JPH10125747A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH10125747A
JPH10125747A JP8295855A JP29585596A JPH10125747A JP H10125747 A JPH10125747 A JP H10125747A JP 8295855 A JP8295855 A JP 8295855A JP 29585596 A JP29585596 A JP 29585596A JP H10125747 A JPH10125747 A JP H10125747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chips
semiconductor
defective
chip
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP8295855A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Okajima
等 岡嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UMC Japan Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Semiconductor Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Semiconductor Corp filed Critical Nippon Steel Semiconductor Corp
Priority to JP8295855A priority Critical patent/JPH10125747A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バーンイン試験中に発生した不良チップの完
全な電気的分離が発生する。また、有効チップ数が減少
する。 【解決手段】 ウエハ上に実装された半導体チップ7a
〜7d、これら半導体チップ7a〜7dの各々に1対1
で接続され、イネーブル信号用パッド5から印加される
イネーブル信号の状態に応じて対応する半導体チップを
他の半導体チップから電気的に切り離すためのゲート回
路8a〜8d、入・出力用パット3、及び電源用パット
4を備える。例えば半導体チップ7aが不良と判定され
た時、ゲート回路8aにイネーブル信号が付与され、ゲ
ート回路8aは半導体チップ7aへの電源供給及び入・
出力信号の授受が行えない様にする。これにより、不良
チップを良品チップから電気的に分離して不良チップか
らの干渉を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に関し、特に、ウエハ状態でバーンイン試験を行うこと
のできる半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウエハ状態でバーンイン試験(半導体デ
バイスに定格又はこれを越える電源電圧を印加し、半導
体デバイスの入力回路には実動作に近い信号を印加しな
がら行う試験)を行うことのできる半導体装置として、
例えば、特開平6−23227号公報があり、ダイナミ
ックバーンイン試験専用信号発生回路をチップ領域以外
のウエハ領域に搭載している。ウエハ上にダイナミック
バーンイン試験専用信号発生回路を搭載したことより、
半導体チップをダイシングすることなく、ウエハ状態で
バーンイン試験を行うことができる。
【0003】これにより、過去のチップ状態でバーンイ
ン試験を行う場合に必要であったバーンインボード、I
Cソケット等が不要になる。この結果、バーンイン試験
に要する設備や時間が削減され、コスト低減が可能にな
る。また、半導体デバイスの扱い不良等に起因する素子
破壊を防止することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、バーンイン試験中に発生した不良チップの完
全な電気的分離が発生する、有効チップ数が減少する等
の問題がある。
【0005】本発明は上述の問題に鑑み、不良チップを
良品チップから電気的に分離でき、また有効チップ数の
減少を防止することのできる半導体集積回路装置を提供
することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本出願に係る発明の目的
を実現する構成は、請求項1に記載のように、ウエハ上
に実装された所定数の半導体チップと、この半導体チッ
プの各々に1対1で接続され、イネーブル信号の状態に
応じて対応する半導体チップを他の半導体チップから電
気的に切り離すための所定数のゲート回路と、前記半導
体チップの各々に入・出力信号の授受及び電源印加を行
うために前記半導体チップが設けられていない領域に形
成されたパットを備えた構成にしている。
【0007】この構成によれば、半導体チップとゲート
回路が1対1で対応しているので、ゲート回路にイネー
ブル信号を付与することにより、そのゲート回路に接続
された半導体チップに対する信号入力及び電源の印加、
更には出力信号の取り出しが拒絶される。したがって、
不良チップ等の特定の半導体チップを個別に他の半導体
チップから電気的に切り離すことが可能になり、不良チ
ップを良品チップから電気的に分離して不良チップから
の干渉を防止でき、また、有効チップ数の減少を防止す
ることが可能になる。
【0008】本出願に係る発明の目的を実現する具体的
な構成は、請求項2に記載のように、前記ゲート回路
は、接続された半導体チップが不良と判定されたことを
もって当該半導体チップの前記電気的切り離しを行うこ
とができる。
【0009】この構成によれば、半導体チップの動作不
良が検出されたとき、試験装置側からイネーブル信号が
応答するゲート回路に付与され、これをもって半導体チ
ップと電源ライン及び入・出力ラインとの接続を絶つよ
うに動作する。この結果、不良チップは良品チップ側か
ら電気的に分離され、良品チップ側は不良チップによる
影響を受けることなく正常に動作することができ、バー
ンイン試験を滞りなく完了することが可能になる。
【0010】本出願に係る発明の目的を実現する具体的
な構成は、請求項3に記載のように、前記半導体チップ
とそれに対応するゲート回路は、一体としてダイシング
することができる。
