JPH10125751A - 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法 - Google Patents

重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法

Info

Publication number
JPH10125751A
JPH10125751A JP8299469A JP29946996A JPH10125751A JP H10125751 A JPH10125751 A JP H10125751A JP 8299469 A JP8299469 A JP 8299469A JP 29946996 A JP29946996 A JP 29946996A JP H10125751 A JPH10125751 A JP H10125751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
predetermined
overlay accuracy
pair
bars
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8299469A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Sagawa
恒一 寒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP8299469A priority Critical patent/JPH10125751A/ja
Publication of JPH10125751A publication Critical patent/JPH10125751A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は従来と同程度の大きさでエッジ領域を
長くして精度よく測定できる重ね合わせ精度測定パター
ン及び重ね合わせ精度測定方法を提供する。 【解決手段】重ね合わせ精度測定パターン１０は、外側
と内側のプロセスパターン１１、１２とレジストパター
ン１３で構成され、プロセスパターン１１、１２は基板
上に上面が帯状の四角形の枠形状に、レジストパターン
１３は基板上に形成された上層膜上のプロセスパターン
１１とプロセスパターン１２の間に、上面が帯状の四角
形の枠形状にそれぞれリソグラフィーにより形成され
る。外側のプロセスパターン１１は従来のプロセスパタ
ーンと同程度の大きさに形成され、各パターン１１、１
２、１３の間隔は少なくとも２ミクロンメートル空けて
形成される。重ね合わせ精度の測定は、レジストパター
ン１３とプロセスパターン１１及びレジストパターン１
３とプロセスパターン１２のズレ量をそれぞれ測定し、
各ズレ量の平均を算出することにより行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、重ね合わせ精度測
定パターン及び重ね合わせ精度測定方法に関し、詳細に
は、従来の重ね合わせ精度測定パターンの大きさと同程
度の大きさでより精度よく重ね合わせ精度を測定できる
重ね合わせ精度測定パターン及びこの重ね合わせ精度測
定パターンを用いた重ね合わせ精度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程や液晶パネル製造工程等
におけるリソグラフィー技術においては、微細パターン
を正確に形成すると同時に、パターンを下地層に精度よ
く重ね合わせることが重要な課題となっている。
【０００３】そこで、従来から、重ね合わせ精度を測定
することが行われており、この重ね合わせ精度を測定す
るために、従来、図３に示すボックスインボックス型パ
ターン、図４に示すフレームインフレーム型パターン及
び図５に示すバーインバー型パターンが使用されてい
る。
【０００４】これらの従来の重ね合わせ精度測定パター
ンは、いずれも下地層に、１種類のプロセスパターン
（下層パターン）１が形成され、下地層上に形成された
上層膜上に、１種類のレジストパターン（上層パター
ン）２が形成されている。そして、ボックスインボック
ス型パターンでは、図３に示すように、その上面が四角
形状のプロセスパターン１と、プロセスパターン１の内
側に形成されプロセスパターン１よりも小さい四角形状
のレジストパターン２と、が形成され、フレームインフ
レーム型パターンでは、図４に示すように、その上面が
帯状の四角形状に形成されたプロセスパターン１と、プ
ロセスパターン１の内側に形成されプロセスパターン１
よりも小さい帯状の四角形状のレジストパターン２と、
が形成される。そして、バーインバー型パターンでは、
図５に示すように、その上面が平行な帯状の細長い１対
のバーとこの１対のバーと直交する方向であって上面が
平行な帯状の細長いバーで形成されたプロセスパターン
１と、プロセスパターン１の内側に形成されプロセスパ
ターン１よりも小さい平行な帯状の細長い１対のバーと
この１対のバーと直交する方向であって上面が平行な帯
状の細長いバーで形成されたレジストパターン２と、が
形成されている。
【０００５】そして、このような重ね合わせ精度測定パ
