JPH1012686A - 半導体ウェーハの表面異物検査方法 - Google Patents
半導体ウェーハの表面異物検査方法Info
- Publication number
- JPH1012686A JPH1012686A JP18120996A JP18120996A JPH1012686A JP H1012686 A JPH1012686 A JP H1012686A JP 18120996 A JP18120996 A JP 18120996A JP 18120996 A JP18120996 A JP 18120996A JP H1012686 A JPH1012686 A JP H1012686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- coordinate
- coordinates
- foreign
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの表面異物検査において、パ
ーティクルカウンタからＳＥＭへの座標変換の正確度を
把握し、これを修正する指針が得られるような機能を備
えた半導体ウェーハの表面異物検査方法を提供する。 【解決手段】 パーティクルカウンタで検出した異物の
粗座標を、走査型電子顕微鏡等で異物検査を行う際の精
座標に変換するに当たり、２個以上の異物の実測値座標
を求め、これらの実測値座標を用いて最小自乗法により
異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換において
予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座標
値との誤差を表示する。次に、３個目以降の異物の位置
を検出し、かつ、それまでに求めた精座標の誤差精度を
漸次向上して行く。前記最小自乗法による異物の精座標
算出と、次の異物位置検出とを繰り返すことによって精
座標の誤差精度の向上を確認しつつ、走査型電子顕微鏡
等による異物の位置捕捉を容易にする。
ーティクルカウンタからＳＥＭへの座標変換の正確度を
把握し、これを修正する指針が得られるような機能を備
えた半導体ウェーハの表面異物検査方法を提供する。 【解決手段】 パーティクルカウンタで検出した異物の
粗座標を、走査型電子顕微鏡等で異物検査を行う際の精
座標に変換するに当たり、２個以上の異物の実測値座標
を求め、これらの実測値座標を用いて最小自乗法により
異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換において
予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座標
値との誤差を表示する。次に、３個目以降の異物の位置
を検出し、かつ、それまでに求めた精座標の誤差精度を
漸次向上して行く。前記最小自乗法による異物の精座標
算出と、次の異物位置検出とを繰り返すことによって精
座標の誤差精度の向上を確認しつつ、走査型電子顕微鏡
等による異物の位置捕捉を容易にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
表面に存在する付着粒子あるいは欠陥（以下異物と総称
する）を顕微鏡で観察する際に、異物の位置を効率よく
探査するための半導体ウェーハの表面異物検査方法に関
する。
表面に存在する付着粒子あるいは欠陥（以下異物と総称
する）を顕微鏡で観察する際に、異物の位置を効率よく
探査するための半導体ウェーハの表面異物検査方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの表面に存在する異物の
大きさ、構造、組成などを評価、検査するには、まず、
レーザ散乱式異物検査装置など（以下パーティクルカウ
ンタと呼ぶ）によって異物位置を高速かつ正確に測定す
る。次に、異物の存在する半導体ウェーハを走査型電子
顕微鏡、光学式顕微鏡、イオンビーム顕微加工装置、マ
イクロオージェ電子顕微鏡、共焦点顕微鏡など（以下Ｓ
ＥＭと総称する）にセットし、前記パーティクルカウン
タによって得られた異物位置の座標情報を用いて異物を
探し出す際、座標情報をパーティクルカウンタが出力す
る座標系からＳＥＭに備えられている座標系への座標変
換が利用されている。
大きさ、構造、組成などを評価、検査するには、まず、
レーザ散乱式異物検査装置など（以下パーティクルカウ
ンタと呼ぶ）によって異物位置を高速かつ正確に測定す
る。次に、異物の存在する半導体ウェーハを走査型電子
顕微鏡、光学式顕微鏡、イオンビーム顕微加工装置、マ
イクロオージェ電子顕微鏡、共焦点顕微鏡など（以下Ｓ
ＥＭと総称する）にセットし、前記パーティクルカウン
タによって得られた異物位置の座標情報を用いて異物を
探し出す際、座標情報をパーティクルカウンタが出力す
