JPH1012600A - 半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法 - Google Patents
半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法Info
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- JPH1012600A JPH1012600A JP8317534A JP31753496A JPH1012600A JP H1012600 A JPH1012600 A JP H1012600A JP 8317534 A JP8317534 A JP 8317534A JP 31753496 A JP31753496 A JP 31753496A JP H1012600 A JPH1012600 A JP H1012600A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い選択性と良好なプロファイルを得ること
ができる半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング
方法を提供する。 【解決手段】 複数の供給ガスをプラズマ状態に変換さ
せて供給し、上部に配置したマスキングパターン１６を
介して反応及びイオン衝突を進行させてウェーハ上のシ
リコン含有膜質１４をドライエッチングする半導体デバ
イス製造工程のプラズマエッチング方法において、シリ
コン含有膜質１４をエッチングするためにヨウ化水素Ｈ
Ｉを主エッチングガスとして供給してドライエッチング
を行うようにした。
ができる半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング
方法を提供する。 【解決手段】 複数の供給ガスをプラズマ状態に変換さ
せて供給し、上部に配置したマスキングパターン１６を
介して反応及びイオン衝突を進行させてウェーハ上のシ
リコン含有膜質１４をドライエッチングする半導体デバ
イス製造工程のプラズマエッチング方法において、シリ
コン含有膜質１４をエッチングするためにヨウ化水素Ｈ
Ｉを主エッチングガスとして供給してドライエッチング
を行うようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス製造
工程のプラズマエッチング方法に関し、さらに詳しくは
主エッチングガスとしてヨウ化水素（ＨＩ）を供給する
ことにより、ウェーハ膜質のエッチングにおける選択比
及びプロファイルを改善した半導体デバイス製造工程の
プラズマエッチング方法に関する。
工程のプラズマエッチング方法に関し、さらに詳しくは
主エッチングガスとしてヨウ化水素（ＨＩ）を供給する
ことにより、ウェーハ膜質のエッチングにおける選択比
及びプロファイルを改善した半導体デバイス製造工程の
プラズマエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業が発達するにつれて、半導体
デバイスは高容量及び高機能化を追求しており、このた
め限られた領域に一層多くの素子の集積が必要となり、
ウェーハ加工技術はパターンを極微細化及び高集積化さ
せるように研究及び開発されている。
デバイスは高容量及び高機能化を追求しており、このた
め限られた領域に一層多くの素子の集積が必要となり、
ウェーハ加工技術はパターンを極微細化及び高集積化さ
せるように研究及び開発されている。
【０００３】極微細化及び高集積化された半導体デバイ
スを具現するためのウェーハ製造工程にはドライエッチ
ング技術がよく用いられており、ドライエッチング技術
として最も一般化しているのはプラズマ応用エッチング
方法である。
スを具現するためのウェーハ製造工程にはドライエッチ
ング技術がよく用いられており、ドライエッチング技術
として最も一般化しているのはプラズマ応用エッチング
方法である。
【０００４】しかし、プラズマを用いたエッチング工程
は非常に重要であるが難しい技術であり、プラズマエッ
チング工程で優先的に考慮すべき事項はエッチングプロ
ファイル、下部膜質との選択性(Selectivity) 、エッチ
ング比(Etch Rate) 及び均一度(Uniformity)などであ
る。これらは主にエッチング装置または供給ガスの特性
によって左右され、特に均一度は多くの場合エッチング
装置の特性からの影響を強く受け、他の三つの事項は供
給ガスの特性に影響を強く受ける。
は非常に重要であるが難しい技術であり、プラズマエッ
チング工程で優先的に考慮すべき事項はエッチングプロ
ファイル、下部膜質との選択性(Selectivity) 、エッチ
ング比(Etch Rate) 及び均一度(Uniformity)などであ
る。これらは主にエッチング装置または供給ガスの特性
によって左右され、特に均一度は多くの場合エッチング
装置の特性からの影響を強く受け、他の三つの事項は供
給ガスの特性に影響を強く受ける。
【０００５】そして、最近ではパターンの極微細化及び
高集積化のための一環として、供給ガスにポリマーを形
成するガスを添加してプラズマエッチング工程を行うこ
とによりプロファイルを改善する技術が多く開発されて
