JPH10112427A - 硬ｘ線露光用フォトマスク - Google Patents
硬ｘ線露光用フォトマスクInfo
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- JPH10112427A JPH10112427A JP26415496A JP26415496A JPH10112427A JP H10112427 A JPH10112427 A JP H10112427A JP 26415496 A JP26415496 A JP 26415496A JP 26415496 A JP26415496 A JP 26415496A JP H10112427 A JPH10112427 A JP H10112427A
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- rays
- ray
- thin film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】硬Ｘ線透過薄膜の機械的強度を有しながら、且
つ充分な硬Ｘ線透過率が得られる硬Ｘ線露光用フォトマ
スクを提供することを目的とする。 【解決手段】貼り合わせシリコンウエハ２０の一方の面
の硬Ｘ線透過薄膜１３上に硬Ｘ線吸収体パターン１６が
形成されており、反対側の面の接着層１２及びシリコン
ウエハ１１の所定部分を除去して開口部１９及び支持体
１１ａを形成した硬Ｘ線露光用フォトマスクにおいて、
前記硬Ｘ線透過薄膜１３の厚さが５〜３０μｍであるこ
とを特徴とする硬Ｘ線露光用フォトマスクである。
つ充分な硬Ｘ線透過率が得られる硬Ｘ線露光用フォトマ
スクを提供することを目的とする。 【解決手段】貼り合わせシリコンウエハ２０の一方の面
の硬Ｘ線透過薄膜１３上に硬Ｘ線吸収体パターン１６が
形成されており、反対側の面の接着層１２及びシリコン
ウエハ１１の所定部分を除去して開口部１９及び支持体
１１ａを形成した硬Ｘ線露光用フォトマスクにおいて、
前記硬Ｘ線透過薄膜１３の厚さが５〜３０μｍであるこ
とを特徴とする硬Ｘ線露光用フォトマスクである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセンサーあるいは微
小機械部品の製造に用いられる硬Ｘ線露光用フォトマス
クに関するものである。
小機械部品の製造に用いられる硬Ｘ線露光用フォトマス
クに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】硬Ｘ線露光は縦横比が数１０〜１００以
上の機械部品あるいは微小構造物の形成用レジストパタ
ーンを作製する際に用いられる露光方法である。縦横比
とはパターン幅とパターン高さの比を言い、パターン幅
をａ、パターン高さをｂとした場合ｂ／ａで表す。硬Ｘ
線露光による高縦横比のパターン形成を含む一連の工程
はドイツのカールスルーエ研究所にて開発された方法で
あり、ドイツ語の頭文字を取ってＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏ
ｇｒａｐｈ Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ ｕｎｄ Ａ
ｂｆｏｒｍｕｎｇ）プロセスとよばれている。ＬＩＧＡ
プロセスの詳細はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ 第４巻（１９８６）３５頁に記
載されている。
上の機械部品あるいは微小構造物の形成用レジストパタ
ーンを作製する際に用いられる露光方法である。縦横比
とはパターン幅とパターン高さの比を言い、パターン幅
をａ、パターン高さをｂとした場合ｂ／ａで表す。硬Ｘ
線露光による高縦横比のパターン形成を含む一連の工程
はドイツのカールスルーエ研究所にて開発された方法で
あり、ドイツ語の頭文字を取ってＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏ
ｇｒａｐｈ Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ ｕｎｄ Ａ
