JPH10124820A - 多チャネル薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
多チャネル薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH10124820A JPH10124820A JP27202996A JP27202996A JPH10124820A JP H10124820 A JPH10124820 A JP H10124820A JP 27202996 A JP27202996 A JP 27202996A JP 27202996 A JP27202996 A JP 27202996A JP H10124820 A JPH10124820 A JP H10124820A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】２つの異なるブロックを組合せて作製される多
チャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて、各ブロックのトラ
ック合わせを簡単に、かつ、高精度に形成可能とする。
また、基板状態での記録用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッ
ドの特性を容易に判別できるようにする。 【解決手段】磁性体基板１上に、記録用素子Ｗと再生用
素子Ｒを向かい合わせに形成し、磁性体基板１上で向か
い合わせに形成した記録用素子Ｗと再生用素子Ｒを組立
てることにより解決する。また、磁性体基板１上で向か
い合わせ同士の記録用素子Ｗと再生用素子Ｒを磁気的に
結合させ、記録用素子Ｗで発生させた磁界により再生用
素子Ｒの特性評価を行うことにより、記録用薄膜ヘッド
と再生用薄膜ヘッドの特性を判別する。
チャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて、各ブロックのトラ
ック合わせを簡単に、かつ、高精度に形成可能とする。
また、基板状態での記録用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッ
ドの特性を容易に判別できるようにする。 【解決手段】磁性体基板１上に、記録用素子Ｗと再生用
素子Ｒを向かい合わせに形成し、磁性体基板１上で向か
い合わせに形成した記録用素子Ｗと再生用素子Ｒを組立
てることにより解決する。また、磁性体基板１上で向か
い合わせ同士の記録用素子Ｗと再生用素子Ｒを磁気的に
結合させ、記録用素子Ｗで発生させた磁界により再生用
素子Ｒの特性評価を行うことにより、記録用薄膜ヘッド
と再生用薄膜ヘッドの特性を判別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テ−プ装置に
搭載される多チャネル薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て、２つの異なるブロックを組合せて作製される多チャ
ネル薄膜磁気ヘッド、及びその製造方法に関する。さら
に、ヘッド完成時の電気特性の推定を基板上の記録用薄
膜ヘッド及び、再生用薄膜ヘッドの特性評価を基板状態
で評価できる手段を兼ね備えた多チャネル薄膜磁気ヘッ
ド、及びその製造方法に関する。
搭載される多チャネル薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て、２つの異なるブロックを組合せて作製される多チャ
ネル薄膜磁気ヘッド、及びその製造方法に関する。さら
に、ヘッド完成時の電気特性の推定を基板上の記録用薄
膜ヘッド及び、再生用薄膜ヘッドの特性評価を基板状態
で評価できる手段を兼ね備えた多チャネル薄膜磁気ヘッ
ド、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多チャネル薄膜磁気ヘッドの形成
は、一つの基板上に再生用素子を複数個配置し、他の基
板上に再生用素子のトラック幅より広いトラック幅の記
録用素子を複数個配置し、それぞれの基板を機械加工等
により所望の大きさのブロックに切断したのち、それぞ
れに保護ブロックを貼り合わせ加工を行い、再生用ブロ
ックと記録用ブロックを組合せた構造のヘッドが特開昭
58-6517号に記載されている。さらに、特開平4-358307
号に記載のような、記録用素子と再生用素子を交互に配
置した基板から機械加工等により所望の大きさのブロッ
クに加工し、保護ブロックを貼り合わせた２対のブロッ
クを組合せた構造のヘッドが記載されている。これらの
構造の薄膜ヘッドは、再生用素子のトラック幅よりも記
録用素子のトラック幅のほうが広く形成されている。
は、一つの基板上に再生用素子を複数個配置し、他の基
板上に再生用素子のトラック幅より広いトラック幅の記
録用素子を複数個配置し、それぞれの基板を機械加工等
により所望の大きさのブロックに切断したのち、それぞ