いる。このようなプロファイル改善に関する技術の一例
が米国特許第 4,490,209号に開示されている。
高集積化のための一環として、供給ガスにポリマーを形
成するガスを添加してプラズマエッチング工程を行うこ
とによりプロファイルを改善する技術が多く開発されて
いる。このようなプロファイル改善に関する技術の一例
が米国特許第 4,490,209号に開示されている。
【０００６】従来のプラズマエッチング方法でシリコン
含有膜質(Layer of a Silicon-bearing Material) をエ
ッチングする場合には、その膜質の性質によってフッ素
（Ｆ）と塩素（Ｃｌ）を含有するハロゲン化合物を主エ
ッチングガスとして供給し、その他に膜質のエッチング
プロファイル及び下部膜質との選択性の改善用途または
キャリヤ(Carrier) 用途で他のガスを主エッチングガス
に混合して供給する。
含有膜質(Layer of a Silicon-bearing Material) をエ
ッチングする場合には、その膜質の性質によってフッ素
（Ｆ）と塩素（Ｃｌ）を含有するハロゲン化合物を主エ
ッチングガスとして供給し、その他に膜質のエッチング
プロファイル及び下部膜質との選択性の改善用途または
キャリヤ(Carrier) 用途で他のガスを主エッチングガス
に混合して供給する。
【０００７】混合供給されるガスはそれぞれ定められた
役割を果たし、ヘリウム（Ｈｅ）とアルゴン（Ａｒ）の
ような不活性ガスは比較的重い質量をもつことにより、
主エッチングガスのキャリヤの役割を果たすとともに衝
突(Physical Sputtering) によって膜質をエッチングす
る役割を果たし、酸素（Ｏ2 ）と窒素（Ｎ2 ）はプラズ
マ放電によってラジカル(Radical) 状態或いはイオン状
態などで存在し、エッチングされる部分に発生するポリ
マーを増加或いは減少させてプロファイルを制御する役
割を果たす。そして、臭化水素（ＨＢｒ）はプラズマ内
で解離(Dissociation)した後、Ｂｒがエッチング部分の
側壁に吸着してＳｉ―Ｂｒ系統のポリマーを形成する。
このＳｉ−Ｂｒ系統のポリマーはエッチングされた膜質
の側壁表面が塩素と反応するのを遮断して良好なプロフ
ァイルを形成させるための保護膜として作用する。
役割を果たし、ヘリウム（Ｈｅ）とアルゴン（Ａｒ）の
ような不活性ガスは比較的重い質量をもつことにより、
主エッチングガスのキャリヤの役割を果たすとともに衝
突(Physical Sputtering) によって膜質をエッチングす
る役割を果たし、酸素（Ｏ2 ）と窒素（Ｎ2 ）はプラズ
マ放電によってラジカル(Radical) 状態或いはイオン状
態などで存在し、エッチングされる部分に発生するポリ
マーを増加或いは減少させてプロファイルを制御する役
割を果たす。そして、臭化水素（ＨＢｒ）はプラズマ内
で解離(Dissociation)した後、Ｂｒがエッチング部分の
側壁に吸着してＳｉ―Ｂｒ系統のポリマーを形成する。
このＳｉ−Ｂｒ系統のポリマーはエッチングされた膜質
の側壁表面が塩素と反応するのを遮断して良好なプロフ
ァイルを形成させるための保護膜として作用する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
のＨＣｌ、Ｃｌ2 及びＨＢｒのような主エッチングガス
を用いたプラズマエッチング方法は、膜質のエッチング
された側壁のプロファイルに満足な垂直性を持たせるこ
とができないので、極微細化及び高集積度が要求される
工程には適用し難いという問題点があった。
のＨＣｌ、Ｃｌ2 及びＨＢｒのような主エッチングガス
を用いたプラズマエッチング方法は、膜質のエッチング
された側壁のプロファイルに満足な垂直性を持たせるこ
とができないので、極微細化及び高集積度が要求される
工程には適用し難いという問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、ヨウ化水素を用いてシリ
コン含有膜質のドライエッチングを行うことにより、高
い選択性と良好なプロファイルを得ることのできる半導
体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法を提供す
ることにある。
コン含有膜質のドライエッチングを行うことにより、高
い選択性と良好なプロファイルを得ることのできる半導
体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による半導体デバイス製造工程のプラズマ
エッチング方法においては、複数の供給ガスをプラズマ
状態に変換させて供給し、上部に配置したマスキングの
ためのパターンを介した反応及びイオン衝突によってウ
ェーハをドライエッチングする半導体デバイス製造工程
のプラズマエッチング方法において、シリコン含有膜質
をエッチングするためにヨウ化水素ＨＩを主エッチング
ガスとして供給して前記ドライエッチングを行うように
した。
めに、本発明による半導体デバイス製造工程のプラズマ
エッチング方法においては、複数の供給ガスをプラズマ
状態に変換させて供給し、上部に配置したマスキングの
ためのパターンを介した反応及びイオン衝突によってウ
ェーハをドライエッチングする半導体デバイス製造工程