ｂｆｏｒｍｕｎｇ）プロセスとよばれている。ＬＩＧＡ
プロセスの詳細はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ 第４巻（１９８６）３５頁に記
載されている。
【０００３】ＬＩＧＡプロセスで用いられる硬Ｘ線露光
ではレジストパターン深さ方向の直線性を向上させるた
めにピーク波長が０．５ｎｍより短波長の硬Ｘ線を用い
ている。たとえば６００μｍ厚さのＰＭＭＡレジストを
露光する場合には光源としてピーク波長が０．２ｎｍ以
下の硬Ｘ線を必要とする。
ではレジストパターン深さ方向の直線性を向上させるた
めにピーク波長が０．５ｎｍより短波長の硬Ｘ線を用い
ている。たとえば６００μｍ厚さのＰＭＭＡレジストを
露光する場合には光源としてピーク波長が０．２ｎｍ以
下の硬Ｘ線を必要とする。
【０００４】ＬＩＧＡプロセスで硬Ｘ線透過部と硬Ｘ線
吸収体パターンのコントラストを高くするために従来の
ＬＩＧＡプロセスの硬Ｘ線露光用フォトマスクは数μｍ
厚の金属薄膜上に１０μｍ厚程度のＸ線吸収体パターン
を設けてある。また硬Ｘ線透過薄膜が窒化シリコンある
いは炭化シリコン等でできたＬＳＩリソグラフィ用のＸ
線マスクを転用してＬＩＧＡプロセスで用いることも試
みられている。
吸収体パターンのコントラストを高くするために従来の
ＬＩＧＡプロセスの硬Ｘ線露光用フォトマスクは数μｍ
厚の金属薄膜上に１０μｍ厚程度のＸ線吸収体パターン
を設けてある。また硬Ｘ線透過薄膜が窒化シリコンある
いは炭化シリコン等でできたＬＳＩリソグラフィ用のＸ
線マスクを転用してＬＩＧＡプロセスで用いることも試
みられている。
【０００５】図３に従来の硬Ｘ線露光用フォトマスクの
断面図を示す。支持体３１に接合した硬Ｘ線透過薄膜３
２上に硬Ｘ線吸収体パターン３３が形成されている。硬
Ｘ線透過薄膜３２は金属あるいは窒化シリコンまたは炭
化シリコンあるいはダイアモンド等でできており１〜２
μｍ程度の厚さである。
断面図を示す。支持体３１に接合した硬Ｘ線透過薄膜３
２上に硬Ｘ線吸収体パターン３３が形成されている。硬
Ｘ線透過薄膜３２は金属あるいは窒化シリコンまたは炭
化シリコンあるいはダイアモンド等でできており１〜２
μｍ程度の厚さである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の硬Ｘ線露光用フ
ォトマスクの硬Ｘ線透過薄膜は１から２μｍ厚である。
このため機械強度が弱く取り扱いに特別の注意を要し、
洗浄も難しい。また、硬Ｘ線透過薄膜の膜厚を厚くする
と膜厚が均一にできない。さらに金属膜では硬Ｘ線の透
過率が十分に得られない等の問題があった。本発明は上
記問題を解決するためになされたもので、硬Ｘ線透過薄
膜の機械的強度を有しながら、且つ充分な硬Ｘ線透過率
が得られる硬Ｘ線露光用フォトマスクを提供することで
ある。
ォトマスクの硬Ｘ線透過薄膜は１から２μｍ厚である。
このため機械強度が弱く取り扱いに特別の注意を要し、
洗浄も難しい。また、硬Ｘ線透過薄膜の膜厚を厚くする
と膜厚が均一にできない。さらに金属膜では硬Ｘ線の透
過率が十分に得られない等の問題があった。本発明は上
記問題を解決するためになされたもので、硬Ｘ線透過薄
膜の機械的強度を有しながら、且つ充分な硬Ｘ線透過率
が得られる硬Ｘ線露光用フォトマスクを提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するため、貼り合わせシリコンウエハの一方の面
の硬Ｘ線透過薄膜上に硬Ｘ線吸収体パターンが形成され
ており、反対側の面の接着層及びシリコンウエハの所定
部分を除去して開口部及び支持体を形成した硬Ｘ線露光
用フォトマスクにおいて、前記硬Ｘ線透過薄膜の厚さが
５〜３０μｍであることを特徴とする硬Ｘ線露光用フォ
トマスクとしたものである。
を解決するため、貼り合わせシリコンウエハの一方の面
の硬Ｘ線透過薄膜上に硬Ｘ線吸収体パターンが形成され
ており、反対側の面の接着層及びシリコンウエハの所定
部分を除去して開口部及び支持体を形成した硬Ｘ線露光
用フォトマスクにおいて、前記硬Ｘ線透過薄膜の厚さが
