JPH10107427A - 半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置 - Google Patents
半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置Info
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- JPH10107427A JPH10107427A JP26050196A JP26050196A JPH10107427A JP H10107427 A JPH10107427 A JP H10107427A JP 26050196 A JP26050196 A JP 26050196A JP 26050196 A JP26050196 A JP 26050196A JP H10107427 A JPH10107427 A JP H10107427A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接する半導体素子を破損することなく、確
実にリペアすることができる半導体素子のリペア方法及
びそのリペア装置を提供する。 【解決手段】 基板１５より半導体素子１３を剥離する
半導体素子のリペア方法において、半導体素子１３の両
側にスペーサ１２を挟み、前記半導体素子１３のダイス
ボンド樹脂１４を加熱して軟らかくした後、ツール１１
により前記半導体素子１３を移動させ、半導体素子１３
のリペアを行う。
実にリペアすることができる半導体素子のリペア方法及
びそのリペア装置を提供する。 【解決手段】 基板１５より半導体素子１３を剥離する
半導体素子のリペア方法において、半導体素子１３の両
側にスペーサ１２を挟み、前記半導体素子１３のダイス
ボンド樹脂１４を加熱して軟らかくした後、ツール１１
により前記半導体素子１３を移動させ、半導体素子１３
のリペアを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板等にダイスボ
ンド樹脂などで実装した半導体素子のリペア方法及びそ
のリペア装置に関するものである。
ンド樹脂などで実装した半導体素子のリペア方法及びそ
のリペア装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、発行
所日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日、ｐ１７〜２２に
開示されるものがあった。それによれば、半導体素子を
配線基板及びパッケージ基板より剥離する手法に関し
て、配線基板及びパッケージ基板を常温及び高温にし、
チップ真横から押して剥離する手法が記載されており、
この手法により、実際に半導体素子のリペアを行う場
合、以下に示すようになる。
例えば、「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、発行
所日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日、ｐ１７〜２２に
開示されるものがあった。それによれば、半導体素子を
配線基板及びパッケージ基板より剥離する手法に関し
て、配線基板及びパッケージ基板を常温及び高温にし、
チップ真横から押して剥離する手法が記載されており、
この手法により、実際に半導体素子のリペアを行う場
合、以下に示すようになる。
【０００３】図３はかかる従来の半導体素子のリペア方
法を説明する断面図、図４はその半導体素子のリペア方
法を示す上面図である。これらの図において、１はツー
ル、２は半導体素子、３はダイスボンド樹脂、４は基
板、５はステージ、６はツール移動方向である。そこ
で、半導体素子２を搭載した基板４をステージ５等を介
して加熱し、半導体素子２を搭載する際に使用したダイ
スボンド樹脂３を柔らかくした後、ツール１を手前に移
動させることで、半導体素子２をツール１で押し出すよ
うにしてリペアを行っていた。
法を説明する断面図、図４はその半導体素子のリペア方
法を示す上面図である。これらの図において、１はツー
ル、２は半導体素子、３はダイスボンド樹脂、４は基
板、５はステージ、６はツール移動方向である。そこ
で、半導体素子２を搭載した基板４をステージ５等を介
して加熱し、半導体素子２を搭載する際に使用したダイ
スボンド樹脂３を柔らかくした後、ツール１を手前に移
動させることで、半導体素子２をツール１で押し出すよ
うにしてリペアを行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法ではツールを手前方向に移動させ、半導体
素子を押し出すようにしてリペアを行っていたため、半
導体素子をダイスボンド樹脂で高密度に実装した、たと
えば半導体素子同士を近接して１列に並べた場合、半導
体素子を押し出す際にツールや押し出す半導体素子によ
り隣接する半導体素子を破損する場合があり、半導体素
子の傾き等がないように高い精度で押し出すことが必要
であった。
た従来の方法ではツールを手前方向に移動させ、半導体
素子を押し出すようにしてリペアを行っていたため、半
導体素子をダイスボンド樹脂で高密度に実装した、たと
えば半導体素子同士を近接して１列に並べた場合、半導
体素子を押し出す際にツールや押し出す半導体素子によ
り隣接する半導体素子を破損する場合があり、半導体素
子の傾き等がないように高い精度で押し出すことが必要
であった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、隣接する