る座標系からＳＥＭに備えられている座標系への座標変
換が利用されている。
【０００３】通常、パーティクルカウンタでは半導体ウ
ェーハのエッジおよびオリエンテーションフラット（以
下オリフラと呼ぶ）の位置を読み取ることにより、半導
体ウェーハ上に設定した座標系における異物位置情報を
出力する。この際、パーティクルカウンタ側で、図３に
示す（ａ），（ｂ），（ｃ）の座標系のうち、どの座標
系で出力するかは自由に選択することができる。図３
（ａ）はｘ軸が半導体ウェーハ１のオリフラ１ｂに接
し、ｙ軸が半導体ウェーハ１のエッジ１ａの左端に接し
ている場合、図３（ｂ）は座標原点を半導体ウェーハ１
の中心に設定した場合、図３（ｃ）はｘ軸が半導体ウェ
ーハ１のオリフラ１ｂに接し、ｙ軸が半導体ウェーハ１
の中心を通る場合を示している。
ェーハのエッジおよびオリエンテーションフラット（以
下オリフラと呼ぶ）の位置を読み取ることにより、半導
体ウェーハ上に設定した座標系における異物位置情報を
出力する。この際、パーティクルカウンタ側で、図３に
示す（ａ），（ｂ），（ｃ）の座標系のうち、どの座標
系で出力するかは自由に選択することができる。図３
（ａ）はｘ軸が半導体ウェーハ１のオリフラ１ｂに接
し、ｙ軸が半導体ウェーハ１のエッジ１ａの左端に接し
ている場合、図３（ｂ）は座標原点を半導体ウェーハ１
の中心に設定した場合、図３（ｃ）はｘ軸が半導体ウェ
ーハ１のオリフラ１ｂに接し、ｙ軸が半導体ウェーハ１
の中心を通る場合を示している。
【０００４】次いで、ＳＥＭにおいて異物を探し出すに
は、パーティクルカウンタの出力をＳＥＭが備えている
座標系に座標変換して異物位置を探す。パーティクルカ
ウンタの座標系（ｘ，ｙ）からＳＥＭの座標系（Ｘ，
Ｙ）への座標変換Ｆ（ｘ，ｙ）は、たとえば直交変換の
場合、
は、パーティクルカウンタの出力をＳＥＭが備えている
座標系に座標変換して異物位置を探す。パーティクルカ
ウンタの座標系（ｘ，ｙ）からＳＥＭの座標系（Ｘ，
Ｙ）への座標変換Ｆ（ｘ，ｙ）は、たとえば直交変換の
場合、
【０００５】
【数１】
【０００６】で与えられる。この座標変換でのパラメー
タα，β，θの決定は、通常、粗座標変換と精座標変換
の２つの座標変換法を用いる。ここで示した直交変換の
ほかに斜交変換や一般の１次変換なども可能である。
タα，β，θの決定は、通常、粗座標変換と精座標変換
の２つの座標変換法を用いる。ここで示した直交変換の
ほかに斜交変換や一般の１次変換なども可能である。
【０００７】粗座標系変換では、図４に示すように、半
導体ウェーハ１のエッジ１ａ上の３点（Ａ，Ｂ，Ｃ）を
読むことにより半導体ウェーハ１の中心位置（Ｘc ，Ｙ
c ）を求め、オリフラ１ｂ上の２点以上（Ｄ，Ｅ）を読
むことにより中心回りからの回転角φが求められる。こ
れによって座標変換が定まり、パーティクルカウンタで
出力された異物位置をＳＥＭ座標上の点に変換すること
ができる。この時点での座標精度はおよそ５０〜５００
μｍ程度である。
導体ウェーハ１のエッジ１ａ上の３点（Ａ，Ｂ，Ｃ）を
読むことにより半導体ウェーハ１の中心位置（Ｘc ，Ｙ
c ）を求め、オリフラ１ｂ上の２点以上（Ｄ，Ｅ）を読
むことにより中心回りからの回転角φが求められる。こ
れによって座標変換が定まり、パーティクルカウンタで
出力された異物位置をＳＥＭ座標上の点に変換すること
ができる。この時点での座標精度はおよそ５０〜５００
μｍ程度である。
【０００８】次いで、上記粗座標変換を用いて大きい異
物を低倍率で探し、２つ以上の異物を探したところで精
座標変換に切り換える。その異物のパーティクルカウン
タ出力座標値とＳＥＭ座標系での発見座標位置を用い
て、以下の最小自乗法によって最適化された座標変換
（つまり座標変換の最適化パラメータ）を得ることがで
きる（このとき精座標変換のデータとして用いる異物を
マーク異物と呼ぶ）。この最適化アルゴリズムは、直交
変換の場合は以下のように実現される。
物を低倍率で探し、２つ以上の異物を探したところで精
座標変換に切り換える。その異物のパーティクルカウン
タ出力座標値とＳＥＭ座標系での発見座標位置を用い
て、以下の最小自乗法によって最適化された座標変換
（つまり座標変換の最適化パラメータ）を得ることがで
きる（このとき精座標変換のデータとして用いる異物を
マーク異物と呼ぶ）。この最適化アルゴリズムは、直交
変換の場合は以下のように実現される。
【０００９】つまり、ｉ＝１，２，・・・Ｎの異物に対
してパーティクルカウンタ出力座標値を（ｘi ，ｙi ）
とし、その粒子をＳＥＭ座標系で発見したときの座標値
を（Ｘi ，Ｙi ）として、以下のように最小自乗法を用
いて決定する。この座標変換の精度は、発見粒子（マー
ク粒子と呼ぶ）が多いほど正確なものとなる。
してパーティクルカウンタ出力座標値を（ｘi ，ｙi ）