ターンを用いて重ね合わせ精度を測定する場合、まず、
下地層上にプロセスパターン１を形成し、下地層上に上
層膜を形成した後、レジストパターン２を形成して、重
ね合わせ精度測定器により、例えば、おのおのの中心座
標の差をずれとする方法で測定する。
【０００６】このときの測定アルゴリズムとしては、測
定パターン（ターゲット）であるプロセスパターン１と
レジストパターン２のエッジを画像情報として取り込ん
で、ディジタル信号として処理する方法が主に行われて
おり、この方法を用いると、エッジ領域が長いほど、平
均化効果のために、重ね合わせ精度が向上する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ
精度測定方法にあっては、重ね合わせ精度測定パターン
が１つの精度測定パターンと１つの重ね合わせパターン
を重ね合わせ、あるいは、組み合わせることにより形成
され、そのパターンのエッジを画像情報として取り込ん
で重ね合わせ精度を測定していたため、重ね合わせ精度
を向上させるためには、エッジ領域を長くする必要があ
るが、重ね合わせ精度測定パターンは、スクライブ領域
に形成されるため、大きくするのには限度があり、重ね
合わせ精度を向上させるのに、この重ね合わせ精度測定
パターンの大きさの制約を受け、重ね合わせ精度を向上
させる上で、改良が要望されていた。
【０００８】そこで、請求項１記載の発明は、所定形状
の枠形状、あるいは、相互に平行な所定幅の細長い１対
のバーと当該１対のバーを９０度回転した状態で当該１
対のバーの間の位置に配置された１対のバーにより四角
の切れた四角形状に形成された下層パターンと上層パタ
ーンの一方のパターンが、他方のパターンの枠形状ある
いは四角の切れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態
で形成され、これら下層パターンと上層パターンが、内
側のパターンの枠形状あるいは四角の切れた四角形状の
内側に、さらに所定形状の他方のパターンが所定間隔空
けて交互に所定数形成されることにより、従来の重ね合
わせ精度測定パターンの大きさと同程度の大きさを保ち
つつ、全体としてエッジ領域を長くし、重ね合わせ精度
を向上させることのできる重ね合わせ精度測定パターン
を提供することを目的としている。
【０００９】請求項２記載の発明は、所定形状の枠形
状、あるいは、相互に平行な所定幅の細長い１対のバー
と当該１対のバーを９０度回転した状態で当該１対のバ
ーの間の位置に配置された１対のバーにより四角の切れ
た四角形状に形成された下層パターンと上層パターンの
一方のパターンが、他方のパターンの枠形状あるいは四
角の切れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態で形成
されるとともに、これら下層パターンと上層パターン
が、内側のパターンの枠形状あるいは四角の切れた四角
形状の内側に、さらに所定形状の他方のパターンが所定
間隔空けて交互に所定数形成されおり、これらの内側と
外側の相隣接するパターン同士のズレ量をそれぞれ測定
するとともに、当該各パターン同士のズレ量を平均化し
て重ね合わせ精度を測定することにより、エッジ領域の
長い重ね合わせ精度測定パターンの平均値により重ね合
わせ精度を測定し、重ね合わせ精度を向上させることの
できる重ね合わせ精度測定方法を提供することを目的と
している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の重
ね合わせ精度測定パターンは、下地層上の所定位置に形
成される所定形状の下層パターンと、前記下地層上に形
成された上層膜上の前記下層パターンの形成位置に近接
して形成される所定形状の上層パターンと、を備え、前
記下層パターン及び前記上層パターンは、所定形状の枠
形状、あるいは、相互に平行な所定幅の細長い１対のバ
ーと当該１対のバーを９０度回転した状態で当該１対の
バーの間の位置に配置された１対のバーにより四角の切
れた四角形状に形成され、その一方の前記パターンが、
その他方の前記パターンの前記枠形状あるいは前記四角
の切れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態で形成さ
れた重ね合わせ精度測定パターンであって、前記下層パ
ターンと前記上層パターンは、前記内側の前記パターン
の前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状の内側
に、さらに所定形状の他方の前記パターンが所定間隔空
けて交互に所定数形成されていることにより、上記目的
を達成している。
【００１１】上記構成によれば、所定形状の枠形状、あ
るいは、相互に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該
１対のバーを９０度回転した状態で当該１対のバーの間
の位置に配置された１対のバーにより四角の切れた四角
形状に形成された下層パターンと上層パターンの一方の
パターンが、他方のパターンの枠形状あるいは四角の切
れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態で形成され、
これら下層パターンと上層パターンが、内側のパターン
の枠形状あるいは四角の切れた四角形状の内側に、さら
に所定形状の他方のパターンが所定間隔空けて交互に所
定数形成されるので、従来の重ね合わせ精度測定パター
ンの大きさと同程度の大きさを保ちつつ、全体としてエ
ッジ領域を長くすることができ、重ね合わせ精度を向上
させることができる。
【００１２】請求項２記載の発明の重ね合わせ精度測定
方法は、下地層上の所定位置に形成される所定形状の下
層パターンと、前記下地層上に形成された上層膜上の前
記下層パターンの形成位置に近接して形成される所定形
状の上層パターンと、を備え、前記下層パターン及び前
記上層パターンは、所定形状の枠形状、あるいは、相互
に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該１対のバーを
９０度回転した状態で当該１対のバーの間の位置に配置
された１対のバーにより四角の切れた四角形状に形成さ
れ、その一方の前記パターンが、その他方の前記パター
ンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状の内
側に所定間隔空けた状態で形成された重ね合わせ精度測
定パターンを用いた重ね合わせ精度測定方法であって、
前記下層パターンと前記上層パターンが、前記内側の前
記パターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角
形状の内側に、さらに所定形状の他方の前記パターンが
所定間隔空けて交互に所定数形成され、前記内側と外側
の相隣接するパターン同士のズレ量をそれぞれ測定する
とともに、当該各パターン同士のズレ量を平均化して重
ね合わせ精度を測定することにより、上記目的を達成し
ている。
【００１３】上記構成によれば、所定形状の枠形状、あ
るいは、相互に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該
１対のバーを９０度回転した状態で当該１対のバーの間
の位置に配置された１対のバーにより四角の切れた四角
形状に形成された下層パターンと上層パターンの一方の
パターンが、他方のパターンの枠形状あるいは四角の切
れた四角形状の内側に所定間隔空けた状態で形成される
とともに、これら下層パターンと上層パターンが、内側
のパターンの枠形状あるいは四角の切れた四角形状の内
側に、さらに所定形状の他方のパターンが所定間隔空け
て交互に所定数形成されおり、これらの内側と外側の相
隣接するパターン同士のズレ量をそれぞれ測定するとと
もに、当該各パターン同士のズレ量を平均化して重ね合
わせ精度を測定するので、エッジ領域の長い重ね合わせ
精度測定パターンの平均値により重ね合わせ精度を測定
することができ、重ね合わせ精度を向上させることがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
【００１５】図１は、本発明の重ね合わせ精度測定パタ
ーン及び重ね合わせ精度測定方法の第１の実施の形態を
示す図であり、本実施の形態は、フレームタイプのパタ
ーンを利用したものである。
【００１６】図１は、本発明の重ね合わせ精度測定パタ
ーン及び重ね合わせ精度測定方法の第１の実施の形態を
適用した重ね合わせ精度測定パターン１０の平面図であ
り、図１において、重ね合わせ精度測定パターン１０
は、２種類のプロセスパターン（下層パターン）１１、
１２と、レジストパターン（上層パターン）１３と、で
構成され、いわゆるフレームパターンである。
【００１７】すなわち、プロセスパターン１１及びプロ
セスパターン１２は、図示しない基板（下地層）上にリ
ソグラフィーにより形成され、このプロセスパターン１
１及びプロセスパターン１２の形成された基板にエッチ
ングにより配線等がパターニングされ、さらに、酸化膜
や金属膜等の上層膜が形成された後、この上層膜上に、
リソグラフィーによりレジストパターン１３が形成され
る。このときのパターニングは、抜きあるいは残しのど
ちらで形成されていてもよい。
【００１８】プロセスパターン１１は、基板上に、その
上面が帯状の四角形の枠形状に形成され、プロセスパタ
ーン１２は、プロセスパターン１１の内側に、プロセス
パターン１１と所定の間隔を空けてプロセスパターン１
１と相似形でプロセスパターン１１よりも所定の大きさ
だけ小さい枠形状に形成されている。
【００１９】レジストパターン１３は、プロセスパター
ン１１とプロセスパターン１２の間に形成され、その上
面が帯状の四角形の枠形状に形成されている。
【００２０】そして、最外周（外側）のプロセスパター
ン１１を従来のプロセスパターンと同程度の大きさに形
成し、プロセスパターン１１とレジストパターン１３及
びレジストパターン１３とプロセスパターン１２の間隔
を少なくとも２ミクロンメートル空けるように形成す
る。
【００２１】上記重ね合わせ精度測定パターン１０を用
いて重ね合わせ精度の測定を行うには、半導体等の製造
工程において、基板上のスクライブ領域に２種類のプロ
セスパターン１１とプロセスパターン１２をリソグラフ
ィーにより形成し、エッチングにより基板にパターニン
グする。その後、パターニングを行った基板上に酸化膜
や金属膜等の上層膜を形成した後、リソグラフィーによ
りレジストパターン１３を形成する。
【００２２】このようにして重ね合わせ精度測定パター
ン１０を形成すると、まず、レジストパターン１３と外
側のプロセスパターン１１を重ね合わせ精度測定器によ
り測定し、そのズレ量を算出する。次に、レジストパタ
ーン１３と内側のプロセスパターン１２を重ね合わせ精
度測定器により測定し、そのズレ量を算出する。そし
て、レジストパターン１３とプロセスパターン１１のズ
レ量とレジストパターン１３とプロセスパターン１２の
ズレ量との平均値を算出し、最終的な重ね合わせ精度を
算出する。
【００２３】したがって、本実施の形態によれば、枠形
状の下層パターンであるプロセスパターン１１の内側に
所定間隔空けて上層パターンである枠形状のレジストパ
ターン１３が形成され、さらに、レジストパターン１３
の内側に枠形状のプロセスパターン１２が所定間隔空け
て形成されているので、従来の重ね合わせ精度測定パタ
ーンの大きさと同程度の大きさを保ちつつ、全体として
重ね合わせ精度測定パターン１０のエッジ領域を長くす
ることができ、重ね合わせ精度を向上させることができ
る。
【００２４】図２は、本発明の重ね合わせ精度測定パタ
ーン及び重ね合わせ精度測定方法の第２の実施の形態を
示す図であり、本実施の形態は、バータイプのパターン
を利用したものである。
【００２５】図２は、本発明の重ね合わせ精度測定パタ
ーン及び重ね合わせ精度測定方法の第２の実施の形態を
適用した重ね合わせ精度測定パターン２０の平面図であ
り、図２において、重ね合わせ精度測定パターン２０
は、２種類のプロセスパターン（下層パターン）２１、
２２と、レジストパターン（上層パターン）２３と、で
構成され、いわゆるバーパターンである。
【００２６】すなわち、プロセスパターン２１及びプロ
セスパターン２２は、図示しない基板（下地層）上にリ
ソグラフィーにより形成され、このプロセスパターン２
１及びプロセスパターン２２の形成された基板にエッチ
ングにより配線等がパターニングされ、さらに、酸化膜
や金属膜等の上層膜が形成された後、この上層膜上に、
リソグラフィーによりレジストパターン２３が形成され
る。
【００２７】プロセスパターン２１は、基板上に、その
上面が帯状の平行な１対の長方形のバー２１ａとこの１
対のバー２１ａを９０度回転させた状態の１対のバー２
１ｂとにより四角の切れた四角形状に形成され、プロセ
スパターン２２は、プロセスパターン２１の内側に、プ
ロセスパターン２１と所定の間隔を空けてプロセスパタ
ーン２１と相似形でプロセスパターン２１よりも所定の
大きさだけ小さい四角の切れた四角形状に形成されてい
る。すなわち、プロセスパターン２２は、その上面が帯
状の１対の長方形のバー２２ａとこの１対のバー２２ａ
を９０度回転させた状態の１対のバー２２ｂとにより、
プロセスパターン２１よりも小さい四角の切れた四角形
状に形成されている。
【００２８】レジストパターン２３は、プロセスパター
ン２１とプロセスパターン２２の間に形成され、その上
面が帯状の１対の長方形のバー２３ａとこの１対のバー
２３ａを９０度回転させた状態の１対のバー２３ｂとに
より四角の切れた四角形状に形成されている。
【００２９】そして、最外側のプロセスパターン２１を
従来のプロセスパターンと同程度の大きさに形成し、プ
ロセスパターン２１とレジストパターン２３及びレジス
トパターン２３とプロセスパターン２２の間隔を少なく
とも２ミクロンメートル空けるように形成する。
【００３０】上記重ね合わせ精度測定パターン２０を用
いて重ね合わせ精度の測定を行うには、半導体等の製造
工程において、基板上のスクライブ領域に２種類のプロ
セスパターン２１とプロセスパターン２２をリソグラフ
ィーにより形成し、エッチングにより基板にパターニン
グする。その後、パターニングを行った基板上に酸化膜
や金属膜等の上層膜を形成した後、リソグラフィーによ
りレジストパターン２３を形成する。
【００３１】このようにして重ね合わせ精度測定パター
ン２０を形成すると、まず、レジストパターン２３と外
側のプロセスパターン２１を重ね合わせ精度測定器によ
り測定し、そのズレ量を算出する。次に、レジストパタ
ーン２３と内側のプロセスパターン２２を重ね合わせ精
度測定器により測定し、そのズレ量を算出する。そし
て、レジストパターン２３とプロセスパターン２１のズ
レ量とレジストパターン２３とプロセスパターン２２の
ズレ量との平均値を算出し、最終的な重ね合わせ精度を
算出する。
【００３２】したがって、本実施の形態によれば、相互
に平行な所定幅の細長い１対のバー２１ａと当該１対の
バー２１ａを９０度回転した状態で当該１対のバー２１
ａの間の位置に配置された１対のバー２１ｂとにより四
角の切れた四角形状に形成された枠形状の下層パターン
であるプロセスパターン２１の内側に所定間隔空けて上
層パターンであるプロセスパターン２１と相似形の四角
の切れた四角形のレジストパターン２３が形成され、さ
らに、レジストパターン２３の内側にプロセスパターン
２１と相似形の四角の切れた四角形のプロセスパターン