半導体素子を破損することなく、確実にリペアすること
ができる半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置を
提供することを目的とする。
半導体素子を破損することなく、確実にリペアすること
ができる半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）基板より半導体素子を剥離する半導体素子のリペ
ア方法において、半導体素子の両側にスペーサを挟み、
ダイスボンド樹脂を加熱して軟らかくした後、ツールに
より前記半導体素子を移動させ、この半導体素子のリペ
アを行うようにしたものである。
成するために、 （１）基板より半導体素子を剥離する半導体素子のリペ
ア方法において、半導体素子の両側にスペーサを挟み、
ダイスボンド樹脂を加熱して軟らかくした後、ツールに
より前記半導体素子を移動させ、この半導体素子のリペ
アを行うようにしたものである。
【０００７】（２）基板より半導体素子を剥離する半導
体素子のリペア装置において、半導体素子の両側に配置
可能なスペーサと、ダイスボンド樹脂を軟らかくする加
熱手段と、前記スペーサ間で移動可能であり、前記半導
体素子のリペアを行うツールとを設けるようにしたもの
である。 （３）基板より半導体素子を剥離する半導体素子のリペ
ア方法において、基板に予め穴をあけておき、この穴の
上にダイスボンド樹脂により半導体素子を実装し、前記
穴からツールを突き上げて前記半導体素子をリペアする
ようにしたものである。
体素子のリペア装置において、半導体素子の両側に配置
可能なスペーサと、ダイスボンド樹脂を軟らかくする加
熱手段と、前記スペーサ間で移動可能であり、前記半導
体素子のリペアを行うツールとを設けるようにしたもの
である。 （３）基板より半導体素子を剥離する半導体素子のリペ
ア方法において、基板に予め穴をあけておき、この穴の
上にダイスボンド樹脂により半導体素子を実装し、前記
穴からツールを突き上げて前記半導体素子をリペアする
ようにしたものである。
【０００８】（４）上記（３）記載の半導体素子のリペ
ア方法において、前記ツールを熱伝導の良い材質で形成
し、シリンダ部から熱を加え、前記ダイスボンド樹脂を
柔らかくした後、前記ツールを突き上げて前記半導体素
子をリペアするようにしたものである。 （５）上記（４）記載の半導体素子のリペア方法におい
て、前記ツールにヒータを内蔵し、前記半導体素子の基
板の前記穴から半導体素子の裏面に接触させ、前記ダイ
スボンド樹脂を柔らかくした後、前記ツールを突き上げ
て前記半導体素子をリペアするようにしたものである。
ア方法において、前記ツールを熱伝導の良い材質で形成
し、シリンダ部から熱を加え、前記ダイスボンド樹脂を
柔らかくした後、前記ツールを突き上げて前記半導体素
子をリペアするようにしたものである。 （５）上記（４）記載の半導体素子のリペア方法におい
て、前記ツールにヒータを内蔵し、前記半導体素子の基
板の前記穴から半導体素子の裏面に接触させ、前記ダイ
スボンド樹脂を柔らかくした後、前記ツールを突き上げ
て前記半導体素子をリペアするようにしたものである。
【０００９】（６）基板より半導体素子を剥離する半導
体素子のリペア装置において、予め穴が形成された基板
と、この基板上にダイスボンド樹脂を介して実装される
半導体素子と、前記穴に対応して配置されるツールと、
このツールを突き上げて前記半導体素子をリペアする駆
動手段とを設けるようにしたものである。
体素子のリペア装置において、予め穴が形成された基板
と、この基板上にダイスボンド樹脂を介して実装される
半導体素子と、前記穴に対応して配置されるツールと、
このツールを突き上げて前記半導体素子をリペアする駆
動手段とを設けるようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体素子のリペア装置を示す斜視図、図
２はその半導体素子のリペア装置の上面図である。これ
らの図において、１０はリペア装置、１１はツール、、
１２はスペーサ、１３は半導体素子、１４はダイスボン
ド樹脂、１５は基板、１６はステージ、１７はツール移
動方向である。
面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体素子のリペア装置を示す斜視図、図
２はその半導体素子のリペア装置の上面図である。これ
らの図において、１０はリペア装置、１１はツール、、
１２はスペーサ、１３は半導体素子、１４はダイスボン
ド樹脂、１５は基板、１６はステージ、１７はツール移
動方向である。
【００１１】この実施例では、スペーサ１２はリペア装
置１０に付帯されており、エア等の駆動装置（図示な
し）の駆動により上下可能である。スペーサ１２は半導
体素子１３を傷つけないように、例えば弾性回復率のあ
るゴムのようなもので構成される。そこで、まず、基板
１５をステージ１６にセットする。次にステージ１６
（またはホットエア）等を介し、基板１５に熱を加え、
ダイスボンド樹脂１４を柔らかくし、リペアする半導体
素子１３にツール１１を移動させる。それから、リペア
装置１０に付帯されたスペーサ１２をエア等の駆動装置
（図示なし）の駆動により下げ、リペアする半導体素子
１３間にスペーサ１２を挿入する。
置１０に付帯されており、エア等の駆動装置（図示な
し）の駆動により上下可能である。スペーサ１２は半導
体素子１３を傷つけないように、例えば弾性回復率のあ
るゴムのようなもので構成される。そこで、まず、基板