れに保護ブロックを貼り合わせ加工を行い、再生用ブロ
ックと記録用ブロックを組合せた構造のヘッドが特開昭
58-6517号に記載されている。さらに、特開平4-358307
号に記載のような、記録用素子と再生用素子を交互に配
置した基板から機械加工等により所望の大きさのブロッ
クに加工し、保護ブロックを貼り合わせた２対のブロッ
クを組合せた構造のヘッドが記載されている。これらの
構造の薄膜ヘッドは、再生用素子のトラック幅よりも記
録用素子のトラック幅のほうが広く形成されている。
【０００３】上記のような従来ヘッドの形成において、
再生用素子が形成されたブロックと記録用素子が形成さ
れたブロックを組合せる場合や、２対のブロックを組合
せる場合のいずれにおいても、組合せるブロック同士の
トラックズレを目標値内にいれるための方式検討が必要
である。このための、ひとつの方法として、再生用素子
のトラック幅よりも記録用素子のトラック幅を広く形成
し、トラックズレの目標値を大きくしていた。但し、将
来的に記録密度が向上した場合には、再生用素子のトラ
ック幅と記録用素子のトラック幅の差を小さくし、高精
度に再生用トラックと記録用トラックを形成しなければ
ならない。また、組合せるブロック同士のトラックズレ
を小さくする方法として、もっとも一般的な方法は、基
板切断時のブロック端から基準トラックまでの寸法を管
理し、ブロック組合せ時に各ブロックの管理寸法値の違
い分をずらして組合せればよい。但し、上記のような方
法を採用すると基板切断時の寸法管理や、ブロック組合
せ時に各ブロックをずらして組合せるための設備や治具
が必要となり、寸法管理の工数や設備あるいは治具の投
資により、出来上がったヘッドが高価なものとなってし
まう恐れがあった。
再生用素子が形成されたブロックと記録用素子が形成さ
れたブロックを組合せる場合や、２対のブロックを組合
せる場合のいずれにおいても、組合せるブロック同士の
トラックズレを目標値内にいれるための方式検討が必要
である。このための、ひとつの方法として、再生用素子
のトラック幅よりも記録用素子のトラック幅を広く形成
し、トラックズレの目標値を大きくしていた。但し、将
来的に記録密度が向上した場合には、再生用素子のトラ
ック幅と記録用素子のトラック幅の差を小さくし、高精
度に再生用トラックと記録用トラックを形成しなければ
ならない。また、組合せるブロック同士のトラックズレ
を小さくする方法として、もっとも一般的な方法は、基
板切断時のブロック端から基準トラックまでの寸法を管
理し、ブロック組合せ時に各ブロックの管理寸法値の違
い分をずらして組合せればよい。但し、上記のような方
法を採用すると基板切断時の寸法管理や、ブロック組合
せ時に各ブロックをずらして組合せるための設備や治具
が必要となり、寸法管理の工数や設備あるいは治具の投
資により、出来上がったヘッドが高価なものとなってし
まう恐れがあった。
【０００４】さらに、従来のヘッドは、記録用ヘッドと
再生用ヘッドを加工し組合せなければヘッドの特性を測
定することができなかった。従って、組み上がってから
ヘッド特性に異常が発見された場合、それまでの加工、
組立てに掛かる費用が無駄となり、その分を見込んだヘ
ッドの価格となるため安いヘッドを提供することが困難
であった。
再生用ヘッドを加工し組合せなければヘッドの特性を測
定することができなかった。従って、組み上がってから
ヘッド特性に異常が発見された場合、それまでの加工、
組立てに掛かる費用が無駄となり、その分を見込んだヘ
ッドの価格となるため安いヘッドを提供することが困難
であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】記録用薄膜ヘッドと再
生用薄膜ヘッドのブロック端から基準トラックまでの寸
法を管理せず、各ブロックのトラック中心を合わせるた
めの設備や特別な治具を作製することなく、記録用薄膜
ヘッドと再生用薄膜ヘッドのトラックズレが小さく、高
精度のヘッド組立てを簡単に効率良く実施することによ
り安価なヘッドを提供する。また、ヘッド完成時の電気
特性の推定を基板状態で、記録用薄膜ヘッドと再生用薄
膜ヘッドの特性を評価することにより、容易に判別でき
るようにし、無駄な加工、立てを行わずにヘッドを形成
することにより、さらに、安価なヘッドを提供する。
生用薄膜ヘッドのブロック端から基準トラックまでの寸
法を管理せず、各ブロックのトラック中心を合わせるた
めの設備や特別な治具を作製することなく、記録用薄膜
ヘッドと再生用薄膜ヘッドのトラックズレが小さく、高
精度のヘッド組立てを簡単に効率良く実施することによ
り安価なヘッドを提供する。また、ヘッド完成時の電気
特性の推定を基板状態で、記録用薄膜ヘッドと再生用薄
膜ヘッドの特性を評価することにより、容易に判別でき
るようにし、無駄な加工、立てを行わずにヘッドを形成