とし、その粒子をＳＥＭ座標系で発見したときの座標値
を（Ｘi ，Ｙi ）として、以下のように最小自乗法を用
いて決定する。この座標変換の精度は、発見粒子（マー
ク粒子と呼ぶ）が多いほど正確なものとなる。
【００１０】
【数２】
【００１１】となる。通常、上記変換の算出に用いるマ
ーク粒子への登録は、見つけ出した粒子のうちから任意
に抹消したり、追加したりすることができる。また、こ
のアルゴリズムによるマーク異物への登録数が多いほど
その精度は向上して行く。
ーク粒子への登録は、見つけ出した粒子のうちから任意
に抹消したり、追加したりすることができる。また、こ
のアルゴリズムによるマーク異物への登録数が多いほど
その精度は向上して行く。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来方法で決定した座標変換を用いて異物を探す際、座
標変換が予告する位置において異物が見つからないとい
う事態がしばしば発生する。その原因として、前記座標
変換の際に利用したマーク異物が真のものでなく、ごく
近傍にあった他の異物をマーク異物と間違えた場合、あ
るいはパーティクルカウンタで測定した後にその異物が
衝撃などで動いてしまった場合が挙げられる。このよう
な場合には対象異物を根気よく探索せざるを得ないた
め、多大の時間を消費することになる。
従来方法で決定した座標変換を用いて異物を探す際、座
標変換が予告する位置において異物が見つからないとい
う事態がしばしば発生する。その原因として、前記座標
変換の際に利用したマーク異物が真のものでなく、ごく
近傍にあった他の異物をマーク異物と間違えた場合、あ
るいはパーティクルカウンタで測定した後にその異物が
衝撃などで動いてしまった場合が挙げられる。このよう
な場合には対象異物を根気よく探索せざるを得ないた
め、多大の時間を消費することになる。
【００１３】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、半導体ウェーハの表面異物検査において、
パーティクルカウンタからＳＥＭへの座標変換の正確度
（誤差）を把握し、これを修正する指針が得られるよう
な機能を備えた半導体ウェーハの表面異物検査方法を提
供することを目的としている。
れたもので、半導体ウェーハの表面異物検査において、
パーティクルカウンタからＳＥＭへの座標変換の正確度
（誤差）を把握し、これを修正する指針が得られるよう
な機能を備えた半導体ウェーハの表面異物検査方法を提
供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体ウェーハの表面異物検査方法
は、半導体ウェーハの表面に存在する異物の大きさ、構
造、組成などを評価、検査する半導体ウェーハの表面異
物検査方法において、（１）パーティクルカウンタで検
出した異物の粗座標を、ＳＥＭで異物検査を行う際の精
座標に変換するに当たり、２個以上の異物の実測値座標
を求め、（２）前記実測値座標を用いて最小自乗法によ
り異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換におい
て予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座
標値との誤差を表示し、（３）３個目以降の異物の位置
を検出した場合、予測した座標値と、発見した座標との
誤差の表示により、この異物の正誤を判断し、それまで
に求めた精座標の誤差精度を漸次向上して行き、（４）
前記（２），（３）を繰り返すことによって精座標の誤
差精度の向上を確認しつつ、ＳＥＭによる異物の位置捕
捉を容易にすることを特徴としている。
め、本発明に係る半導体ウェーハの表面異物検査方法
は、半導体ウェーハの表面に存在する異物の大きさ、構
造、組成などを評価、検査する半導体ウェーハの表面異
物検査方法において、（１）パーティクルカウンタで検
出した異物の粗座標を、ＳＥＭで異物検査を行う際の精
座標に変換するに当たり、２個以上の異物の実測値座標
を求め、（２）前記実測値座標を用いて最小自乗法によ
り異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換におい
て予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座
標値との誤差を表示し、（３）３個目以降の異物の位置
を検出した場合、予測した座標値と、発見した座標との
誤差の表示により、この異物の正誤を判断し、それまで
に求めた精座標の誤差精度を漸次向上して行き、（４）
前記（２），（３）を繰り返すことによって精座標の誤
差精度の向上を確認しつつ、ＳＥＭによる異物の位置捕
捉を容易にすることを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態および実施例】本発明は、パーティ