１５をステージ１６にセットする。次にステージ１６
（またはホットエア）等を介し、基板１５に熱を加え、
ダイスボンド樹脂１４を柔らかくし、リペアする半導体
素子１３にツール１１を移動させる。それから、リペア
装置１０に付帯されたスペーサ１２をエア等の駆動装置
（図示なし）の駆動により下げ、リペアする半導体素子
１３間にスペーサ１２を挿入する。
【００１２】次いで、ツール１１をツール移動方向１７
に移動させ、半導体素子１３をツール１１で押し出すよ
うにして、半導体素子１３のリペアを行うものである。
このように、第１実施例によれば、半導体素子をダイス
ボンド樹脂で高密度に実装した、例えば半導体素子同士
を近接して１列に並べ、その中の半導体素子のリペアを
行う場合、半導体素子間にスペーサ、例えば弾性回復率
のあるゴムのようなものを挿入することで、リペア時の
高い精度を必要としなくても、ツール及び隣接する半導
体素子同士の接触で起きる破損を低減させることができ
る。
に移動させ、半導体素子１３をツール１１で押し出すよ
うにして、半導体素子１３のリペアを行うものである。
このように、第１実施例によれば、半導体素子をダイス
ボンド樹脂で高密度に実装した、例えば半導体素子同士
を近接して１列に並べ、その中の半導体素子のリペアを
行う場合、半導体素子間にスペーサ、例えば弾性回復率
のあるゴムのようなものを挿入することで、リペア時の
高い精度を必要としなくても、ツール及び隣接する半導
体素子同士の接触で起きる破損を低減させることができ
る。
【００１３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図５は本発明の第２実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。この図において、２１はツール、
２２は半導体素子、２３はダイスボンド樹脂、２４は基
板、２５はステージ、２６は基板上の半導体素子の実装
位置に形成される穴、２７はシリンダ、２８，３０はツ
ール移動方向、２９は半導体素子移動方向を示してい
る。
る。図５は本発明の第２実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。この図において、２１はツール、
２２は半導体素子、２３はダイスボンド樹脂、２４は基
板、２５はステージ、２６は基板上の半導体素子の実装
位置に形成される穴、２７はシリンダ、２８，３０はツ
ール移動方向、２９は半導体素子移動方向を示してい
る。
【００１４】まず、図５（ａ）に示すように、基板２４
上の半導体素子２２の実装位置に予め穴２６を数個所あ
けておき、その上に半導体素子２２を実装する。その基
板２４をステージ２５にセットし、半導体素子２２は、
前記穴２６を利用してステージ２５上の位置決めを行
い、リペアを行う半導体素子２２をツール２１の上に位
置決めする。その後、ステージ２５（またはホットエ
ア）等を介し、基板２４に熱を加え、ダイスボンド樹脂
２３を柔らかくする。
上の半導体素子２２の実装位置に予め穴２６を数個所あ
けておき、その上に半導体素子２２を実装する。その基
板２４をステージ２５にセットし、半導体素子２２は、
前記穴２６を利用してステージ２５上の位置決めを行
い、リペアを行う半導体素子２２をツール２１の上に位
置決めする。その後、ステージ２５（またはホットエ
ア）等を介し、基板２４に熱を加え、ダイスボンド樹脂
２３を柔らかくする。
【００１５】次に、図５（ｂ）に示すように、シリンダ
２７（駆動装置）にエア等をかけて駆動させ、移動方向
２８に突き上げ、ツール２１を押し上げることで、基板
２４にあけた穴２６からツール２１により半導体素子２
２が突き上げられ、半導体素子移動方向２９に半導体素
子２２が移動し、半導体素子２２のリペアを行うことが
できる。
２７（駆動装置）にエア等をかけて駆動させ、移動方向
２８に突き上げ、ツール２１を押し上げることで、基板
２４にあけた穴２６からツール２１により半導体素子２
２が突き上げられ、半導体素子移動方向２９に半導体素
子２２が移動し、半導体素子２２のリペアを行うことが
できる。
【００１６】次に、図５（ｃ）に示すように、シリンダ
２７が下がり（移動方向３０）、それに連動してツール
２１も下がり、半導体素子２２のリペアを終了する。こ
のように、第２実施例によれば、基板裏面よりツールを
突き上げて半導体素子のリペアを行うため、隣接する半
導体素子をツールにより破損することはなくなる。ま
た、リペア時の半導体素子移動距離が小さくなるため、
リペア時の半導体素子同士の接触による隣接する半導体
素子の破損を低減させることができる。更に予め基板に
形成された穴をステージ上での半導体素子の位置決めと
して用いることができる。
２７が下がり（移動方向３０）、それに連動してツール
２１も下がり、半導体素子２２のリペアを終了する。こ
のように、第２実施例によれば、基板裏面よりツールを
突き上げて半導体素子のリペアを行うため、隣接する半
導体素子をツールにより破損することはなくなる。ま
た、リペア時の半導体素子移動距離が小さくなるため、
リペア時の半導体素子同士の接触による隣接する半導体
素子の破損を低減させることができる。更に予め基板に
形成された穴をステージ上での半導体素子の位置決めと
して用いることができる。
【００１７】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図６は本発明の第３実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。ここでは、第２実施例と同じ部分
