JPH10125948A - 半導体受光素子及びその作製用のマスク - Google Patents
半導体受光素子及びその作製用のマスクInfo
- Publication number
- JPH10125948A JPH10125948A JP8277770A JP27777096A JPH10125948A JP H10125948 A JPH10125948 A JP H10125948A JP 8277770 A JP8277770 A JP 8277770A JP 27777096 A JP27777096 A JP 27777096A JP H10125948 A JPH10125948 A JP H10125948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導波路形の半導体受光素子において大きい光
入射パワーに対しても素子破壊の起きにくい高耐入力の
半導体受光素子を提供する。 【解決手段】 光吸収層１５を有する導波形の半導体受
光素子において、光吸収層１５の相対向する両側に光ガ
イド層１４、１６を設けるとともに、光吸収層１５が光
入射端面１１に向かって徐徐に薄くなるように構成する
ことにより、光吸収層１５の光入射端面１１における光
閉じ込め量を小さくして光吸収量を低減したものであ
る。
入射パワーに対しても素子破壊の起きにくい高耐入力の
半導体受光素子を提供する。 【解決手段】 光吸収層１５を有する導波形の半導体受
光素子において、光吸収層１５の相対向する両側に光ガ
イド層１４、１６を設けるとともに、光吸収層１５が光
入射端面１１に向かって徐徐に薄くなるように構成する
ことにより、光吸収層１５の光入射端面１１における光
閉じ込め量を小さくして光吸収量を低減したものであ
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体受光素子及び
その作製用のマスクに関し、特に半導体集積デバイスに
用いて有用なものである。 【０００２】 【従来の技術】従来技術に係る導波路形の半導体受光素
子を図４に示す。同図において、２１は光入射端面、２
２はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層、２３はｐ−Ｉｎ
Ｐ層、２４はｐ−ＩｎＧａＡｓＰの光ガイド層（バンド
ギャップ波長：１．３μｍ）、２５はアンドープまたは
ｎ−ＩｎＧａＡｓの光吸収層、２６はｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐの光ガイド層（バンドギャップ波長：１．３μｍ）、
２７はｎ−ＩｎＰ基板、２８はオーミックｐ電極、２９
はオーミックｎ電極である。この半導体受光素子におい
て光吸収層２５及び光ガイド層２４、２６は均一な層厚
に構成してある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記半導体受光素子に
おいて入射端面２１から入射した光は、進行方向に進む
につれ指数関数的に吸収されて減衰していくので、入射
端面２１での吸収量が最も多い。したがって発生キャリ
アも入射端面２１の近傍で最も多く、入射光量を増大し
た時、入射端面２１で最も吸収量が多くなる。このため
入射光を増大した時、入射端面２１の近傍で大量にキャ
リアが発生し、素子破壊が起きてしまうという問題があ
った。 【０００４】本発明は、上記従来技術に鑑み、導波路形
の半導体受光素子において大きい光入射パワーに対して
も素子破壊の起きにくい高耐入力の半導体受光素子及び
その作製用のマスクを提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は次の点を特徴とする。 【０００６】１） 光吸収層として作用する半導体層を
有する導波形の半導体受光素子において、上記半導体層
の片側または相対向する両側に光のガイドをするための
半導体層を設けるとともに、この半導体層を第１導電形
の半導体層と第２導電形の半導体層によって挟んだ構造
とし、さらに上記光吸収層として作用する半導体層の層
厚を光入射端に向かって徐徐に薄くなるように構成した
こと。 【０００７】２） １）の光吸収層として作用する半導
体層を作製するための半導体受光素子作製用のマスクで
あって、矩形の凹部を有し、その底部で厚く且つその開
口部で薄くなるように上記光吸収層として作用する半導
体層を成長させること。 【０００８】３） １）の光吸収層として作用する半導
体層を作製するための半導体受光素子作製用のマスクで
あって、直線とこれに対して傾斜する傾斜直線とを相対
向する辺として有する第１の台形と、同形状の第２の台
形とを上記直線同志が平行になるように線対称に配設
し、両直線間に上記光吸収層として作用する半導体層を
成長させるように構成したこと。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に