クルカウンタで検出した半導体ウェーハの表面異物の粗
座標を、ＳＥＭで異物検査を行う際の精座標に変換する
際に、粗座標と精座標との誤差量を算出、表示し、この
値に基づいて誤差精度を漸次向上することによって、Ｓ
ＥＭによる異物の位置捕捉を容易にするものである。異
物が見つからない場合、現在使用している座標変換がど
の程度の正確度のものであるかを指し示す指標が存在す
れば、現在の座標変換で異物探査を続行すべきか、ある
いはマーク異物が誤りであり、立ち戻ってマーク異物の
間違いを修正すべきかの判断ができるようになり、確固
たる異物探査を行うことができる。また、各マーク異物
ごとの正確度が表示されてあれば、どのマーク異物が誤
登録されたかを推測できるようになり、上記修正作業の
方向性が判断できることになる。
クルカウンタで検出した半導体ウェーハの表面異物の粗
座標を、ＳＥＭで異物検査を行う際の精座標に変換する
際に、粗座標と精座標との誤差量を算出、表示し、この
値に基づいて誤差精度を漸次向上することによって、Ｓ
ＥＭによる異物の位置捕捉を容易にするものである。異
物が見つからない場合、現在使用している座標変換がど
の程度の正確度のものであるかを指し示す指標が存在す
れば、現在の座標変換で異物探査を続行すべきか、ある
いはマーク異物が誤りであり、立ち戻ってマーク異物の
間違いを修正すべきかの判断ができるようになり、確固
たる異物探査を行うことができる。また、各マーク異物
ごとの正確度が表示されてあれば、どのマーク異物が誤
登録されたかを推測できるようになり、上記修正作業の
方向性が判断できることになる。
【００１６】次に、本発明に係る半導体ウェーハの表面
異物検査方法の実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、パーティクルカウンタの出力座標におい
て、半導体ウェーハの中心が座標原点で、オリフラが下
向きの場合、図２は、パーティクルカウンタの出力座標
において、ｘ軸が半導体ウェーハのオリフラに接し、ｙ
軸が半導体ウェーハのエッジの左端に接している場合の
座標変換を説明する図である。
異物検査方法の実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、パーティクルカウンタの出力座標におい
て、半導体ウェーハの中心が座標原点で、オリフラが下
向きの場合、図２は、パーティクルカウンタの出力座標
において、ｘ軸が半導体ウェーハのオリフラに接し、ｙ
軸が半導体ウェーハのエッジの左端に接している場合の
座標変換を説明する図である。
【００１７】登録異物のパーティクルカウンタ出力座標
値（ｘi ，ｙi ）と、ＳＥＭ座標系で発見したときの座
標値（Ｘi ，Ｙi ）とを用いて座標変換を決定するアル
ゴリズムは既に説明した。この座標変換の正確度は、パ
ーティクルカウンタ出力座標値（ｘi ，ｙi ）からこの
座標変換を用いて予測するＳＥＭ座標系での座標位置
（Ｘi * ，Ｙi * ）と、ＳＥＭ座標系で発見したときの
座標値（Ｘi ，Ｙi ）との差（Ｘi * −Ｘi ，Ｙi * −
Ｙi ）、あるいはその絶対値ｒ＝（Ｘi * −Ｘi）2 ＋
（Ｙi * −Ｙi ）2 、またはその極座標表示（ｒ，θ）
＝｛（Ｘi * −Ｘi ）2 ＋（Ｙi * −Ｙi ）2 ，arctan
（Ｙi * −Ｙi ）／（Ｘi * −Ｘi ）｝などが考えられ
る。たとえば、座標変換のソフトウエアの中で次のよう
な表を表示し、各マーク異物ごとに上記の表示を付け加
えることによって、全体としての座標精度がどの程度
か、どのマーク異物が誤りの可能性が高いかなどを判断
することができる。
値（ｘi ，ｙi ）と、ＳＥＭ座標系で発見したときの座
標値（Ｘi ，Ｙi ）とを用いて座標変換を決定するアル
ゴリズムは既に説明した。この座標変換の正確度は、パ
ーティクルカウンタ出力座標値（ｘi ，ｙi ）からこの
座標変換を用いて予測するＳＥＭ座標系での座標位置
（Ｘi * ，Ｙi * ）と、ＳＥＭ座標系で発見したときの
座標値（Ｘi ，Ｙi ）との差（Ｘi * −Ｘi ，Ｙi * −
Ｙi ）、あるいはその絶対値ｒ＝（Ｘi * −Ｘi）2 ＋
（Ｙi * −Ｙi ）2 、またはその極座標表示（ｒ，θ）
＝｛（Ｘi * −Ｘi ）2 ＋（Ｙi * −Ｙi ）2 ，arctan
（Ｙi * −Ｙi ）／（Ｘi * −Ｘi ）｝などが考えられ
る。たとえば、座標変換のソフトウエアの中で次のよう
な表を表示し、各マーク異物ごとに上記の表示を付け加
えることによって、全体としての座標精度がどの程度
か、どのマーク異物が誤りの可能性が高いかなどを判断
することができる。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１において、第１列目は異物番号、第２