については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
この実施例では、シリンダ３１内部にヒータ３２を備え
るようにしている。
る。図６は本発明の第３実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。ここでは、第２実施例と同じ部分
については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
この実施例では、シリンダ３１内部にヒータ３２を備え
るようにしている。
【００１８】そこで、基板２４の半導体素子２２の実装
位置に予め穴２６を数個所あけておき、その上に半導体
素子２２を実装する。まず、図６（ａ）に示すように、
基板２４をステージ２５にセットする。基板２４の穴２
６を利用してステージ２５上の位置決めを行い、リペア
を行う半導体素子２２をツール２１の上に持ってくる。
次にシリンダ３１内部のヒータ３２を加熱し、図６
（ｂ）に示すように、シリンダ３１にエア等をかけて駆
動させて、移動方向２８に突き上げ、ツール２１を押し
上げる。シリンダ３１内部のヒータ３２によりツール２
１が熱せられ、基板にあけた穴２６からツール２１が半
導体素子２２の裏面のダイスボンド樹脂２３に接触し、
ダイスボンド樹脂２３を柔らかくする。
位置に予め穴２６を数個所あけておき、その上に半導体
素子２２を実装する。まず、図６（ａ）に示すように、
基板２４をステージ２５にセットする。基板２４の穴２
６を利用してステージ２５上の位置決めを行い、リペア
を行う半導体素子２２をツール２１の上に持ってくる。
次にシリンダ３１内部のヒータ３２を加熱し、図６
（ｂ）に示すように、シリンダ３１にエア等をかけて駆
動させて、移動方向２８に突き上げ、ツール２１を押し
上げる。シリンダ３１内部のヒータ３２によりツール２
１が熱せられ、基板にあけた穴２６からツール２１が半
導体素子２２の裏面のダイスボンド樹脂２３に接触し、
ダイスボンド樹脂２３を柔らかくする。
【００１９】次に、図６（ｃ）のように、再度シリンダ
３１をエア等で駆動させ、ツール２１を突き上げ、基板
２４裏面から半導体素子２２が突き上げられることによ
り、半導体素子２２のリペアを行う。その後、図６
（ｄ）のように、シリンダ３１が下がり（移動方向３
０）、それに連動してツール２１も下がり、半導体素子
２２のリペアを終了する。
３１をエア等で駆動させ、ツール２１を突き上げ、基板
２４裏面から半導体素子２２が突き上げられることによ
り、半導体素子２２のリペアを行う。その後、図６
（ｄ）のように、シリンダ３１が下がり（移動方向３
０）、それに連動してツール２１も下がり、半導体素子
２２のリペアを終了する。
【００２０】このように、第３実施例によれば、基板裏
面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行うた
め、ツールにより隣接する半導体素子を破損することが
なく、また、リペア時の半導体素子の移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
ができるので、基板にかかるリペア時の熱を極力低減で
きるので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことが
できる。
面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行うた
め、ツールにより隣接する半導体素子を破損することが
なく、また、リペア時の半導体素子の移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
ができるので、基板にかかるリペア時の熱を極力低減で
きるので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことが
できる。
【００２１】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図７は本発明の第４実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。ここでは、第２実施例と同じ部分
については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
この実施例ではシリンダ４１の上端にセラミックス等の
断熱材４２が設けられ、この断熱材４２にツール４３が
設けられ、そのツール４３の先端にヒータ４４を内蔵す
るようにしている。
る。図７は本発明の第４実施例を示す半導体素子のリペ
ア工程断面図である。ここでは、第２実施例と同じ部分
については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
この実施例ではシリンダ４１の上端にセラミックス等の
断熱材４２が設けられ、この断熱材４２にツール４３が
設けられ、そのツール４３の先端にヒータ４４を内蔵す
るようにしている。
【００２２】そこで、基板２４上の半導体素子２２の実
装位置に予め穴２６を数個所あけておき、その上に半導
体素子２２を実装する。また、この穴２６を利用し、半
導体素子２２のステージ２５上の位置決めを行う。シリ
ンダ４１はリペア装置内に内蔵し、エア等の駆動により
上下に移動する。まず、図７（ａ）に示すように、半導
体素子２２を基板２４の穴２６を利用してステージ２５
上の位置決めを行い、リペアを行う半導体素子２２をツ
ール４３上に持ってくる。次に、図７（ｂ）のようにヒ