のプラズマエッチング方法において、シリコン含有膜質
をエッチングするためにヨウ化水素ＨＩを主エッチング
ガスとして供給して前記ドライエッチングを行うように
した。
【００１１】そして、前記シリコン含有膜質として、ゲ
ート酸化膜質(Gate Oxide)、ポリシリコン(Poly Silico
n)膜質、珪化タングステン（ＷＳｉX ）膜質、珪化銀
（ＡｇＳｉX ）膜質、珪化白金（ＰｔＳｉX ）膜質、ま
たは珪化チタン（ＴｉＳｉX ）膜質のうちいずれか一つ
を使用する場合に対して本発明を適用することができ
る。
ート酸化膜質(Gate Oxide)、ポリシリコン(Poly Silico
n)膜質、珪化タングステン（ＷＳｉX ）膜質、珪化銀
（ＡｇＳｉX ）膜質、珪化白金（ＰｔＳｉX ）膜質、ま
たは珪化チタン（ＴｉＳｉX ）膜質のうちいずれか一つ
を使用する場合に対して本発明を適用することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明はウェーハ上に形成された
シリコン含有膜質に対してエッチングを行うものであ
り、シリコン含有膜質としてはポリシリコン膜質、シリ
コン酸化膜質、珪化タングステン（ＷＳｉX ）膜質、珪
化銀（ＡｇＳｉX ）膜質、または珪化チタン（ＴｉＳｉ
X ）膜質が含まれる。このような膜質をエッチングする
ために、各膜質の特性によって主エッチングガスのヨウ
化水素ＨＩとこれに混合される添加ガスとを適切に選択
することにより、ドライエッチングのための各実施例が
成されることができる。
シリコン含有膜質に対してエッチングを行うものであ
り、シリコン含有膜質としてはポリシリコン膜質、シリ
コン酸化膜質、珪化タングステン（ＷＳｉX ）膜質、珪
化銀（ＡｇＳｉX ）膜質、または珪化チタン（ＴｉＳｉ
X ）膜質が含まれる。このような膜質をエッチングする
ために、各膜質の特性によって主エッチングガスのヨウ
化水素ＨＩとこれに混合される添加ガスとを適切に選択
することにより、ドライエッチングのための各実施例が
成されることができる。
【００１３】まず、図１を参照してポリシリコン膜質に
対して適用された一実施例を説明する。
対して適用された一実施例を説明する。
【００１４】図１を参照すると、ウェーハには基層１
０、シリコン酸化膜質１２、ポリシリコン膜質１４及び
マスキングのためのフォトレジスト膜質(Photoresist L
ayer)１６が順次積層されている。基層１０はウェーハ
を成す単結晶シリコン成分であり、シリコン酸化膜質１
２は数百Å程度の厚さで基層１０上に形成されており、
ポリシリコン膜質１４は数千Å程度の厚さでトランジス
タのゲートを形成させるために蒸着されており、フォト
レジスト膜質１６はポリシリコン膜質１４のエッチング
しない部分をマスキングするために塗布されたものであ
る。
０、シリコン酸化膜質１２、ポリシリコン膜質１４及び
マスキングのためのフォトレジスト膜質(Photoresist L
ayer)１６が順次積層されている。基層１０はウェーハ
を成す単結晶シリコン成分であり、シリコン酸化膜質１
２は数百Å程度の厚さで基層１０上に形成されており、
ポリシリコン膜質１４は数千Å程度の厚さでトランジス
タのゲートを形成させるために蒸着されており、フォト
レジスト膜質１６はポリシリコン膜質１４のエッチング
しない部分をマスキングするために塗布されたものであ
る。
【００１５】前述したように、プラズマエッチング装置
の環境をセットした後、主エッチングガスとしてヨウ化
水素を供給し、添加ガスとして側壁保護のためのポリマ
ーを形成させるための臭化メタンのようなガスを供給す
る。そして、他の添加ガスとしてプロファイルコントロ
ールのために酸素（または窒素）が供給され、キャリヤ
用途で不活性ガス（ＡｒまたはＨｅ）のうちアルゴンＡ
ｒが供給される。
の環境をセットした後、主エッチングガスとしてヨウ化
水素を供給し、添加ガスとして側壁保護のためのポリマ
ーを形成させるための臭化メタンのようなガスを供給す
る。そして、他の添加ガスとしてプロファイルコントロ
ールのために酸素（または窒素）が供給され、キャリヤ
用途で不活性ガス（ＡｒまたはＨｅ）のうちアルゴンＡ
ｒが供給される。
【００１６】前記した各ガス（ヨウ化水素、臭化メタ
ン、Ｏ2 及びＡｒなど）は供給後印加される高周波によ
ってプラズマ状態の中間体に変換し、不活性ガスは解離
して活性化される。プラズマ状態の活性化された成分は
フォトレジスト膜質１６によってマスキングされていな
いポリシリコン膜質１４の表面と反応する。活性化され
たヨウ素は活性化されたキャリヤガスのアルゴンに乗っ
てポリシリコン膜質１４の表面に移動し、ポリシリコン
膜質１４の表面に含まれるシリコンＳｉ成分と結合する
ことによりヨウ化珪素ＳｉＩが生成して固着し、それに
よりポリシリコンがエッチングされる。そして、プラズ
マで活性化された臭素はポリシリコン膜質１４の表面に
含まれるシリコンＳｉ成分と結合してポリマーのＳｉ−
Ｂｒを形成しながら表面に固着する。即ち、ウェーハ上
のポリシリコン膜質１４は前述した過程によって生成さ
れるＳｉＩとＳｉＢｒの形成によってエッチングされ、
ポリシリコン膜質１４がエッチングされるに従ってエッ