列目はマーク異物として登録するか否かを表示する欄
で、“１”と入力してあるものをマーク異物として登録
し、“０”とあるものは登録しない。第３列〜第６列は
パーティクルカウンタ出力座標値（ｘi ，ｙi ）と、Ｓ
ＥＭ座標系で発見したときの異物座標値（Ｘi ，Ｙi ）
のリストである。第７、第８列はＳＥＭ座標系での座標
予測位置（Ｘi * ，Ｙi * ）と、ＳＥＭ座標系で発見し
たときの座標値（Ｘi ，Ｙi ）との差の極座標表示
（ｒ，θ）＝｛（Ｘi * −Ｘi ）2 ＋（Ｙi * −Ｙi ）
2 ，arctan（Ｙi * −Ｙi ）／（Ｘi * −Ｘi ）｝であ
る。この第７列の数値（ｒ）からこの座標系は３４〜３
４０μｍ程度の正確度（誤差）であることが予想され、
そのうち異物番号１の誤差が最も大きいことがわかる。
そこで、異物番号１をマーク異物の登録から外してみる
と表２のように誤差が全体的に小さくなって、異物番号
１が誤っている可能性が推定できる。
列目はマーク異物として登録するか否かを表示する欄
で、“１”と入力してあるものをマーク異物として登録
し、“０”とあるものは登録しない。第３列〜第６列は
パーティクルカウンタ出力座標値（ｘi ，ｙi ）と、Ｓ
ＥＭ座標系で発見したときの異物座標値（Ｘi ，Ｙi ）
のリストである。第７、第８列はＳＥＭ座標系での座標
予測位置（Ｘi * ，Ｙi * ）と、ＳＥＭ座標系で発見し
たときの座標値（Ｘi ，Ｙi ）との差の極座標表示
（ｒ，θ）＝｛（Ｘi * −Ｘi ）2 ＋（Ｙi * −Ｙi ）
2 ，arctan（Ｙi * −Ｙi ）／（Ｘi * −Ｘi ）｝であ
る。この第７列の数値（ｒ）からこの座標系は３４〜３
４０μｍ程度の正確度（誤差）であることが予想され、
そのうち異物番号１の誤差が最も大きいことがわかる。
そこで、異物番号１をマーク異物の登録から外してみる
と表２のように誤差が全体的に小さくなって、異物番号
１が誤っている可能性が推定できる。
【００２０】
【表２】
【００２１】パーティクルカウンタの座標系（ｘ，ｙ）
とＳＥＭの座標系（Ｘ，Ｙ）との間の直交変換、すなわ
ち、
とＳＥＭの座標系（Ｘ，Ｙ）との間の直交変換、すなわ
ち、
【００２２】
【数３】
【００２３】において、パラメータα，β，θは以下の
ように決める。 （１）粗座標 半導体ウェーハ１のエッジ１ａ上に設定した３点（図１
の点Ａ，Ｂ，Ｃ）とオリフラ１ｂ上に設定した２点（図
１の点Ｄ，Ｅ）の座標値をＳＥＭで読み取ると、半導体
ウェーハの中心点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）は、
ように決める。 （１）粗座標 半導体ウェーハ１のエッジ１ａ上に設定した３点（図１
の点Ａ，Ｂ，Ｃ）とオリフラ１ｂ上に設定した２点（図
１の点Ｄ，Ｅ）の座標値をＳＥＭで読み取ると、半導体
ウェーハの中心点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）は、
【００２４】
【数４】
【００２５】で与えられる。パラメータα，β，θは下
記のようにパーティクルカウンタのデータがどのような
座標系で出力されているかによる。 （ａ）Ｄｏｗｎ Ｌｅｆｔ：図２に示すように、パーテ
ィクルカウンタの座標系のｘ軸が半導体ウェーハのオリ
フラに接し、ｙ軸が半導体ウェーハの左端に接した出力
の場合は、
記のようにパーティクルカウンタのデータがどのような
座標系で出力されているかによる。 （ａ）Ｄｏｗｎ Ｌｅｆｔ：図２に示すように、パーテ
ィクルカウンタの座標系のｘ軸が半導体ウェーハのオリ
フラに接し、ｙ軸が半導体ウェーハの左端に接した出力
の場合は、
【００２６】
【数５】
【００２７】（２）精座標 パーティクルカウンタ出力座標値（ｘi ，ｙi ）の異物
を、粗座標をたよりに探して、ＳＥＭ座標で（Ｘi ，Ｙ
i ）に発見したとする。このとき最適なα，β，θは、
を、粗座標をたよりに探して、ＳＥＭ座標で（Ｘi ，Ｙ
i ）に発見したとする。このとき最適なα，β，θは、
【００２８】
【数６】
【００２９】と決定することができる。
【００３０】上記の座標変換ソフトは、ＳＥＭでの座標
系で半導体ウェーハのエッジ３点とオリフラ２点の座標
値を登録することによって、粗座標系が使用できる。ま
た、半導体ウェーハの輪郭を示す円内に異物の位置を表
示するパーティクルマップを座標変換ソフトに組み込
み、異物位置を視覚で確認することにより、異物探索が
容易になる。異物データは半導体ウェーハの中にサイズ
によって色分けした点としてマップ上に表示される。任
意の粒子をクリックすると、粗座標、精座標によって変
換されたＳＥＭ座標での予想値が表示される。この予想
値をＳＥＭのステージコントローラから入力し、その位
置に移動する。異物を発見したらこれを登録してその発
見位置を入力する。
系で半導体ウェーハのエッジ３点とオリフラ２点の座標
値を登録することによって、粗座標系が使用できる。ま
た、半導体ウェーハの輪郭を示す円内に異物の位置を表
示するパーティクルマップを座標変換ソフトに組み込
み、異物位置を視覚で確認することにより、異物探索が
容易になる。異物データは半導体ウェーハの中にサイズ
によって色分けした点としてマップ上に表示される。任
意の粒子をクリックすると、粗座標、精座標によって変
換されたＳＥＭ座標での予想値が表示される。この予想
値をＳＥＭのステージコントローラから入力し、その位
置に移動する。異物を発見したらこれを登録してその発
見位置を入力する。
【００３１】このように、粗座標で予測しながら異物を
探し、異物を発見したら発見位置を登録していくと、こ
れが精座標のデータとなっていく。精座標を利用するに
は、最低２組のデータがあればよい。精座標では、発見
データ数が多くなればなる程その精度が向上する。
探し、異物を発見したら発見位置を登録していくと、こ
れが精座標のデータとなっていく。精座標を利用するに
は、最低２組のデータがあればよい。精座標では、発見
データ数が多くなればなる程その精度が向上する。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ーティクルカウンタの出力座標データをＳＥＭの座標デ
ータに変換して異物探索する場合、座標変換の正確度
（誤差）を算出、表示する機能を付与し、これに基づい
て座標変換の誤差精度を向上させていくので、ＳＥＭに
よる異物位置を正確に捕捉することができ、半導体ウェ
ーハの表面異物検査能率を向上することが可能となる。
ーティクルカウンタの出力座標データをＳＥＭの座標デ
ータに変換して異物探索する場合、座標変換の正確度
（誤差）を算出、表示する機能を付与し、これに基づい
て座標変換の誤差精度を向上させていくので、ＳＥＭに
よる異物位置を正確に捕捉することができ、半導体ウェ
ーハの表面異物検査能率を向上することが可能となる。
【図１】パーティクルカウンタの出力座標において、半
導体ウェーハの中心が座標原点で、オリフラが下向きの
場合の座標変換を説明する図である。
導体ウェーハの中心が座標原点で、オリフラが下向きの
場合の座標変換を説明する図である。
【図２】パーティクルカウンタの出力座標において、ｘ
軸が半導体ウェーハのオリフラに接し、ｙ軸が半導体ウ
ェーハのエッジの左端に接している場合の座標変換を説
明する図である。
軸が半導体ウェーハのオリフラに接し、ｙ軸が半導体ウ
ェーハのエッジの左端に接している場合の座標変換を説
明する図である。
【図３】パーティクルカウンタで出力可能な座標系の説
明図で、図３（ａ）はｘ軸が半導体ウェーハのオリフラ
に接し、ｙ軸が半導体ウェーハのエッジ左端に接してい
る場合、図３（ｂ）は座標原点を半導体ウェーハの中心
に設定した場合、図３（ｃ）はｘ軸が半導体ウェーハの
オリフラに接し、ｙ軸が半導体ウェーハの中心を通る場
合を示す。
明図で、図３（ａ）はｘ軸が半導体ウェーハのオリフラ
に接し、ｙ軸が半導体ウェーハのエッジ左端に接してい
る場合、図３（ｂ）は座標原点を半導体ウェーハの中心
に設定した場合、図３（ｃ）はｘ軸が半導体ウェーハの
オリフラに接し、ｙ軸が半導体ウェーハの中心を通る場
合を示す。
【図４】半導体ウェーハの中心の座標および半導体ウェ
ーハの回転角を求める場合の説明図である。
ーハの回転角を求める場合の説明図である。
１ 半導体ウェーハ １ａ エッジ １ｂ オリフラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 21/88 Ｇ０１Ｎ 21/88 Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表面に存在する異物の
大きさ、構造、組成などを評価、検査する半導体ウェー
ハの表面異物検査において、（１）パーティクルカウン
タで検出した異物の粗座標を、走査型電子顕微鏡等で異
物検査を行う際の精座標に変換するに当たり、２個以上
の異物の実測値座標を求め、（２）前記実測値座標を用
いて最小自乗法により異物の精座標を定めるとともに、
前記座標変換において予測した異物の座標値と精座標系
で発見した異物の座標値との誤差を表示し、（３）３個
目以降の異物の位置を検出した場合、予測した座標値
と、発見した座標との誤差の表示により、この異物の正
誤を判断し、それまでに求めた精座標の誤差精度を漸次
向上して行き、（４）前記（２），（３）を繰り返すこ
とによって精座標の誤差精度の向上を確認しつつ、走査
型電子顕微鏡等による異物の位置捕捉を容易にすること