ータ４４を熱し、シリンダ４１にエア等をかけて駆動さ
せ、移動方向２８に突き上げ、ツール４３を押し上げ
る。
装位置に予め穴２６を数個所あけておき、その上に半導
体素子２２を実装する。また、この穴２６を利用し、半
導体素子２２のステージ２５上の位置決めを行う。シリ
ンダ４１はリペア装置内に内蔵し、エア等の駆動により
上下に移動する。まず、図７（ａ）に示すように、半導
体素子２２を基板２４の穴２６を利用してステージ２５
上の位置決めを行い、リペアを行う半導体素子２２をツ
ール４３上に持ってくる。次に、図７（ｂ）のようにヒ
ータ４４を熱し、シリンダ４１にエア等をかけて駆動さ
せ、移動方向２８に突き上げ、ツール４３を押し上げ
る。
【００２３】この時、ヒータ４４で熱せられていたツー
ル４３が基板にあけた穴２６から半導体素子２２裏面の
ダイスボンド樹脂２３に接触し、ダイスボンド樹脂２３
を柔らかくする。次に、図７（ｃ）に示すように、再度
シリンダ４１をエア等で駆動させ、ツール４３を突き上
げる（移動方向２８）。これにより、基板２４裏面から
半導体素子２２が突き上げられ、移動方向２９に半導体
素子２２が移動し、半導体素子２２のリペアを行う。そ
の後、図５（ｄ）に示すようにシリンダ４１が下がり、
それに連動してツール４３も下がり（移動方向３０）、
半導体素子２２のリペアを終了する。
ル４３が基板にあけた穴２６から半導体素子２２裏面の
ダイスボンド樹脂２３に接触し、ダイスボンド樹脂２３
を柔らかくする。次に、図７（ｃ）に示すように、再度
シリンダ４１をエア等で駆動させ、ツール４３を突き上
げる（移動方向２８）。これにより、基板２４裏面から
半導体素子２２が突き上げられ、移動方向２９に半導体
素子２２が移動し、半導体素子２２のリペアを行う。そ
の後、図５（ｄ）に示すようにシリンダ４１が下がり、
それに連動してツール４３も下がり（移動方向３０）、
半導体素子２２のリペアを終了する。
【００２４】このように、第４実施例によれば、半導体
素子裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを
行うため、ツールにより隣接する半導体素子が破損する
ことはなく、また、リペア時の半導体移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
で、基板にかかるリペア時の熱を低減させることができ
るので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことがで
きる。
素子裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを
行うため、ツールにより隣接する半導体素子が破損する
ことはなく、また、リペア時の半導体移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
で、基板にかかるリペア時の熱を低減させることができ
るので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことがで
きる。
【００２５】また、ツールにヒータを内蔵したことによ
り、ツール自体の小型化が可能となり、断熱材でツール
を覆うことで熱容量を低減させることができる。なお、
第１実施例では半導体素子のリペア装置に適用したが、
ドライバ間にスペーサを挟み、ツールで半導体素子上部
を押し、ダイスボンド樹脂等で基板に実装することで、
基板実装装置としても適用可能である。
り、ツール自体の小型化が可能となり、断熱材でツール
を覆うことで熱容量を低減させることができる。なお、
第１実施例では半導体素子のリペア装置に適用したが、
ドライバ間にスペーサを挟み、ツールで半導体素子上部
を押し、ダイスボンド樹脂等で基板に実装することで、
基板実装装置としても適用可能である。
【００２６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体素子をダイ
スボンド樹脂で高密度に実装した、例えば半導体素子同
士を近接して１列に並べ、その中の半導体素子のリペア
を行う場合、半導体素子間にスペーサ、例えば弾性回復
率のあるゴムのようなものを挿入することで、リペア時
の高い精度を必要としなくても、ツール及び隣接する半
導体素子同士の接触で起きる半導体素子の破損を低減さ
せることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体素子をダイ
スボンド樹脂で高密度に実装した、例えば半導体素子同
士を近接して１列に並べ、その中の半導体素子のリペア
を行う場合、半導体素子間にスペーサ、例えば弾性回復
率のあるゴムのようなものを挿入することで、リペア時
の高い精度を必要としなくても、ツール及び隣接する半
導体素子同士の接触で起きる半導体素子の破損を低減さ
せることができる。
【００２８】（２）請求項２記載の発明によれば、ツー
ル及び隣接する半導体素子同士の接触で起きる半導体素
子の破損を低減させることができる半導体素子のリペア
装置を提供することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、基板裏面よりツー
ルを突き上げて半導体素子のリペアを行うため、隣接す
る半導体素子をツールにより破損することはなくなる。
また、リペア時の半導体素子移動距離が小さくなるた
め、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接する半