２２が所定間隔空けて形成されているので、従来の重ね
合わせ精度測定パターンの大きさと同程度の大きさを保
ちつつ、全体として重ね合わせ精度測定パターン２０の
エッジ領域を長くすることができ、重ね合わせ精度を向
上させることができる。
【００３３】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００３４】例えば、上記各実施の形態においては、重
ね合わせ精度測定パターンとして２種類のプロセスパタ
ーンと、１種類のレジストパターンと、を形成している
が、プロセスパターンとレジストパターンは、２種類と
１種類に限るものではなく、１種類と２種類であっても
よいし、プロセスパターンとレジストパターンの数は、
少なくとも一方が２種類で以上あれば、適切なパターン
の間隔を設けることのできる範囲で適宜増やすことがで
きる。
【００３５】また、上記実施の形態においては、下層パ
ターンと上層パターンがともにフレーム型のパターンあ
るいはバー型のパターンの場合について説明したが、フ
レーム型のパターンとバー型のパターンを種々組み合わ
せる構造としてもよい。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載の発明の重ね合わせ精度測
定パターンによれば、所定形状の枠形状、あるいは、相
互に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該１対のバー
を９０度回転した状態で当該１対のバーの間の位置に配
置された１対のバーにより四角の切れた四角形状に形成
された下層パターンと上層パターンの一方のパターン
が、他方のパターンの枠形状あるいは四角の切れた四角
形状の内側に所定間隔空けた状態で形成され、これら下
層パターンと上層パターンが、内側のパターンの枠形状
あるいは四角の切れた四角形状の内側に、さらに所定形
状の他方のパターンが所定間隔空けて交互に所定数形成
されるので、従来の重ね合わせ精度測定パターンの大き
さと同程度の大きさを保ちつつ、全体としてエッジ領域
を長くすることができ、重ね合わせ精度を向上させるこ
とができる。
【００３７】請求項２記載の発明の重ね合わせ精度測定
方法によれば、所定形状の枠形状、あるいは、相互に平
行な所定幅の細長い１対のバーと当該１対のバーを９０
度回転した状態で当該１対のバーの間の位置に配置され
た１対のバーにより四角の切れた四角形状に形成された
下層パターンと上層パターンの一方のパターンが、他方
のパターンの枠形状あるいは四角の切れた四角形状の内
側に所定間隔空けた状態で形成されるとともに、これら
下層パターンと上層パターンが、内側のパターンの枠形
状あるいは四角の切れた四角形状の内側に、さらに所定
形状の他方のパターンが所定間隔空けて交互に所定数形
成されおり、これらの内側と外側の相隣接するパターン
同士のズレ量をそれぞれ測定するとともに、当該各パタ
ーン同士のズレ量を平均化して重ね合わせ精度を測定す
るので、エッジ領域の長い重ね合わせ精度測定パターン
の平均値により重ね合わせ精度を測定することができ、
重ね合わせ精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の重ね合わせ精度測定パターン及び重ね
合わせ精度測定方法の第１の実施の形態を適用した重ね
合わせ精度測定パターンの上面図。
【図２】本発明の重ね合わせ精度測定パターン及び重ね
合わせ精度測定方法の第２の実施の形態を適用した重ね
合わせ精度測定パターンの上面図。
【図３】従来のボックスインボックス型の重ね合わせ精
度測定パターンの上面図。
【図４】従来のフレームインフレーム型の重ね合わせ精
度測定パターンの上面図。
【図５】従来のバーインバー型の重ね合わせ精度測定パ
ターンの上面図。
【符号の説明】
１０ 重ね合わせ精度測定パターン １１、１２ プロセスパターン １３ レジストパターン ２０ 重ね合わせ精度測定パターン ２１、２２ プロセスパターン ２３ レジストパターン ２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ バ
ー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下地層上の所定位置に形成される所定形状
    の下層パターンと、前記下地層上に形成された上層膜上
    の前記下層パターンの形成位置に近接して形成される所
    定形状の上層パターンと、を備え、前記下層パターン及
    び前記上層パターンは、所定形状の枠形状、あるいは、
    相互に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該１対のバ
    ーを９０度回転した状態で当該１対のバーの間の位置に
    配置された１対のバーにより四角の切れた四角形状に形
    成され、その一方の前記パターンが、その他方の前記パ
    ターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状
    の内側に所定間隔空けた状態で形成された重ね合わせ精
    度測定パターンであって、前記下層パターンと前記上層