５〜３０μｍであることを特徴とする硬Ｘ線露光用フォ
トマスクとしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき詳
細に説明する。図１に本発明の硬Ｘ線露光用フォトマス
クの構成を示す断面図を、図２にその製造方法を説明す
るための工程断面図を示す。本発明の硬Ｘ線露光用フォ
トマスクは支持体１１ａ上に接着層１２、硬Ｘ線透過薄
膜１３及び硬Ｘ線吸収体パターン１４が形成されたもの
である。その形成法は、シリコンウエハ１１、接着層１
２、硬Ｘ線透過薄膜１３からなる貼り合わせシリコンウ
エハ２０を用いて、まず、硬Ｘ線透過薄膜１３上に硬Ｘ
線吸収体パターン１４を形成した後、保護膜パターン１
４を形成しシリコンウエハ１１及び接着層１２をエッチ
ング等で除去して支持体１１ａを形成し硬Ｘ線露光用フ
ォトマスクとしたものである。
細に説明する。図１に本発明の硬Ｘ線露光用フォトマス
クの構成を示す断面図を、図２にその製造方法を説明す
るための工程断面図を示す。本発明の硬Ｘ線露光用フォ
トマスクは支持体１１ａ上に接着層１２、硬Ｘ線透過薄
膜１３及び硬Ｘ線吸収体パターン１４が形成されたもの
である。その形成法は、シリコンウエハ１１、接着層１
２、硬Ｘ線透過薄膜１３からなる貼り合わせシリコンウ
エハ２０を用いて、まず、硬Ｘ線透過薄膜１３上に硬Ｘ
線吸収体パターン１４を形成した後、保護膜パターン１
４を形成しシリコンウエハ１１及び接着層１２をエッチ
ング等で除去して支持体１１ａを形成し硬Ｘ線露光用フ
ォトマスクとしたものである。
【０００９】硬Ｘ線透過薄膜１３は５〜５０μｍ程度の
厚さが使用可能であるが、望ましくは５〜３０μｍであ
る。貼り合わせシリコンウエハを用いることで種々の膜
厚を選択できる。シリコンウエハ１１として単結晶シリ
コンを用いる場合は、結晶の面方位は任意に選ぶことが
できるが、シリコンウエハ１１を異方性ウエットエッチ
ングする場合には面方位を指定する必要がある。特にウ
エットエッチングをより速くして異方性エッチングする
場合には面方位として（１００）を選ぶのが望ましい。
また支持体１１ａは硬Ｘ線透過薄膜を保持するための枠
である。このため約１００μｍ〜３ｍｍ程度の厚さが必
要である。望ましくは約４００μｍ〜約２ｍｍの厚さが
良い。接着層１２としては酸化シリコンが使用できる。
厚さが使用可能であるが、望ましくは５〜３０μｍであ
る。貼り合わせシリコンウエハを用いることで種々の膜
厚を選択できる。シリコンウエハ１１として単結晶シリ
コンを用いる場合は、結晶の面方位は任意に選ぶことが
できるが、シリコンウエハ１１を異方性ウエットエッチ
ングする場合には面方位を指定する必要がある。特にウ
エットエッチングをより速くして異方性エッチングする
場合には面方位として（１００）を選ぶのが望ましい。
また支持体１１ａは硬Ｘ線透過薄膜を保持するための枠
である。このため約１００μｍ〜３ｍｍ程度の厚さが必
要である。望ましくは約４００μｍ〜約２ｍｍの厚さが
良い。接着層１２としては酸化シリコンが使用できる。
【００１０】本発明の硬Ｘ線露光用フォトマスクについ
て、先ず硬Ｘ線透過薄膜の膜厚と強度の関係に注目す
る。膜の曲げ剛性は膜厚の３乗に比例する（「板とシェ
ルの理論」丸善、チェモシェンコ他著）から現状のＬＳ
Ｉ露光用Ｘ線マスク透過薄膜２μｍ厚に比べて膜厚を５
μｍとすることで１０倍以上の曲げ剛性が得られる。続
いて本発明の硬Ｘ線透過薄膜と従来のＬＳＩリソグラフ
ィ用透過膜を比較して硬Ｘ線透過薄膜の厚さと透過率の
関係を示す。Ｘ線の透過率は次の式で与えられる。 ｌｎ（Ｉｏ／Ｉ）＝μｄρ Ｉｏ；入射するＸ線強度 Ｉ；物質を透
過するＸ線強度 μ；物質の密度（ｇ／ｃｍ3 ） ｄ；物質の厚
さ（ｃｍ） ρ；質量吸収係数（ｃｍ2 ／ｇ） 硬Ｘ線露光では波長が０．５ｎｍ以下のＸ線が使われ
る。比較的入手の簡単な線源としてＣｕターゲットに電
子線を当てて得られるＣｕｋα（波長０．１５４ｎｍ）
を使うことができる。一方ＬＳＩリソグラフィ用Ｘ線は
波長が１ｎｍ程度であり、透過膜は１〜２μｍである。
ここではＬＳＩリソグラフィ用Ｘ線マスクの透過薄膜を
シリコン２μｍ厚さとする。シリコンの密度は２．３３