導体素子の破損を低減させることができる。更にまた、
予め基板に形成された穴をステージ上での半導体素子の
位置決めとして用いることができる。
ル及び隣接する半導体素子同士の接触で起きる半導体素
子の破損を低減させることができる半導体素子のリペア
装置を提供することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、基板裏面よりツー
ルを突き上げて半導体素子のリペアを行うため、隣接す
る半導体素子をツールにより破損することはなくなる。
また、リペア時の半導体素子移動距離が小さくなるた
め、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接する半
導体素子の破損を低減させることができる。更にまた、
予め基板に形成された穴をステージ上での半導体素子の
位置決めとして用いることができる。
【００２９】（４）請求項４記載の発明によれば、基板
裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行う
ため、ツールにより隣接する半導体素子を破損すること
がなく、またリペア時の半導体素子の移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
ができるので、基板にかかるリペア時の熱を極力低減で
きるので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことが
できる。
裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行う
ため、ツールにより隣接する半導体素子を破損すること
がなく、またリペア時の半導体素子の移動距離が小さく
なるため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接
する半導体素子の破損を低減させることができる。更
に、ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイ
スボンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うこと
ができるので、基板にかかるリペア時の熱を極力低減で
きるので、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことが
できる。
【００３０】（５）請求項５記載の発明によれば、半導
体裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行
うため、ツールにより隣接する半導体素子が破損するこ
とはなく、また、リペア時の半導体移動距離が小さくな
るため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接す
る半導体素子の破損を低減させることができる。更に、
ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイスボ
ンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うことで、
基板にかかるリペア時の熱を低減させることができるの
で、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことができ
る。
体裏面よりツールを突き上げて半導体素子のリペアを行
うため、ツールにより隣接する半導体素子が破損するこ
とはなく、また、リペア時の半導体移動距離が小さくな
るため、リペア時の半導体素子同士の接触による隣接す
る半導体素子の破損を低減させることができる。更に、
ツールに熱を加えてリペアすべき半導体素子のダイスボ
ンド樹脂を加熱することにより、リペアを行うことで、
基板にかかるリペア時の熱を低減させることができるの
で、リペア時の熱による基板の劣化を防ぐことができ
る。
【００３１】また、ツールにヒータを内蔵したことによ
り、ツール自体の小型化が可能となり、断熱材でツール
を覆うことで熱容量を低減させることができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、リペア時の半導体
素子同士の接触による隣接する半導体素子の破損を低減
させることができる半導体素子のリペア装置を提供する
ことができる。
り、ツール自体の小型化が可能となり、断熱材でツール
を覆うことで熱容量を低減させることができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、リペア時の半導体
素子同士の接触による隣接する半導体素子の破損を低減
させることができる半導体素子のリペア装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体素子のリペア
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す半導体素子のリペア
装置の上面図である。
装置の上面図である。
【図３】従来の半導体素子のリペア方法を説明する断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体素子のリペア方法を示す上面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第２実施例を示す半導体素子のリペア
工程断面図である。
工程断面図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す半導体素子のリペア