することにより、さらに、安価なヘッドを提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】薄膜形成基板上に、記録
用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッドを向かい合わせに形成
し、それぞれのトラック中心を合わせて形成し、基板か
らブロックを切り出した後、基板上で向かい合わせにな
っていた記録用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッドを組立て
ることにより解決する。また、基板上の記録用薄膜ヘッ
ドと再生用薄膜ヘッドを磁気的に結合させ、記録用薄膜
ヘッドで発生させた磁界により再生用薄膜ヘッドの特性
評価を行うことにより、同時に記録用薄膜ヘッドの特性
評価を行ったことになる。従って、記録用薄膜ヘッドと
再生用薄膜ヘッドの特性を容易に判別できる。
用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッドを向かい合わせに形成
し、それぞれのトラック中心を合わせて形成し、基板か
らブロックを切り出した後、基板上で向かい合わせにな
っていた記録用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッドを組立て
ることにより解決する。また、基板上の記録用薄膜ヘッ
ドと再生用薄膜ヘッドを磁気的に結合させ、記録用薄膜
ヘッドで発生させた磁界により再生用薄膜ヘッドの特性
評価を行うことにより、同時に記録用薄膜ヘッドの特性
評価を行ったことになる。従って、記録用薄膜ヘッドと
再生用薄膜ヘッドの特性を容易に判別できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明による記録用素子Ｗと再生
用素子Ｒが同一基板上に形成されている平面を図１に示
す。また、図２は、同一基板に向かい合って形成された
一対の記録用素子Ｗと再生用素子Ｒ１トラック分の平面
図を示す。
用素子Ｒが同一基板上に形成されている平面を図１に示
す。また、図２は、同一基板に向かい合って形成された
一対の記録用素子Ｗと再生用素子Ｒ１トラック分の平面
図を示す。
【０００８】まず図１に示すNi-Znフェライト等の磁性
体基板１上に、ギャップを規定するための絶縁膜（図示
せず）をスパッタリング等の手法により形成し、記録用
ライトコイル２と再生用リ−ドコイル３を形成するため
の電気良導体（例えば、Au,Cu,Al等）をスパッタリン
グ、蒸着、メッキ等のいずれかの手法により全面あるい
は部分的に堆積し、図２に示すライトコイル２とリ−ド
コイル３が互いに向き合うように、ホトリソグラフィ技
術により所望形状に形成する。
体基板１上に、ギャップを規定するための絶縁膜（図示
せず）をスパッタリング等の手法により形成し、記録用
ライトコイル２と再生用リ−ドコイル３を形成するため
の電気良導体（例えば、Au,Cu,Al等）をスパッタリン
グ、蒸着、メッキ等のいずれかの手法により全面あるい
は部分的に堆積し、図２に示すライトコイル２とリ−ド
コイル３が互いに向き合うように、ホトリソグラフィ技
術により所望形状に形成する。
【０００９】次に、ライトコイル２を記録用上部磁性体
４と絶縁し、リ−ドコイル３を再生用上部磁性体５と絶
縁するための絶縁膜（図示せず）を同時に形成し、この
上に上部磁性体４、５（Ｎｉ−Ｆｅ等の軟磁性薄膜合
金）を形成するために、スパッタリング、蒸着、メッキ
等のいずれかの手法により全面あるいは部分的に堆積
し、それぞれの上部磁性体４、５が互いに向き合い、記
録用トラック幅と再生用トラック幅を決め、さらに、記
録用素子Ｗと再生用素子Ｒの特性を評価するための接続
部１０を設けるようにホトリソグラフィ技術により所望
形状に形成する。この際、同時に形成される記録用上部
磁性体４と再生用上部磁性体５の中心が同じ位置にくる
ように、あらかじめホトリソグラフィ技術で使われるマ
スクを作製しておくことにより、基板状態における記録
用トラックと再生用トラックのトラックズレをなくすこ
とが可能となる。また、記録用素子Ｗと再生用素子Ｒの
特性を評価するための接続部１０は、各トラック幅より
広く形成し、磁気抵抗を小さくし特性評価時の感度が大
きくなるようにしておいても特に問題はない。
４と絶縁し、リ−ドコイル３を再生用上部磁性体５と絶
縁するための絶縁膜（図示せず）を同時に形成し、この
上に上部磁性体４、５（Ｎｉ−Ｆｅ等の軟磁性薄膜合
金）を形成するために、スパッタリング、蒸着、メッキ
等のいずれかの手法により全面あるいは部分的に堆積
し、それぞれの上部磁性体４、５が互いに向き合い、記
録用トラック幅と再生用トラック幅を決め、さらに、記
録用素子Ｗと再生用素子Ｒの特性を評価するための接続
部１０を設けるようにホトリソグラフィ技術により所望
形状に形成する。この際、同時に形成される記録用上部
磁性体４と再生用上部磁性体５の中心が同じ位置にくる