チングされる表面に不純物が吸着または形成される。
ン、Ｏ2 及びＡｒなど）は供給後印加される高周波によ
ってプラズマ状態の中間体に変換し、不活性ガスは解離
して活性化される。プラズマ状態の活性化された成分は
フォトレジスト膜質１６によってマスキングされていな
いポリシリコン膜質１４の表面と反応する。活性化され
たヨウ素は活性化されたキャリヤガスのアルゴンに乗っ
てポリシリコン膜質１４の表面に移動し、ポリシリコン
膜質１４の表面に含まれるシリコンＳｉ成分と結合する
ことによりヨウ化珪素ＳｉＩが生成して固着し、それに
よりポリシリコンがエッチングされる。そして、プラズ
マで活性化された臭素はポリシリコン膜質１４の表面に
含まれるシリコンＳｉ成分と結合してポリマーのＳｉ−
Ｂｒを形成しながら表面に固着する。即ち、ウェーハ上
のポリシリコン膜質１４は前述した過程によって生成さ
れるＳｉＩとＳｉＢｒの形成によってエッチングされ、
ポリシリコン膜質１４がエッチングされるに従ってエッ
チングされる表面に不純物が吸着または形成される。
【００１７】ポリマーはエッチングされるポリシリコン
膜質１４のプロファイル表面の上、即ち側面または底面
に形成されうる。側面に形成されるポリマー１８はポリ
シリコン膜質１４の表面に含まれたシリコンとプラズマ
状態のヨウ素との反応を遮断して側壁のプロファイルが
垂直性をもつようにする。そして、プロファイルの側壁
垂直性がポリマー１８によって確保されることにより、
側壁の過エッチングまたは非正常的なプロファイル形成
となるエッチングを防止することができる。底面に形成
されたポリマーはポリシリコン膜質１４の表面に含まれ
たシリコンとプラズマ状態の塩素との反応を遮断してエ
ッチングを妨害する要素として作用する。しかし、底面
のポリマーは活性化されたアルゴンの衝突によって除去
されるので、エッチングの進行に影響を与えない。
膜質１４のプロファイル表面の上、即ち側面または底面
に形成されうる。側面に形成されるポリマー１８はポリ
シリコン膜質１４の表面に含まれたシリコンとプラズマ
状態のヨウ素との反応を遮断して側壁のプロファイルが
垂直性をもつようにする。そして、プロファイルの側壁
垂直性がポリマー１８によって確保されることにより、
側壁の過エッチングまたは非正常的なプロファイル形成
となるエッチングを防止することができる。底面に形成
されたポリマーはポリシリコン膜質１４の表面に含まれ
たシリコンとプラズマ状態の塩素との反応を遮断してエ
ッチングを妨害する要素として作用する。しかし、底面
のポリマーは活性化されたアルゴンの衝突によって除去
されるので、エッチングの進行に影響を与えない。
【００１８】前述したように、エッチング過程の進行中
におけるプラズマエッチングのためのアルゴンの衝突
は、ポリシリコン膜質１４にのみ行われるのではなく、
マスキングのためのフォトレジスト膜質１６の表面にも
行われる。このとき、フォトレジストにはカーボン
（Ｃ）成分が含まれており、アルゴンの衝突によってカ
ーボン成分が放散される。カーボン成分は酸素に対し親
和力をもっているので、ポリシリコン膜質１４の下部が
図１のようにシリコン酸化膜質１２からなる場合、エッ
チング程度によってカーボンはポリシリコン１４の下部
膜質であるシリコン酸化膜質１２に含まれる酸素と結合
しようとする。従って、シリコン酸化膜の酸素とカーボ
ンが結合すると、シリコン酸化膜質１２に対してもエッ
チングが行われるので、エッチングの層間選択性が低下
する。本実施例ではこれを防止するために、酸素Ｏ2 ガ
スまたは窒素Ｎ2 ガスを供給する。そうすると、酸素ま
たは窒素はプラズマ状態になってラジカル(Radical)
（Ｏ、Ｎ）状態またはイオン状態（Ｏ2 + 、Ｎ2 + ）に変
換し、これらは炭素と結合して一酸化炭素（ＣＯ）及び
二酸化炭素（ＣＯ2 ）、または一酸化窒素（ＮＯ）及び
二酸化窒素（ＮＯ2 ）となる。従って、酸素ガスまたは
窒素ガスの供給はエッチング過程で発生したカーボン成
分によって層間選択性が低下するのを防止することがで
きる。
におけるプラズマエッチングのためのアルゴンの衝突
は、ポリシリコン膜質１４にのみ行われるのではなく、
マスキングのためのフォトレジスト膜質１６の表面にも
行われる。このとき、フォトレジストにはカーボン
（Ｃ）成分が含まれており、アルゴンの衝突によってカ
ーボン成分が放散される。カーボン成分は酸素に対し親
和力をもっているので、ポリシリコン膜質１４の下部が
図１のようにシリコン酸化膜質１２からなる場合、エッ
チング程度によってカーボンはポリシリコン１４の下部
膜質であるシリコン酸化膜質１２に含まれる酸素と結合
しようとする。従って、シリコン酸化膜の酸素とカーボ
ンが結合すると、シリコン酸化膜質１２に対してもエッ
チングが行われるので、エッチングの層間選択性が低下
する。本実施例ではこれを防止するために、酸素Ｏ2 ガ
スまたは窒素Ｎ2 ガスを供給する。そうすると、酸素ま
たは窒素はプラズマ状態になってラジカル(Radical)
（Ｏ、Ｎ）状態またはイオン状態（Ｏ2 + 、Ｎ2 + ）に変
換し、これらは炭素と結合して一酸化炭素（ＣＯ）及び
二酸化炭素（ＣＯ2 ）、または一酸化窒素（ＮＯ）及び
二酸化窒素（ＮＯ2 ）となる。従って、酸素ガスまたは
窒素ガスの供給はエッチング過程で発生したカーボン成