工程断面図である。
工程断面図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す半導体素子のリペア
工程断面図である。
工程断面図である。
１０ リペア装置 １１，２１，４３ ツール １２ スペーサ １３，２２ 半導体素子 １４，２３ ダイスボンド樹脂 １５，２４ 基板 １６，２５ ステージ １７，２８，３０ ツール移動方向 ２６ 穴 ２７，３１，４１ シリンダ ２９ 半導体素子移動方向 ３２，４４ ヒータ ４２ 断熱材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板より半導体素子を剥離する半導体素
子のリペア方法において、 半導体素子の両側にスペーサを挟み、ダイスボンド樹脂
を加熱して軟らかくした後、ツールにより前記半導体素
子を移動させ、該半導体素子のリペアを行うことを特徴
とする半導体素子のリペア方法。 - 【請求項２】 基板より半導体素子を剥離する半導体素
子のリペア装置において、（ａ）半導体素子の両側に配
置可能なスペーサと、（ｂ）ダイスボンド樹脂を軟らか
くする加熱手段と、（ｃ）前記スペーサ間で移動可能で
あり、前記半導体素子のリペアを行うツールとを具備す
ることを特徴とする半導体素子のリペア装置。 - 【請求項３】 基板より半導体素子を剥離する半導体素
子のリペア方法において、 基板に予め穴をあけておき、該穴の上にダイスボンド樹
脂により半導体素子を実装し、前記穴からツールを突き
上げて前記半導体素子をリペアすることを特徴とする半
導体素子のリペア方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体素子のリペア方法
において、前記ツールを熱伝導の良い材質で形成し、シ
リンダ部から熱を加え、前記ダイスボンド樹脂を柔らか
くした後、前記ツールを突き上げて前記半導体素子をリ
ペアすることを特徴とする半導体素子のリペア方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体素子のリペア方法
において、前記ツールにヒータを内蔵し、前記半導体素
子の基板の前記穴から半導体素子の裏面に接触させ、前
記ダイスボンド樹脂を柔らかくした後、前記ツールを突
き上げて前記半導体素子をリペアすることを特徴とする
半導体素子のリペア方法。 - 【請求項６】 基板より半導体素子を剥離する半導体素
子のリペア装置において、（ａ）予め穴が形成された基
板と、（ｂ）該基板上にダイスボンド樹脂を介して実装
される半導体素子と、（ｃ）前記穴に対応して配置され
るツールと、（ｄ）該ツールを突き上げて前記半導体素
子をリペアする駆動手段とを具備することを特徴とする
半導体素子のリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26050196A JPH10107427A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26050196A JPH10107427A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107427A true JPH10107427A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17348853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26050196A Withdrawn JPH10107427A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体素子のリペア方法及びそのリペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010180886A (ja) * | 2005-03-14 | 2010-08-19 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 燃料インジェクタのための調節可能な絞り式のサーボバルブ |
| CN110444487A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-12 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种Mini LED模组的检修方法 |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP26050196A patent/JPH10107427A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010180886A (ja) * | 2005-03-14 | 2010-08-19 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 燃料インジェクタのための調節可能な絞り式のサーボバルブ |
| CN110444487A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-12 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种Mini LED模组的检修方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |