JPH10112551A - 半導体導波路型受光素子 - Google Patents
半導体導波路型受光素子Info
- Publication number
- JPH10112551A JPH10112551A JP8265853A JP26585396A JPH10112551A JP H10112551 A JPH10112551 A JP H10112551A JP 8265853 A JP8265853 A JP 8265853A JP 26585396 A JP26585396 A JP 26585396A JP H10112551 A JPH10112551 A JP H10112551A
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- Japan
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- semiconductor
- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メサストライプ状の導波路構造を有する半導
体受光素子のメササイドのリークによる暗電流を抑制す
る。 【解決手段】 メサストライプ側壁のうち少なくとも光
吸収層の部分を、ストライプ方向と直交し、かつ、（１
１１）方向より１°〜３６°傾斜する法線を有する平面
にする。
体受光素子のメササイドのリークによる暗電流を抑制す
る。 【解決手段】 メサストライプ側壁のうち少なくとも光
吸収層の部分を、ストライプ方向と直交し、かつ、（１
１１）方向より１°〜３６°傾斜する法線を有する平面
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速度で低暗電流
の半導体導波路型受光素子及びその製造方法に関するも
のである。
の半導体導波路型受光素子及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体導波路型受光素子は、低キ
ャリア濃度の光吸収層の上側にｐ型クラッド層を、下側
にｎ型クラッド層を有する半導体積層構造を半導体基板
上に形成して実現している。ここで、光吸収層のバンド
ギャップエネルギーは上下のクラッド層よりも小さく設
定され、受光素子端面より入射した信号光は光吸収層内
を導波するようになっており、ｐ型クラッド層とｎ型ク
ラッド層の間に逆電圧を印加すれば、低キャリア濃度の
光吸収層が空乏化され、この空乏層内に生じる高電界に
よって、光吸収層内を導波する信号光が光電変換され
る。すなわち入射光によって発生した空乏層内の励起キ
ャリアを光電流として検出するものである。励起キャリ
アは、空乏層内で発生し、空乏層内に発生している電界
によって分離、ドリフトして、ホールの場合は、ｐ型ク
ラッド層、電子の場合はｎ型クラッド層に達し、光電流
に寄与する。
ャリア濃度の光吸収層の上側にｐ型クラッド層を、下側
にｎ型クラッド層を有する半導体積層構造を半導体基板
上に形成して実現している。ここで、光吸収層のバンド
ギャップエネルギーは上下のクラッド層よりも小さく設
定され、受光素子端面より入射した信号光は光吸収層内
を導波するようになっており、ｐ型クラッド層とｎ型ク
ラッド層の間に逆電圧を印加すれば、低キャリア濃度の
光吸収層が空乏化され、この空乏層内に生じる高電界に
よって、光吸収層内を導波する信号光が光電変換され
る。すなわち入射光によって発生した空乏層内の励起キ
ャリアを光電流として検出するものである。励起キャリ
アは、空乏層内で発生し、空乏層内に発生している電界
によって分離、ドリフトして、ホールの場合は、ｐ型ク
ラッド層、電子の場合はｎ型クラッド層に達し、光電流
に寄与する。
【０００３】このような半導体導波路型受光素子の動作
速度を高めるためには逆電圧印加時に発生する電気容量
を小さくすることが必要である。このためには、半導体
基板上に形成した半導体積層構造をエッチング等により
メサストライプ状に加工することによって逆電圧印加時
に生じる空乏層の断面積を小さくすることが有効であ
る。
速度を高めるためには逆電圧印加時に発生する電気容量
を小さくすることが必要である。このためには、半導体
基板上に形成した半導体積層構造をエッチング等により
メサストライプ状に加工することによって逆電圧印加時
に生じる空乏層の断面積を小さくすることが有効であ
る。
【０００４】図２は、半導体基板上に形成した半導体積
層構造をエッチングによりメサストライプ状に加工した
従来の半導体導波路型受光素子の構造を示す説明図であ
る。図において、１１はキャリア濃度５×１０18cm-3の
ｎ−ＩｎＰ基板であり、１２は厚さ０．５μｍ、キャリ
ア濃度１×１０18cm-3、エネルギーバンドの波長が１．
０５μｍのｎ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、１３は厚
さ１μｍ、ノンドープのＧａＩｎＡｓ光吸収層，１４は