ｇ／ｃｍ3を用いた。質量吸収係数は、波長０．１５４
ｎｍで５２、波長１ｎｍで７４０とした（「化学便覧基
礎編 日本化学会編 丸善発行昭和４１年」）。以上の
条件でシリコン透過膜の厚みを各種変えたときの波長
０．１５４ｎｍ及び１．０ｎｍでのシリコン透過膜の透
過率（％）を表１に示す。
て、先ず硬Ｘ線透過薄膜の膜厚と強度の関係に注目す
る。膜の曲げ剛性は膜厚の３乗に比例する（「板とシェ
ルの理論」丸善、チェモシェンコ他著）から現状のＬＳ
Ｉ露光用Ｘ線マスク透過薄膜２μｍ厚に比べて膜厚を５
μｍとすることで１０倍以上の曲げ剛性が得られる。続
いて本発明の硬Ｘ線透過薄膜と従来のＬＳＩリソグラフ
ィ用透過膜を比較して硬Ｘ線透過薄膜の厚さと透過率の
関係を示す。Ｘ線の透過率は次の式で与えられる。 ｌｎ（Ｉｏ／Ｉ）＝μｄρ Ｉｏ；入射するＸ線強度 Ｉ；物質を透
過するＸ線強度 μ；物質の密度（ｇ／ｃｍ3 ） ｄ；物質の厚
さ（ｃｍ） ρ；質量吸収係数（ｃｍ2 ／ｇ） 硬Ｘ線露光では波長が０．５ｎｍ以下のＸ線が使われ
る。比較的入手の簡単な線源としてＣｕターゲットに電
子線を当てて得られるＣｕｋα（波長０．１５４ｎｍ）
を使うことができる。一方ＬＳＩリソグラフィ用Ｘ線は
波長が１ｎｍ程度であり、透過膜は１〜２μｍである。
ここではＬＳＩリソグラフィ用Ｘ線マスクの透過薄膜を
シリコン２μｍ厚さとする。シリコンの密度は２．３３
ｇ／ｃｍ3を用いた。質量吸収係数は、波長０．１５４
ｎｍで５２、波長１ｎｍで７４０とした（「化学便覧基
礎編 日本化学会編 丸善発行昭和４１年」）。以上の
条件でシリコン透過膜の厚みを各種変えたときの波長
０．１５４ｎｍ及び１．０ｎｍでのシリコン透過膜の透
過率（％）を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１から波長が１ｎｍでは２μｍ厚シリコ
ン透過膜は７０％以上の透過率を示すが、より厚い場合
には透過率が急激に低下することが分かる。これは波長
１ｎｍではシリコン吸収係数が７４０と大きいためであ
る。一方、硬Ｘ線の例としてあげた０．１５４ｎｍの波
長ではシリコン質量吸収係数が小さいため１０μｍの厚
さでも８８％の透過率が得られることが分かる。３０μ
ｍの厚さの膜でもＬＳＩ露光と同等の７０％の透過率が
得られる。さらに５０μｍでも５０％以上の透過率が得
られる。また、硬Ｘ線吸収体パターンとして５μｍ厚の
金を用いると０．１５４ｎｍの波長で透過率が約１２％
であり、３０μｍ厚シリコンを硬Ｘ線透過薄膜として使
用した場合はコントラストは約６になり、硬Ｘ線露光と
しては十分なコントラストが得られる。
ン透過膜は７０％以上の透過率を示すが、より厚い場合
には透過率が急激に低下することが分かる。これは波長
１ｎｍではシリコン吸収係数が７４０と大きいためであ
る。一方、硬Ｘ線の例としてあげた０．１５４ｎｍの波
長ではシリコン質量吸収係数が小さいため１０μｍの厚
さでも８８％の透過率が得られることが分かる。３０μ
ｍの厚さの膜でもＬＳＩ露光と同等の７０％の透過率が
得られる。さらに５０μｍでも５０％以上の透過率が得
られる。また、硬Ｘ線吸収体パターンとして５μｍ厚の
金を用いると０．１５４ｎｍの波長で透過率が約１２％
であり、３０μｍ厚シリコンを硬Ｘ線透過薄膜として使
用した場合はコントラストは約６になり、硬Ｘ線露光と
しては十分なコントラストが得られる。
【００１３】次に、本発明の硬Ｘ線露光用マスクの製造
方法について説明する。貼り合わせシリコンウエハ２０
はシリコンウエハ１１とシリコンからなる硬Ｘ線透過薄
膜１３を接着層１２で貼り合わせてある（図２（ａ）参
照）。シリコンウエハ１１は１００μｍ〜３ｍｍ程度の
厚さが必要で有る。また接着層１２はシリコン基板の熱
酸化による酸化シリコンが一般的である。さらに、シリ
コンからなる硬Ｘ線透過薄膜１３の厚さは上記説明した
ように５〜３０μｍで使用する必要がある。５〜３０μ
ｍの間のどの厚さにするかは使用する露光光源の光強度
分布および必要な薄膜強度から決定する。
方法について説明する。貼り合わせシリコンウエハ２０
はシリコンウエハ１１とシリコンからなる硬Ｘ線透過薄
膜１３を接着層１２で貼り合わせてある（図２（ａ）参
照）。シリコンウエハ１１は１００μｍ〜３ｍｍ程度の
厚さが必要で有る。また接着層１２はシリコン基板の熱
酸化による酸化シリコンが一般的である。さらに、シリ
コンからなる硬Ｘ線透過薄膜１３の厚さは上記説明した
ように５〜３０μｍで使用する必要がある。５〜３０μ
ｍの間のどの厚さにするかは使用する露光光源の光強度
分布および必要な薄膜強度から決定する。
【００１４】次に、貼り合わせシリコンウエハ２０のシ
リコンウエハ１１側にウエットエッチング耐性のある保
護膜パターン１４を形成し、保護膜開口部１５を形成す
る（図２（ｂ）参照）。保護膜パターン１４の材料とし
ては窒化シリコンあるいは炭化シリコン等が使用でき
る。
リコンウエハ１１側にウエットエッチング耐性のある保
護膜パターン１４を形成し、保護膜開口部１５を形成す
る（図２（ｂ）参照）。保護膜パターン１４の材料とし
ては窒化シリコンあるいは炭化シリコン等が使用でき
る。
【００１５】次に、硬Ｘ線透過薄膜１３上に硬Ｘ線透過
部１７を有する硬Ｘ線吸収体パターン１６を形成する
（図２（ｃ）参照）。硬Ｘ線吸収体パターン１６は金、
白金、タングステン、タンタル等のＸ線吸収能が高い金
属を使うのがよい。コントラストを高くとるために硬Ｘ
線吸収体の厚みは３〜１０μｍ程度が必要である。
部１７を有する硬Ｘ線吸収体パターン１６を形成する
（図２（ｃ）参照）。硬Ｘ線吸収体パターン１６は金、
白金、タングステン、タンタル等のＸ線吸収能が高い金
属を使うのがよい。コントラストを高くとるために硬Ｘ
線吸収体の厚みは３〜１０μｍ程度が必要である。
【００１６】次に、シリコンウエハ１１の保護膜開口部
１５をウエットエッチングして、支持体１１ａ及びシリ
コンウエハ開口部１８を形成する（図２（ｄ）参照）。
ウエットエッチング液としては水酸化カリウム等の無機
アルカリ溶液や水酸化テトラエチルアンモニウム等の有
機アルカリを用いる。シリコンウエハ１１として単結晶
シリコンを用いるとアルカリ溶液で異方性エッチングが
できる。接着層１２に酸化シリコンを用いて、シリコン
ウエハ１１に単結晶シリコン（１００）を用いるとシリ
コンウエハのウエットエッチング速度の方が速いため酸
化シリコンからなる接着層１２がウエットエッチングの
ストッパとして働いてエッチングが接着層１２で停止す
る。シリコンウエハと酸化シリコンのウエットエッチン
グ速度の比は水酸化カリウム溶液（１５重量％）を９０
℃で作用させた場合に３００程度である。
１５をウエットエッチングして、支持体１１ａ及びシリ
コンウエハ開口部１８を形成する（図２（ｄ）参照）。
ウエットエッチング液としては水酸化カリウム等の無機
アルカリ溶液や水酸化テトラエチルアンモニウム等の有
機アルカリを用いる。シリコンウエハ１１として単結晶
シリコンを用いるとアルカリ溶液で異方性エッチングが
できる。接着層１２に酸化シリコンを用いて、シリコン
ウエハ１１に単結晶シリコン（１００）を用いるとシリ
コンウエハのウエットエッチング速度の方が速いため酸
化シリコンからなる接着層１２がウエットエッチングの
ストッパとして働いてエッチングが接着層１２で停止す
る。シリコンウエハと酸化シリコンのウエットエッチン
グ速度の比は水酸化カリウム溶液（１５重量％）を９０
℃で作用させた場合に３００程度である。
【００１７】次に、保護膜パターン１４を除去し（図２
（ｅ）参照）、さらにシリコンウエハ開口部１８の接着
層１２を除去して本発明の硬Ｘ線露光用フォトマスクが
完成する（図２（ｆ）参照）。図２（ｄ）及び図２
（ｅ）のようにシリコンウエハ開口部１８の接着層１２
や支持体１１ａの保護膜パターン１４を残した形状でも
硬Ｘ線露光用フォトマスクとして使用可能であるが、シ
リコンウエハ開口部１８の接着層１２を除去することで
開口部１９の硬Ｘ線透過率が上がってコントラストが向
上する。さらに開口部１９には硬Ｘ線透過薄膜１３の平
滑な貼り合わせ面が現れるため膜厚の均一性が増して硬
Ｘ線透過率が均一になる。
（ｅ）参照）、さらにシリコンウエハ開口部１８の接着
層１２を除去して本発明の硬Ｘ線露光用フォトマスクが
完成する（図２（ｆ）参照）。図２（ｄ）及び図２
（ｅ）のようにシリコンウエハ開口部１８の接着層１２
や支持体１１ａの保護膜パターン１４を残した形状でも
硬Ｘ線露光用フォトマスクとして使用可能であるが、シ
リコンウエハ開口部１８の接着層１２を除去することで
開口部１９の硬Ｘ線透過率が上がってコントラストが向
上する。さらに開口部１９には硬Ｘ線透過薄膜１３の平
滑な貼り合わせ面が現れるため膜厚の均一性が増して硬
Ｘ線透過率が均一になる。
【００１８】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に説明する。 ＜実施例１＞４インチ径、５００μｍ厚シリコンからな
るシリコンウエハ１１上に熱酸化シリコンからなる接着
層１２及び１０μｍ厚のシリコンからなる硬Ｘ線透過薄
膜１３が形成された貼り合わせシリコンウエハ２０（三
菱マテリアル製）を用いて（図２（ａ）参照）、貼り合
わせシリコンウエハ２０のシリコンウエハ１１面にプラ
ズマＣＶＤにて０．４μｍ厚の窒化シリコンからなる保
護膜を形成した。続いてフォトパターニングプロセスに
よりレジストパターンを形成し、窒化シリコンを反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして、レ
ジストパターンを剥膜して保護膜開口部１５を有する保
護膜パターン１４を形成した（図２（ｂ）参照）。
るシリコンウエハ１１上に熱酸化シリコンからなる接着
層１２及び１０μｍ厚のシリコンからなる硬Ｘ線透過薄
膜１３が形成された貼り合わせシリコンウエハ２０（三
菱マテリアル製）を用いて（図２（ａ）参照）、貼り合
わせシリコンウエハ２０のシリコンウエハ１１面にプラ
ズマＣＶＤにて０．４μｍ厚の窒化シリコンからなる保
護膜を形成した。続いてフォトパターニングプロセスに
よりレジストパターンを形成し、窒化シリコンを反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして、レ
ジストパターンを剥膜して保護膜開口部１５を有する保
護膜パターン１４を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００１９】次に、硬Ｘ線透過薄膜１３の表面に導電膜
としてＩＴＯ（インジウムースズ合金）をスパッタにて
成膜した。続いてレジスト（ＰＭＥＲ 東京応化製）を
塗布、露光、現像処理してレジストパターンを形成し
た。導電膜をめっき電極にしてレジストパターン以外の
部分に電解めっきにてニッケル膜を形成し、さらに約５
μｍ厚の金膜を形成した。レジストパターンを除去した
後、金パターン以外の部分のＩＴＯを塩化第２鉄液にて
除去し、金膜からなる硬Ｘ線吸収体パターン１６を作製
した（図２（ｃ）参照）。
としてＩＴＯ（インジウムースズ合金）をスパッタにて
成膜した。続いてレジスト（ＰＭＥＲ 東京応化製）を
塗布、露光、現像処理してレジストパターンを形成し
た。導電膜をめっき電極にしてレジストパターン以外の
部分に電解めっきにてニッケル膜を形成し、さらに約５
μｍ厚の金膜を形成した。レジストパターンを除去した
後、金パターン以外の部分のＩＴＯを塩化第２鉄液にて
除去し、金膜からなる硬Ｘ線吸収体パターン１６を作製
した（図２（ｃ）参照）。
【００２０】次に、シリコンウエハ１１の保護膜開口部
１５を９０℃に加熱した水酸化カリウム溶液（１５重量
％）にて約４．５時間ウエットエッチングを行い、シリ
コンウエハ開口部１８及び支持体１１ａを形成した（図
２（ｄ）参照）。
１５を９０℃に加熱した水酸化カリウム溶液（１５重量
％）にて約４．５時間ウエットエッチングを行い、シリ
コンウエハ開口部１８及び支持体１１ａを形成した（図
２（ｄ）参照）。
【００２１】次に、保護膜パターン１４を除去し（図２
（ｅ）参照）、さらにシリコンウエハ開口部１８の接着
層１２をフッ酸で除去し、本発明の硬Ｘ線露光用フォト
マスクを得た（図２（ｅ）参照）。
（ｅ）参照）、さらにシリコンウエハ開口部１８の接着
層１２をフッ酸で除去し、本発明の硬Ｘ線露光用フォト
マスクを得た（図２（ｅ）参照）。
【００２２】
【発明の効果】高縦横比の構造体を得るための硬Ｘ線露