分によって層間選択性が低下するのを防止することがで
きる。
【００１９】本発明の前述した実施例によってウェーハ
をエッチングすると、面が滑らかな直線を保持しながら
側壁が垂直に形成されて、全体的なプロファイルが長方
形に形成される。そして、ヨウ化水素は塩化水素、塩素
または臭化水素に比べて相対的に結合エネルギーが少な
くて、塩化水素、塩素または臭化水素を用いた従来のエ
ッチングに比較して、下部膜質に対し高選択比を提供す
る。従って、本発明による一実施例はエッチングされた
面が滑らかであり且つプロファイルの垂直性を提供する
ので、高集積及び超微細パターンの形成が容易である。
このため、本発明はウェーハのドライエッチングにおけ
る線幅調節、プロファイル、選択比が良好になり、それ
により下部膜質におけるピッチング(Pitting) を防止す
ることができる。
をエッチングすると、面が滑らかな直線を保持しながら
側壁が垂直に形成されて、全体的なプロファイルが長方
形に形成される。そして、ヨウ化水素は塩化水素、塩素
または臭化水素に比べて相対的に結合エネルギーが少な
くて、塩化水素、塩素または臭化水素を用いた従来のエ
ッチングに比較して、下部膜質に対し高選択比を提供す
る。従って、本発明による一実施例はエッチングされた
面が滑らかであり且つプロファイルの垂直性を提供する
ので、高集積及び超微細パターンの形成が容易である。
このため、本発明はウェーハのドライエッチングにおけ
る線幅調節、プロファイル、選択比が良好になり、それ
により下部膜質におけるピッチング(Pitting) を防止す
ることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は極微細及び超集積の仕様が要求
される半導体デバイスの製造に充分利用できる程度の良
好なプロファイルの形態がなされるので、半導体デバイ
スの高容量及び高機能化を可能にする効果がある。
される半導体デバイスの製造に充分利用できる程度の良
好なプロファイルの形態がなされるので、半導体デバイ
スの高容量及び高機能化を可能にする効果がある。
【図１】本発明による半導体デバイス製造工程のプラズ
マエッチング方法の実施例を説明するためのウェーハ上
の膜質の断面図である。
マエッチング方法の実施例を説明するためのウェーハ上
の膜質の断面図である。
１０ 基層 １２ シリコン酸化膜質 １４ ポリシリコン膜質 １６ フォトレジスト膜質 １８ ポリマー
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の供給ガスをプラズマ状態に変換さ
せて供給し、上部に配置したマスキングパターンを介し
て反応及びイオン衝突を進行させてウェーハをドライエ
ッチングする半導体デバイス製造工程のプラズマエッチ
ング方法において、 シリコン含有膜質をエッチングするためにヨウ化水素を
主エッチングガスとして供給して前記ドライエッチング
を行うようにしたことを特徴とするプラズマエッチング
方法。 - 【請求項２】 前記シリコン含有膜質が、ゲート酸化膜
質、ポリシリコン膜質、珪化タングステン（ＷＳｉX ）
膜質、珪化銀（ＡｇＳｉX ）膜質、珪化白金（ＰｔＳｉ
X ）膜質、または珪化チタン（ＴｉＳｉX ）膜質のいず
れかである、請求項１に記載のプラズマエッチング方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960021026A KR980005793A (ko) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법 |
| KR1996-21026 | 1996-06-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012600A true JPH1012600A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=19461604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8317534A Pending JPH1012600A (ja) | 1996-06-12 | 1996-11-28 | 半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012600A (ja) |
| KR (1) | KR980005793A (ja) |
| CN (1) | CN1168535A (ja) |
| DE (1) | DE19654178A1 (ja) |
| GB (1) | GB2314207A (ja) |
| TW (1) | TW327243B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007065689A (ja) * | 2006-11-15 | 2007-03-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
