JPH10123700A - ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法

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JPH10123700A
JPH10123700A JP9210283A JP21028397A JPH10123700A JP H10123700 A JPH10123700 A JP H10123700A JP 9210283 A JP9210283 A JP 9210283A JP 21028397 A JP21028397 A JP 21028397A JP H10123700 A JPH10123700 A JP H10123700A
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compound
group
aqueous solution
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JP9210283A
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Shigeru Koibuchi
滋 鯉渕
Koji Kato
幸治 加藤
Michiaki Hashimoto
通晰 橋本
Shigeru Nishio
繁 西尾
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Showa Denko Materials Co Ltd
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 遠紫外線、X線、電子線などの露光に対し高
感度で解像度が高いポジ型感光性樹脂組成物及び解像度
の優れたレジスト像を形成することができるレジスト像
の製造法を提供する。 【解決手段】 (A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、
(B)活性化学線照射により酸を生じる化合物、(C)
酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解度を増加す
る酸分解性基を有する物質、(D)溶剤としてジアセト
ンアルコ−ルを含むポジ型感光性樹脂組成物及びこの感
光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥した後、露光、加
熱、現像することを特徴とするレジスト像の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポジ型感光性樹脂組
成物およびレジスト像の製造法に関し、さらに詳しく
は、X線、電子線、遠紫外線等の活性放射線を照射して
微細なレジスト像を得るためのポジ型感光性樹脂組成物
およびレジスト像の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ポジ型感光性樹脂組成物には、フ
ェノ−ルやクレゾ−ルを原料として用いるノボラック樹
脂及び1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4ま
たは5−スルホニルクロリドとポリヒドロキシベンゾフ
ェノン、ナフト−ル、没食子酸エステルなどの水酸基を
有する化合物とのエステルからなる感光剤を含有するも
のが用いられている。
【0003】例えば特公昭54−20330号公報に
は、アルキル基がエチル基以上の没食子酸エステルと
1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4または5
−スルホニルクロリドとを反応させた感光剤を用いた感
光性樹脂組成物が示されている。その他には、特開昭6
0−42753号公報、特開昭60−158440号公
報、特開昭61−86749号公報、特公昭37−18
015号公報、特開昭61−118744号公報および
特開昭61−185741号公報に示されている。
【0004】また、上記ポジ型感光性樹脂組成物の溶剤
としては、従来酢酸2−エトキシエチルまたは酢酸2−
エトキシエチルとキシレン、酢酸ブチルの混合溶剤が用
いられている。最近では、3−オクタノンを用いた例と
して特開平4−29146号公報、モノオキシカルボン
酸エステルを用いた例として特公平3−22619号公
報に記載されている。
【0005】上記の感光性樹脂組成物は、解像度が優れ
ているために波長300〜500nmの紫外線を使用した
露光装置と組み合わせて半導体装置などの製造に使用さ
れている。しかしながら、半導体装置は、高性能化のた
めに、ますます微細化され、半導体装置の線幅は0.3
ミクロン以下の物も試作されつつある。このような微細
なレジスト線幅を得るためには、上記の波長300〜5
00nmの紫外線よりも波長をさらに短くすることが望ま
れ、遠紫外線、X線、電子線などの露光技術がある。上
記のポジ型感光性樹脂組成物は遠紫外線、X線、電子線
などの露光に対し感度が低い欠点がある。
【0006】高感度化を達成するための感光性樹脂組成
物として、活性エネルギ−線で酸を発生する化合物とこ
の酸によって反応が進行する化合物を含む組成物が提案
されており、米国特許第3,779,778号明細書、
特開昭59−454392号公報、特開平2−2585
0号公報等に記載されているが、さらに高感度で高解像
度のものが望まれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】請求項1記載の発明
は、前記の従来技術の問題を解決し、遠紫外線、X線、
電子線などの露光に対し高感度で解像度が高いポジ型感
光性樹脂組成物を提供するものである。請求項2記載の
発明は、解像度の優れたレジスト像を形成することがで
きるレジスト像の製造法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)アルカ
リ水溶液可溶性樹脂、(B)活性化学線照射により酸を
生じる化合物、(C)酸触媒反応によりアルカリ水溶液
に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質及び
(D)溶剤としてジアセトンアルコ−ルを含むポジ型感
光性樹脂組成物に関する。また、本発明はこの感光性樹
脂組成物を基板上に塗布、乾燥した後、露光、加熱、現
像することを特徴とするレジスト像の製造法に関する。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるアルカリ水溶
液可溶性樹脂は、アルカリ水溶液に可溶である樹脂であ
れば使用することができる。例えば、ノボラック樹脂、
アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒ
ドロキシスチレンの重合体などが挙げられる。特に、ポ
リ(ビニルフェノ−ル)を包含するヒドロキシスチレン
の重合体、ノボラック樹脂が好ましい。
【0010】上記ノボラック樹脂についてさらに詳しく
説明する。ノボラック樹脂はフェノール性水酸基を1個
以上有するフェノール類をアルデヒド類を用いて重縮合
させ得ることができる。例えば、フェノール、o−クレ
ゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キ
シレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノールなどのフェノール性
水酸基を1個有するフェノール類、レゾルシノール、カ
テコールなどのフェノール性水酸基を2個有するフェノ
ール類、フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒ
ドロキノン等のフェノール性水酸基を3個有するフェノ
ール類が挙げられる。これらのフェノール類は、それぞ
れ一種単独で又は二種以上を用いることができる。アル
デヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド等を挙げることができる。アルデヒド類
の使用量は、フェノール類1モルに対して0.5〜1.
5モルの範囲が好ましい。
【0011】重縮合のための触媒としては高分子量化さ
せることのできる酸触媒が好ましい。その酸触媒として
は、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等
の有機酸を挙げることができる。酸触媒の使用量は、フ
ェノール類1モルに対して、1×10-5〜1×10-1
ルの範囲が好ましい。重縮合の反応温度と反応時間は、
合成原料の反応性に応じて適宜調整することができる
が、通常、反応温度は、60〜130℃であり、反応時
間は、1〜12時間である。重縮合の方法としては、フ
ェノール類、アルデヒド類及び触媒を一括で仕込む方
法、触媒存在下にフェノール類及びアルデヒド類を反応
の進行と共に加えていく方法などを挙げることができ
る。重縮合終了後は、反応系内に存在する未反応原料、
縮合水、触媒等を除去するために、減圧下、例えば、2
0〜50mmHgで、反応系内の温度を150〜200℃に
上昇させて、その後、樹脂を回収する。
【0012】本発明に使用する活性化学線照射により酸
を生じる化合物としては、オニウム塩、ハロゲン化合
物、フェノ−ル性水酸基を複数含む化合物のスルホン酸
エステル、キノンジアジド化合物などが挙げられる。
【0013】オニウム塩としては、例えば、ヨードニウ
ム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム
塩、ジアゾニウム塩などを挙げることができ、好ましく
はジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウ
ム塩、トリアルキルスルホニウム塩(アルキル基の炭素
数は1〜4)があり、オニウム塩の対アニオンは、例え
ば、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロアンチモン
酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢
酸、トルエンスルホン酸などがある。
【0014】ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハ
ロアルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含
有ヘテロ環状化合物などを挙げることができ、好ましく
はトリクロロメチルトリアジン、ブロモアセチルベンゼ
ンなどがある。
【0015】スルホン酸エステル化合物としては、フェ
ノ−ル性水酸基を複数有する化合物とアルキルスルホン
酸あるいは芳香族スルホン酸とのエステルがある。フェ
ノ−ル性水酸基を複数有する化合物としてはフェノ−ル
性水酸基を複数有する芳香族化合物等があり、具体的に
はフェノ−ル、レゾルシノ−ル、ピロガロ−ル、1,2
−ジヒドロキシナフタレン、1,3−ジヒドロキシナフ
タレンなどがある。スルホン酸としてはアルキルスルホ
ン酸、芳香族スルホン酸があり、としてメタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロピルスルホン酸、ブチルス
ルホン酸等、芳香族スルホン酸としてフェニルスルホン
酸、ナフチルスルホン酸等がある。
【0016】フェノ−ル性水酸基を複数有する族化合物
とスルホン酸とのエステルは、通常のエステル化反応に
より合成できる。例えば、アルカリ性触媒下でフェノ−
ル性水酸基を複数有する化合物とスルホン酸の塩化物を
反応させることができる。これにより得られた合成物
は、適当な溶媒を用いて再結晶法あるいは再沈殿法によ
り精製処理を行うことができる。
【0017】キノンジアジド化合物としては、ジアゾベ
ンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などを挙
げることができる。
【0018】本発明に用いられる側鎖に酸触媒反応によ
りアルカリ水溶液に対する溶解性が増加される酸分解性
基を有する化合物として望ましいものは、酸によって効
率的に側鎖の酸分解性基が解離され、その最終生成物の
アルカリ水溶液に対する溶解性が解離前の化合物のそれ
と著しく異なる化合物である。このような化合物として
は、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合
体、ヒドロキシスチレンの重合体(ポリビニルフェノー
ルを包含する)などのアルカリ水溶液可溶性樹脂のフェ
ノール性水酸基、カルボキシル基などの水素原子を酸の
存在下で解離することが可能な基で置換した化合物が挙
げられる。
【0019】酸の存在下で解離することが可能な基の具
体例としては、メトキシメチル基、メトキシエトキシメ
チル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニ
ル基、ベンジルオキシメチル基、1−メトキシエチル
基、1−エトキシエチル基、メトキシベンジル基、t−
ブチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、t−ブトキシカルボニル基、トリメチルシリル基、
トリエチルシリル基、フェニルジメチルシリル基などを
挙げることができる。その中でもテトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、t−ブトキシカルボニル
基、1−エトキシエチル基、トリエチルシリル基などが
好ましい。
【0020】酸の存在下で解離することが可能な基のフ
ェノール性水酸基またはカルボキシル基の水素への置換
率は15〜100%であることが好ましく、さらに、3
0〜100%であることが好ましい。酸分解性基を有す
るビニル重合体は、その水酸基の全てが酸分解性基で保
護されている必要はない。酸分解性基を有するビニル重
合体の分子量については、GPCにより求めたポリスチ
レン換算重量平均分子量(Mw)が1,500〜3,0
00のものが好ましい。この分子量の範囲の重合体は、
アルカリ水溶液可溶性樹脂との相溶性が良いので、レジ
スト表面のアルカリ水溶液に対する難溶化層の形成がな
く、高解像度のレジスト材料となる。
【0021】上記感光性樹脂組成物に使用する溶剤とし
てはジアセトンアルコ−ルが用いられる。ジアセトンア
ルコ−ルは、活性化学線照射により酸を生じる化合物を
良く溶解し使用することができる。溶剤としては、他の
ものを併用することもできる。これらの例としては、エ
チレングリコ−ルモノメチルエ−テル等のグリコ−ルエ
−テル類、メチルセロソルブアセテ−ト等のエチレング
リコ−ルアルキルエ−テルアセテ−ト類、プロピレング
リコ−ルメチルエ−テルアセテ−ト等のプロピレングリ
コ−ルアルキルエ−テルアセテ−ト類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類、環状ケトンとしては、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、シクロヘプタノンなどが好ましい。アルコキ
シカルボン酸エステルとしては、メトキシプロピオン酸
メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピ
オン酸エチル、メトキシ酢酸メチル等、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類、等がある。
これらの溶剤は単独でまたは2種以上混合して用いても
よい。
【0022】ジアセトンアルコ−ルと他の溶剤との使用
割合は、ジアセトンアルコ−ル/他の溶剤=100/0
〜50/50(重量部)であり、好ましくは100/0
〜70/30(重量部)であり、さらに好ましくは10
0/0〜90/10(重量部)である。他の溶剤の使用
割合が上記範囲より多くなると、活性化学線照射により
酸を生じる化合物の溶解性を損なう。
【0023】(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、(B)
活性化学線照射により酸を生じる化合物、(C)酸触媒
反応によりアルカリ水溶液に対し溶解度を増加する酸分
解性基を有する物質及び(D)溶剤の好ましい割合は、
(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂100重量部に対し、
(B)活性化学線照射により酸を生じる化合物0.5〜
30重量部、(C)酸触媒反応によりアルカリ水溶液に
対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質3〜30
0重量部、(D)溶剤200〜1000重量部である。
(B)活性化学線照射により酸を生じる化合物が多すぎ
ると溶剤に対する溶解性が不足する傾向があり、少なす
ぎると感度が不足する傾向がある。(C)酸触媒反応に
よりアルカリ水溶液に対し溶解度を増加する酸分解性基
を有する物質が少なすぎると現像時に塗膜の膜減りが大
きくなる傾向があり、多すぎると感度が低下する傾向が
ある。(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂100重量部に
対し、(B)活性化学線照射により酸を生じる化合物2
〜15重量部、(C)酸触媒反応によりアルカリ水溶液
に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質5〜2
00重量部配合することが特に好ましい。
【0024】本発明になるポジ型感光性樹脂組成物は、
目的に応じて副次的な成分を含有してもよい。これらの
例としては、例えば貯蔵安定性を図るための熱重合(熱
反応)防止剤、塗布膜厚の均一性にする界面活性剤、例
えば、パ−フルオロアルキルエ−テル、パ−フルオロア
ルキルエステルなどがある。また基板との密着性を向上
させるための密着性向上剤等も使用することができる。
【0025】本発明のポジ型感光性樹脂組成物を基板上
に塗布、乾燥して得られる塗膜は、この塗膜中の活性化
学線照射により酸を生じる化合物が活性エネルギ−線に
よって分解し、酸分解基と反応してアルカリ現像液に可
溶となる。活性エネルギ−線としては、遠紫外線、X
線、電子線が使われ、公知の手段により行われる。活性
エネルギ−線で露光後に反応を促進させる目的で加熱を
行うことが好ましい。加熱は通常ホットプレ−ト、オ−
ブンを使用して行うことができる。加熱温度は50〜1
50℃が好ましく、加熱時間は0.5〜60分間程度で
ある。露光後(また、露光し、次いで加熱した後)、現
像をし、レジスト像を得る。現像液にはアルカリ水溶液
として、通常水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化テトラメチルアンモニウム、コリン等の5重量%以
下、好ましくは1.5〜3.0重量%の水溶液が用いら
れる。現像の方法には、浸せき、スプレ−、パドル(液
もり)法などを用いる。
【0026】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 合成例1(メタパラクレゾ−ルノボラック樹脂の合成) 500mlのフラスコにm−クレゾ−ル55gとp−クレ
ゾ−ル45g、ホルマリン37重量%水溶液52.45
gおよび蓚酸0.2gを仕込み、95℃で3時間反応さ
せた。次に105℃で1時間還流脱水させ、その後に1
80℃で1時間1mmHgまで減圧して未反応のクレゾ−ル
を回収除去後、ステンレス性のバットに空けて、メタパ
ラクレゾ−ルノボラック樹脂(ゲルパーミエーションク
ロマトグラフィ(GPC)による測定、ポリスチレン換
算重量平均分子量10,000)を得た。
【0027】合成例2(酸触媒反応によりアルカリ水溶
液に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質の合
成) 撹拌機を装着した1リットルのセパラブルフラスコにポ
リ(P−ビニルフェノ−ル)(丸善石油化学(株)商品名
リンカ−M)20g,酢酸エチル300mlを仕込み、室
温(25℃)下で撹拌溶解させた。次いでフラスコ中に
3,4−ジヒドロ−2H−ピラン105g,12N塩酸
0.5mlを加え室温かで1時間撹拌し、その後3日間放
置した。反応溶液に水酸化テトラメチルアンモニウム
2.38重量%水溶液を160ml加えてよく撹拌し有機
層を取り出した。ここで得られた有機層溶液を蒸留水3
00mlで3回洗浄し有機層を乾燥させエバポレ−タによ
って濃縮した。濃縮溶液50mlに対し石油エ−テル50
0mlを用いて再沈殿を行った。この再沈殿操作を2回繰
り返した後、生成物を減圧乾燥器(圧力;3mmHg、40
℃)で8時間乾燥し、水酸基にテトラヒドロピラニル基
を反応させた物を得た。
【0028】合成例3(活性化学線照射により酸を生じ
る化合物の合成) 0.5リットルのセパラブルフラスコ内でトリフルオロ
メタンスルホン酸銀25gをテトラヒドロフラン200
ccに溶解し、これにヨウ化トリメチルスルホニウム20
gを加え撹拌した。室温下で1日間反応させた後、析出
したヨウ化銀をろ過で除去し、ろ液を濃縮し、得られた
生成物をエチルアルコ−ルに溶解、再結晶し、トリメチ
ルスルホニオトリフロロメタンスルホナ−ト17gが得
られた。
【0029】実施例1 合成例1で得たメタパラクレゾ−ルノボラック樹脂92
g、合成例2で得た物質8g、合成例3で得たトリメチ
ルスルホニオトリフロロメタンスルホナ−ト5gをジア
セトンアルコ−ル320gに溶解させた後、孔径0.2
μmのメンブランフィルタ−で濾過して感光性溶液を得
た。得られた溶液をHMDS(ヘキサメチルジシラザ
ン)処理したシリコン基板上に塗布し、120℃、2分
間ホットプレ−トで乾燥して1μm厚の感光膜を得た。
ついで、塗膜に50kVの加速電圧の電子線描画装置を用
いて、3.5μC/cm2の照射量でホ-ルパタン描画後、1
00℃で、10分間オ−ブンで加熱後、水酸化テトラメ
チルアンモニウムの2.38重量%水溶液で120秒間
現像した。0.4μmのホ−ルパタンが得られた。
【0030】実施例2 実施例1で用いた活性化学線照射により酸を生じる化合
物をトリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼンに変え
て2gを用い、他は実施例1の樹脂、合成例2で得た物
質を用いてジアセトンアルコ−ル320gに溶解させた
後、孔径0.2μmのメンブランフィルタ−で濾過して
感光性溶液を得た。得られた溶液をHMDS処理したシ
リコン基板上に塗布し、120℃、2分間ホットプレ−
トで乾燥して1μm厚の感光膜を得た。ついで、塗膜に
30kVの加速電圧の電子線描画装置を用いて、7.0μ
C/cm2の照射量でホ-ルパタン描画後、100℃で、10
分間オ−ブンで熱処理後、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムの2.38重量%水溶液で120秒間現像した。
0.4μmのホ−ルパタンが得られた。
【0031】参考例 活性化学線照射により酸を生じる化合物のトリス(メタ
ンスルホニルオキシ)ベンゼンの溶解性を確認するため
に、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン2gを
ジアセトンアルコ−ル200gを混合したところ、溶解
した。
【0032】比較例1〜6 活性化学線照射により酸を生じる化合物のトリス(メタ
ンスルホニルオキシ)ベンゼンの溶解性を確認するため
に、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン2gと
以下の溶剤200gを混合したところ、全量溶解しなか
った。比較例1:2−ヘキサノン 比較例2:ヘプタノン 比較例3:乳酸エチル 比較例4:乳酸プロピル 比較例5:乳酸イソアミル 比較例6:酢酸イソアミル
【0033】
【発明の効果】請求項1のポジ型感光性樹脂組成物に用
いる溶剤は溶解性が高く、解像度の優れたレジスト像を
与えるポジ型感光性樹脂組成物溶液を提供することがで
き、写真工業、、電子工業、印刷工業等の分野に広く使
用することが可能となる。請求項2における方法により
解像度の優れるレジスト像を作製することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 569F (72)発明者 西尾 繁 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、
    (B)活性化学線照射により酸を生じる化合物、(C)
    酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解度を増加す
    る酸分解性基を有する物質、(D)溶剤としてジアセト
    ンアルコ−ルを含むポジ型感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の感光性樹脂組成物を基板
    上に塗布、乾燥した後、露光、加熱、現像することを特
    徴とするレジスト像の製造法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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