【0011】この構成によれば、半導体チップと1対1
の関係にあるゲート回路をペアで取り扱い、1つの半導
体集積回路装置を構成することによってパッケージされ
た半導体チップのバーンイン試験をウエハ状態における
バーンイン試験と全く同じにして実行することができ
る。すなわち、ゲート回路を残したことにより、半導体
チップの不良検出時に応答するゲート回路を動作させる
ことができ、他の半導体チップから電気的に分離するこ
とが可能になり、パッケージテストにおいても、不良チ
ップを良品チップから電気的に分離でき、良品チップに
悪影響が及ぶのを防止することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は本発明による半導体集積回
路装置の回路構成を示すブロック図である。また、図2
は本発明による半導体集積回路装置を搭載した半導体ウ
エハを示す平面図である。更に、図3は図1に示した半
導体集積回路装置の具体例を示す回路図である。
【0013】図2に示すように、ウエハ1上には、碁盤
の目状に多数の半導体チップ2が形成されている。ウエ
ハ1の周囲には、オリエンテーションフラット部分を除
いて外部の試験装置(バーンイン装置、テスタ等)との
接続に用いられるパット3(入・出力信号用:I/0,
DR)、パット4(電源及びグランド用:PS,GN
D)、及びゲート回路のイネーブル信号用パッド5が適
宜設けられている。パット3,4,5は、ウエハ1の外
周の有効チップ領域以外の場所に設定される。これらパ
ットと外部の試験装置との接続は、専用のウエハソケッ
トや金線を用いて行われる。
【0014】図1は図2の領域6における半導体集積回
路装置の構成を示しており、4個の半導体チップ7a,
7b,7c,7dと4個のゲート回路8a,8b,8
c,8dから構成されている。ゲート回路8a〜8dは
パット3,4に共通接続されている。ゲート回路8a〜
8dは半導体チップ7a〜7dに1対1で対応してお
り、ゲート回路8aには半導体チップ7aが接続され、
ゲート回路8bには半導体チップ7b、ゲート回路8c
には半導体チップ7c、ゲート回路8dには半導体チッ
プ7dが接続されている。そして、ゲート回路8a〜8
dの各々のイネーブル信号は、図2に示したイネーブル
信号用パッド5に接続されている。
【0015】ゲート回路8a〜8dは、図3に示すよう
に、スイッチ素子を用いて構成することができ、接続さ
れた半導体チップ7の電源、入・出力信号等の全信号を
イネーブル信号により制御する。つまり、ゲート回路8
はイネーブル信号の状態により接続された半導体チップ
7の接続/遮断(外部装置に対して)を制御することが
できる。なお、ゲート回路がパッケージ後に不要になる
場合、ウエハ1のストリートラインに構成される。
【0016】以上の構成において、バーンイン試験を行
う方法を説明する。
【0017】まず、外部装置をウエハ1の各パッドに接
続した後、電源を供給する。次に、バーンインの開始前
にイネーブル信号用パッド5にイネーブル信号を印加
し、ゲート回路8a〜8dを有効にし、半導体チップ7
a〜7dにおける不良チップを検出する。不良チップが
検出された場合、不良チップ全部のゲート回路8を無効
にする。こうすることにより、良品チップが不良チップ
によって電気的信号干渉を受けるのを防止することがで
きる。また、バーンイン中、同様な制御を行ってバーン
イン漏れを防止する。
【0018】以上のように、本発明によれば、ゲート回
路によってバーンイン試験中に発生した不良チップを良
品チップから電気的に分離でき、不良チップによる電気
的信号干渉を排除することができる。また、有効チップ
数の減少を防止することができる。
【0019】また、本発明によれば、ゲート回路を有す
ることからパッケージテストにおいても新たな効果が生
じる。つまり、ゲート回路を用いることにより、パッケ
ージされた半導体チップのバーンイン試験を同一のテス
トボードで運用できるようになる。この結果、テストコ
ストの削減が可能になる。なお、この場合のテストボー
ドは、ウエハと同じ回路構成により製作することができ
る。
【0020】パッケージテストにおいては、ゲート回路
8a〜8dを不良チップの検出に応じて不良チップを良
品チップから電気的に分離できるので、良品チップに悪
影響が及ぶのを防止することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に示した
本発明は、ウエハ上に実装された所定数の半導体チップ
と、この半導体チップの各々に1対1で接続され、イネ
ーブル信号の状態に応じて対応する半導体チップを他の
半導体チップから電気的に切り離すための所定数のゲー
ト回路と、前記半導体チップの各々に入・出力信号の授
受及び電源印加を行うために前記半導体チップが設けら
れていない領域に形成されたパットを備えた構成にした
ので、不良チップを良品チップから電気的に分離して不
良チップからの干渉を防止でき、また、有効チップ数の
減少を防止することが可能になる。
【0022】請求項2に示した本発明は、接続された半
導体チップが不良と判定されたことをもって前記ゲート
回路が半導体チップの前記電気的切り離しを行うように
したので、不良チップは良品チップ側から電気的に分離
され、良品チップ側は不良チップによる影響を受けるこ
となく正常に動作することができ、バーンイン試験を滞
りなく完了することが可能になる。
【0023】請求項3に示した本発明は、前記半導体チ
ップとそれに対応するゲート回路は、一体としてダイシ
ングするようにしたので、パッケージテストにおいて半
導体チップの不良検出時に応答するゲート回路を動作さ
せることができ、パッケージテストにおいても、不良チ
ップを良品チップから電気的に分離でき、良品チップに
悪影響が及ぶのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体集積回路装置の回路構成を
示すブロック図である。
【図2】本発明による半導体集積回路装置を搭載した半
導体ウエハを示す平面図である。
【図3】図1に示した半導体集積回路装置の具体例を示
す回路図である。
【符号の説明】
1 ウエハ 2 半導体チップ 3,4 パット 5 イネーブル信号用パッド 7a〜7d 半導体チップ 8a〜8d ゲート回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/822

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハ上に実装された所定数の半導体チ
    ップと、この半導体チップの各々に1対1で接続され、
    イネーブル信号の状態に応じて対応する半導体チップを
    他の半導体チップから電気的に切り離すための所定数の
    ゲート回路と、前記半導体チップの各々に入・出力信号
    の授受及び電源印加を行うために前記半導体チップが設
    けられていない領域に形成されたパットを具備すること
    を特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記ゲート回路は、接続された半導体チ
    ップが不良と判定されたことをもって当該半導体チップ
    の前記電気的切り離しを行うことを特徴とする請求項1
    記載の半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 前記半導体チップとそれに対応するゲー
    ト回路は、一体としてダイシングされることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体集積回路装置。
JP8295855A 1996-10-18 1996-10-18 半導体集積回路装置 Pending JPH10125747A (ja)

Priority Applications (1)

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JP8295855A JPH10125747A (ja) 1996-10-18 1996-10-18 半導体集積回路装置

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JP8295855A JPH10125747A (ja) 1996-10-18 1996-10-18 半導体集積回路装置

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JPH10125747A true JPH10125747A (ja) 1998-05-15

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ID=17826070

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JP8295855A Pending JPH10125747A (ja) 1996-10-18 1996-10-18 半導体集積回路装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7124341B2 (en) * 2002-01-18 2006-10-17 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit having electrically isolatable test circuitry

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7124341B2 (en) * 2002-01-18 2006-10-17 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit having electrically isolatable test circuitry

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