光で用いられるフォトマスクを貼り合わせシリコンウエ
ハによって作製し、硬Ｘ線透過薄膜を５〜３０μｍ厚と
することで機械強度を向上させることができ、且つ硬Ｘ
線露光に十分な透過率とコントラストが得られる。
光で用いられるフォトマスクを貼り合わせシリコンウエ
ハによって作製し、硬Ｘ線透過薄膜を５〜３０μｍ厚と
することで機械強度を向上させることができ、且つ硬Ｘ
線露光に十分な透過率とコントラストが得られる。
【図１】本発明の硬Ｘ線露光用フォトマスクの実施例の
構成を断面図で表した説明図である。
構成を断面図で表した説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の硬Ｘ線露光用フォ
トマスクの実施例の製造方法を説明するための工程断面
図である。
トマスクの実施例の製造方法を説明するための工程断面
図である。
【図３】従来の硬Ｘ線露光用フォトマスクの構成を断面
図で表した説明図である。
図で表した説明図である。
１１……シリコンウエハ １１ａ、３１……支持体 １２……接着層 １３、３２……硬Ｘ線透過薄膜 １４……保護膜パターン １５……保護膜開口部 １６、３３……硬Ｘ線吸収体パターン １７、３４……硬Ｘ線透過部 １８……シリコンウエハ開口部 １９……開口部 ２０……貼り合わせシリコンウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】貼り合わせシリコンウエハの一方の面の硬
Ｘ線透過薄膜上に硬Ｘ線吸収体パターンが形成されてお
り、反対側の面の接着層及びシリコンウエハの所定部分
を除去して開口部及び支持体を形成した硬Ｘ線露光用フ
ォトマスクにおいて、前記硬Ｘ線透過薄膜の厚さが５〜
３０μｍであることを特徴とする硬Ｘ線露光用フォトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26415496A JPH10112427A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 硬ｘ線露光用フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26415496A JPH10112427A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 硬ｘ線露光用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112427A true JPH10112427A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17399221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26415496A Pending JPH10112427A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 硬ｘ線露光用フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100592529B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2006-06-23 | 호야 가부시키가이샤 | 전자선 묘화용 마스크 블랭크, 전자선 묘화용 마스크 및그 제조방법 |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP26415496A patent/JPH10112427A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100592529B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2006-06-23 | 호야 가부시키가이샤 | 전자선 묘화용 마스크 블랭크, 전자선 묘화용 마스크 및그 제조방법 |
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