    パターンは、前記内側の前記パターンの前記枠形状ある
    いは前記四角の切れた四角形状の内側に、さらに所定形
    状の他方の前記パターンが所定間隔空けて交互に所定数
    形成されていることを特徴とする重ね合わせ精度測定パ
    ターン。
  2. 【請求項２】下地層上の所定位置に形成される所定形状
    の下層パターンと、前記下地層上に形成された上層膜上
    の前記下層パターンの形成位置に近接して形成される所
    定形状の上層パターンと、を備え、前記下層パターン及
    び前記上層パターンは、所定形状の枠形状、あるいは、
    相互に平行な所定幅の細長い１対のバーと当該１対のバ
    ーを９０度回転した状態で当該１対のバーの間の位置に
    配置された１対のバーにより四角の切れた四角形状に形
    成され、その一方の前記パターンが、その他方の前記パ
    ターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた四角形状
    の内側に所定間隔空けた状態で形成された重ね合わせ精
    度測定パターンを用いた重ね合わせ精度測定方法であっ
    て、前記下層パターンと前記上層パターンが、前記内側
    の前記パターンの前記枠形状あるいは前記四角の切れた
    四角形状の内側に、さらに所定形状の他方の前記パター
    ンが所定間隔空けて交互に所定数形成され、前記内側と
    外側の相隣接するパターン同士のズレ量をそれぞれ測定
    するとともに、当該各パターン同士のズレ量を平均化し
    て重ね合わせ精度を測定することを特徴とする重ね合わ
    せ精度測定方法。
JP8299469A 1996-10-23 1996-10-23 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法 Pending JPH10125751A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8299469A JPH10125751A (ja) 1996-10-23 1996-10-23 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8299469A JPH10125751A (ja) 1996-10-23 1996-10-23 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10125751A true JPH10125751A (ja) 1998-05-15

Family

ID=17872984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8299469A Pending JPH10125751A (ja) 1996-10-23 1996-10-23 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10125751A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010046359A (ko) * 1999-11-12 2001-06-15 박종섭 오버레이 키 패턴
US6319791B1 (en) 1998-10-27 2001-11-20 Nec Corporation Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
KR100345070B1 (ko) * 1999-11-03 2002-07-19 주식회사 하이닉스반도체 폴리2 패턴의 변형을 모니터링하기 위한 오버레이 마크형성방법
US6610461B2 (en) 1998-03-12 2003-08-26 Nec Electronics Corporation Reticle having accessory pattern divided into sub-patterns
KR100424391B1 (ko) * 1999-12-30 2004-03-24 아남반도체 주식회사 반도체 제조 공정에 있어서 얼라인 측정 방법
KR100437823B1 (ko) * 2000-02-21 2004-06-26 주식회사 하이닉스반도체 정렬도 측정용 오버레이 패턴
CN102456594A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 无锡华润上华半导体有限公司 去边宽度检测方法及装置
US9355923B2 (en) 2013-11-14 2016-05-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with an overlay mark including segment regions surrounded by a pool region