を特徴とする半導体ウェーハの表面異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18120996A JPH1012686A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体ウェーハの表面異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18120996A JPH1012686A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体ウェーハの表面異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012686A true JPH1012686A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16096746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18120996A Withdrawn JPH1012686A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体ウェーハの表面異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012686A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000058690A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Sapporo Breweries Ltd. | Procede de transformation de coordonnees dans un moyen de reglage de position de dispositif d'observation, et dispositif d'observation equipe d'un moyen de transformation de coordonnees |
| KR100413021B1 (ko) * | 2000-03-18 | 2003-12-31 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 좌표 수정 장치 |
| US7009178B2 (en) | 2000-05-29 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP2007019270A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 顕微鏡を用いた欠陥観察方法および観察装置 |
| JP2007101551A (ja) * | 2006-10-23 | 2007-04-19 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| CN103366095A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 北京理工大学 | 一种基于坐标变换的最小二乘拟合信号处理方法 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP18120996A patent/JPH1012686A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000058690A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Sapporo Breweries Ltd. | Procede de transformation de coordonnees dans un moyen de reglage de position de dispositif d'observation, et dispositif d'observation equipe d'un moyen de transformation de coordonnees |
| US6489625B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-12-03 | Sapporo Breweries Ltd. | Coordinate transforming method in position setting means of observation device and observation device equipped with coordinate transforming means |
| KR100413021B1 (ko) * | 2000-03-18 | 2003-12-31 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 좌표 수정 장치 |
