
    を出し入れすべく前記昇降体に設けられるアームとを備
    えていることを特徴とする処理装置構築体。
JP16151796A 1996-06-21 1996-06-21 処理ユニット構築体 Expired - Fee Related JP3249395B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005057648A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Tokyo Electron Limited 基板処理装置
KR101534660B1 (ko) * 2014-12-19 2015-07-08 주식회사 썬닉스 다방향 웨이퍼 이송 시스템

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6919001B2 (en) * 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
US20060102078A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Intevac Inc. Wafer fab
US7611322B2 (en) * 2004-11-18 2009-11-03 Intevac, Inc. Processing thin wafers

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5978535A (ja) 1982-10-27 1984-05-07 Mitsubishi Electric Corp 多数被処理品の処理設備
JPS61236443A (ja) 1985-04-10 1986-10-21 Hiroshi Teramachi テ−ブル移送装置
JPS61123150A (ja) 1985-10-23 1986-06-11 Hitachi Ltd 製造装置
JP2535821B2 (ja) 1986-02-21 1996-09-18 株式会社ニコン 基板の▲高▼速変換装置及び方法
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JPS63262853A (ja) 1987-04-21 1988-10-31 Hitachi Electronics Eng Co Ltd ウエハ搬送機構
JP3043094B2 (ja) 1991-04-02 2000-05-22 大日本スクリーン製造株式会社 フォトレジスト処理装置
JP2868645B2 (ja) * 1991-04-19 1999-03-10 東京エレクトロン株式会社 ウエハ搬送装置、ウエハの傾き検出方法、およびウエハの検出方法
NL9201825A (nl) * 1992-10-21 1994-05-16 Od & Me Bv Inrichting voor het vervaardigen van een matrijs voor een schijfvormige registratiedrager.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005057648A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Tokyo Electron Limited 基板処理装置
KR101534660B1 (ko) * 2014-12-19 2015-07-08 주식회사 썬닉스 다방향 웨이퍼 이송 시스템

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