厚さ３μｍ，キャリア濃度１×１０18cm-3、エネルギー
バンドの波長が１．０５μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉
じ込め層、１５は厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18
cm-3ｐ−ＩｎＰクラッド層、１６はキャリア濃度２×１
０19cm-3、エネルギーバンドの波長が１．５５μｍのｐ
−ＧａＩｎＡｓＰ層である。ここで、１２から１６の半
導体層は全てＩｎＰ基板１１に格子整合する組成に選択
されている。
層構造をエッチングによりメサストライプ状に加工した
従来の半導体導波路型受光素子の構造を示す説明図であ
る。図において、１１はキャリア濃度５×１０18cm-3の
ｎ−ＩｎＰ基板であり、１２は厚さ０．５μｍ、キャリ
ア濃度１×１０18cm-3、エネルギーバンドの波長が１．
０５μｍのｎ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、１３は厚
さ１μｍ、ノンドープのＧａＩｎＡｓ光吸収層，１４は
厚さ３μｍ，キャリア濃度１×１０18cm-3、エネルギー
バンドの波長が１．０５μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉
じ込め層、１５は厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０18
cm-3ｐ−ＩｎＰクラッド層、１６はキャリア濃度２×１
０19cm-3、エネルギーバンドの波長が１．５５μｍのｐ
−ＧａＩｎＡｓＰ層である。ここで、１２から１６の半
導体層は全てＩｎＰ基板１１に格子整合する組成に選択
されている。
【０００５】そして、１２の半導体層の一部及び１３か
ら１６の半導体層は、エッチングにより側面が（１１
１）面であるメサストライプ状に加工されている。さら
に、誘電体膜１７がメササイド（メサストライプの側
壁）を覆うように形成され、メサストライプ頂部にｐ側
オーミック電極１８が、ｎ−ＩｎＰ基板１１の裏面には
ｎ側オーミック電極１９形成されている。
ら１６の半導体層は、エッチングにより側面が（１１
１）面であるメサストライプ状に加工されている。さら
に、誘電体膜１７がメササイド（メサストライプの側
壁）を覆うように形成され、メサストライプ頂部にｐ側
オーミック電極１８が、ｎ−ＩｎＰ基板１１の裏面には
ｎ側オーミック電極１９形成されている。
【０００６】ここで、逆電圧印加時に発生する電気容量
低減のためには、空乏層を生じる領域である光吸収層１
３のみをメサストライプ状に加工すれば足りるのである
が、図２のように光吸収層１３の上下の層もメサストラ
イプ状に加工されているのは製造工程上の理由などによ
るものである。
低減のためには、空乏層を生じる領域である光吸収層１
３のみをメサストライプ状に加工すれば足りるのである
が、図２のように光吸収層１３の上下の層もメサストラ
イプ状に加工されているのは製造工程上の理由などによ
るものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような、半導体
基板上に形成した半導体積層構造をメサストライプ状に
加工した従来の半導体導波路型受光素子おいては、メサ
サイドを流れるリーク電流の低減が実用上の課題となっ
ている。このリーク電流は、メササイド表面の表面準位
や欠陥を介して流れることが知られており、メササイド
を覆う誘電体膜１７は、これら表面準位や欠陥を介して
流れるリーク電流の低減を意図したものであるが、かか
る手段のみでは必ずしも十分な効果は得られておらず、
例えば、上記した従来の半導体導波路型受光素子におい
ては逆バイアス３Ｖでの暗電流値が１ｎＡ（ナノアンペ
ア）〜１０ｎＡと高く、暗電流値を更に低減することが
求められていた。
基板上に形成した半導体積層構造をメサストライプ状に
加工した従来の半導体導波路型受光素子おいては、メサ
サイドを流れるリーク電流の低減が実用上の課題となっ
ている。このリーク電流は、メササイド表面の表面準位
や欠陥を介して流れることが知られており、メササイド
を覆う誘電体膜１７は、これら表面準位や欠陥を介して
流れるリーク電流の低減を意図したものであるが、かか
る手段のみでは必ずしも十分な効果は得られておらず、
例えば、上記した従来の半導体導波路型受光素子におい
ては逆バイアス３Ｖでの暗電流値が１ｎＡ（ナノアンペ
ア）〜１０ｎＡと高く、暗電流値を更に低減することが
求められていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題に
鑑みてなされたもので、半導体基板上に少なくとも第一
導電型を有する第一半導体層と、該第一半導体層よりも
バンドギャップエネルギーが小さい第二半導体層と、該
第二半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大き
く、かつ第二導電型の第三半導体層を有する半導体積層
構造を有し、少なくとも前記第二半導体層がメサストラ
イプ状に形成された半導体導波路型受光素子において、
前記第二半導体層のメサストライプ側面がストライプ方
向と直交し、かつ、（１１１）方向より１°〜３６°傾
斜する法線を有する平面であることを特徴とする半導体
導波路型受光素子である。
鑑みてなされたもので、半導体基板上に少なくとも第一
導電型を有する第一半導体層と、該第一半導体層よりも
バンドギャップエネルギーが小さい第二半導体層と、該
第二半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大き
く、かつ第二導電型の第三半導体層を有する半導体積層
構造を有し、少なくとも前記第二半導体層がメサストラ
イプ状に形成された半導体導波路型受光素子において、
前記第二半導体層のメサストライプ側面がストライプ方
向と直交し、かつ、（１１１）方向より１°〜３６°傾
斜する法線を有する平面であることを特徴とする半導体
導波路型受光素子である。
【０００９】上述のように、メササイドを流れるリーク
電流の低減を図るためにメササイドを誘電体膜で覆うこ
となどが検討されていたが、従来はメサストライプ側面
の角度については特別な配慮はなされていなかった。そ
こで本願発明者がメサストライプ側面の傾斜角度が様々
に異なる半導体導波路型受光素子を作成し、その暗電流
特性を調べたところ、半導体基板上に少なくとも第一導
電型を有する第一半導体層と、該第一半導体層よりもバ
ンドギャップエネルギーが小さい第二半導体層と、該第
二半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、
かつ第二導電型の第三半導体層を有する半導体積層構造
を有し、少なくとも前記第二半導体層がメサストライプ
状に形成された半導体導波路型受光素子において、前記
第二半導体層のメサストライプ側面をストライプ方向と
直交し、かつ、（１１１）方向より１°〜３６°傾斜す
る法線を有する平面（即ち、ストライプ方向と直交し、
かつ、（１１１）方向より１〜３６°傾斜する法線を有
する平面）にした場合にはリーク電流が顕著に低減でき
ることを見いだしたものであり、特に第二半導体層のメ
サストライプ側面を（１１１）面に対して５°〜１５°
傾斜した平面とした場合にその効果が著しい。
電流の低減を図るためにメササイドを誘電体膜で覆うこ
となどが検討されていたが、従来はメサストライプ側面
の角度については特別な配慮はなされていなかった。そ
こで本願発明者がメサストライプ側面の傾斜角度が様々
に異なる半導体導波路型受光素子を作成し、その暗電流
特性を調べたところ、半導体基板上に少なくとも第一導
電型を有する第一半導体層と、該第一半導体層よりもバ
ンドギャップエネルギーが小さい第二半導体層と、該第
二半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、
かつ第二導電型の第三半導体層を有する半導体積層構造
を有し、少なくとも前記第二半導体層がメサストライプ
状に形成された半導体導波路型受光素子において、前記
第二半導体層のメサストライプ側面をストライプ方向と
直交し、かつ、（１１１）方向より１°〜３６°傾斜す
る法線を有する平面（即ち、ストライプ方向と直交し、
かつ、（１１１）方向より１〜３６°傾斜する法線を有
する平面）にした場合にはリーク電流が顕著に低減でき
ることを見いだしたものであり、特に第二半導体層のメ
サストライプ側面を（１１１）面に対して５°〜１５°
傾斜した平面とした場合にその効果が著しい。
【００１０】かかる構成により、リーク電流が顕著に抑
制されるのは、（１１１）面のような低指数面ではダン
グリングボンド密度が非常に高く表面が金属的になるた
めにリーク電流が増大するが、ストライプ方向と直交
し、かつ、（１１１）方向より１〜３６°傾斜する法線
を有する平面であればこのような低指数面が無く、低ダ
ングリング密度の表面が形成されることによるものと推
測される。
制されるのは、（１１１）面のような低指数面ではダン
グリングボンド密度が非常に高く表面が金属的になるた
めにリーク電流が増大するが、ストライプ方向と直交
し、かつ、（１１１）方向より１〜３６°傾斜する法線
を有する平面であればこのような低指数面が無く、低ダ
ングリング密度の表面が形成されることによるものと推
測される。
【００１１】なお上記効果は、逆電圧印加時に空乏層を
生じる領域のメササイドを（１１１）面から１°〜３６
°傾斜させることにより達成されるものであるから、少
なくとも第二半導体層の側壁を（１１１）面から１°〜
３６°傾斜した平面とすれば足り、第二半導体層以外の
半導体層は必ずしもメサストライプ形状とする必要はな
く、また、製造工程上の理由などから第二半導体層以外
の半導体層をもメサストライプ形状とする場合であって
も、その側壁は必ずしも（１１１）面から１°〜３６°
傾斜させた平面である必要はない。
生じる領域のメササイドを（１１１）面から１°〜３６
°傾斜させることにより達成されるものであるから、少
なくとも第二半導体層の側壁を（１１１）面から１°〜
３６°傾斜した平面とすれば足り、第二半導体層以外の
半導体層は必ずしもメサストライプ形状とする必要はな
く、また、製造工程上の理由などから第二半導体層以外
の半導体層をもメサストライプ形状とする場合であって
も、その側壁は必ずしも（１１１）面から１°〜３６°
傾斜させた平面である必要はない。
【００１２】なお、本願発明におけるメサストライプの
形成はウェットエッチングにより行うことが好ましい。
これは、ドライエッチングを用いてもメサストライプ側
壁を任意の傾斜角に形成することは可能ではあるが、ド
ライエッチングは、メサ表面に損傷・欠陥を生じさせ易
いため、これによる暗電流の増大を生じるおそれがある
ためである。
形成はウェットエッチングにより行うことが好ましい。
これは、ドライエッチングを用いてもメサストライプ側
壁を任意の傾斜角に形成することは可能ではあるが、ド
ライエッチングは、メサ表面に損傷・欠陥を生じさせ易
いため、これによる暗電流の増大を生じるおそれがある
ためである。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１を用いて本発明の実施の形態
を説明する。図１は１．３μｍの波長の光を吸収する半
導体導波路型受光素子の構造を示す説明図である。図に
おいて、１はキャリア濃度５×１０18cm-3のｎ−ＩｎＰ
基板、２は厚さ０．５μｍ、キャリア濃度１×１０18cm
-3、エネルギーバンドの波長が１．０５μｍのｎ−Ｇａ
ＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、３は厚さ１μｍ、ノンドープ
のＧａＩｎＡｓ光吸収層，４は厚さ３μｍ，キャリア濃
度１×１０18cm-3、エネルギーバンドの波長が１．０５
μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、５は厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18cm-3ｐ−ＩｎＰクラッド
層、６はキャリア濃度２×１０ 19cm-3、エネルギーバン
ドの波長が１．５５μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層であ
る。２から６の半導体層は全てＩｎＰ基板１に格子整合
する組成に選択されている。このような半導体結晶を作
製した後、２から６までの半導体層をウエットエッチン
グ法によりメサストライプ状に加工した。
を説明する。図１は１．３μｍの波長の光を吸収する半
導体導波路型受光素子の構造を示す説明図である。図に
おいて、１はキャリア濃度５×１０18cm-3のｎ−ＩｎＰ
基板、２は厚さ０．５μｍ、キャリア濃度１×１０18cm
-3、エネルギーバンドの波長が１．０５μｍのｎ−Ｇａ
ＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、３は厚さ１μｍ、ノンドープ
のＧａＩｎＡｓ光吸収層，４は厚さ３μｍ，キャリア濃
度１×１０18cm-3、エネルギーバンドの波長が１．０５
μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層、５は厚さ２μ
ｍ、キャリア濃度１×１０18cm-3ｐ−ＩｎＰクラッド
層、６はキャリア濃度２×１０ 19cm-3、エネルギーバン
ドの波長が１．５５μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層であ
る。２から６の半導体層は全てＩｎＰ基板１に格子整合
する組成に選択されている。このような半導体結晶を作
製した後、２から６までの半導体層をウエットエッチン
グ法によりメサストライプ状に加工した。
【００１４】ウエットエッチングは次の４工程によって
行った。 （１）まず酒石酸水飽和液と過酸化水素を２０：１に混
合した溶液を用いて、室温にて、ＧａＩｎＡｓＰ層６を
エッチングする。 （２）塩酸とリン酸を３：１に混合した溶液（Ａ）を用
いて、室温にて、ＩｎＰ層５とＧａＩｎＡｓＰ層４をエ
ッチングする。 （３）硫酸と過酸化水素と水を混合した溶液を用いて、
１０℃で、ＧａＩｎＡｓＰ光吸収層３をエッチングす
る。 （４）再度（Ａ）の溶液を用いて，ＧａＩｎＡｓＰ光閉
じ込め層２を０．２μｍほどエッチングしたところでエ
ッチングを終了する。 （１）、（２）、（３）ではエッチングに選択性がある
ため自動的にエッチングは停止する。第４工程ではエッ
チング量をエッチング時間により制御した。
行った。 （１）まず酒石酸水飽和液と過酸化水素を２０：１に混
合した溶液を用いて、室温にて、ＧａＩｎＡｓＰ層６を
エッチングする。 （２）塩酸とリン酸を３：１に混合した溶液（Ａ）を用
いて、室温にて、ＩｎＰ層５とＧａＩｎＡｓＰ層４をエ