基づき詳細に説明する。本形態は導波路形の半導体受光
素子において、図１に示すように、光吸収層として作用
する半導体層である光吸収層１５が光入射端面１１に向
かって徐徐に薄くなっていることを特徴とする。従来構
造では、光導波路層の光吸収層２５（図２参照）の層厚
が入射端面２１（図２参照）より奥まで均一であり、こ
のため光入射端面２１の近傍での光吸収量が最も多くな
る結果、この入射端面２１における発生キャリア数も最
も多く光吸収直後のキャリアに大きな分布があった。本
形態では光吸収層１５が光導波路方向で均一でなく、入
射端面に向かって薄くなっている点が従来構造と異な
る。 【００１０】光吸収層１５の相対向する両側（図１では
上下両側）には光のガイドを行うための半導体層である
光ガイド層１４、１６が設けてある。光ガイド層１４、
１６は第１導電形の半導体層であるコンタクト層１２及
びｐ−ＩｎＰ層１３と第２導電形の半導体層である基板
１７によって挟んだ構造となっている。コンタクト層１
２及び基板１７の表面には電極１８、１９が設けてあ
る。 【００１１】光吸収量は光電界の光吸収層１５への閉じ
込め量に比例する。このため光吸収層１５が薄くなると
光閉じ込め量も小さくなり光吸収量が減少する。本形態
においては入射端面１１に向かって光吸収層１５が徐徐
に薄くなっているため、光の吸収量が光入射端面１１で
従来に比べ数分の一以下に低減される。この結果光入射
端面１１の近傍での発生キャリア数は小さく、光吸収直
後のキャリアの分布も小さくなり、破壊に至る光入射パ
ワーが著しく向上する。 【００１２】また光吸収層１５が光入射端面１１で薄く
なると（例えば０．１μｍ程度）、導波モードの垂直方
向のスポットサイズが小さくなり入射光とのスポットサ
イズの相違が大きくなるので、結合効率が低下して受光
感度が低下するが、上述の如く光ガイド層１４、１６を
設けることにより導波モードの垂直方向のスポットサイ
ズを大きくすることができる。このため受光感度を犠牲
にすることなく高い入射光耐性を持たせることができ
る。 【００１３】なお上記実施の形態では光吸収層１５の相
対向する両側に光ガイド層１４、１６を設けたが、この
光ガイド層１４、１６は何れか一方であっても良い。こ
の場合も同様の効果を得る。 【００１４】＜実施例＞図１に示す半導体受光素子をさ
らに具体的に説明すると次の通りである。同図におい
て、１１は光入射端面、１２は０．２μｍ厚のｐ+ −Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層、１３は０．５μｍ厚のｐ−Ｉ
ｎＰ層、１４は０．６μｍ厚のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ（バ
ンドギャップ波長：１．３μｍ）の光ガイド層、１５は
光入射端面１１側で０．１μｍ厚且つその反対側である
光出射端面側で０．５μｍ厚のアンドープまたはｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓの光吸収層、１６は０．６μｍ厚のｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長：１．３μｍ）の光ガ
イド層、１７はｎ−ＩｎＰ基板、１８はオーミックｐ電
極、１９はオーミックｎ電極である。また当該半導体受
光素子の幅は１０μｍで長さは５０μｍとした。このと
きｎ−ＩｎＰ基板１７としてｐ−ＩｎＰ基板を用いて
も、上記のｎとｐを逆にすれば同様に製作可能であり、
また半絶縁性の基板を用いても同様に製作可能である。
さらにＧａＡｓ等、他の基板にも同様に適用可能であ
る。また、ＩｎＧａＡｓＰ系以外のＩｎＧａＡｌＡｓ系
やＡｌＧａＡｓ系などの材料系や歪を内在するような材
料系でも同様の効果がある。 【００１５】上記実施例における光吸収層１５は、図２
に示すような絶縁膜をマスク３１としたＭＯＶＰＥ法に
よる選択成長法を用いて形成した。この場合、凹部３１
ａの底部３１ｂの層厚が厚く成長し、この底部３１ｂか
ら離れるにつれ薄くなり、開口部３１ｃで最も薄くな
る。かくして光吸収層１５の光入射端面１１側が薄く反
対側が厚くなるようなテーパ形状とすることができる。 【００１６】上述の場合は光吸収層１５のみを選択成長
法を利用して成長させているが、光吸収層１５を含む上
記多層半導体層の一部分あるいは全部を選択成長法を利
用して成長させても良い。 【００１７】選択成長マスクとしては、他にも図３
（ａ）に示すような矩形のものや、図３（ｂ）に示すよ
うに２つの台形の間の層厚変化を利用するもの等、種々
のものが考えられる。図３（ａ）に示すマスク４０は矩
形のエッジ部で最も厚く、エッジ部から離れるにつれ徐
徐に薄くなる光吸収層１５が作製できる。図３（ｂ）に
示すマスク５０は、直線５０ｃとこれに対して傾斜する
傾斜直線５０ｄとを相対向する辺として有する第１の台