ように、あらかじめホトリソグラフィ技術で使われるマ
スクを作製しておくことにより、基板状態における記録
用トラックと再生用トラックのトラックズレをなくすこ
とが可能となる。また、記録用素子Ｗと再生用素子Ｒの
特性を評価するための接続部１０は、各トラック幅より
広く形成し、磁気抵抗を小さくし特性評価時の感度が大
きくなるようにしておいても特に問題はない。
【００１０】次に、ライト用端子６とリ−ド用端子７を
形成し、ライトコイル２とリ−ドコイル３及び上部磁性
体４、５を保護するための保護膜（図示せず）を形成す
る。そして、素子形成時の凹凸をなくし、ライト用端子
６とリ−ド用端子７が保護膜表面に出るようにラッピン
グして、記録用素子Ｗと再生用素子Ｒが形成された基板
を完成させる。
形成し、ライトコイル２とリ−ドコイル３及び上部磁性
体４、５を保護するための保護膜（図示せず）を形成す
る。そして、素子形成時の凹凸をなくし、ライト用端子
６とリ−ド用端子７が保護膜表面に出るようにラッピン
グして、記録用素子Ｗと再生用素子Ｒが形成された基板
を完成させる。
【００１１】次に、前記のようにして形成された基板の
記録用素子Ｗと再生用素子Ｒの評価方法について図２を
用いて説明する。記録用素子Ｗのライト用端子６に記録
電流と同等の電流（もしくは評価レベルにあわせて、記
録電流よりも小さな電流あるいは大きな電流）を流し、
このときにライトコイル２によって発生した磁界を上部
磁性体４から接続部１０により上部磁性体５に導き、磁
性体基板１を通って上部磁性体４に戻る閉回路内にリ−
ドコイル３があるため、リ−ドコイル３に誘起される電
圧を、再生用素子Ｒのリ−ド端子７から検出し再生出力
としてモニタ−し、リ−ド端子７から検出された信号の
レベルが設計した値の範囲内にあれば、記録用素子Ｗと
再生用素子Ｒの特性は問題ないと判断できる。また、上
記再生出力とヘッド完成後の再生出力の関係をあらかじ
め求めて置くことにより、加工及び組立てを行わずにヘ
ッド完成時の電気特性のレベルを推定することができ
る。
記録用素子Ｗと再生用素子Ｒの評価方法について図２を
用いて説明する。記録用素子Ｗのライト用端子６に記録
電流と同等の電流（もしくは評価レベルにあわせて、記
録電流よりも小さな電流あるいは大きな電流）を流し、
このときにライトコイル２によって発生した磁界を上部
磁性体４から接続部１０により上部磁性体５に導き、磁
性体基板１を通って上部磁性体４に戻る閉回路内にリ−
ドコイル３があるため、リ−ドコイル３に誘起される電
圧を、再生用素子Ｒのリ−ド端子７から検出し再生出力
としてモニタ−し、リ−ド端子７から検出された信号の
レベルが設計した値の範囲内にあれば、記録用素子Ｗと
再生用素子Ｒの特性は問題ないと判断できる。また、上
記再生出力とヘッド完成後の再生出力の関係をあらかじ
め求めて置くことにより、加工及び組立てを行わずにヘ
ッド完成時の電気特性のレベルを推定することができ
る。
【００１２】前記のようにして形成し、特性を評価した
結果、問題ないと判断された記録用素子Ｗと再生用素子
Ｒを基板切断する。基板切断は、基準トラックから設定
した寸法ａ及び、特性を評価するための接続部１０の中
心を機械加工等により、設計されたブロックサイズとな
るように切断し、基準トラックから設定した寸法ａで切
断された端面を基準として、記録用素子ブロックと再生
用素子ブロックにそれぞれ保護ブロック８、９を貼り合
わせ、それぞれのブロックを所望形状に加工する。そし
て、同一基板上で向かい合わせに形成され、保護ブロッ
ク８、９が貼り合わされた記録用ブロック１１と再生用
ブロック１２を、それぞれ基準としたブロック端面ｃ，
ｄが同一面となるように組合せることにより、記録用ト
ラックＴｗと再生用トラックＴｒの中心が一致したヘッ
ドを容易に形成することができる。このようにして、形
成された多チャンネル薄膜磁気ヘッドを図３に示す。
結果、問題ないと判断された記録用素子Ｗと再生用素子
Ｒを基板切断する。基板切断は、基準トラックから設定
した寸法ａ及び、特性を評価するための接続部１０の中
心を機械加工等により、設計されたブロックサイズとな
るように切断し、基準トラックから設定した寸法ａで切
断された端面を基準として、記録用素子ブロックと再生
用素子ブロックにそれぞれ保護ブロック８、９を貼り合
わせ、それぞれのブロックを所望形状に加工する。そし
て、同一基板上で向かい合わせに形成され、保護ブロッ
ク８、９が貼り合わされた記録用ブロック１１と再生用
ブロック１２を、それぞれ基準としたブロック端面ｃ，
ｄが同一面となるように組合せることにより、記録用ト
ラックＴｗと再生用トラックＴｒの中心が一致したヘッ
ドを容易に形成することができる。このようにして、形
成された多チャンネル薄膜磁気ヘッドを図３に示す。
【００１３】これまでは、再生用素子Ｒにコイルタイプ
の素子を採用した場合について説明してきたが、再生用
素子Ｒに磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と記す）を用
いた場合においても、同様の効果が期待できるので図４
を用いて基板完成までの製造工程を以下に説明する。ま
た、図５を用いて基板状態での素子判定方法を説明す
る。
の素子を採用した場合について説明してきたが、再生用
素子Ｒに磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と記す）を用
いた場合においても、同様の効果が期待できるので図４
を用いて基板完成までの製造工程を以下に説明する。ま
た、図５を用いて基板状態での素子判定方法を説明す
る。
【００１４】図４は、Ni-Znフェライト等の磁性体基板
１上にギャップを規定するための第一絶縁膜（図示せ
ず）をスパッタリング等の手法により形成し、ＭＲセン
サ−２０としてＭＲ効果をもったＮｉ−Ｆｅ薄膜合金等
の軟磁性薄膜と軟磁性薄膜にバイアスを印加するための
バイアス膜をスパッタリング、蒸着等の手法により積層
し、ホトリソグラフィ技術によりＭＲセンサ−２０と、
ＭＲセンサ−２０に代わって特性を評価するためのダミ
−センサ−２１をそれぞれ所望形状に形成する。その
後、ＭＲセンサ−２０とダミ−センサ−２１の抵抗変化
を出力変化として取り出し、さらに、再生用トラック幅
を決めるための、引出し導体２２をＡｕ等の電気良導膜
をスパッタリング等の手法により堆積し、ホトリソグラ
フィ技術により所望形状に形成する。
１上にギャップを規定するための第一絶縁膜（図示せ
ず）をスパッタリング等の手法により形成し、ＭＲセン
サ−２０としてＭＲ効果をもったＮｉ−Ｆｅ薄膜合金等
の軟磁性薄膜と軟磁性薄膜にバイアスを印加するための
バイアス膜をスパッタリング、蒸着等の手法により積層
し、ホトリソグラフィ技術によりＭＲセンサ−２０と、
ＭＲセンサ−２０に代わって特性を評価するためのダミ
−センサ−２１をそれぞれ所望形状に形成する。その
後、ＭＲセンサ−２０とダミ−センサ−２１の抵抗変化
を出力変化として取り出し、さらに、再生用トラック幅
を決めるための、引出し導体２２をＡｕ等の電気良導膜
をスパッタリング等の手法により堆積し、ホトリソグラ
フィ技術により所望形状に形成する。
【００１５】次に、ギャップを規定するための第二絶縁
膜（図示せず）をスパッタリング等の手法により堆積し
たのち、記録用ライトコイル２を形成するための電気良
導体（例えば、Au,Cu,Al等）をスパッタリング、蒸着、
メッキ等のいずれかの手法により全面あるいは部分的に
堆積し、ライトコイル２とＭＲセンサ−２０が互いに向
き合うように、ホトリソグラフィ技術により所望形状に
形成する。
膜（図示せず）をスパッタリング等の手法により堆積し
たのち、記録用ライトコイル２を形成するための電気良
導体（例えば、Au,Cu,Al等）をスパッタリング、蒸着、
メッキ等のいずれかの手法により全面あるいは部分的に
堆積し、ライトコイル２とＭＲセンサ−２０が互いに向
き合うように、ホトリソグラフィ技術により所望形状に
形成する。
【００１６】次に、ライトコイル２を記録用上部磁性体
４と絶縁するための絶縁膜（図示せず）を形成し、この
上に上部磁性体４と、ＭＲセンサ−２０の上に上部シ−
ルド膜２１及び、ダミ−センサ−２１に評価用磁界を導
くための磁気誘導膜２３を形成するため、Ｎｉ−Ｆｅ等
の軟磁性薄膜合金をスパッタリング、蒸着、メッキ等の
いずれかの手法により全面あるいは部分的に堆積する。
上部磁性体４とＭＲセンサ−２０及び、ダミ−センサ−
２１が互いに向き合い、上部磁性体４は、記録用トラッ
ク幅を決め、上部シ−ルド膜２４は、ＭＲセンサ−２０
を覆うようにし、磁気誘導膜２３は、上部磁性体４と連
続し評価用磁界をダミ−センサ−２１に効率良く誘導で
きるように、ホトリソグラフィ技術により所望形状に形
成する。また、磁気誘導膜２３は、磁気抵抗を小さくし
特性評価時の感度が大きくなるように、記録用トラック
幅より広く形成しておいても特に問題はない。
４と絶縁するための絶縁膜（図示せず）を形成し、この
上に上部磁性体４と、ＭＲセンサ−２０の上に上部シ−
ルド膜２１及び、ダミ−センサ−２１に評価用磁界を導
くための磁気誘導膜２３を形成するため、Ｎｉ−Ｆｅ等
の軟磁性薄膜合金をスパッタリング、蒸着、メッキ等の
いずれかの手法により全面あるいは部分的に堆積する。
上部磁性体４とＭＲセンサ−２０及び、ダミ−センサ−
２１が互いに向き合い、上部磁性体４は、記録用トラッ
ク幅を決め、上部シ−ルド膜２４は、ＭＲセンサ−２０
を覆うようにし、磁気誘導膜２３は、上部磁性体４と連
続し評価用磁界をダミ−センサ−２１に効率良く誘導で
きるように、ホトリソグラフィ技術により所望形状に形
成する。また、磁気誘導膜２３は、磁気抵抗を小さくし
特性評価時の感度が大きくなるように、記録用トラック
幅より広く形成しておいても特に問題はない。
【００１７】次に、引出し導体２２から、ＭＲセンサ−
２０及びダミ−センサ−２１の抵抗変化を出力変化とし
て取り出すため、ホトリソグラフィ技術により引出し導
体２２上の第二絶縁膜（図示せず）にスル−ホ−ルを形
成する。そして、ライト用端子６とリ−ド用端子７を形
成し、ライトコイル２と上部磁性体４及び、上部シ−ル
ド膜２１と引出し導体２２を保護するための保護膜（図
示せず）を形成する。そして、素子形成時の凹凸をなく
し、ライト用端子６とリ−ド用端子７が保護膜表面に出
るようにラッピングして、記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素
子Ｒが形成された基板を完成させる。
２０及びダミ−センサ−２１の抵抗変化を出力変化とし
て取り出すため、ホトリソグラフィ技術により引出し導
体２２上の第二絶縁膜（図示せず）にスル−ホ−ルを形
成する。そして、ライト用端子６とリ−ド用端子７を形
成し、ライトコイル２と上部磁性体４及び、上部シ−ル
ド膜２１と引出し導体２２を保護するための保護膜（図
示せず）を形成する。そして、素子形成時の凹凸をなく
し、ライト用端子６とリ−ド用端子７が保護膜表面に出
るようにラッピングして、記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素
子Ｒが形成された基板を完成させる。
【００１８】次に、前記のようにして形成された基板の
記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの評価方法について図
５を用いて説明する。図５は、同一基板に向かい合って
形成された一対の記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの１
トラック分の平面図を示す。また、前記で説明したよう
に、上部磁性体４と磁気誘導膜２３は同一材で形成され
磁気的につながっており、磁気誘導膜２３はダミ−セン
サ−２１の一方の端部とほぼ同一断面に形成されてお
り、ダミ−センサ−２１の他方の端部は上部シ−ルド膜
２４とほぼ同一断面に形成されている。さらに、ダミ−
センサ−２１と同一平面にあるＭＲセンサ−２０は上部
シ−ルド膜２４に覆われ、引出し導体２２がＭＲセンサ
−２０とダミ−センサ−２１上に形成された構造となっ
ている。
記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの評価方法について図
５を用いて説明する。図５は、同一基板に向かい合って
形成された一対の記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの１
トラック分の平面図を示す。また、前記で説明したよう
に、上部磁性体４と磁気誘導膜２３は同一材で形成され
磁気的につながっており、磁気誘導膜２３はダミ−セン
サ−２１の一方の端部とほぼ同一断面に形成されてお
り、ダミ−センサ−２１の他方の端部は上部シ−ルド膜
２４とほぼ同一断面に形成されている。さらに、ダミ−
センサ−２１と同一平面にあるＭＲセンサ−２０は上部
シ−ルド膜２４に覆われ、引出し導体２２がＭＲセンサ
−２０とダミ−センサ−２１上に形成された構造となっ
ている。
【００１９】記録用素子Ｗのライト用端子６に記録電流
と同等の電流（もしくは評価レベルにあわせて、記録電
流よりも小さな電流あるいは大きな電流）を流し、この
ときに発生した磁界を上部磁性体４から磁気誘導膜２３
によりダミ−センサ−２１に導くことにより、ダミ−セ
ンサ−２１の抵抗値が変化し、この抵抗変化を電圧変化
として検出するために、再生用ＭＲ素子Ｒのリ−ド端子
７からダミ−センサ−２１に再生時にＭＲセンサ−２０
に流す電流と同等の直流電流を流して置く。そして、再
生用ＭＲ素子Ｒのリ−ド端子７から検出される出力変化
をモニタ−し、リ−ド端子７から検出された出力変化が
設計した値の範囲内にあれば、記録用素子Ｗとダミ−セ
ンサ−２１の特性に問題はなく、従って、同一工程で形
成されるＭＲセンサ−２０においても、外観的に異常が
なければ再生用ＭＲ素子Ｒの特性も問題ないと判断でき
る。また、上記再生出力とヘッド完成後の再生出力の関
係をあらかじめ求めて置くことにより、加工及び組立て
を行わずにヘッド完成時の電気特性のレベルを推定する
ことができる。
と同等の電流（もしくは評価レベルにあわせて、記録電
流よりも小さな電流あるいは大きな電流）を流し、この
ときに発生した磁界を上部磁性体４から磁気誘導膜２３
によりダミ−センサ−２１に導くことにより、ダミ−セ
ンサ−２１の抵抗値が変化し、この抵抗変化を電圧変化
として検出するために、再生用ＭＲ素子Ｒのリ−ド端子
７からダミ−センサ−２１に再生時にＭＲセンサ−２０
に流す電流と同等の直流電流を流して置く。そして、再
生用ＭＲ素子Ｒのリ−ド端子７から検出される出力変化
をモニタ−し、リ−ド端子７から検出された出力変化が
設計した値の範囲内にあれば、記録用素子Ｗとダミ−セ
ンサ−２１の特性に問題はなく、従って、同一工程で形
成されるＭＲセンサ−２０においても、外観的に異常が
なければ再生用ＭＲ素子Ｒの特性も問題ないと判断でき
る。また、上記再生出力とヘッド完成後の再生出力の関
係をあらかじめ求めて置くことにより、加工及び組立て
を行わずにヘッド完成時の電気特性のレベルを推定する
ことができる。
【００２０】また、前記再生用素子ＲにＭＲ素子を用い
た場合において、ダミ−センサ−２１を設けた実施例に
より説明したが、図６に示すようなダミ−センサ−２１
がないＭＲ素子においても、磁気誘導膜２３をＭＲセン
サ−２０に磁界を印加できる範囲の極近傍まで形成し、
上部シ−ルド膜２４をＭＲセンサ−２０の端部と同一断
面まで形成した構造とすることにより、前記と同様の形
成方法と評価方法を採用することが可能である。
た場合において、ダミ−センサ−２１を設けた実施例に
より説明したが、図６に示すようなダミ−センサ−２１
がないＭＲ素子においても、磁気誘導膜２３をＭＲセン
サ−２０に磁界を印加できる範囲の極近傍まで形成し、
上部シ−ルド膜２４をＭＲセンサ−２０の端部と同一断
面まで形成した構造とすることにより、前記と同様の形
成方法と評価方法を採用することが可能である。
【００２１】さらに、記録用素子と再生用ＭＲ素子を交
互に配置したような構造においても、前記と同様の形成
方法と評価方法を採用することが可能であることは記述
するまでもない。
互に配置したような構造においても、前記と同様の形成
方法と評価方法を採用することが可能であることは記述
するまでもない。
【００２２】
【発明の効果】同一基板上で記録用ヘッドと再生用ヘッ
ドを向かい合わせに形成することにより、それぞれのト
ラック中心ズレを無くし高精度に形成することが可能で
ある。また、このようにして形成された、向かい合わせ
のブロックどうしを組合せることにより、基板切断時の
寸法を管理することなくヘッド組立てが可能となり、ヘ
ッド組立て後の記録用ヘッドと再生用ヘッドのトラック
中心ズレが少ないヘッドを安く作ることができる。
ドを向かい合わせに形成することにより、それぞれのト
ラック中心ズレを無くし高精度に形成することが可能で
ある。また、このようにして形成された、向かい合わせ
のブロックどうしを組合せることにより、基板切断時の
寸法を管理することなくヘッド組立てが可能となり、ヘ
ッド組立て後の記録用ヘッドと再生用ヘッドのトラック
中心ズレが少ないヘッドを安く作ることができる。
【００２３】また、基板状態で記録用ヘッドと再生用ヘ
ッドの特性評価ができるため、ヘッドの加工、組立て後
の特性不良を低減することが可能となり安価な多チャン
ネル薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
ッドの特性評価ができるため、ヘッドの加工、組立て後
の特性不良を低減することが可能となり安価な多チャン
ネル薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】基板上に向かい合わせて形成されている記録用
素子Ｗと再生用素子Ｒの平面図である。
素子Ｗと再生用素子Ｒの平面図である。
【図２】評価方法説明のための記録用素子Ｗと再生用素
子Ｒ１トラック分の平面図である。
子Ｒ１トラック分の平面図である。
【図３】多チャンネル薄膜磁気ヘッドの完成図である。
【図４】基板上に向かい合わせて形成されている記録用
素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの平面図である。
素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒの平面図である。
【図５】評価方法説明のための記録用素子Ｗと再生用Ｍ
Ｒ素子Ｒ１トラック分の平面図である。
Ｒ素子Ｒ１トラック分の平面図である。
【図６】他の記録用素子Ｗと再生用ＭＲ素子Ｒ１トラッ
ク分の平面図である。
ク分の平面図である。
１．磁性体基板， ２．ライトコイル， ３．リ−
ドコイル，４，５．上部磁性体 ６．ライト用端子，
７．リ−ド用端子，８，９．保護ブロック，１０．接
続部 １１．記録用ブロック，１２．再生用ブロ
ック，２０．ＭＲセンサ−，２１．ダミ−センサ−，２
２．引出し導体， ２３．磁気誘導膜 ２４．上部
シ−ルド膜。
ドコイル，４，５．上部磁性体 ６．ライト用端子，
７．リ−ド用端子，８，９．保護ブロック，１０．接
続部 １１．記録用ブロック，１２．再生用ブロ
ック，２０．ＭＲセンサ−，２１．ダミ−センサ−，２
２．引出し導体， ２３．磁気誘導膜 ２４．上部
シ−ルド膜。
Claims (9)
- 【請求項１】記録用薄膜ヘッドまたは／および再生用薄
膜ヘッドが形成されているブロックを、組合せて作製す
る多チャネル薄膜磁気ヘッドにおいて、記録用薄膜ヘッ
ドと再生用薄膜ヘッドを同一基板上で向かい合わせに形
成することを特徴とする多チャネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記請求項１に記載の多チャネル薄膜磁気
ヘッドにおいて、再生用薄膜ヘッドに磁気抵抗効果素子
を採用したことを特徴とする多チャネル薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】上記請求項１及び請求項２に記載の多チャ
ネル薄膜磁気ヘッドにおいて、基板上で再生用薄膜ヘッ
ドのヘッド特性を、記録用薄膜ヘッドで発生させた磁界
によって評価する手段を設けたことを特徴とする多チャ
ネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】上記請求項１及び請求項２に記載の多チャ
ネル薄膜磁気ヘッドにおいて、基板上で記録用薄膜ヘッ
ドのヘッド特性を再生用薄膜ヘッドで評価する手段を設
けたことを特徴とする多チャネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】上記請求項３及び請求項４に記載の評価す
る手段として、記録用薄膜ヘッドの上部磁性体と再生用
薄膜ヘッドの上部磁性体を、接続させた構造としたこと
を特徴とする多チャネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】上記請求項２に記載の再生用薄膜ヘッドを
採用した場合の、請求項３及び請求項４に記載の評価手
段として、磁気誘導膜を設けた構造としたことを特徴と
する多チャネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】上記請求項２に記載の再生用薄膜ヘッドを
採用した場合の、請求項３及び請求項４に記載の評価手
段として、ダミ−の磁気抵抗効果膜を設けた構造とした
ことを特徴とする多チャネル薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】記録用薄膜ヘッドと再生用薄膜ヘッドを、
同一基板上で向かい合わせに形成し、多チャネル薄膜磁
気ヘッドを作製するための製造方法。 - 【請求項９】基板上で再生用薄膜ヘッドのヘッド特性を
記録用薄膜ヘッドで発生させた磁界によって評価する手
段を設けた多チャネル薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27202996A JPH10124820A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 多チャネル薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27202996A JPH10124820A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 多チャネル薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10124820A true JPH10124820A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17508141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27202996A Pending JPH10124820A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 多チャネル薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10124820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224544B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-05-29 | Sony Corporation | Method and device for recording data and erasing servo data |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP27202996A patent/JPH10124820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224544B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-05-29 | Sony Corporation | Method and device for recording data and erasing servo data |
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