ッチングする。 （３）硫酸と過酸化水素と水を混合した溶液を用いて、
１０℃で、ＧａＩｎＡｓＰ光吸収層３をエッチングす
る。 （４）再度（Ａ）の溶液を用いて，ＧａＩｎＡｓＰ光閉
じ込め層２を０．２μｍほどエッチングしたところでエ
ッチングを終了する。 （１）、（２）、（３）ではエッチングに選択性がある
ため自動的にエッチングは停止する。第４工程ではエッ
チング量をエッチング時間により制御した。
【００１５】以上の工程により作製したメサストライプ
の形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ（１）、
（２）、（４）のエッチングで形成されたメサストライ
プ側面は底面と３４°の角度をなす平面であり、（３）
のエッチングで形成された光吸収層３のメサ側面は底面
と４１°の角度をなす平面であり、（１１１）面から１
３°傾斜した平面でに形成されていた。この後、メサス
トライプを覆うように誘電体膜７を形成し、メサ上部を
剥離した後、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層６上にｐ型オーミッ
ク電極７を蒸着し、それをメサ上部を覆う大きさに形成
した。また、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ型オーミッ
ク電極９を蒸着し、光の入射する側の端面にはＳｉＮx
からなる無反射膜を蒸着し、さらに、メサストライプ側
壁にはＳｉＮx からなる誘電体膜を形成した。
の形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ（１）、
（２）、（４）のエッチングで形成されたメサストライ
プ側面は底面と３４°の角度をなす平面であり、（３）
のエッチングで形成された光吸収層３のメサ側面は底面
と４１°の角度をなす平面であり、（１１１）面から１
３°傾斜した平面でに形成されていた。この後、メサス
トライプを覆うように誘電体膜７を形成し、メサ上部を
剥離した後、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ層６上にｐ型オーミッ
ク電極７を蒸着し、それをメサ上部を覆う大きさに形成
した。また、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ型オーミッ
ク電極９を蒸着し、光の入射する側の端面にはＳｉＮx
からなる無反射膜を蒸着し、さらに、メサストライプ側
壁にはＳｉＮx からなる誘電体膜を形成した。
【００１６】このようして得られた半導体導波路型受光
素子にモードフィールド径が６μｍの光ファーバーより
信号光を入射し、受光感度を測定したところ１．３μｍ
の波長の光を１．０Ａ／Ｗという高感度で受光した。ま
た暗電流を測定すると逆バイアス３Ｖにおいて１００素
子の平均で１００ｐＡであった。この値は光吸収層のメ
サ側面が（１１１）面である導波路型受光素子の場合、
同条件で測定した暗電流は１ｎＡ〜１０ｎＡ程度であっ
たことからすれば、本願発明により暗電流特性が１桁か
ら２桁程度改善されたことを示すものである。
素子にモードフィールド径が６μｍの光ファーバーより
信号光を入射し、受光感度を測定したところ１．３μｍ
の波長の光を１．０Ａ／Ｗという高感度で受光した。ま
た暗電流を測定すると逆バイアス３Ｖにおいて１００素
子の平均で１００ｐＡであった。この値は光吸収層のメ
サ側面が（１１１）面である導波路型受光素子の場合、
同条件で測定した暗電流は１ｎＡ〜１０ｎＡ程度であっ
たことからすれば、本願発明により暗電流特性が１桁か
ら２桁程度改善されたことを示すものである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本願発明によれば
メサ側面を流れるリーク電流が低減され、低暗電流特性
に優れる導波路型半導体受光素子が得られる。
メサ側面を流れるリーク電流が低減され、低暗電流特性
に優れる導波路型半導体受光素子が得られる。
【図１】本発明の実施の態様を示す説明図である。
【図２】従来の導波路型受光素子を示す説明図である。
１はｎ−ＩｎＰ基板 ２はｎ−ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層 ３はＧａＩｎＡｓ光吸収層 ４はｐ- ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層 ５はｐ−ＩｎＰクラッド層 ６はｐ−ＧａＩｎＡｓ層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも第一導電型を
有する第一半導体層と、該第一半導体層よりもバンドギ
ャップエネルギーが小さい第二半導体層と、該第二半導
体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつ第
二導電型の第三半導体層を有する半導体積層構造を有
し、少なくとも前記第二半導体層がメサストライプ状に
形成された半導体導波路型受光素子において、前記第二
半導体層のメサストライプ側面がストライプ方向と直交
し、かつ、（１１１）方向より１°〜３６°傾斜する法
線を有する平面であることを特徴とする半導体導波路型
受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265853A JPH10112551A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 半導体導波路型受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265853A JPH10112551A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 半導体導波路型受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112551A true JPH10112551A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17422994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8265853A Pending JPH10112551A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | 半導体導波路型受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112551A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007125932A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element |
| JP2008066584A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光センサ |
| JP2010283013A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Renesas Electronics Corp | メサ型フォトダイオード及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-10-07 JP JP8265853A patent/JPH10112551A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007125932A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element |
| US7622785B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-11-24 | Semiconductor Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element |
| JP2010177689A (ja) * | 2006-04-28 | 2010-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| US7791154B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element |
| US8154096B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element |
| KR101384248B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2014-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전변환소자 및 광전변환소자의 제작 방법 |
| KR101384247B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2014-04-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전변환소자 및 광전변환소자의 제작 방법 |
| JP2008066584A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光センサ |
| JP2010283013A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Renesas Electronics Corp | メサ型フォトダイオード及びその製造方法 |
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