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6610461B2 (en) 1998-03-12 2003-08-26 Nec Electronics Corporation Reticle having accessory pattern divided into sub-patterns
US6319791B1 (en) 1998-10-27 2001-11-20 Nec Corporation Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
KR100345070B1 (ko) * 1999-11-03 2002-07-19 주식회사 하이닉스반도체 폴리2 패턴의 변형을 모니터링하기 위한 오버레이 마크형성방법
KR20010046359A (ko) * 1999-11-12 2001-06-15 박종섭 오버레이 키 패턴
KR100424391B1 (ko) * 1999-12-30 2004-03-24 아남반도체 주식회사 반도체 제조 공정에 있어서 얼라인 측정 방법
KR100437823B1 (ko) * 2000-02-21 2004-06-26 주식회사 하이닉스반도체 정렬도 측정용 오버레이 패턴
CN102456594A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 无锡华润上华半导体有限公司 去边宽度检测方法及装置
US9355923B2 (en) 2013-11-14 2016-05-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with an overlay mark including segment regions surrounded by a pool region

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3118899B2 (ja) アライメントチェックパターン
TWI730050B (zh) 層疊對準標記與評估製程穩定度的方法
JP2001044094A (ja) 重ね合わせ用マーク、重ね合わせ精度測定方法およびアライメント方法、並びに半導体装置
JPH10125751A (ja) 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法
JP3558511B2 (ja) 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法
US6498401B2 (en) Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy
JP2001093820A (ja) マーク、アライメントマーク、合わせずれ測定用マーク、フォトマスク、及び、半導体ウェーハ
JP4525067B2 (ja) 位置ずれ検出用マーク
KR100256815B1 (ko) 확대/축소 크기 측정용 마크
US7136520B2 (en) Method of checking alignment accuracy of patterns on stacked semiconductor layers
CN111508825B (zh) 一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法
KR102617622B1 (ko) 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법
JPH1174189A (ja) マスクの位置ずれ検出用マーク
KR101194784B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 버니어 및 그의 형성 방법
KR0172287B1 (ko) 중첩 정확도와 노광장비의 포커스를 동시에 측정하기 위한 측정마크를 이용한 중첩 정확도 및 노광장비의 포커스 측정 방법
CN112582324B (zh) 一种标记及其制作方法
JPS6348420B2 (ja)
JP2007080915A (ja) 重ね合わせ精度測定マーク
JP2000133572A (ja) 重ね合わせ精度測定用パターン
JP2007129221A (ja) 半導体素子の多目的測定マークとそれを利用したキャリブレーション方法、測定システム及びコンピュータプログラム
KR20070077687A (ko) 오버레이 버니어 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR20060107653A (ko) 다층 구조를 갖는 오버레이 마크를 갖춘 반도체 소자
JPH116725A (ja) 重ね合わせ精度測定方法
KR20070071657A (ko) 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성 방법
JPH01310552A (ja) 半導体基板

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040614

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050809