| US7009178B2 (en) | 2000-05-29 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7217925B2 (en) | 2000-05-29 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US7521695B2 (en) | 2000-05-29 | 2009-04-21 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP2007019270A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 顕微鏡を用いた欠陥観察方法および観察装置 |
| JP2007101551A (ja) * | 2006-10-23 | 2007-04-19 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| CN103366095A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 北京理工大学 | 一种基于坐标变换的最小二乘拟合信号处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8068662B2 (en) | Method and system for determining a defect during charged particle beam inspection of a sample | |
| JPH07181125A (ja) | ノッチが設けられたウエハの粒子解析 | |
| JPH1089931A (ja) | パターン検査方法及びその装置並びに半導体ウエハの製造方法 | |
| US9040937B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JPH07193109A (ja) | ウェーハ粒子解析に関する多重走査法 | |
| US8178837B2 (en) | Logical CAD navigation for device characteristics evaluation system | |
| JPH0555802B2 (ja) | ||
| JP4865147B2 (ja) | ディスプレイ顕微鏡画像を用いたパターン測定方法及び測定システム | |
| JP2003059984A (ja) | 欠陥データ解析方法および検査装置並びにレビューシステム | |
| KR100508993B1 (ko) | 시료의임계치수측정시스템 | |
| US6236746B1 (en) | Method to extract circuit information | |
| JP2011180136A (ja) | 基板検査装置 | |
| US6667483B2 (en) | Apparatus using charged particle beam | |
| JPH1012686A (ja) | 半導体ウェーハの表面異物検査方法 | |
| US9318395B2 (en) | Systems and methods for preparation of samples for sub-surface defect review | |
| JP4842782B2 (ja) | 欠陥レビュー方法および装置 | |
| JP4029882B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査システム | |
| JP3722757B2 (ja) | 欠陥撮像装置 | |
| US6178653B1 (en) | Probe tip locator | |
| JPH10340347A (ja) | パターン検査方法及びその装置並びに半導体ウエハの製造方法 | |
| JP2000251824A (ja) | 電子ビーム装置及びそのステージ移動位置合せ方法 | |
| US7315360B2 (en) | Surface coordinate system | |
| JP3052167B2 (ja) | 異物分析方法 | |
| WO2024100896A1 (ja) | パターン測長・欠陥検査方法、画像データ処理システム、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH0374855A (ja) | チップサイズ検出方法およびチップピッチ検出方法およびチップ配列データ自動作成方法ならびにそれを用いた半導体基板の検査方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |