JPH10121289A - 非シアン系銀めっき浴 - Google Patents
非シアン系銀めっき浴Info
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- JPH10121289A JPH10121289A JP27601596A JP27601596A JPH10121289A JP H10121289 A JPH10121289 A JP H10121289A JP 27601596 A JP27601596 A JP 27601596A JP 27601596 A JP27601596 A JP 27601596A JP H10121289 A JPH10121289 A JP H10121289A
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い電流密度範囲において安定した半光沢外
観を得ることができる非シアン系銀めっき浴を提供す
る。 【構成】 この発明に係る非シアン系銀めっき浴は、銀
化合物として無機酸銀を含有し、錯形成剤としてヒダン
トイン化合物を含有し、チオ硫酸塩を０．１〜１０００
ｍｇ／リットル含有している。この銀めっき浴は電流密
度による影響をほとんど受けず、光沢度のムラもないた
め、浴の管理が容易である。
観を得ることができる非シアン系銀めっき浴を提供す
る。 【構成】 この発明に係る非シアン系銀めっき浴は、銀
化合物として無機酸銀を含有し、錯形成剤としてヒダン
トイン化合物を含有し、チオ硫酸塩を０．１〜１０００
ｍｇ／リットル含有している。この銀めっき浴は電流密
度による影響をほとんど受けず、光沢度のムラもないた
め、浴の管理が容易である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非シアン系銀めっき
浴に関するものである。
浴に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銀めっきは、古くから装飾用、洋食器具
等に用いられ、そしてまたその優れた電気的特性のため
に電子工業分野においても広く利用されている。
等に用いられ、そしてまたその優れた電気的特性のため
に電子工業分野においても広く利用されている。
【０００３】そして、銀めっきに用いられる銀めっき浴
としては、ほとんどがシアン化銀を含んだシアン浴であ
ったが、最近では、作業安全上或いは排水処理上の要請
から非シアン系の銀めっき浴も各種提案されている。電
子工業分野での銀めっき浴には、適度な平滑性を得るた
めに光沢度調整剤が添加される〔日本プレーティング協
会編実用めっき（Ｉ）増補版（昭和６０年２月発行）の
第４５０頁参照〕。一般には、光沢度０．３〜０．８
（ＧＡＭ光沢計）が適当と言われている。例えば、銀め
っき浴に用いられるこの種の光沢度調整剤としては、一
般にチオール系の有機光沢度調整剤や、セレン及びアン
チモンといった無機光沢度調整剤等がある。
としては、ほとんどがシアン化銀を含んだシアン浴であ
ったが、最近では、作業安全上或いは排水処理上の要請
から非シアン系の銀めっき浴も各種提案されている。電
子工業分野での銀めっき浴には、適度な平滑性を得るた
めに光沢度調整剤が添加される〔日本プレーティング協
会編実用めっき（Ｉ）増補版（昭和６０年２月発行）の
第４５０頁参照〕。一般には、光沢度０．３〜０．８
（ＧＡＭ光沢計）が適当と言われている。例えば、銀め
っき浴に用いられるこの種の光沢度調整剤としては、一
般にチオール系の有機光沢度調整剤や、セレン及びアン
チモンといった無機光沢度調整剤等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の非シアン系銀めっき浴は光沢効果が得られる
電流密度範囲が狭く、ある一定の限られた範囲内でしか
要求される光沢度を得ることができなかった。
うな従来の非シアン系銀めっき浴は光沢効果が得られる
電流密度範囲が狭く、ある一定の限られた範囲内でしか
要求される光沢度を得ることができなかった。
【０００５】本発明はこのような従来の技術に着目して
なされたものであり、広い電流密度範囲において安定し
た半光沢外観を得ることができる非シアン系銀めっき浴
を提供するものである。
なされたものであり、広い電流密度範囲において安定し
た半光沢外観を得ることができる非シアン系銀めっき浴
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の非シアン系銀めっき浴は、銀化合物として
無機酸銀を含有し、錯形成剤としてある種のヒダントイ
ン化合物を含有し、チオ硫酸塩を０．１〜１０００ｍｇ
／リットル含有してなるものである。
に、本発明の非シアン系銀めっき浴は、銀化合物として
無機酸銀を含有し、錯形成剤としてある種のヒダントイ
ン化合物を含有し、チオ硫酸塩を０．１〜１０００ｍｇ
／リットル含有してなるものである。
【０００７】この銀めっき浴を用いることにより、半光
沢外観が得られる電流密度範囲が広がる。つまり、良好
な安定した半光沢外観が得られる電流密度範囲が、従来
の銀めっき浴に比べて広くなる。また、光沢度は浴温や
他の成分により変化させることができるが、本発明に係
る銀めっき浴は電流密度による影響はほとんど受けな
い。そして、光沢度のムラもないため、浴の管理が容易
である。
沢外観が得られる電流密度範囲が広がる。つまり、良好
な安定した半光沢外観が得られる電流密度範囲が、従来
の銀めっき浴に比べて広くなる。また、光沢度は浴温や
他の成分により変化させることができるが、本発明に係
る銀めっき浴は電流密度による影響はほとんど受けな
い。そして、光沢度のムラもないため、浴の管理が容易
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の銀めっき浴で、錯形成剤
として用いられるヒダントイン化合物は、一般式
として用いられるヒダントイン化合物は、一般式
【化３】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコール〕または一般式
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコール〕または一般式
【化４】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ5 ′はそれぞれ水素、又
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコール〕で表される。
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコール〕で表される。
【０００９】具体的には、上記ヒダントイン化合物とし
て、ヒダントイン、１−メチルヒダントイン、１，３−
ジメチルヒダントイン、５，５−ジメチルヒダントイ
ン、１−メタノール−５，５−ジメチルヒダントイン、
５，５−ジフェニルヒダントイン等を採用できる。
て、ヒダントイン、１−メチルヒダントイン、１，３−
ジメチルヒダントイン、５，５−ジメチルヒダントイ
ン、１−メタノール−５，５−ジメチルヒダントイン、
５，５−ジフェニルヒダントイン等を採用できる。
【００１０】また、この銀めっき浴で光沢度調整剤とし
て用いられているチオ硫酸塩の具体例としては、チオ硫
酸カリウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウ
ム等が好適である。
て用いられているチオ硫酸塩の具体例としては、チオ硫
酸カリウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウ
ム等が好適である。
【００１１】この非シアンの銀めっき浴は、銀を金属濃
度で１〜１００ｇ／リットル含有するとともに、錯形成
剤を浴中の銀イオン濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／リ
ットル含有するものとしている。そしてまた、この銀め
っき浴は、ｐＨ８〜１３、液温３０〜９０℃、電流密度
１〜１５０Ａ／ｄｍ2 の操作条件で用いられるものとし
ている。
度で１〜１００ｇ／リットル含有するとともに、錯形成
剤を浴中の銀イオン濃度が１０-15 〜１０-2ｍｏｌ／リ
ットル含有するものとしている。そしてまた、この銀め
っき浴は、ｐＨ８〜１３、液温３０〜９０℃、電流密度
１〜１５０Ａ／ｄｍ2 の操作条件で用いられるものとし
ている。
【００１２】本発明のチオ硫酸塩による光沢効果は前述
したように電流密度の影響をそれほど受けない。しか
し、光沢効果は浴温度の影響を受ける。すなわち、浴温
度が高いほど、光沢度が低下するという傾向性を示す。
したように電流密度の影響をそれほど受けない。しか
し、光沢効果は浴温度の影響を受ける。すなわち、浴温
度が高いほど、光沢度が低下するという傾向性を示す。
【００１３】本発明の銀めっき浴では、ストライクめっ
きとして使用する以外の場合は、溶解性の銀アノードを
使用した方が好適である。すなわち銀アノードを使用す
る場合は、銀が溶解して浴中の銀濃度が増加するため、
ストライク浴としての特長を失ってしまうが、それ以外
の銀めっき浴の場合は、浴の銀濃度管理の手間が軽減さ
れる。更に、アノードとして、銀を使用した場合は、そ
れ以外の金属（例えば白金めっきチタンアノード）を使
用する場合に比べて、浴中におけるチオ硫酸塩の分解反
応を抑制することができる。従って、光沢度調整剤の寿
命（ひいては銀めっき浴の寿命）が長くなる。このよう
に、銀アノードを利用したことにより、前記チオ硫酸塩
の分解反応を抑えることができるのは、アノードにおけ
るチオ硫酸塩の酸化反応が銀の溶解反応により抑制或い
は防止されるという理由によるものである。
きとして使用する以外の場合は、溶解性の銀アノードを
使用した方が好適である。すなわち銀アノードを使用す
る場合は、銀が溶解して浴中の銀濃度が増加するため、
ストライク浴としての特長を失ってしまうが、それ以外
の銀めっき浴の場合は、浴の銀濃度管理の手間が軽減さ
れる。更に、アノードとして、銀を使用した場合は、そ
れ以外の金属（例えば白金めっきチタンアノード）を使
用する場合に比べて、浴中におけるチオ硫酸塩の分解反
応を抑制することができる。従って、光沢度調整剤の寿
命（ひいては銀めっき浴の寿命）が長くなる。このよう
に、銀アノードを利用したことにより、前記チオ硫酸塩
の分解反応を抑えることができるのは、アノードにおけ
るチオ硫酸塩の酸化反応が銀の溶解反応により抑制或い
は防止されるという理由によるものである。
【００１４】
【実施例】表１に示されているように、本発明に係る銀
めっき浴を５種（実施例１〜５）調製した。また、比較
例として、光沢度調整剤を従来の酒石酸アンチモニルカ
リウムに変更した浴（比較例１）と、サッカリンに変更
した浴（比較例２）を用意した。各銀めっき浴を銀アノ
ードを用いてめっきを行った。。
めっき浴を５種（実施例１〜５）調製した。また、比較
例として、光沢度調整剤を従来の酒石酸アンチモニルカ
リウムに変更した浴（比較例１）と、サッカリンに変更
した浴（比較例２）を用意した。各銀めっき浴を銀アノ
ードを用いてめっきを行った。。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】尚、上記表２における「電流密度」は噴射
めっき装置を使用した場合の値である。この噴射めっき
は、温度６０℃、ポンプ流量１２リットル／分、めっき
面積１ｃｍ2 の条件で行われた。
めっき装置を使用した場合の値である。この噴射めっき
は、温度６０℃、ポンプ流量１２リットル／分、めっき
面積１ｃｍ2 の条件で行われた。
【００１８】そして、各実施例及び比較例において、安
定した半光沢外観が得れる電流密度と寿命評価を行っ
た。光沢評価は、光沢度計（ＧＡＭ）を用いて測定し
た。光沢度のバラツキがプラスマイナス０．１の範囲を
安定した半光沢外観とし、それ以外を不良とした。
定した半光沢外観が得れる電流密度と寿命評価を行っ
た。光沢評価は、光沢度計（ＧＡＭ）を用いて測定し
た。光沢度のバラツキがプラスマイナス０．１の範囲を
安定した半光沢外観とし、それ以外を不良とした。
【００１９】結果は表２に示すように、実施例１〜５の
方は、広い電流密度範囲において均一な半光沢外観を得
ることができた。そして、析出効率は１００％であっ
た。
方は、広い電流密度範囲において均一な半光沢外観を得
ることができた。そして、析出効率は１００％であっ
た。
【００２０】これに対し、比較例１及び比較例２にあっ
ては、実施例の場合の上限値よりも低い上限値、或いは
実施例の下限値よりも高い下限値でしか、均一な半光沢
外観は得ることができなかった。
ては、実施例の場合の上限値よりも低い上限値、或いは
実施例の下限値よりも高い下限値でしか、均一な半光沢
外観は得ることができなかった。
【００２１】
【発明の効果】この発明の銀めっき浴を用いることによ
り、良好な安定した半光沢外観が得られる電流密度範囲
が、従来の銀めっき浴の場合に比べて広くなる。
り、良好な安定した半光沢外観が得られる電流密度範囲
が、従来の銀めっき浴の場合に比べて広くなる。
Claims (1)
- 【請求項１】 銀化合物として無機酸銀を含有し、錯形
成剤として、 一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 はそれぞれ水素、又は１〜５
個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール基、又は
アルコール〕または一般式 【化２】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ5 、Ｒ5 ′はそれぞれ水素、又
は１〜５個の炭素原子を持つアルキル基、又はアリール
基、又はアルコール〕で表されるヒダントイン化合物の
少なくともいずれかを含有し、チオ硫酸塩を０．１〜１
０００ｍｇ／リットル含有してなる非シアン系銀めっき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27601596A JPH10121289A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 非シアン系銀めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27601596A JPH10121289A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 非シアン系銀めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10121289A true JPH10121289A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17563605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27601596A Pending JPH10121289A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 非シアン系銀めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10121289A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100044239A1 (en) * | 2006-10-09 | 2010-02-25 | Enthone Inc. | Cyanide-free electrolyte composition, and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates |
| CN108950616A (zh) * | 2018-09-27 | 2018-12-07 | 南京市产品质量监督检验院 | 一种硫代硫酸盐镀银添加剂、其制备方法及包含它的电镀液 |
| WO2022158291A1 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 | 株式会社Jcu | 電解銀めっき浴およびこれを用いた電解銀めっき方法 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP27601596A patent/JPH10121289A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100044239A1 (en) * | 2006-10-09 | 2010-02-25 | Enthone Inc. | Cyanide-free electrolyte composition, and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates |
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