形５０ａと、同形状の第２の台形５０ｂとを上記直線５
０ｃ、５０ｅが平行になるように線対称に配設し、両直
線５０ｃ、５０ｅ間に上記光吸収層１５を成長させるよ
うに構成したものである。この場合光吸収層１５は図３
（ｂ）の左側が厚く、右側に行くに連れ薄くなる。 【００１８】上記実施例では結晶成長にＭＯＶＰＥ法を
用いた例を示したが、それ以外の成長法を用いても同じ
効果がある。本発明により製作した半導体受光素子は光
入力１０ｍＷ以上でも素子破壊はおきないが、光吸収層
厚２５が０．５μｍ厚で均一の従来技術に係る半導体受
光素子では光入力５ｍＷ以下で素子破壊が起きた。 【００１９】 【発明の効果】以上実施の形態とともに詳細に説明した
ように本発明は、導波路形の半導体受光素子において、
光吸収層が光入射端面に向かって徐徐に薄くなっている
ため、光の吸収量が光入射端面で従来構造のものに比べ
数分の１以下に低減される。このため、光入射端面近傍
での発生キャリア数も少なく、破壊に至る光入射パワー
が著しく向上する。かかる光吸収層は、例えば凹部を有
するマスク及び２枚の台形形状のマスクを用いることに
より容易に形成することができる。
その作製用のマスクに関し、特に半導体集積デバイスに
用いて有用なものである。 【０００２】 【従来の技術】従来技術に係る導波路形の半導体受光素
子を図４に示す。同図において、２１は光入射端面、２
２はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層、２３はｐ−Ｉｎ
Ｐ層、２４はｐ−ＩｎＧａＡｓＰの光ガイド層（バンド
ギャップ波長：１．３μｍ）、２５はアンドープまたは
ｎ−ＩｎＧａＡｓの光吸収層、２６はｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐの光ガイド層（バンドギャップ波長：１．３μｍ）、
２７はｎ−ＩｎＰ基板、２８はオーミックｐ電極、２９
はオーミックｎ電極である。この半導体受光素子におい
て光吸収層２５及び光ガイド層２４、２６は均一な層厚
に構成してある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記半導体受光素子に
おいて入射端面２１から入射した光は、進行方向に進む
につれ指数関数的に吸収されて減衰していくので、入射
端面２１での吸収量が最も多い。したがって発生キャリ
アも入射端面２１の近傍で最も多く、入射光量を増大し
た時、入射端面２１で最も吸収量が多くなる。このため
入射光を増大した時、入射端面２１の近傍で大量にキャ
リアが発生し、素子破壊が起きてしまうという問題があ
った。 【０００４】本発明は、上記従来技術に鑑み、導波路形
の半導体受光素子において大きい光入射パワーに対して
も素子破壊の起きにくい高耐入力の半導体受光素子及び
その作製用のマスクを提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は次の点を特徴とする。 【０００６】１） 光吸収層として作用する半導体層を
有する導波形の半導体受光素子において、上記半導体層
の片側または相対向する両側に光のガイドをするための
半導体層を設けるとともに、この半導体層を第１導電形
の半導体層と第２導電形の半導体層によって挟んだ構造
とし、さらに上記光吸収層として作用する半導体層の層
厚を光入射端に向かって徐徐に薄くなるように構成した
こと。 【０００７】２） １）の光吸収層として作用する半導
体層を作製するための半導体受光素子作製用のマスクで
あって、矩形の凹部を有し、その底部で厚く且つその開
口部で薄くなるように上記光吸収層として作用する半導
体層を成長させること。 【０００８】３） １）の光吸収層として作用する半導
体層を作製するための半導体受光素子作製用のマスクで
あって、直線とこれに対して傾斜する傾斜直線とを相対
向する辺として有する第１の台形と、同形状の第２の台
形とを上記直線同志が平行になるように線対称に配設
し、両直線間に上記光吸収層として作用する半導体層を
成長させるように構成したこと。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に
基づき詳細に説明する。本形態は導波路形の半導体受光
素子において、図１に示すように、光吸収層として作用
する半導体層である光吸収層１５が光入射端面１１に向
かって徐徐に薄くなっていることを特徴とする。従来構
造では、光導波路層の光吸収層２５（図２参照）の層厚
が入射端面２１（図２参照）より奥まで均一であり、こ
のため光入射端面２１の近傍での光吸収量が最も多くな
る結果、この入射端面２１における発生キャリア数も最
も多く光吸収直後のキャリアに大きな分布があった。本
形態では光吸収層１５が光導波路方向で均一でなく、入
射端面に向かって薄くなっている点が従来構造と異な
る。 【００１０】光吸収層１５の相対向する両側（図１では
上下両側）には光のガイドを行うための半導体層である
光ガイド層１４、１６が設けてある。光ガイド層１４、
１６は第１導電形の半導体層であるコンタクト層１２及
びｐ−ＩｎＰ層１３と第２導電形の半導体層である基板
１７によって挟んだ構造となっている。コンタクト層１
２及び基板１７の表面には電極１８、１９が設けてあ
る。 【００１１】光吸収量は光電界の光吸収層１５への閉じ
込め量に比例する。このため光吸収層１５が薄くなると
光閉じ込め量も小さくなり光吸収量が減少する。本形態
においては入射端面１１に向かって光吸収層１５が徐徐
に薄くなっているため、光の吸収量が光入射端面１１で
従来に比べ数分の一以下に低減される。この結果光入射
端面１１の近傍での発生キャリア数は小さく、光吸収直
後のキャリアの分布も小さくなり、破壊に至る光入射パ
ワーが著しく向上する。 【００１２】また光吸収層１５が光入射端面１１で薄く
なると（例えば０．１μｍ程度）、導波モードの垂直方
向のスポットサイズが小さくなり入射光とのスポットサ
イズの相違が大きくなるので、結合効率が低下して受光
感度が低下するが、上述の如く光ガイド層１４、１６を
設けることにより導波モードの垂直方向のスポットサイ
ズを大きくすることができる。このため受光感度を犠牲
にすることなく高い入射光耐性を持たせることができ
る。 【００１３】なお上記実施の形態では光吸収層１５の相
対向する両側に光ガイド層１４、１６を設けたが、この
光ガイド層１４、１６は何れか一方であっても良い。こ
の場合も同様の効果を得る。 【００１４】＜実施例＞図１に示す半導体受光素子をさ
らに具体的に説明すると次の通りである。同図におい
て、１１は光入射端面、１２は０．２μｍ厚のｐ+ −Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層、１３は０．５μｍ厚のｐ−Ｉ
ｎＰ層、１４は０．６μｍ厚のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ（バ
ンドギャップ波長：１．３μｍ）の光ガイド層、１５は
光入射端面１１側で０．１μｍ厚且つその反対側である
光出射端面側で０．５μｍ厚のアンドープまたはｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓの光吸収層、１６は０．６μｍ厚のｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長：１．３μｍ）の光ガ
イド層、１７はｎ−ＩｎＰ基板、１８はオーミックｐ電
極、１９はオーミックｎ電極である。また当該半導体受
光素子の幅は１０μｍで長さは５０μｍとした。このと
きｎ−ＩｎＰ基板１７としてｐ−ＩｎＰ基板を用いて
も、上記のｎとｐを逆にすれば同様に製作可能であり、
また半絶縁性の基板を用いても同様に製作可能である。
さらにＧａＡｓ等、他の基板にも同様に適用可能であ
る。また、ＩｎＧａＡｓＰ系以外のＩｎＧａＡｌＡｓ系
やＡｌＧａＡｓ系などの材料系や歪を内在するような材
料系でも同様の効果がある。 【００１５】上記実施例における光吸収層１５は、図２
に示すような絶縁膜をマスク３１としたＭＯＶＰＥ法に
よる選択成長法を用いて形成した。この場合、凹部３１
ａの底部３１ｂの層厚が厚く成長し、この底部３１ｂか
ら離れるにつれ薄くなり、開口部３１ｃで最も薄くな
る。かくして光吸収層１５の光入射端面１１側が薄く反
対側が厚くなるようなテーパ形状とすることができる。 【００１６】上述の場合は光吸収層１５のみを選択成長
法を利用して成長させているが、光吸収層１５を含む上
記多層半導体層の一部分あるいは全部を選択成長法を利
用して成長させても良い。 【００１７】選択成長マスクとしては、他にも図３
（ａ）に示すような矩形のものや、図３（ｂ）に示すよ
うに２つの台形の間の層厚変化を利用するもの等、種々
のものが考えられる。図３（ａ）に示すマスク４０は矩
形のエッジ部で最も厚く、エッジ部から離れるにつれ徐
徐に薄くなる光吸収層１５が作製できる。図３（ｂ）に
示すマスク５０は、直線５０ｃとこれに対して傾斜する
傾斜直線５０ｄとを相対向する辺として有する第１の台
形５０ａと、同形状の第２の台形５０ｂとを上記直線５
０ｃ、５０ｅが平行になるように線対称に配設し、両直
線５０ｃ、５０ｅ間に上記光吸収層１５を成長させるよ
うに構成したものである。この場合光吸収層１５は図３
（ｂ）の左側が厚く、右側に行くに連れ薄くなる。 【００１８】上記実施例では結晶成長にＭＯＶＰＥ法を
用いた例を示したが、それ以外の成長法を用いても同じ
効果がある。本発明により製作した半導体受光素子は光
入力１０ｍＷ以上でも素子破壊はおきないが、光吸収層
厚２５が０．５μｍ厚で均一の従来技術に係る半導体受
光素子では光入力５ｍＷ以下で素子破壊が起きた。 【００１９】 【発明の効果】以上実施の形態とともに詳細に説明した
ように本発明は、導波路形の半導体受光素子において、
光吸収層が光入射端面に向かって徐徐に薄くなっている
ため、光の吸収量が光入射端面で従来構造のものに比べ
数分の１以下に低減される。このため、光入射端面近傍
での発生キャリア数も少なく、破壊に至る光入射パワー
が著しく向上する。かかる光吸収層は、例えば凹部を有
するマスク及び２枚の台形形状のマスクを用いることに
より容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体光受光素子を
概念的に示す説明図である。 【図２】上記実施の形態に係る素子を作製するために用
いた選択成長用のマスクを示す説明図である。 【図３】上記実施の形態に係る素子を作製するために用
いた選択成長用の他のマスクを示す説明図である。 【図４】従来技術に係る半導体光受光素子を示す説明図
である。 【符号の説明】 １１ 光入射端面 １２ コンタクト層 １３ ｐ−ＩｎＰ層 １４ 光ガイド層 １５ 光吸収層 １６ 光ガイド層 １７ 基板 １８ 電極 １９ 電極
概念的に示す説明図である。 【図２】上記実施の形態に係る素子を作製するために用
いた選択成長用のマスクを示す説明図である。 【図３】上記実施の形態に係る素子を作製するために用
いた選択成長用の他のマスクを示す説明図である。 【図４】従来技術に係る半導体光受光素子を示す説明図
である。 【符号の説明】 １１ 光入射端面 １２ コンタクト層 １３ ｐ−ＩｎＰ層 １４ 光ガイド層 １５ 光吸収層 １６ 光ガイド層 １７ 基板 １８ 電極 １９ 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 光吸収層として作用する半導体層を有す
る導波形の半導体受光素子において、 上記半導体層の片側または相対向する両側に光のガイド
をするための半導体層を設けるとともに、この半導体層
を第１導電形の半導体層と第２導電形の半導体層によっ
て挟んだ構造とし、 さらに上記光吸収層として作用する半導体層の層厚を光
入射端に向かって徐徐に薄くなるように構成したことを
特徴とする半導体受光素子。 【請求項２】 〔請求項１〕の光吸収層として作用する
半導体層を作製するための半導体受光素子作製用のマス
クであって、 矩形の凹部を有し、その底部で厚く且つその開口部で薄
くなるように上記光吸収層として作用する半導体層を成
長させることを特徴とする半導体受光素子作製用のマス
ク。 【請求項３】 〔請求項１〕の光吸収層として作用する
半導体層を作製するための半導体受光素子作製用のマス
クであって、 直線とこれに対して傾斜する傾斜直線とを相対向する辺
として有する第１の台形と、同形状の第２の台形とを上
記直線同志が平行になるように線対称に配設し、両直線
間に上記光吸収層として作用する半導体層を成長させる
ように構成したことを特徴とする半導体受光素子作製用
のマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277770A JPH10125948A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 半導体受光素子及びその作製用のマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277770A JPH10125948A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 半導体受光素子及びその作製用のマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125948A true JPH10125948A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17588091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8277770A Pending JPH10125948A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 半導体受光素子及びその作製用のマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125948A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151728A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US7020375B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-03-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide light detecting element |
| JP2017524264A (ja) * | 2014-08-14 | 2017-08-24 | レイセオン カンパニー | テーパー付きコア厚を有する、端部でポンピングされる平面導波路 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8277770A patent/JPH10125948A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151728A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US7020375B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-03-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide light detecting element |
| JP2017524264A (ja) * | 2014-08-14 | 2017-08-24 | レイセオン カンパニー | テーパー付きコア厚を有する、端部でポンピングされる平面導波路 |
| EP3195427B1 (en) * | 2014-08-14 | 2021-04-21 | Raytheon Company | End pumped pwg with tapered core thickness |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5751754A (en) | Semiconductor laser including tunnel diode for reducing contact resistance | |
| US7187701B2 (en) | Ridge waveguide semiconductor laser | |
| US6232141B1 (en) | Semiconductor light-receiving device and method of fabricating the same | |
| JPH10125948A (ja) | 半導体受光素子及びその作製用のマスク | |
| JP3708758B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3735566B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP3276836B2 (ja) | 半導体導波路型受光器 | |
| US4833510A (en) | Semiconductor laser array with independently usable laser light emission regions formed in a single active layer | |
| JP2792826B2 (ja) | 光スイッチおよびその製造方法 | |
| KR20000011496A (ko) | 반도체레이저장치 | |
| JP2005217010A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3783903B2 (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH04192483A (ja) | 半導体アレイレーザ装置 | |
| JP3608772B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2550711B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4430961B2 (ja) | 電気吸収型光変調素子およびその製造方法 | |
| JP3246066B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2742358B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JPS58118184A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPS6297384A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0933868A (ja) | 光素子 | |
| JPS6320398B2 (ja) | ||
| JPH0933869A (ja) | 光変調器 | |
| JPH04269887A (ja) | 半導体量子井戸レ―ザ | |
| JPH04164376A (ja) | 発光ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050412 |