| US7224038B2 (en) | 2000-11-13 | 2007-05-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having element isolation trench and method of fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10240230B2 (en) * | 2012-12-18 | 2019-03-26 | Seastar Chemicals Inc. | Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316207A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Sony Corp | 配線形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3752259T2 (de) * | 1986-12-19 | 1999-10-14 | Applied Materials | Bromine-Ätzverfahren für Silizium |
| JP2673380B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1997-11-05 | 三菱電機株式会社 | プラズマエッチングの方法 |
| DE4107006A1 (de) * | 1991-03-05 | 1992-09-10 | Siemens Ag | Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen |
| US5304775A (en) * | 1991-06-06 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of etching a wafer having high anisotropy with a plasma gas containing halogens and in inert element |
| JP3200949B2 (ja) * | 1992-03-28 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3118946B2 (ja) * | 1992-03-28 | 2000-12-18 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1996
- 1996-06-12 KR KR1019960021026A patent/KR980005793A/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-28 JP JP8317534A patent/JPH1012600A/ja active Pending
- 1996-12-23 DE DE19654178A patent/DE19654178A1/de not_active Ceased
- 1996-12-24 CN CN96123965A patent/CN1168535A/zh active Pending
-
1997
- 1997-01-14 GB GB9700655A patent/GB2314207A/en not_active Withdrawn
- 1997-03-14 TW TW086103170A patent/TW327243B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316207A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Sony Corp | 配線形成方法 |
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| US7224038B2 (en) | 2000-11-13 | 2007-05-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having element isolation trench and method of fabricating the same |
| JP2007065689A (ja) * | 2006-11-15 | 2007-03-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
| JP4593551B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2010-12-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005793A (ko) | 1998-03-30 |
| DE19654178A1 (de) | 1997-12-18 |
| TW327243B (en) | 1998-02-21 |
| GB9700655D0 (en) | 1997-03-05 |
| CN1168535A (zh) | 1997-12-24 |
| GB2314207A (en) | 1997-12-17 |
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